JPS6339706Y2 - - Google Patents

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JPS6339706Y2
JPS6339706Y2 JP1980139175U JP13917580U JPS6339706Y2 JP S6339706 Y2 JPS6339706 Y2 JP S6339706Y2 JP 1980139175 U JP1980139175 U JP 1980139175U JP 13917580 U JP13917580 U JP 13917580U JP S6339706 Y2 JPS6339706 Y2 JP S6339706Y2
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JP
Japan
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shutter
light source
light
mask
photoresist film
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JP1980139175U
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JPS5763342U (ja
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  • Control Of Exposure In Printing And Copying (AREA)

Description

【考案の詳細な説明】 本考案はマスク製造に用いる露光装置の改良に
関するものである。
一般に半導体デバイスの製造に用いるホトマス
クを形成する場合、ガラス基板上にクロム(Cr)
等の金属被覆を蒸着等によつて形成し、さらに例
えばポジ型のホトレジスト膜を被着したのち、所
定パターンに露光し、その後露光した部分のホト
レジスト膜を除去したのち、前記パターニングし
たポジ型のホトレジスト膜をマスクとしてCrの
金属被膜をエツチングしCrの金属膜のパターン
を形成する。その後該基板をカセイソーダ
(NaOH)等のホトレジスト膜除去液中に浸漬さ
せて、ホトレジスト膜を除去してホトマスクを形
成している。
ここで、IC,LSI等の高密度に集積化された半
導体デバイスを製造する場合に用いるホトマスク
を製造する際に、前記ホトレジスト膜にできるだ
け微細なパターンを露光する要求があり、そのた
めホトレジスト膜を露光する光源として紫外線よ
り波長の短い遠紫外線(Deep Ultra Violet)を
照射する光源が用いられている。
このような遠紫外線でホトレジスト膜を露光す
る従来の露光装置の概略図を第1図に示す。図に
おいて1は高圧水銀ランプよりなる光源、2は光
源から照射される遠紫外線のうち特定の波長を有
する熱線を除去し、また光源より照射される光線
の方向を偏光させるためのコールドミラー、3は
ソレノイド4によつて移動し、光源からの光を遮
蔽する主シヤツター、5は製造すべきマスクの基
準となるマスターマスク、6はホトマスクを形成
するためのガラス乾板でその上には例えばポジ型
のホトレジスト膜7が塗布されている。このよう
なマスターマスク5およびガラス乾板6はマスク
保持台(図示せず)に保持され、前記光源1、コ
ールドミラー2、シヤツタ3と共に筐体の内部に
収納されている。
このような従来の露光装置において、光源に遠
紫外線を照射する高圧水銀ランプを用いた場合、
前記高圧水銀ランプより熱線となる赤外線が照射
され、そのためシヤツターが加熱されて所定のタ
イミングで動作しなくなつたり、あるいはシヤツ
ターからの幅射熱、熱伝導等でマスタマスクやガ
ラス乾板が加熱されて伸縮するなど問題点が多か
つた。
本考案は前述した欠点を除去し、光源に遠紫外
線を照射する高圧水銀ランプを配置し、該水銀ラ
ンプが熱線となる赤外線を放射しても前記シヤツ
タの動作精度を保ちガラス乾板が伸縮しないよう
な、高信頼度の露光装置を提供することを目的と
するものである。
かかる目的を達成するための露光装置は紫外光
を照射する光源と光源からの光を遮断する主シヤ
ツターと、マスクを保持するマスク保持台とを備
えた露光装置において、前記主シヤツターの光源
側に該主シヤツターの開閉動作に前後して開閉し
得る冷却手段を備えた予備シヤツターを付設した
ことを特徴とするものである。
以下図面を用いて本考案の一実施例につき詳細
に説明する。第2図は本考案の露光装置に用いる
予備シヤツターの概略図である。すなわち本考案
の露光装置は第1図において前記予備シヤツター
を主シヤツター3の光源側にもう一枚並列して付
設した構造となつている。第2図に示すように前
記予備シヤツター11はステンレス製で円板形状
を呈しており、内部は中空でその中を水冷管12
A,12Bによつて運ばれた冷却水が流れるよう
になつている。前記予備シヤツターはソレノイド
あるいは、回転駆動するモータと連動するギヤに
よつて所定のタイミングで必要時に矢印に示す左
右の方向に旋回して移動するようになつている。
図で13は前記ソレノイドである。このように予
備シヤツターを主シヤツターに並設した状態で第
1図に示すようにマスク保持台にマスタマスク5
およびポジ型のホトレジスト膜7を被着したガラ
ス乾板6を設置したのちまずソレノイド13を働
かせて予備シヤツター11を開き、次にソレノイ
ド4を働かせて主シヤツター3を開いて光源から
の遠紫外光をマスタマスク5を介してガラス乾板
6上のホトレジスト膜7に照射して該ホトレジス
ト膜を露光する。
またホトレジスト膜を露光した後、主シヤツタ
ー3を閉じた後に直ちに予備シヤツター11を閉
じる。
このようにすれば予備シヤツターが水冷されて
冷却されているので光源からの輻射熱がマスタマ
スクおよびガラス乾板上に到達するのが弱くな
り、したがつてマスタマスクおよびガラス乾板の
伸縮するのを防止することができる。また主シヤ
ツターが直接光源からの輻射熱に曝されることが
なくなるので主シヤツターの動作、精度のバラツ
キ発生といつた欠点も除去される。
更に露光時には予備シヤツター11は光源1か
ら発する光の光軸より除去されているので、光源
1からの光はホトレジスト膜に充分到達して露光
する。
以上述べたように本考案の露光装置を用いてホ
トマスクを形成すれば赤外線のような熱線を照射
する高圧水銀ランプを光源に用いてもマスタマス
クおよびガラス乾板の伸縮が除去され、また前記
光源は紫外線より波長の短い遠紫外線を照射する
ので、高密度にパターニングさホトマスクが高精
度に得られる利点を生じる。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来の露光装置の概略図、第2図は本
考案の予備シヤツターの概略図である。 図において1は光源、2はコールドミラー、3
は主シヤツター、4,13はソレノイド、5はマ
スターマスク、6はガラス基板、7はホトレジス
ト膜、11は予備シヤツター、12A,12Bは
水冷管、を示す。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 紫外光を照射する光源と光源からの光を遮断す
    る主シヤツターと、マスクを保持するマスク保持
    台とを備えた露光装置において、前記主シヤツタ
    ーの光源側に該主シヤツターの開閉動作に前後し
    て開閉し得る冷却手段を備えた予備シヤツターを
    付設したことを特徴とする露光装置。
JP1980139175U 1980-09-30 1980-09-30 Expired JPS6339706Y2 (ja)

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JPS5763342U JPS5763342U (ja) 1982-04-15
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JP2610845B2 (ja) * 1986-11-27 1997-05-14 日立化成工業株式会社 レジストパターンの形成法

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JPS5763342U (ja) 1982-04-15

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