JPS6340106A - 光導波回路の製造方法 - Google Patents
光導波回路の製造方法Info
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- JPS6340106A JPS6340106A JP18486186A JP18486186A JPS6340106A JP S6340106 A JPS6340106 A JP S6340106A JP 18486186 A JP18486186 A JP 18486186A JP 18486186 A JP18486186 A JP 18486186A JP S6340106 A JPS6340106 A JP S6340106A
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Landscapes
- Optical Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は拡散によって基板内に光導波回路を一体的に形
成する方法に関し、特に分岐部を有する光導波回路′の
製造方法に関する。
成する方法に関し、特に分岐部を有する光導波回路′の
製造方法に関する。
ガラス等の透明誘電体基板の表面上の予め定められた回
路パターン領域から、基板物質の屈折率に変化を与える
物質をイオン交換等で基板内に拡散させて、上記拡散物
質の濃度勾配に応じた断面円屈折率分布をもつ光導波回
路を基板内に形成する方法が一般に知られている。
路パターン領域から、基板物質の屈折率に変化を与える
物質をイオン交換等で基板内に拡散させて、上記拡散物
質の濃度勾配に応じた断面円屈折率分布をもつ光導波回
路を基板内に形成する方法が一般に知られている。
ガラス基板を用いた典型的な従来方法では、第１０図に
示すように基板ｌの面を金属膜から成るイオン透過防止
マスク材コで被覆するとともに、このマスク材−に所定
の光導波回路のパターンでＣ；１０３を設け、このマス
ク基板面に、例えばＴｌ。
示すように基板ｌの面を金属膜から成るイオン透過防止
マスク材コで被覆するとともに、このマスク材−に所定
の光導波回路のパターンでＣ；１０３を設け、このマス
ク基板面に、例えばＴｌ。
Ｏｓ、Ｌｉ＋Ａｇ等基板ガ多基板ガラスを増加させる陽
イオンを含む溶融塩を接触させて、溶融塩中のイオンを
基板ガラス中のイオンとのイオン交換によって拡散させ
る。これにより拡散イオンの濃度分布に基づく断面内で
の屈折率勾配をもった光導波路ｔが基板内に形成される
。
イオンを含む溶融塩を接触させて、溶融塩中のイオンを
基板ガラス中のイオンとのイオン交換によって拡散させ
る。これにより拡散イオンの濃度分布に基づく断面内で
の屈折率勾配をもった光導波路ｔが基板内に形成される
。
そして導波回路が分岐部を含む回路である場合、各分岐
導波路への伝搬光の配分が均等に行なわれるように分岐
角を小さくすることが望ましく、このため第１０図に示
すようにマスク材コの開口３のパターンを分岐部で曲線
で接する形状としている０ すなわち、単一路グＡから分岐する分岐路ｔＢ。
導波路への伝搬光の配分が均等に行なわれるように分岐
角を小さくすることが望ましく、このため第１０図に示
すようにマスク材コの開口３のパターンを分岐部で曲線
で接する形状としている０ すなわち、単一路グＡから分岐する分岐路ｔＢ。
ｊＣを、両者の接線が単−ｉ４Ａに重なるような外向き
にカーブする円弧曲線路としていた。
にカーブする円弧曲線路としていた。
上記の従来方法では、分岐路４］３．ｊＣの成す分岐角
θが、マスクパターン開口３と最終的に得られる先導波
回路との間で相違してしまうという問題があった。第１
Ｏ図によりさらに詳しく説明すると、両分岐路！、４Ｃ
が分岐部で成す角θを、マスク材２に回路パターン開口
３を設ける時点で０１に設定したとする。
θが、マスクパターン開口３と最終的に得られる先導波
回路との間で相違してしまうという問題があった。第１
Ｏ図によりさらに詳しく説明すると、両分岐路！、４Ｃ
が分岐部で成す角θを、マスク材２に回路パターン開口
３を設ける時点で０１に設定したとする。
上記開口３を通じて外部から基板内にイオンを拡散させ
ると、マスク開口３から入ったイオンはマスク開口を中
心として断面内で略半円状に拡散してゆき基板面に平行
な面内でのイオン侵入領域幅すなわち導波路幅はｄ２に
拡大する。
ると、マスク開口３から入ったイオンはマスク開口を中
心として断面内で略半円状に拡散してゆき基板面に平行
な面内でのイオン侵入領域幅すなわち導波路幅はｄ２に
拡大する。
この幅拡大に伴ない、導波路の分岐点は、当初の５Ａ点
から５Ｂ点に移動する。
から５Ｂ点に移動する。
一方、両分岐路４＋３．ｊＣは外向きの円弧状にカーブ
しているため、両者の接線が成す角は当初の分岐点５Ａ
から離れるほど犬となり、したがってイオン拡散処理を
終了した後の分岐導波路４ＺＢ。
しているため、両者の接線が成す角は当初の分岐点５Ａ
から離れるほど犬となり、したがってイオン拡散処理を
終了した後の分岐導波路４ＺＢ。
４ＺＣが成す角θ２は、当初マスク開口に形成した分岐
角θ１よりも大きいものとなってしまう。
角θ１よりも大きいものとなってしまう。
上記原因により設Ｊ１値通りの光分岐特性が得られない
という問題があった。
という問題があった。
また製品間で導波路の分岐角がばらつき、安定した品質
が得らないという問題もあった。
が得らないという問題もあった。
拡散当初における分岐部での分岐導波路パターンを、導
波路径をＤ１分岐角をθとして導波路上で１！ ＝Ｄ／
２ ｊａｎ （θ／２）以上の距離にわたり直線とし、
該直線部以降曲線部を経て基板側縁およびその近傍で導
波路光軸を側縁に対し垂直とした。
波路径をＤ１分岐角をθとして導波路上で１！ ＝Ｄ／
２ ｊａｎ （θ／２）以上の距離にわたり直線とし、
該直線部以降曲線部を経て基板側縁およびその近傍で導
波路光軸を側縁に対し垂直とした。
上記構成によれば、イオン拡散領域の幅が所期の導波路
径りまで拡大して、その分岐点が当初のマスク開口分岐
点から移動しても、該区間では直線路であるため分岐角
は一定であり、マスク開口に設定した導波路分岐角がイ
オン拡散処理後の光導波回路にそのまま実現される。
径りまで拡大して、その分岐点が当初のマスク開口分岐
点から移動しても、該区間では直線路であるため分岐角
は一定であり、マスク開口に設定した導波路分岐角がイ
オン拡散処理後の光導波回路にそのまま実現される。
また、分岐部から直線的に延びる分岐導波路をそのまま
基板側縁に至らせた場合は、導波路光軸が四辺形の基板
側縁に対し傾斜することになるため、光ファイバとの接
続が困難になるが、本発明では前述した拡散処理後に導
波路分岐点となる箇所までは直線路として、それ以降は
曲線部を経て基板側縁及び側縁近傍で導波路光軸が側縁
に対し垂直となるような回路パターンとしているので、
得られる光導波回ｔ−ｒは光ファイバとの接続が容易で
あり、また伝送光の接続損失も小さい。
基板側縁に至らせた場合は、導波路光軸が四辺形の基板
側縁に対し傾斜することになるため、光ファイバとの接
続が困難になるが、本発明では前述した拡散処理後に導
波路分岐点となる箇所までは直線路として、それ以降は
曲線部を経て基板側縁及び側縁近傍で導波路光軸が側縁
に対し垂直となるような回路パターンとしているので、
得られる光導波回ｔ−ｒは光ファイバとの接続が容易で
あり、また伝送光の接続損失も小さい。
以下本発明を図面に示した実施例に基づいて詳糺ｉＫ説
明する。
明する。
第１図は本発明方法で製造する光導波回路ＩＯの平面図
、葛２図は側面図であり、ガラス基板／／内に、母ｉ
ｉＩ＋ｉがほぼ円形で屈折率が中心から周辺に向けて漸
減する分布をもつ光導波路１２を埋め込み形成している
。光導波路７．２は、基板の一側縁／／Ａに端部が臨む
単一路／ｊＡから２本の分岐路／２Ｂ、／２Ｃに分岐し
た後、基板の他側縁／／Ｂに至ル回路パターンとなって
おり、６路／２ｋ 、 ／２Ｂ 。
、葛２図は側面図であり、ガラス基板／／内に、母ｉ
ｉＩ＋ｉがほぼ円形で屈折率が中心から周辺に向けて漸
減する分布をもつ光導波路１２を埋め込み形成している
。光導波路７．２は、基板の一側縁／／Ａに端部が臨む
単一路／ｊＡから２本の分岐路／２Ｂ、／２Ｃに分岐し
た後、基板の他側縁／／Ｂに至ル回路パターンとなって
おり、６路／２ｋ 、 ／２Ｂ 。
／２Ｇの光軸は基板の側縁／／Ａ、／／Ｂおよびその近
傍において側縁に対し垂直となっている。
傍において側縁に対し垂直となっている。
上記の分岐路／ｌ、／２Ｃが分岐点１３で成す角をθ、
導波路径をＤとし、以下上記導波回路を製造する方法に
ついて説明する。
導波路径をＤとし、以下上記導波回路を製造する方法に
ついて説明する。
まず第３図に示すように基板／／の面に金属Ｔｉ等の薄
膜を高周波スパッタリング等の手段で付着させてイオン
透過防止マスクｌｌＩを形成し、このマスク／すに周知
のフォトリングラフィ技術を用いて所定の導波回路パタ
ーンで開口部１５を設ける。このマスク開口部１５の幅
は最終的に得ようとする導波路径りよりも光分小さくし
ておく。
膜を高周波スパッタリング等の手段で付着させてイオン
透過防止マスクｌｌＩを形成し、このマスク／すに周知
のフォトリングラフィ技術を用いて所定の導波回路パタ
ーンで開口部１５を設ける。このマスク開口部１５の幅
は最終的に得ようとする導波路径りよりも光分小さくし
ておく。
−例として、Ｄ−６０μｍの場合マスク開口幅を５μｍ
前後にする。
前後にする。
そしてマスク開口部１５の平面パターンは第≠図に示す
ように、各導波路／２Ａ 、 ／２Ｂ 、 ／２Ｇに対
応する連通した開口部／！；Ａ 、 １５Ｂ 、 ／３
；Ｃを設けるとともに、分岐部では以下のように形状を
設定する。
ように、各導波路／２Ａ 、 ／２Ｂ 、 ／２Ｇに対
応する連通した開口部／！；Ａ 、 １５Ｂ 、 ／３
；Ｃを設けるとともに、分岐部では以下のように形状を
設定する。
すなわち、分岐点／ＪＡから一定距離ｌにわたり、分岐
路開口／ｊＢ、／！；Ｇを直線路とし、両分岐路開口／
ｊＢ、／！；Ｇの分岐点において成す角をθとするとと
もに、上記ｌをＤ／ｊＸｔａｎ（θ／２）以上とする。
路開口／ｊＢ、／！；Ｇを直線路とし、両分岐路開口／
ｊＢ、／！；Ｇの分岐点において成す角をθとするとと
もに、上記ｌをＤ／ｊＸｔａｎ（θ／２）以上とする。
−例として、θ−／ ’ 、Ｄ−ｔ ｏ ｐｍとしてｌ
を３ 、 ｌｌ’１ｍ１ｆ＋以上例えば５門にする。ま
た分岐路開口１５Ｂ。
を３ 、 ｌｌ’１ｍ１ｆ＋以上例えば５門にする。ま
た分岐路開口１５Ｂ。
／ｊＣは上記直線部２ノ以降に緩やかな曲線部コ２を設
けて、基板側縁／／Ｂおよびその近傍では軸線をｆ！１
１縁／／Ｂに対し垂直とする。
けて、基板側縁／／Ｂおよびその近傍では軸線をｆ！１
１縁／／Ｂに対し垂直とする。
次いで、基板ガラスの屈折率を増加させるＴＪ等のイオ
ンをマスク開口を通して基板内に拡散させる。このイオ
ン拡散の方法としては周知のイオン交換法を用いること
ができる。
ンをマスク開口を通して基板内に拡散させる。このイオ
ン拡散の方法としては周知のイオン交換法を用いること
ができる。
例えばＴｌ２ＳＯ４、Ｔｌ２ＳＯ４など拡散イオン源を
含む硝酸塩、硫酸塩などの高温溶融塩浴中に上記のマス
ク付き基板を浸漬する。
含む硝酸塩、硫酸塩などの高温溶融塩浴中に上記のマス
ク付き基板を浸漬する。
一例として約５５０°Ｃで約１０分間処理する。
この結果、溶出（塩中のイオン例えばＴＩ！イオンと、
ガラス中のＮａイオンあるいはにイオンとの間でイオン
交換を生じ、塩中のイオンが基板内に拡散侵入して第６
図に示すように、拡散イオンの濃度分布に応じて、マス
ク開口直下で屈折率が最大で深さ方向及び側方に向けて
漸減する屈折率分布をもつ略半円形の屈折率勾配部分２
３が形成される。
ガラス中のＮａイオンあるいはにイオンとの間でイオン
交換を生じ、塩中のイオンが基板内に拡散侵入して第６
図に示すように、拡散イオンの濃度分布に応じて、マス
ク開口直下で屈折率が最大で深さ方向及び側方に向けて
漸減する屈折率分布をもつ略半円形の屈折率勾配部分２
３が形成される。
次に、Ｋイオンを言む硝酸塩あるいは硫酸塩を約ｓｓｏ
”ｃで約２００分間接触させると、表面付近のＴｌイオ
ンかにイオンで交換されて屈折率が低下するとともに高
屈折率部分が深部に移動し、この結果第７図に示す如く
断面がほぼ円形で、ｍ（折率が中心で最大で周囲に向け
て漸減する分布をもつ光導波路１２が得られる。
”ｃで約２００分間接触させると、表面付近のＴｌイオ
ンかにイオンで交換されて屈折率が低下するとともに高
屈折率部分が深部に移動し、この結果第７図に示す如く
断面がほぼ円形で、ｍ（折率が中心で最大で周囲に向け
て漸減する分布をもつ光導波路１２が得られる。
上述したイオン交換処理過程で、第Ｓ図に拡大して示す
ようにマスクの分岐路１５ａ口／４１３ 、 ／ｌは分
岐点／ｊＡから一定距ＭＩＶＣわたり直線路であり、こ
のｌをＤ／２ｔａｎ（θ／２）よりも大としであるから
、イオンがＤの幅にまで拡散しても導波路分岐点／ＪＢ
の近傍では、両分岐路／、！Ｂ、／２Ｇは直線形状を保
ち、両者が成す角θは元のマスク開口の成す角θに等し
い。
ようにマスクの分岐路１５ａ口／４１３ 、 ／ｌは分
岐点／ｊＡから一定距ＭＩＶＣわたり直線路であり、こ
のｌをＤ／２ｔａｎ（θ／２）よりも大としであるから
、イオンがＤの幅にまで拡散しても導波路分岐点／ＪＢ
の近傍では、両分岐路／、！Ｂ、／２Ｇは直線形状を保
ち、両者が成す角θは元のマスク開口の成す角θに等し
い。
以上に説明した図示例ではＹ字型分岐回路を示したが、
第ｒ図に示すような直線路から一本の分岐路が分岐する
回路、あるいは第９図に示すような方向性結合器など任
意の回路パターンに適用できる。
第ｒ図に示すような直線路から一本の分岐路が分岐する
回路、あるいは第９図に示すような方向性結合器など任
意の回路パターンに適用できる。
また、イオン交換による拡散以外に、例えばニオブ酸リ
チウム（ＬｉＮｂ０３）などの結晶基板にプロ 弘トン
（Ｈ＋）あるいはチタン（Ｔｉ）を拡散して光導波路を
製造する場合にも有効であり、さらに多孔質体と分子の
拡散を利用した分子スタッフィング法についても同様の
効果が得られ、本発明は、一般に基板面上に定めた回路
パターン領域から基板の屈折率を変化させる物質を基板
内に拡散させて分岐部を有する光導波回路を製造する方
法に広く適用することができる。
チウム（ＬｉＮｂ０３）などの結晶基板にプロ 弘トン
（Ｈ＋）あるいはチタン（Ｔｉ）を拡散して光導波路を
製造する場合にも有効であり、さらに多孔質体と分子の
拡散を利用した分子スタッフィング法についても同様の
効果が得られ、本発明は、一般に基板面上に定めた回路
パターン領域から基板の屈折率を変化させる物質を基板
内に拡散させて分岐部を有する光導波回路を製造する方
法に広く適用することができる。
拡散物質ｇ当初接触領域パターン（例えばマスク開ロバ
ターン）を、分岐部において所定の範囲直線で構成した
ので、拡散の進行で径が拡大しても当初の分岐角がその
まま保たれ、また径がばらついても分岐角のバラツキの
原因にはならない。
ターン）を、分岐部において所定の範囲直線で構成した
ので、拡散の進行で径が拡大しても当初の分岐角がその
まま保たれ、また径がばらついても分岐角のバラツキの
原因にはならない。
これにより、７枚の基板中に径の異なる分岐導波回路を
形成する場合でも一定の分岐角を得ることができ、また
拡散条件のバラツキにより発生する導波路径のバラツキ
があっても分岐角を一定に保つことができる。
形成する場合でも一定の分岐角を得ることができ、また
拡散条件のバラツキにより発生する導波路径のバラツキ
があっても分岐角を一定に保つことができる。
第１図は本発明方法で製造される先導波回路の一例を示
す平面図、第２図は同側面図、第３図ないし第７図は第
１図の導波回路を製造する方法を示し、第３図はパター
ン開口付きマスクを施した基板の断面図、第４図は同平
面図、第５図は同上。 マスクの分岐部を拡大して示す平面図、第６図はマスク
付き基板に第１段イオン交換処理を行なった後の状態を
示す断面図、第７図は同基板にイオン交換処理を行なっ
た後の状態を示す困１面図、第に図は本発明の他の実施
例におけるマスクパターンを示す平面図、第９図は本発
明を方向性結合器に適用した場合のマスクツぐターンを
示す平面図、第７０図は従来の分岐導波路の要部を示す
平面図である。 １０・・・・・光導波回路 ｌ／・・・・・・基 板／
２・・・・・光導波路 ／３Ａ、／３Ｂ・・・・・・分
岐点／ψ・・・・マスク １５・・・・・開口部２／・
・・・・・直線部 ２２・・・・・曲線郡代１／′ 弁
０＋−“ 野 ｆ′？？ＴＴ ｊｌ、Ｊ、；：Ｊ４ｉ４
．、ｒ、：１第１図 第２図 第３図 第４図 ＺＵ 第６図 第７図 第８図 １１９図 第１０図 Ｃ 手 続 補 正 書 ／ 事件の表示 ご／−／（・ｔ′、＼″−
／−発明の名称 光導波回路の製造方法 ３ 補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 大阪府大阪市東区道修町４丁目８番地名 称
（４０θ）日本板硝子株式会社代表者 利 賀 信
雉 グ代理人 ７ 補正の内容
２（１）明細書簡１貞第を行ないし第１３行にある特許
請求の範囲全文を別紙の通り補正する。 （２）明細書＠を貴簡１５行、第７頁第７行、第を貴簡
１ざ行にそれぞれ ｒ ｌ ＝Ｄ／Ｌｚｔａｎ（θ／１２）Ｊトアルノヲ、
「ｉ！ ＝Ｄ／ （＋ｔａｎ （θ／２））」と補正す
る。 特許請求の範囲 基板面上に定めた回路パターン領域から基板の屈折率を
変化させる物質を基板内に拡散させて分岐部を有する光
導波回路を製造する方法において、拡散当初における前
記分岐部での分岐導波路パターンを、導波路径をＤ１分
岐角をθとして導波路上でｌ ＝Ｄ／ （、！ｊａｎ
（θ／、り）以上ノ距離ニワタり直線とし、該直線部以
降曲線部を経て基板側縁およびその近傍で導波路光軸を
側縁に対し垂直としたことを特徴とする光導波回路の製
造方法。
す平面図、第２図は同側面図、第３図ないし第７図は第
１図の導波回路を製造する方法を示し、第３図はパター
ン開口付きマスクを施した基板の断面図、第４図は同平
面図、第５図は同上。 マスクの分岐部を拡大して示す平面図、第６図はマスク
付き基板に第１段イオン交換処理を行なった後の状態を
示す断面図、第７図は同基板にイオン交換処理を行なっ
た後の状態を示す困１面図、第に図は本発明の他の実施
例におけるマスクパターンを示す平面図、第９図は本発
明を方向性結合器に適用した場合のマスクツぐターンを
示す平面図、第７０図は従来の分岐導波路の要部を示す
平面図である。 １０・・・・・光導波回路 ｌ／・・・・・・基 板／
２・・・・・光導波路 ／３Ａ、／３Ｂ・・・・・・分
岐点／ψ・・・・マスク １５・・・・・開口部２／・
・・・・・直線部 ２２・・・・・曲線郡代１／′ 弁
０＋−“ 野 ｆ′？？ＴＴ ｊｌ、Ｊ、；：Ｊ４ｉ４
．、ｒ、：１第１図 第２図 第３図 第４図 ＺＵ 第６図 第７図 第８図 １１９図 第１０図 Ｃ 手 続 補 正 書 ／ 事件の表示 ご／−／（・ｔ′、＼″−
／−発明の名称 光導波回路の製造方法 ３ 補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 大阪府大阪市東区道修町４丁目８番地名 称
（４０θ）日本板硝子株式会社代表者 利 賀 信
雉 グ代理人 ７ 補正の内容
２（１）明細書簡１貞第を行ないし第１３行にある特許
請求の範囲全文を別紙の通り補正する。 （２）明細書＠を貴簡１５行、第７頁第７行、第を貴簡
１ざ行にそれぞれ ｒ ｌ ＝Ｄ／Ｌｚｔａｎ（θ／１２）Ｊトアルノヲ、
「ｉ！ ＝Ｄ／ （＋ｔａｎ （θ／２））」と補正す
る。 特許請求の範囲 基板面上に定めた回路パターン領域から基板の屈折率を
変化させる物質を基板内に拡散させて分岐部を有する光
導波回路を製造する方法において、拡散当初における前
記分岐部での分岐導波路パターンを、導波路径をＤ１分
岐角をθとして導波路上でｌ ＝Ｄ／ （、！ｊａｎ
（θ／、り）以上ノ距離ニワタり直線とし、該直線部以
降曲線部を経て基板側縁およびその近傍で導波路光軸を
側縁に対し垂直としたことを特徴とする光導波回路の製
造方法。
Claims (1)
- 基板面上に定めた回路パターン領域から基板の屈折率を
変化させる物質を基板内に拡散させて分肢部を有する光
導波回路を製造する方法において、拡散当初における前
記分岐部での分岐導波路パターンを、導波路径をＤ、分
岐角をθとして導波路上でｌ＝Ｄ／２ｔａｎ（θ／２）
以上の距離にわたり直線とし、該直線部以降曲線部を経
て基板側縁およびその近傍で導波路光軸を側縁に対し垂
直としたことを特徴とする光導波回路の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18486186A JPS6340106A (ja) | 1986-08-06 | 1986-08-06 | 光導波回路の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18486186A JPS6340106A (ja) | 1986-08-06 | 1986-08-06 | 光導波回路の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6340106A true JPS6340106A (ja) | 1988-02-20 |
Family
ID=16160589
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18486186A Pending JPS6340106A (ja) | 1986-08-06 | 1986-08-06 | 光導波回路の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6340106A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02113209A (ja) * | 1988-10-24 | 1990-04-25 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | Ｙ分岐導波路の製造方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58202406A (ja) * | 1982-05-20 | 1983-11-25 | Masayuki Izutsu | 導波形光ビ−ム・スプリツタ |
-
1986
- 1986-08-06 JP JP18486186A patent/JPS6340106A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58202406A (ja) * | 1982-05-20 | 1983-11-25 | Masayuki Izutsu | 導波形光ビ−ム・スプリツタ |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02113209A (ja) * | 1988-10-24 | 1990-04-25 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | Ｙ分岐導波路の製造方法 |
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