JPS6345009Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6345009Y2 JPS6345009Y2 JP16123282U JP16123282U JPS6345009Y2 JP S6345009 Y2 JPS6345009 Y2 JP S6345009Y2 JP 16123282 U JP16123282 U JP 16123282U JP 16123282 U JP16123282 U JP 16123282U JP S6345009 Y2 JPS6345009 Y2 JP S6345009Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gto
- diode
- snubber
- cooling fin
- fin
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 21
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Thyristors (AREA)
- Thyristor Switches And Gates (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
本考案は、GTO（ゲートターンオフサイリス
タ）を一対の冷却フインの間に挾持するととも
に、冷却フインにスナバダイオード及びスナバコ
ンデンサを取付けてスナバ回路を形成したGTO
ユニツトに関するものである。
タ）を一対の冷却フインの間に挾持するととも
に、冷却フインにスナバダイオード及びスナバコ
ンデンサを取付けてスナバ回路を形成したGTO
ユニツトに関するものである。
第１図にGTOのスナバ回路を示す。即ち、
GTOQのアノード、カソード間にダイオードＤ
及びコンデンサＣの直列回路を接続し、かつダイ
オードＤに抵抗Ｒを並列に接続したものであり、
このスナバ回路には配線による浮遊インダクタン
スLlが存在する。この浮遊インダクタンスLlは
GTOの電流遮断耐量に大いに関係する。
GTOQのアノード、カソード間にダイオードＤ
及びコンデンサＣの直列回路を接続し、かつダイ
オードＤに抵抗Ｒを並列に接続したものであり、
このスナバ回路には配線による浮遊インダクタン
スLlが存在する。この浮遊インダクタンスLlは
GTOの電流遮断耐量に大いに関係する。
例えばGTOQが電流を遮断するときには第２
図に示す波形のようにアノード、カソード間にス
パイク電圧VSが発生する。このスパイク電圧VS
はアノード電流IAの下降時間に発生し、これとア
ノード電流IAの積はロスとなる。従つて、スパイ
ク電圧VSの大きさによりGTOQの遮断可能な電
流が大きく左右される。つまり、スパイク電圧
VSが小さければスイツチングロスが減少し、
GTOの遮断可能な電流が大きくなる。
図に示す波形のようにアノード、カソード間にス
パイク電圧VSが発生する。このスパイク電圧VS
はアノード電流IAの下降時間に発生し、これとア
ノード電流IAの積はロスとなる。従つて、スパイ
ク電圧VSの大きさによりGTOQの遮断可能な電
流が大きく左右される。つまり、スパイク電圧
VSが小さければスイツチングロスが減少し、
GTOの遮断可能な電流が大きくなる。
スパイク電圧VSは略次式で表わされる。
VS＝−LldIA／dt＋VD
ここで、VD：ダイオード順方向回復電圧
上式の中のダイオード順方向回復電圧VDはダ
イオードＤの特性で決まり、アノード電流下降率
dIA／dtはGTOの特性により決定されるため、スパ イク電圧VSを小さくするには回路中のインダク
タンス成分Llを小さくする必要がある。
イオードＤの特性で決まり、アノード電流下降率
dIA／dtはGTOの特性により決定されるため、スパ イク電圧VSを小さくするには回路中のインダク
タンス成分Llを小さくする必要がある。
第３図は従来のGTOユニツトの一例を示すも
のであり、GTOQを一対の冷却フインＦ，F′間
に挾持してクランプボルトＢにより固定するとと
もに、一方のフイン、例えばアノード側のフイン
ＦにスナバダイオードＤを取付け、このダイオー
ドＤと他方のフインF′との間にスナバコンデンサ
Ｃを接続している。
のであり、GTOQを一対の冷却フインＦ，F′間
に挾持してクランプボルトＢにより固定するとと
もに、一方のフイン、例えばアノード側のフイン
ＦにスナバダイオードＤを取付け、このダイオー
ドＤと他方のフインF′との間にスナバコンデンサ
Ｃを接続している。
この場合、放熱のためにはある程度大きな冷却
フインを必要とするため、フインの長さ分（l1＋
l2）の間の電流経路のインダクタンス成分も無視
できない大きさとなる。
フインを必要とするため、フインの長さ分（l1＋
l2）の間の電流経路のインダクタンス成分も無視
できない大きさとなる。
本考案は上記の点を考慮してなされたもので、
一方の冷却フインの他方の冷却フインとの対向面
の一部に凸部を形成してその凸面を絶縁シートを
介して他方の冷却フインに密着させるとともに、
凸部の側面にスナバダイオードを取付けることに
より、スナバ回路浮遊インダクタンスの減少、即
ちGTOの電流遮断耐量の増加が図れるGTOユニ
ツトを提供することを目的とする。
一方の冷却フインの他方の冷却フインとの対向面
の一部に凸部を形成してその凸面を絶縁シートを
介して他方の冷却フインに密着させるとともに、
凸部の側面にスナバダイオードを取付けることに
より、スナバ回路浮遊インダクタンスの減少、即
ちGTOの電流遮断耐量の増加が図れるGTOユニ
ツトを提供することを目的とする。
以下、本考案を図示の実施例に基づいて詳細に
説明する。
説明する。
第４図は本考案の一実施例を示すもので、一対
の冷却フインＦ，F′の間にGTOQを挾持しクラ
ンプボルトＢで固定することは従来と同様である
が、一方の冷却フインＦの他方の冷却フインF′と
の対向面の一部に凸部F1を形成してその凸面を
絶縁シートISを介して他方の冷却フインF′に密着
させている。また、凸部F1の外側面にスナバダ
イオードＤを取付け、このダイオードＤと他方の
冷却フインF′との間にスナバコンデンサＣを接続
している。コンデンサＣとダイオードＤ、フイン
F′との接続には銅バーCB1，CB2を用いている。
の冷却フインＦ，F′の間にGTOQを挾持しクラ
ンプボルトＢで固定することは従来と同様である
が、一方の冷却フインＦの他方の冷却フインF′と
の対向面の一部に凸部F1を形成してその凸面を
絶縁シートISを介して他方の冷却フインF′に密着
させている。また、凸部F1の外側面にスナバダ
イオードＤを取付け、このダイオードＤと他方の
冷却フインF′との間にスナバコンデンサＣを接続
している。コンデンサＣとダイオードＤ、フイン
F′との接続には銅バーCB1，CB2を用いている。
このような構造とすると、凸部F1とフイン
F′の間が絶縁シートISを介して密着しているた
め、この部分（l3の間）に小さな静電容量を持つ
ことになり、第３図では（l1＋l2）間に存在した
インダクタンスが略皆無となる。これは、特に
GTOの大容量化に伴い大形の冷却フインを必要
とする場合に有効である。
F′の間が絶縁シートISを介して密着しているた
め、この部分（l3の間）に小さな静電容量を持つ
ことになり、第３図では（l1＋l2）間に存在した
インダクタンスが略皆無となる。これは、特に
GTOの大容量化に伴い大形の冷却フインを必要
とする場合に有効である。
また、凸部F1の側面にスナバダイオードＤを
取付けることができるため、従来よりGTOQに
近い位置にダイオードＤを取付けることが可能と
なり、スナバ回路の電流経路が短縮されて回路中
のインダクタンスが減少する。従つて、GTOの
遮断時のスパイク電圧が大幅に抑制されるように
なり、GTOの電流遮断耐量が増加する。
取付けることができるため、従来よりGTOQに
近い位置にダイオードＤを取付けることが可能と
なり、スナバ回路の電流経路が短縮されて回路中
のインダクタンスが減少する。従つて、GTOの
遮断時のスパイク電圧が大幅に抑制されるように
なり、GTOの電流遮断耐量が増加する。
以上のように本考案によれば、GTOを挾持す
る冷却フインの一方の対向面の一部に凸部を形成
してその凸面を絶縁シートを介して他方の冷却フ
インに密着させるとともに、凸部の側面にスナバ
ダイオードを取付けたので、絶縁シート挾持部分
の静電容量と電流経路の短縮によりインダクタン
スが大幅に減少するようになり、スパイク電圧
VSの抑制、即ちGTOの電流遮断耐量の増加が図
れる。
る冷却フインの一方の対向面の一部に凸部を形成
してその凸面を絶縁シートを介して他方の冷却フ
インに密着させるとともに、凸部の側面にスナバ
ダイオードを取付けたので、絶縁シート挾持部分
の静電容量と電流経路の短縮によりインダクタン
スが大幅に減少するようになり、スパイク電圧
VSの抑制、即ちGTOの電流遮断耐量の増加が図
れる。
第１図はGTOのスナバ回路の接続図、第２図
はGTOのターンオフ時のアノード・カソード間
電圧VAKとアノード電流IAの波形図、第３図は従
来のGTOユニツトの一例を示す平面図、第４図
は本考案の一実施例を示す平面図である。 Ｑ……GTO、Ｆ，F′……冷却フイン、F1……
凸部、IS……絶縁シート、Ｄ……スナバダイオー
ド、Ｃ……スナバコンデンサ、Ll……浮遊インダ
クタンス。
はGTOのターンオフ時のアノード・カソード間
電圧VAKとアノード電流IAの波形図、第３図は従
来のGTOユニツトの一例を示す平面図、第４図
は本考案の一実施例を示す平面図である。 Ｑ……GTO、Ｆ，F′……冷却フイン、F1……
凸部、IS……絶縁シート、Ｄ……スナバダイオー
ド、Ｃ……スナバコンデンサ、Ll……浮遊インダ
クタンス。
Claims (1)
- 一対の冷却フインの間にGTOを挾持するとと
もに、一方の冷却フインにスナバダイオードを取
付け、このダイオードと他方の冷却フインとの間
にスナバコンデンサを接続するGTOユニツトに
おいて、一方の冷却フインの他方の冷却フインと
の対向面に凸部を一体に形成してその凸面を絶縁
シートを介して他方の冷却フインに密着させ、ま
た凸部の側面にスナバダイオードを取付けたこと
を特徴とするGTOユニツト。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16123282U JPS5965558U (ja) | 1982-10-25 | 1982-10-25 | Ｇｔｏユニツト |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16123282U JPS5965558U (ja) | 1982-10-25 | 1982-10-25 | Ｇｔｏユニツト |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5965558U JPS5965558U (ja) | 1984-05-01 |
| JPS6345009Y2 true JPS6345009Y2 (ja) | 1988-11-22 |
Family
ID=30354400
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16123282U Granted JPS5965558U (ja) | 1982-10-25 | 1982-10-25 | Ｇｔｏユニツト |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5965558U (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011165988A (ja) * | 2010-02-11 | 2011-08-25 | Denso Corp | 半導体装置 |
-
1982
- 1982-10-25 JP JP16123282U patent/JPS5965558U/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5965558U (ja) | 1984-05-01 |
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