JPS6340436B2 - - Google Patents

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Publication number
JPS6340436B2
JPS6340436B2 JP3382482A JP3382482A JPS6340436B2 JP S6340436 B2 JPS6340436 B2 JP S6340436B2 JP 3382482 A JP3382482 A JP 3382482A JP 3382482 A JP3382482 A JP 3382482A JP S6340436 B2 JPS6340436 B2 JP S6340436B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
general formula
novel
compound
compound represented
ethynylene
Prior art date
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Expired
Application number
JP3382482A
Other languages
English (en)
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JPS58152893A (ja
Inventor
Hideki Sakurai
Yasuhiro Nakahira
Juichi Eryama
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
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Publication of JPS58152893A publication Critical patent/JPS58152893A/ja
Publication of JPS6340436B2 publication Critical patent/JPS6340436B2/ja
Granted legal-status Critical Current

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Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、新規エチニレンポリシラン系化合物
およびその製造方法に関する。
二価の反応性中間体であるシリレンは、極めて
反応性に富むことから、高分子の架橋剤や新しい
有機合成反応への利用が期待され、広く研究され
ている。有機シリレン(:SiR2)の発生法とし
ては、各種の方法が公知であり、例えばポリシラ
ン類を光分解する方法がある。この方法は操作が
容易であることから応用範囲が広い。
上記の方法の一つに鎮状フエニルジシラン類を
光分解する方法が知られているが、この方法によ
ると1,3−ケイ素転位したシラエテンを主に生
成し、有機シリレンの生成収率は低い。またその
感光波長が紫外線領域に限られる。
本発明の目的は、光分解で有機シリレンを高収
率で発生する新規なエチニレンポリシラン系化合
物およびその製造方法を提供するにある。
上記目的のために各種のポリエチニレンポリシ
ラン系化合物を合成し、有機シリレンの発生収率
を調べた結果、以下に示される新規なエチニレン
ポリシラン系化合物が有用であることを見出し
た。
本発明の新規エチニレンポリシラン系化合物
は、以下、一般式(1)で示される。
(但し、一般式(1)中のRはアルキル基を表わす。) 本発明の新規エチニレンポリシラン系化合物と
しては、例えば、7,7,8,8,9,9−ヘキ
サメチル−7,8,9−トリシラシクロ−1,5
−ノナジインなどがあげられる。
本発明による新規ポリエチニレンポリシラン系
化合物は、例えば次のような反応により合成でき
る。
7,7,8,8,9,9−ヘキサメチル−7,
8,9−トリシラシクロ−1,5−ノナジイン
(一般式(1)においてR=メチル基である化合物)
は、エーテル溶液中1,6−ヘキサジインとフエ
ニルマグネシウムブロマイドから導かれるジグリ
ニヤール試薬に、1,3−ジクロロヘキサメチル
トリシランを加え、室温にて反応させ、さらに還
流させることにより合成できる。
以下、本発明を実施例でさらに詳細に説明す
る。
実施例 1 200ml3つ口フラスコを窒素置換した後、その
中に1,5−ヘキサジイン2g(0.0256モル)およ
びジエチルエーテル30mlを入れ、フラスコを氷冷
した。この溶液に、撹拌しながらフエニルマグネ
シウムブロマイドの2規定THF溶液25.6ml(フ
エニルマグネシウムブロマイドとして0.0512モ
ル)を約10分間で滴下し、さらに室温で30分間撹
拌した。この溶液に1,3−ジクロロヘキサメチ
ルトリシラン6.28g(0.0256モル)とジエチルエー
テル30mlの混合溶液を一度に添加し、室温にて1
時間撹拌した後、1時間還流させた。常法通りの
処理ののち、粗生成物の減圧蒸留により、本発明
の7,7,8,8,9,9−ヘキサメチル−7,
8,9−トリシラシクロ−1,5−ノナジインを
得た。収率45%bp.136〜138℃/20mmHg。この化
合物の構造は核磁気共鳴スペクトル(1H−
NMR)および高分解能マススペクトルにおける
以下の結果から確認された。
(1) 1H−NMR(δppm/CDCl3) 0.22(6H、シングレツト、メチル基) 0.27(12H、シングレツト、メチル基) 2.47(4H、シングレツト、メチレン基) (2) 高分解能マススペクトル C12H22Si3の計算値=250.566 実測値=250.564 実施例 2 実施例1の方法により合成した7,7,8,
8,9,9−ヘキサメチル−7,8,9−トリシ
ラシクロ−1,5−ノナジイン2gをベンゼン50
mlに溶かし、さらにシリレン捕捉剤としてジエチ
ルメチルシラン2.9gを加え、300W低圧水銀燈で
10分間光照射した。反応混合物をガスクロマトグ
ラフイーで分離し、標準試料との比較ならびにマ
ススペクトルによつて分析した。その結果、シリ
レンの捕捉によつて生じた1,1−ジエチル−
1,2,2−トリメチルジシラン(シリレン捕捉
剤に対して、収率80%)を得た。
以上述べたように、本発明の新規エチニレンポ
リシラン系化合物は、σ(Si−Si)−π共役に基づ
く強い吸収を紫外線領域に有するため光分解によ
る有機シリレンの発生効率が高く、新しいシリレ
ン発生剤として有用である。
また次のように光電変換膜の形成に使用でき
る。例えば、7,7,8,8,9,9−ヘキサメ
チル−7,8,9−トリシラシクロ−1,5−ノ
ナジインのトルエン溶液(5〜10重量%)を導電
性基板上に塗布し、乾燥成膜の後、全面を低圧水
銀燈で照射すれば、不溶性の光電変換薄膜を形成
できる。
さらに、同様の方法により、レーザービームパ
ターニングシステムにおける感光体として用いう
る。即ち上記と同様の方法により作製した本新規
物質薄膜に対して、レーザービーム照射により光
電導性の不溶性薄膜パターンを形成できる。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 一般式(1) (但し、一般式(1)中のRはアルキル基を示す)で
    表される化合物よりなることを特徴とする新規エ
    チニレンポリシラン系化合物。 2 7,7,8,8,9,9−ヘキサメチル−
    7,8,9−トリシラシクロ−1,5−ノナジイ
    ンであることを特徴とする特許請求範囲第1項記
    載の新規エチニレンポリシラン系化合物。 3 一般式(2)で表される化合物と、一般式(3)で表
    される化合物とを反応させて、一般式(1)で表され
    る化合物を得ることを特徴とする新規エチニレン
    ポリシラン系化合物の製造方法。 但し、一般式(1)〜(3)中のRはアルキル基であ
    り、一般式(2)〜(4)中のXはClもしくはBrである。 4 一般式(1)で表される化合物が7,7,8,
    8,9,9−ヘキサメチル−7,8,9−トリシ
    ラシクロ−1,5−ノナジインであり、一般式(2)
    で表される化合物が【式】もしく は【式】であり、一般式(3)で表さ れる化合物がClSi(CH32Si(CH32Si(CH32Clも
    しくはBrSi(CH32Si(CH32Si(CH32Brである
    ことを特徴とする特許請求の範囲第3項記載の新
    規エチニレンポリシラン系化合物の製造方法。
JP3382482A 1982-03-05 1982-03-05 新規エチニレンポリシラン系化合物およびその製造方法 Granted JPS58152893A (ja)

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JPS58152893A JPS58152893A (ja) 1983-09-10
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US4996341A (en) * 1990-07-05 1991-02-26 Kanegafuchi Chemical Industry Co., Ltd. Condensed bicyclic disilanylene-acetylene compound and method for preparing the same

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