JPS6333371Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6333371Y2 JPS6333371Y2 JP3584279U JP3584279U JPS6333371Y2 JP S6333371 Y2 JPS6333371 Y2 JP S6333371Y2 JP 3584279 U JP3584279 U JP 3584279U JP 3584279 U JP3584279 U JP 3584279U JP S6333371 Y2 JPS6333371 Y2 JP S6333371Y2
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- JP
- Japan
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- substrate
- surface wave
- surface waves
- reflected
- absorber
- Prior art date
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- Expired
Links
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 claims description 19
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 19
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 5
- 229920000180 alkyd Polymers 0.000 claims description 4
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 claims description 4
- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000644 propagated effect Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 238000007788 roughening Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
本考案は基板表面を表面波が伝播する表面波装
置に関する。
置に関する。
テレビジヨン受像機の映像中間周波（以下VIF
と略す）フイルタは通常５〜８個のLC同調回路
から構成され、複雑な周波数選択特性を実現して
いる。このVIFフイルタとして１個の素子で容易
に上記周波数選択特性を呈し、更に無調整化、ソ
リツトステート化を可能ならしめる表面波装置が
開発され上記LC同調回路に置換されつつある。
と略す）フイルタは通常５〜８個のLC同調回路
から構成され、複雑な周波数選択特性を実現して
いる。このVIFフイルタとして１個の素子で容易
に上記周波数選択特性を呈し、更に無調整化、ソ
リツトステート化を可能ならしめる表面波装置が
開発され上記LC同調回路に置換されつつある。
本考案は斯る表面波装置に係り、以下に一実施
例について図面を参照しつつ詳述する。
例について図面を参照しつつ詳述する。
第１図は本考案表面波装置を示し、１は
LiTaO3単結晶から成る基板、２は電気信号を表
面波に変換する受信電極、３は上記表面波を受信
して電気信号に変換する受信電極で、これ等送・
受信電極２，３は例えば図に示す如く電極指４，
４…を互いに交差せしめたインターデイジタルト
ランスジユーサから成り、更に送信電極２は受信
電極３と相俟つて複雑な周波数選択特性を呈する
為にアポタイズ法に依る重み付けが施されてい
る。５１５は相対向する送・受信電極２，３の外
側基板端面に設けられたアルキド樹脂製の吸収体
である。
LiTaO3単結晶から成る基板、２は電気信号を表
面波に変換する受信電極、３は上記表面波を受信
して電気信号に変換する受信電極で、これ等送・
受信電極２，３は例えば図に示す如く電極指４，
４…を互いに交差せしめたインターデイジタルト
ランスジユーサから成り、更に送信電極２は受信
電極３と相俟つて複雑な周波数選択特性を呈する
為にアポタイズ法に依る重み付けが施されてい
る。５１５は相対向する送・受信電極２，３の外
側基板端面に設けられたアルキド樹脂製の吸収体
である。
而して、送信電極２で励振された表面波は図中
矢印で示す如く受信電極３方向及びその逆の基板
端面方向の２方向に伝播し、その内受信電極３方
向に伝播した表面波の殆んどは該電極３にて所望
の周波数選択特性を呈する電気信号に変換され
る。
矢印で示す如く受信電極３方向及びその逆の基板
端面方向の２方向に伝播し、その内受信電極３方
向に伝播した表面波の殆んどは該電極３にて所望
の周波数選択特性を呈する電気信号に変換され
る。
そして、僅かに受信電極３を通過した表面波は
吸収体５にて吸収され基板端面で反射し再度受信
電極３に反射表面波として伝播する事はない。一
方、基板端面方向に直接伝播した表面波も同様に
吸収体５にて吸収される。従つて、例えばVIFフ
イルタとして適用された場合、或る遅延時間を有
して受信電極３に再伝播し画面にゴーストとなつ
て現われてくる反射表面波を該反射表面波が形成
される基板端面近傍にて吸収する事に依つて、再
度受信電極３への伝播を防止する事が出来る。
吸収体５にて吸収され基板端面で反射し再度受信
電極３に反射表面波として伝播する事はない。一
方、基板端面方向に直接伝播した表面波も同様に
吸収体５にて吸収される。従つて、例えばVIFフ
イルタとして適用された場合、或る遅延時間を有
して受信電極３に再伝播し画面にゴーストとなつ
て現われてくる反射表面波を該反射表面波が形成
される基板端面近傍にて吸収する事に依つて、再
度受信電極３への伝播を防止する事が出来る。
本考案の主たる特徴点は上記吸収体５，５の厚
みδの制御にある。
みδの制御にある。
この吸収体５，５の厚みδに就いては何の注意
も払われていないのが現状である。本考案者等は
該吸収体５，５の厚δが、基板端面で反射し再度
受信電極３に伝播する反射表面波のレベルに影響
を与える事を見い出した。
も払われていないのが現状である。本考案者等は
該吸収体５，５の厚δが、基板端面で反射し再度
受信電極３に伝播する反射表面波のレベルに影響
を与える事を見い出した。
第２図は吸収体５，５の厚みδと反射表面波のレ
ベルとの関係を示す実験結果で、同図に於いて横
軸には伝播する表面波の波長λに換算した吸収体
５，５の厚みδが、縦軸には反射表面波レベルが
採つてある。この実験に於いてはＸカツト
LiTaO3単結晶から成る基板１に吸収体５，５と
してアルキド樹脂を塗布せしめた表面波装置が用
いられた。
ベルとの関係を示す実験結果で、同図に於いて横
軸には伝播する表面波の波長λに換算した吸収体
５，５の厚みδが、縦軸には反射表面波レベルが
採つてある。この実験に於いてはＸカツト
LiTaO3単結晶から成る基板１に吸収体５，５と
してアルキド樹脂を塗布せしめた表面波装置が用
いられた。
この第２図の実験結果を考察すると、吸収体
５，５の厚みδは薄すぎると表面波のエネルギを
充分吸収するに至らず、さたその逆に厚すぎると
基板１との境界に於いて音響的不整合を発生せし
め所謂基板端面がこの境界面であるかの如く表面
波を反射してしまうものと考えられる。
５，５の厚みδは薄すぎると表面波のエネルギを
充分吸収するに至らず、さたその逆に厚すぎると
基板１との境界に於いて音響的不整合を発生せし
め所謂基板端面がこの境界面であるかの如く表面
波を反射してしまうものと考えられる。
一方、表面波装置をVIFフイルタとして適用し
た場合、上記反射表面波レベルの画面に及ぼす影
響の上限は一般的に４０dBとされている。即ち
第２図に於ける反射表面波レベル４０dBに対す
る吸収体５，５の厚みδを読み取ると1/4及び２
波長λであり、該反射表面波レベルを４０dB以
下にしようとすれば吸収体の厚みδを表面波の波
長λの1/4〜２倍に設定する必要がある。
た場合、上記反射表面波レベルの画面に及ぼす影
響の上限は一般的に４０dBとされている。即ち
第２図に於ける反射表面波レベル４０dBに対す
る吸収体５，５の厚みδを読み取ると1/4及び２
波長λであり、該反射表面波レベルを４０dB以
下にしようとすれば吸収体の厚みδを表面波の波
長λの1/4〜２倍に設定する必要がある。
以下に本考案表面波装置を中心周波数が56.5M
HzのVIFフイルタとして適用した具体的実施例を
記す。
HzのVIFフイルタとして適用した具体的実施例を
記す。
ＸカツトLiTaO3単結晶から成る基板１に表面
波の伝播方向がＹ軸に対して112度になる如くイ
ンターデイジタルトランスジユーサ型の送・受信
電極２，３を対向配置せしめる。この基板１に於
ける表面波の伝播速度Vsは3284ｍ／secで、該表
面波の周波数oは上記56.5MHzである。従つて表
面波の波長λは、 λ＝Vs／o＝3284ｍ／sec／56.5MHz≒58μｍ である。この結果反射表面波レベルを４０dB以
下に抑圧せしめる吸収体５，５の厚みδは14.5〜
116μｍとなる。
波の伝播方向がＹ軸に対して112度になる如くイ
ンターデイジタルトランスジユーサ型の送・受信
電極２，３を対向配置せしめる。この基板１に於
ける表面波の伝播速度Vsは3284ｍ／secで、該表
面波の周波数oは上記56.5MHzである。従つて表
面波の波長λは、 λ＝Vs／o＝3284ｍ／sec／56.5MHz≒58μｍ である。この結果反射表面波レベルを４０dB以
下に抑圧せしめる吸収体５，５の厚みδは14.5〜
116μｍとなる。
第３図は本考案表面波装置の他の実施例要部を
示す側面図で、吸収体５が塗布される基板端面に
凹凸状の粗面加工６が施こしてある。この粗面加
工６に依つて表面波は散乱せしめられ受信電極３
に再伝播する反射表面波のレベルを結果的に抑え
る事が出来る。
示す側面図で、吸収体５が塗布される基板端面に
凹凸状の粗面加工６が施こしてある。この粗面加
工６に依つて表面波は散乱せしめられ受信電極３
に再伝播する反射表面波のレベルを結果的に抑え
る事が出来る。
本考案表面波装置は以上の説明から明らかな如
く、LiTaO3単結晶基板の端面にアルキド樹脂製
の吸収体を設けると共に、該吸収体の厚みを伝播
する表面波の波長に対して1/4〜２倍に制御せし
めたので、反射表面波レベルを充分低く抑える事
が出来る。従つて反射表面波が表面波装置の周波
数選択特性に与える影響は極く僅かなものとなり
殆んど無視する事が出来る。また本考案装置を例
えばVIFフイルタとしてテレビジヨン受像機に組
み込んだ場合、反射表面波の為に画面にゴースト
が現われる事もなくなる等、本考案の得るところ
は大きい。
く、LiTaO3単結晶基板の端面にアルキド樹脂製
の吸収体を設けると共に、該吸収体の厚みを伝播
する表面波の波長に対して1/4〜２倍に制御せし
めたので、反射表面波レベルを充分低く抑える事
が出来る。従つて反射表面波が表面波装置の周波
数選択特性に与える影響は極く僅かなものとなり
殆んど無視する事が出来る。また本考案装置を例
えばVIFフイルタとしてテレビジヨン受像機に組
み込んだ場合、反射表面波の為に画面にゴースト
が現われる事もなくなる等、本考案の得るところ
は大きい。
第１図ａ，ｂは本考案表面波装置の正面図及び
側面図、第２図は吸収体の厚みと反射表面波レベ
ルとの関係を示す曲線図、第３図は本考案表面波
装置の他の実施例の要部を示す側面図で、 １は基板、２，３は送・受信電極、５は吸収
体、６は粗面加工を夫々示す。
側面図、第２図は吸収体の厚みと反射表面波レベ
ルとの関係を示す曲線図、第３図は本考案表面波
装置の他の実施例の要部を示す側面図で、 １は基板、２，３は送・受信電極、５は吸収
体、６は粗面加工を夫々示す。
Claims (1)
- 表面波が伝播するLiTaO3単結晶基板と、該基
板に設けられ表面波を励振する送信電極と、該送
信電極から伝播して来る表面波を受信し電気信号
を復元する受信電極と上記基板端面への表面波の
伝播を吸収するアルキド樹脂製の吸収体と、から
成り、該吸収体の厚みを伝播する表面波の波長に
対して1/4〜２倍とした事を特徴とする表面波装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3584279U JPS6333371Y2 (ja) | 1979-03-19 | 1979-03-19 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3584279U JPS6333371Y2 (ja) | 1979-03-19 | 1979-03-19 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS55135520U JPS55135520U (ja) | 1980-09-26 |
| JPS6333371Y2 true JPS6333371Y2 (ja) | 1988-09-06 |
Family
ID=28895879
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3584279U Expired JPS6333371Y2 (ja) | 1979-03-19 | 1979-03-19 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6333371Y2 (ja) |
-
1979
- 1979-03-19 JP JP3584279U patent/JPS6333371Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS55135520U (ja) | 1980-09-26 |
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