JPS633440A - 半導体素子用容器 - Google Patents
半導体素子用容器Info
- Publication number
- JPS633440A JPS633440A JP14750386A JP14750386A JPS633440A JP S633440 A JPS633440 A JP S633440A JP 14750386 A JP14750386 A JP 14750386A JP 14750386 A JP14750386 A JP 14750386A JP S633440 A JPS633440 A JP S633440A
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- JP
- Japan
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- container
- semiconductor element
- chambers
- heat sink
- substrates
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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Landscapes
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体素子用容器に関し、特に内部整合回路を
搭載するマイクロ波帯用の半導体素子用容器に関する。
搭載するマイクロ波帯用の半導体素子用容器に関する。
第３図は容器の内部に内部整合回路および半導体を収容
した従来の半導体素子用容器の一例の平面図、第４図は
第３図のＢ−Ｂ′断面図である。
した従来の半導体素子用容器の一例の平面図、第４図は
第３図のＢ−Ｂ′断面図である。
第３図および第４図において、銅等の熱良導体で構成さ
れた放熱板１１上に銅等の非磁性材料で構成された側壁
２が中央部を包囲するように固着されており、側壁２の
両側の中央部がらリード電極３ａ・３ｂがセラミックや
ガラス等の絶縁物４で側壁２と絶縁されて取付けられて
外部に引き出されて半導体素子用容器を構成している。
れた放熱板１１上に銅等の非磁性材料で構成された側壁
２が中央部を包囲するように固着されており、側壁２の
両側の中央部がらリード電極３ａ・３ｂがセラミックや
ガラス等の絶縁物４で側壁２と絶縁されて取付けられて
外部に引き出されて半導体素子用容器を構成している。
この半導体素子用容器内においてアルミナセラミック等
で構成された誘電体基板１５ａ・１５ｂが放熱板１１の
中央突部１１ａの外側に搭載されており、さらにこの誘
電体基板１５ａ・１５ｂ上に薄膜で形成された内部整合
回路６ａ・６ｂが搭載されている。また半導体素子７は
中央突部１１ａ上に直接搭載されており、リード電極３
ａ・３ｂと誘電体基板１５ａおよび１５ｂ上の内部整合
回路６ａおよび６ｂと半導体素子７との間をボンディン
グワイヤ８で電気的に接続している。
で構成された誘電体基板１５ａ・１５ｂが放熱板１１の
中央突部１１ａの外側に搭載されており、さらにこの誘
電体基板１５ａ・１５ｂ上に薄膜で形成された内部整合
回路６ａ・６ｂが搭載されている。また半導体素子７は
中央突部１１ａ上に直接搭載されており、リード電極３
ａ・３ｂと誘電体基板１５ａおよび１５ｂ上の内部整合
回路６ａおよび６ｂと半導体素子７との間をボンディン
グワイヤ８で電気的に接続している。
上述した従来の半導体素子用容器では、誘電体基板１５
ａおよび１５ｂと半導体素子７とが同一の空間内にある
ため、相互に電磁気的結合を起し易く、これが入出力の
インピーダンスの悪化をもたらす原因となっている。
ａおよび１５ｂと半導体素子７とが同一の空間内にある
ため、相互に電磁気的結合を起し易く、これが入出力の
インピーダンスの悪化をもたらす原因となっている。
本発明が解決しようとする問題点、換言すれば本発明の
目的は、上述のような従来の半導体素子用容器の欠点を
除去し、半導体素子の誘電体基板との電磁気影響を防止
して入出力インピーダンスの悪化をなくし、品質のすぐ
れた半導体装置が得られる半導体素子用容器を提供する
ことにある。
目的は、上述のような従来の半導体素子用容器の欠点を
除去し、半導体素子の誘電体基板との電磁気影響を防止
して入出力インピーダンスの悪化をなくし、品質のすぐ
れた半導体装置が得られる半導体素子用容器を提供する
ことにある。
本発明の半導体素子用容器は、内部整合回路をその上面
に搭載する誘電体基板と、半導体素子を搭載する放熱板
の中央突部との間に隔壁をもうけ、誘電体基板と半導体
素子とが電磁気的に相互に影響しない構造を有している
。すなわち、本半導体素子用容器は、中央部に突出部を
有する放熱板と、前記放熱板上に搭載されて前記突出部
を含んで箱形の容器を形成し両側部に絶縁して設けられ
たリード電極を有する側壁と、前記突出部の両側部に設
けられて絶縁して設けられた接続用電極を有し前記側壁
と等しい高さの非磁性材料よりなる隔壁とを備えて構成
される。
に搭載する誘電体基板と、半導体素子を搭載する放熱板
の中央突部との間に隔壁をもうけ、誘電体基板と半導体
素子とが電磁気的に相互に影響しない構造を有している
。すなわち、本半導体素子用容器は、中央部に突出部を
有する放熱板と、前記放熱板上に搭載されて前記突出部
を含んで箱形の容器を形成し両側部に絶縁して設けられ
たリード電極を有する側壁と、前記突出部の両側部に設
けられて絶縁して設けられた接続用電極を有し前記側壁
と等しい高さの非磁性材料よりなる隔壁とを備えて構成
される。
以下、本発明の実施例について図面を参照して詳細に説
明する。
明する。
第１図は本発明の一実施例に半導体素子と内部整合回路
とを収容した一例を示す平面図、第２図は第１図のＡ−
Ａ’断面図である。
とを収容した一例を示す平面図、第２図は第１図のＡ−
Ａ’断面図である。
第１図および第２図において、放熱板１の上面に側壁２
が中央部を包囲するように固着されて箱形の容器を形成
しており、この側壁２の両側部においてリード電極３ａ
・３ｂが絶縁物４によって側壁２と絶縁されて外部に引
き出されている。また、側壁２の内側は、放熱板１の中
央突部１ａの両件側において側壁２と同じ高さの銅等の
非磁性材料で構成された隔壁９によって３室に区切られ
ており、この隔壁９にはボンディングワイヤを接続する
ための接続用電極１０がとりつけられている。隔壁９と
接続用電極１０との間は、アルミナセラミックやガラス
質等の絶縁物１２で電気的に絶縁されている。
が中央部を包囲するように固着されて箱形の容器を形成
しており、この側壁２の両側部においてリード電極３ａ
・３ｂが絶縁物４によって側壁２と絶縁されて外部に引
き出されている。また、側壁２の内側は、放熱板１の中
央突部１ａの両件側において側壁２と同じ高さの銅等の
非磁性材料で構成された隔壁９によって３室に区切られ
ており、この隔壁９にはボンディングワイヤを接続する
ための接続用電極１０がとりつけられている。隔壁９と
接続用電極１０との間は、アルミナセラミックやガラス
質等の絶縁物１２で電気的に絶縁されている。
上述のように構成された半導体素子用容器の内部には、
アルミナセラミック等の誘電体基板５ａ・５ｂが外側の
２室の放熱板上に搭載され、更にこの誘電体基板５ａ・
５ｂ上に薄膜で形成された内部整合回路６ａ・６ｂが搭
載されている。−力学導体素子７は、容器内の隔壁って
区切られた３室のうちの中央の室の放熱板１の中央突部
１ａ上に搭載され、リード電極３ａ・３ｂと内部整合回
路６ａ・６ｂとおよび内部接続回路６ａ・６ｂと接続用
電極１０とが、また接続用電極１０と半導体素子７とが
ボンディングワイヤ８によって接続されている。
アルミナセラミック等の誘電体基板５ａ・５ｂが外側の
２室の放熱板上に搭載され、更にこの誘電体基板５ａ・
５ｂ上に薄膜で形成された内部整合回路６ａ・６ｂが搭
載されている。−力学導体素子７は、容器内の隔壁って
区切られた３室のうちの中央の室の放熱板１の中央突部
１ａ上に搭載され、リード電極３ａ・３ｂと内部整合回
路６ａ・６ｂとおよび内部接続回路６ａ・６ｂと接続用
電極１０とが、また接続用電極１０と半導体素子７とが
ボンディングワイヤ８によって接続されている。
このように半導体容器内を非磁性材料の隔壁９によって
３室に区切り、各室に内部整合誘電体基板５ａおよび５
ｂならびに半導体素子７を収容することによって誘電体
基板相互間および誘電体基板と半導体素子間の電磁気的
影響を防止することができる。
３室に区切り、各室に内部整合誘電体基板５ａおよび５
ｂならびに半導体素子７を収容することによって誘電体
基板相互間および誘電体基板と半導体素子間の電磁気的
影響を防止することができる。
以上詳細に説明したように、本発明の半導体素子用容器
は、非磁性材料の隔壁によって内部を３室に区切り、内
部整合回路を搭載した誘電体基板と半導体素子とを別室
に収容することによって誘電体基板相互間および誘電体
基板と半導体素子間の電磁気的影響を防止することがで
きるという効果があり、従って入出力インピーダンスの
悪化を防ぎ、多段増幅装置等の装置に実装した際に、そ
れを狭帯域化することを防ぐことができるという効果が
ある。
は、非磁性材料の隔壁によって内部を３室に区切り、内
部整合回路を搭載した誘電体基板と半導体素子とを別室
に収容することによって誘電体基板相互間および誘電体
基板と半導体素子間の電磁気的影響を防止することがで
きるという効果があり、従って入出力インピーダンスの
悪化を防ぎ、多段増幅装置等の装置に実装した際に、そ
れを狭帯域化することを防ぐことができるという効果が
ある。
第１図は本発明の一実施例に半導体素子と内部整合回路
とを収容した一例を示す平面図、第２図は第１図のＡ−
Ａ’断面図、第３図は従来の半導体素子用容器の一例を
用いた半導体素子の実装例の平面図、第４図は第３図の
Ｂ−Ｂ′断面図てある。 １・・・放熱板、２・・・側壁、３ａ・３ｂ・・・リー
ド電極、４・・・絶縁物、５ａ・５ｂ・・・誘電体基板
、６ａ・６ｂ・・・内部整合回路、７・・・半導体素子
、８・・・ボンディングワイヤ、９・・・隔壁、１０・
・・接続用電極、１１・・・絶縁物。 、・、；、１．’： 代理人 弁理士 内 原 晋（； −−し １：氷！！鍬 〆幻ど娯ｚ判仰整含セ
釘を２： ＋ｔｌＪｆ
７： −＋＊４ｙＦ’！Ｆ、”ｒ３４・３ｄ：
リーと電ａ ｓ：、ｒ：シブわり゛
ワイヤｓ０−、ｓ−ｉ ： ’９１奎蟇倣 茅 １ 口
とを収容した一例を示す平面図、第２図は第１図のＡ−
Ａ’断面図、第３図は従来の半導体素子用容器の一例を
用いた半導体素子の実装例の平面図、第４図は第３図の
Ｂ−Ｂ′断面図てある。 １・・・放熱板、２・・・側壁、３ａ・３ｂ・・・リー
ド電極、４・・・絶縁物、５ａ・５ｂ・・・誘電体基板
、６ａ・６ｂ・・・内部整合回路、７・・・半導体素子
、８・・・ボンディングワイヤ、９・・・隔壁、１０・
・・接続用電極、１１・・・絶縁物。 、・、；、１．’： 代理人 弁理士 内 原 晋（； −−し １：氷！！鍬 〆幻ど娯ｚ判仰整含セ
釘を２： ＋ｔｌＪｆ
７： −＋＊４ｙＦ’！Ｆ、”ｒ３４・３ｄ：
リーと電ａ ｓ：、ｒ：シブわり゛
ワイヤｓ０−、ｓ−ｉ ： ’９１奎蟇倣 茅 １ 口
Claims (1)
- 中央部に突出部を有する放熱板と、前記放熱板上に搭載
されて前記突出部を含んで箱形の容器を形成し両側部に
絶縁して設けられたリード電極を有する側壁と、前記突
出部の両側部に設けられて絶縁して設けられた接続用電
極を有し前記側壁と等しい高さの非磁性材料よりなる隔
壁とを備えることを特徴とする半導体素子用容器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14750386A JPS633440A (ja) | 1986-06-23 | 1986-06-23 | 半導体素子用容器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14750386A JPS633440A (ja) | 1986-06-23 | 1986-06-23 | 半導体素子用容器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS633440A true JPS633440A (ja) | 1988-01-08 |
Family
ID=15431840
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14750386A Pending JPS633440A (ja) | 1986-06-23 | 1986-06-23 | 半導体素子用容器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS633440A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02256259A (ja) * | 1989-03-29 | 1990-10-17 | Kyocera Corp | 混成集積回路素子収納用パッケージ |
| JPH0348894U (ja) * | 1989-09-20 | 1991-05-10 |
-
1986
- 1986-06-23 JP JP14750386A patent/JPS633440A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02256259A (ja) * | 1989-03-29 | 1990-10-17 | Kyocera Corp | 混成集積回路素子収納用パッケージ |
| JPH0348894U (ja) * | 1989-09-20 | 1991-05-10 |
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