JPS6337576B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6337576B2 JPS6337576B2 JP56149911A JP14991181A JPS6337576B2 JP S6337576 B2 JPS6337576 B2 JP S6337576B2 JP 56149911 A JP56149911 A JP 56149911A JP 14991181 A JP14991181 A JP 14991181A JP S6337576 B2 JPS6337576 B2 JP S6337576B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thyristor
- voltage
- main thyristor
- overvoltage
- gate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 238000010304 firing Methods 0.000 claims description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 8
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 2
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
- H02M1/00—Details of apparatus for conversion
- H02M1/08—Circuits specially adapted for the generation of control voltages for semiconductor devices incorporated in static converters
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Protection Of Static Devices (AREA)
- Power Conversion In General (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はサイリスタを強制点弧させて、サイリ
スタに加わる順方向過電圧からサイリスタを保護
するサイリスタの保護方式に関するものである。
スタに加わる順方向過電圧からサイリスタを保護
するサイリスタの保護方式に関するものである。
この種の保護方式として、第１図に示すような
方式が従来用いられている。この例では、主サイ
リスタを点弧させるためのゲート電源は主サイリ
スタ１の陽Ａ・陰Ｋ極間から抵抗R1とコンデン
サC1よりなるスナバー回路を介して、ダイオー
ドD2を通つてコンデンサC2に確保される。C2の
電圧が一定となるようにダイオードD2の陽極と
主サイリスタ１のＫとの間には定電圧ダイオード
ZD1が接続されている。通常運転でサイリスタ１
を導通させる場合は、図示されていない光源、例
えばLEDの発する光をライトガイドLGに入れ、
その光を受光してスイツチ動作する光スイツチS1
を導通させ、サイリスタ２のゲートにコンデンサ
C2より抵抗R2を通つてゲート電流が流れ、サイ
リスタ２の導通により、主サイリスタ１のゲート
Ｇにゲート電流が流れ、主サイリスタは点弧す
る。主サイリスタ１のゲートＧと陰極Ｋに接続さ
れているコンデンサCGは主サイリスタ１の誤点
弧防止用のコンデンサである。主サイリスタを過
電圧から保護するために非直線抵抗NRがＡ・Ｋ
間に接続されており、主サイリスタ１に順方向過
電圧が印加された場合に、NRにより過電圧は制
限されるが、NRを流れる電流が増加し、NRの
制限電圧が増加し、主サイリスタ１の耐圧を越え
る可能性がある。このため、制限電圧がある値以
上になつたことをＡ・Ｋ間に接続された抵抗R3、
及びR4によつて検出し、抵抗R4の電圧が定電圧
ダイオードZD2のゼナー電圧以上になることによ
り、サイリスタ２のゲートに電流が流れ、サイリ
スタ２を点弧させ、主サイリスタ１にゲート入力
され、主サイリスタ１が導通して順方向過電圧か
ら主サイリスタを保護する強制点弧回路が用いら
れている。従来のような回路方式では、急峻なサ
ージが主サイリスタに印加されると、部分振動に
よつて抵抗R4に加わる電圧が定電圧ダイオード
ZD2のゼナー電圧値をオーバーして誤点弧が発生
したりする。特に主サイリスタ１の陰極Ｋの大き
な電位変動により、従来誤動作による誤点弧が発
生していた。本発明は過電圧を検出する回路電位
を主回路から分離し、従来のものの欠点を除去し
ようとするものである。
方式が従来用いられている。この例では、主サイ
リスタを点弧させるためのゲート電源は主サイリ
スタ１の陽Ａ・陰Ｋ極間から抵抗R1とコンデン
サC1よりなるスナバー回路を介して、ダイオー
ドD2を通つてコンデンサC2に確保される。C2の
電圧が一定となるようにダイオードD2の陽極と
主サイリスタ１のＫとの間には定電圧ダイオード
ZD1が接続されている。通常運転でサイリスタ１
を導通させる場合は、図示されていない光源、例
えばLEDの発する光をライトガイドLGに入れ、
その光を受光してスイツチ動作する光スイツチS1
を導通させ、サイリスタ２のゲートにコンデンサ
C2より抵抗R2を通つてゲート電流が流れ、サイ
リスタ２の導通により、主サイリスタ１のゲート
Ｇにゲート電流が流れ、主サイリスタは点弧す
る。主サイリスタ１のゲートＧと陰極Ｋに接続さ
れているコンデンサCGは主サイリスタ１の誤点
弧防止用のコンデンサである。主サイリスタを過
電圧から保護するために非直線抵抗NRがＡ・Ｋ
間に接続されており、主サイリスタ１に順方向過
電圧が印加された場合に、NRにより過電圧は制
限されるが、NRを流れる電流が増加し、NRの
制限電圧が増加し、主サイリスタ１の耐圧を越え
る可能性がある。このため、制限電圧がある値以
上になつたことをＡ・Ｋ間に接続された抵抗R3、
及びR4によつて検出し、抵抗R4の電圧が定電圧
ダイオードZD2のゼナー電圧以上になることによ
り、サイリスタ２のゲートに電流が流れ、サイリ
スタ２を点弧させ、主サイリスタ１にゲート入力
され、主サイリスタ１が導通して順方向過電圧か
ら主サイリスタを保護する強制点弧回路が用いら
れている。従来のような回路方式では、急峻なサ
ージが主サイリスタに印加されると、部分振動に
よつて抵抗R4に加わる電圧が定電圧ダイオード
ZD2のゼナー電圧値をオーバーして誤点弧が発生
したりする。特に主サイリスタ１の陰極Ｋの大き
な電位変動により、従来誤動作による誤点弧が発
生していた。本発明は過電圧を検出する回路電位
を主回路から分離し、従来のものの欠点を除去し
ようとするものである。
本発明の一実施例を第２図に示す。この例では
主サイリスタ１を通常運転で点弧させるための動
作は従来例と同一で、主サイリスタ１の陽・陰極
間（Ａ・Ｋ間）よりゲート電源が確保され、図示
されていない発光源からの光入力により光スイツ
チS1が導通してサイリスタ２を導通させ、ゲート
電流が、主サイリスタ１のゲートＧに印加され、
主サイリスタ１を導通させる。主サイリスタ１を
過電圧から保護するための非直線抵抗NRは変流
器Ｔと直列接続され、変流器Ｔの片端子は主サイ
リスタの陰極Ｋと、NRのもう一方の端子はサイ
リスタ１の陽極Ａと接続されている。変流器Ｔの
二次巻線SWの端子には抵抗R5が接続され、R5の
一方の端子Ａ１はサイリスタ２の陰極と接続さ
れ、残りの端子Ａ２は抵抗Ｒ６と定電圧ダイオー
ドZD3を介してサイリスタ２のゲート端子に接続
されている。定電圧ダイオードZD3からサイリス
タ２のゲート端子まではシールド線で接続される
ように図では構成されている。
主サイリスタ１を通常運転で点弧させるための動
作は従来例と同一で、主サイリスタ１の陽・陰極
間（Ａ・Ｋ間）よりゲート電源が確保され、図示
されていない発光源からの光入力により光スイツ
チS1が導通してサイリスタ２を導通させ、ゲート
電流が、主サイリスタ１のゲートＧに印加され、
主サイリスタ１を導通させる。主サイリスタ１を
過電圧から保護するための非直線抵抗NRは変流
器Ｔと直列接続され、変流器Ｔの片端子は主サイ
リスタの陰極Ｋと、NRのもう一方の端子はサイ
リスタ１の陽極Ａと接続されている。変流器Ｔの
二次巻線SWの端子には抵抗R5が接続され、R5の
一方の端子Ａ１はサイリスタ２の陰極と接続さ
れ、残りの端子Ａ２は抵抗Ｒ６と定電圧ダイオー
ドZD3を介してサイリスタ２のゲート端子に接続
されている。定電圧ダイオードZD3からサイリス
タ２のゲート端子まではシールド線で接続される
ように図では構成されている。
通常運転時の動作は従来方式と同一であるので
省略する。主サイリスタ１に順方向過電圧が印加
された場合の動作について説明する。第３図に非
直線抵抗NRの電圧Ｖ・電流Ｉ特性を示す。主サ
イリスタ１の耐圧はECとして示されている。主
サイリスタ１への順方向過電圧の印加により、主
サイリスタ１にEAの電圧が印加され、NRにIAの
電流が流れ、変流器Ｔの変流動作により、二次巻
線SWにも巻線比で決まる電流IASが流れ抵抗R5に
電圧を誘起させる。この電圧は定電圧ダイオード
ZD3のゼナー電圧より小さな値になつている。
省略する。主サイリスタ１に順方向過電圧が印加
された場合の動作について説明する。第３図に非
直線抵抗NRの電圧Ｖ・電流Ｉ特性を示す。主サ
イリスタ１の耐圧はECとして示されている。主
サイリスタ１への順方向過電圧の印加により、主
サイリスタ１にEAの電圧が印加され、NRにIAの
電流が流れ、変流器Ｔの変流動作により、二次巻
線SWにも巻線比で決まる電流IASが流れ抵抗R5に
電圧を誘起させる。この電圧は定電圧ダイオード
ZD3のゼナー電圧より小さな値になつている。
主サイリスタ１への順方向過電圧がさらに大き
くなり、EBの電圧が印加されると、NRにはIBの
電流が流れ、変流器Ｔの二次巻線SWにはISBの電
流が流れ、抵抗Ｒ５に誘起される電圧が定電圧ダ
イオードZD3のゼナー電圧以上となり、サイリス
タ２のゲートに電流が流れ、サイリスタ２が導通
し、コンデンサC2に蓄えられていた電荷が抵抗
R2、サイリスタ２を介して主サイリスタ１のゲ
ートに印加され、主サイリスタ１が点弧し導通し
て、順方向過電圧が主サイリスタ１の耐圧ECを
越えないようにして、過電圧から主サイリスタ１
が保護される。
くなり、EBの電圧が印加されると、NRにはIBの
電流が流れ、変流器Ｔの二次巻線SWにはISBの電
流が流れ、抵抗Ｒ５に誘起される電圧が定電圧ダ
イオードZD3のゼナー電圧以上となり、サイリス
タ２のゲートに電流が流れ、サイリスタ２が導通
し、コンデンサC2に蓄えられていた電荷が抵抗
R2、サイリスタ２を介して主サイリスタ１のゲ
ートに印加され、主サイリスタ１が点弧し導通し
て、順方向過電圧が主サイリスタ１の耐圧ECを
越えないようにして、過電圧から主サイリスタ１
が保護される。
本実施例では、順方向過電圧から主サイリスタ
を強制的に点弧させて保護する場合の強制点弧信
号のみを発する例について説明したが、主サイリ
スタの電気的ゲート入力が、例えばパルストラン
ス等により他より供給される場合には、強制点弧
回路が、点弧信号と、ゲート電源の双方を供給す
る必要があり、この場合の実施例を第４図に示
す。変流器T1によりNRに流れる電流の大きさが
検出され、変流器T2により主サイリスタのゲー
トＧに印加するゲート入力電源が確保される。
NRに流れる電流が規定値以上になると、定電圧
ダイオードZD5のゼナー電圧より抵抗R8の電圧が
大きくなり、サイリスタ３にゲート入力が印加さ
れ、コンデンサC3の電荷がサイリスタ３、抵抗
R7を通つて主サイリスタ１のゲートＧに入力さ
れ主サイリスタ１が導通して過電圧から保護され
る。T0は通常運転のためのゲートパルストラン
スである。
を強制的に点弧させて保護する場合の強制点弧信
号のみを発する例について説明したが、主サイリ
スタの電気的ゲート入力が、例えばパルストラン
ス等により他より供給される場合には、強制点弧
回路が、点弧信号と、ゲート電源の双方を供給す
る必要があり、この場合の実施例を第４図に示
す。変流器T1によりNRに流れる電流の大きさが
検出され、変流器T2により主サイリスタのゲー
トＧに印加するゲート入力電源が確保される。
NRに流れる電流が規定値以上になると、定電圧
ダイオードZD5のゼナー電圧より抵抗R8の電圧が
大きくなり、サイリスタ３にゲート入力が印加さ
れ、コンデンサC3の電荷がサイリスタ３、抵抗
R7を通つて主サイリスタ１のゲートＧに入力さ
れ主サイリスタ１が導通して過電圧から保護され
る。T0は通常運転のためのゲートパルストラン
スである。
以上説明したように、本発明の順方向過電圧に
対する強制点弧回路は、その回路電位が主サイリ
スタ１のゲートＧとのみ同一にされているため、
電位変動があつても差電圧が発生するようなこと
がなく、従来のような誤動作による誤点弧の発生
がなく、確実で、安定した動作をする強制点弧回
路が実現される。
対する強制点弧回路は、その回路電位が主サイリ
スタ１のゲートＧとのみ同一にされているため、
電位変動があつても差電圧が発生するようなこと
がなく、従来のような誤動作による誤点弧の発生
がなく、確実で、安定した動作をする強制点弧回
路が実現される。
第１図は従来の順方向過電圧からサイリスタを
保護するサイリスタ保護方式の回路構成図、第２
図は本発明の一実施例であるサイリスタ保護方式
の回路構成図、第３図はサイリスタを過電圧から
保護するための非直線抵抗の特性と本発明の回路
動作時の電圧・電流値を説明する図、第４図は本
発明の他の実施例である。 図中、１は主サイリスタ、R1，R2，R5，R6は
抵抗、C1，C2，GGはコンデンサ、２はサイリス
タ、NRは非直線抵抗Ｔは変流器、ZD1，ZD3は、
定電圧ダイオードLGはライトガイドS1は光スイ
ツチ、D2はダイオードを各々示す。尚図中同一
符号は同一又は相当部分を示す。
保護するサイリスタ保護方式の回路構成図、第２
図は本発明の一実施例であるサイリスタ保護方式
の回路構成図、第３図はサイリスタを過電圧から
保護するための非直線抵抗の特性と本発明の回路
動作時の電圧・電流値を説明する図、第４図は本
発明の他の実施例である。 図中、１は主サイリスタ、R1，R2，R5，R6は
抵抗、C1，C2，GGはコンデンサ、２はサイリス
タ、NRは非直線抵抗Ｔは変流器、ZD1，ZD3は、
定電圧ダイオードLGはライトガイドS1は光スイ
ツチ、D2はダイオードを各々示す。尚図中同一
符号は同一又は相当部分を示す。
Claims (1)
- １ サイリスタを点弧するためのゲート回路と、
前記サイリスタの陽、陰極間に接続された非直線
抵抗及び前記サイリスタを順方向過電圧から保護
するために設けられた過電圧強制点弧回路を備
え、前記非直線抵抗に流れる電流を、前記非直線
抵抗と直列に接続されている電流変成器を用いて
検出し、検出電流の瞬時値が規定値以上になつた
ことにより、前記過電圧強制点弧回路に点弧指令
信号を発して、前記サイリスタを点弧させ、順方
向過電圧からサイリスタを保護するように構成し
たことを特徴とするサイリスタの保護方式。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14991181A JPS5851771A (ja) | 1981-09-22 | 1981-09-22 | サイリスタの保護方式 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14991181A JPS5851771A (ja) | 1981-09-22 | 1981-09-22 | サイリスタの保護方式 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5851771A JPS5851771A (ja) | 1983-03-26 |
| JPS6337576B2 true JPS6337576B2 (ja) | 1988-07-26 |
Family
ID=15485283
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14991181A Granted JPS5851771A (ja) | 1981-09-22 | 1981-09-22 | サイリスタの保護方式 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5851771A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60213219A (ja) * | 1984-04-09 | 1985-10-25 | 株式会社東芝 | サイリスタ変換器の保護方法 |
| JP3949597B2 (ja) * | 2003-02-27 | 2007-07-25 | 古河スカイ株式会社 | タンデム圧延機における被圧延材尾端部の板曲り防止方法 |
| CN102548678B (zh) | 2010-04-13 | 2013-03-27 | 新日铁住金株式会社 | 轧钢机及轧钢机的调零方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4983363A (ja) * | 1972-12-13 | 1974-08-10 | ||
| JPS5115371A (ja) * | 1974-07-02 | 1976-02-06 | Gosudarusutoennui N Isuredowaa |
-
1981
- 1981-09-22 JP JP14991181A patent/JPS5851771A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4983363A (ja) * | 1972-12-13 | 1974-08-10 | ||
| JPS5115371A (ja) * | 1974-07-02 | 1976-02-06 | Gosudarusutoennui N Isuredowaa |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5851771A (ja) | 1983-03-26 |
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