JPS6332520A

JPS6332520A - 液晶素子

Info

Publication number: JPS6332520A
Application number: JP17616486A
Authority: JP
Inventors: Yukio Haniyu; 由紀夫羽生
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1986-07-26
Filing date: 1986-07-26
Publication date: 1988-02-12

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】（産業上の利用分野）本発明は、液晶表示素子や液晶−光シャツタ等で用いる
液晶素子、特に強誘電性液晶を用いた液晶素子に関し、
更に詳しくは液晶分子の初期配向状態を改善することに
より、表示特性を改善した液晶素子に関するものである
。

〔従来の技術〕

強誘電性液晶分子の屈折率異方性を利用して偏光素子と
の組み合わせにより透過光線を制御する型の表示素子が
クラーク（Ｃ１ａｒｋ）及びラガーウオル（Ｌａｇｅｒ
ｗａｌｌ）により提案されている（特開昭５６−１０７
２１６号公報、米国特許第４，３６７．９２４号明細書
等）。

この強誘電性液晶は、一般に特定の温度域において、カ
イラルスメクチックＣｍ（ＳｍＣ”）又はＨ相（ＳｍＨ
”　）を有し、この状態において、加えられる電界に応
答して第１の光学的安定状態と第２の光学的安定状態の
いずれかを取り、且つ電界の印加のないときはその状態
を維持する性質、すなわち双安定性を有し、また電界の
変化に対する応答も速やかであり、高速ならびに記憶型
の表示素子としての広い利用が期待されている。

この双安定性を有する液晶を用いた光学変調素子が所定
の駆動特性を発揮するためには、一対の平行基板間に配
置される液晶が、電界の印加状態とは無関係に、上記２
つの安定状態の間での変換が効果的に起るような分子配
列状態にあることが必要である。たとえばＳｍＣ”また
はＳｍＨ”相を有する強誘電性液晶については、ＳｍＣ
“またはＳｍＨ”相を有する液晶分子相が基板面に対し
て垂直で、したがって液晶分子軸が基板面にほぼ平行に
配列した領域（モノドメイン）が形成される必要がある
。

ところで、強誘電性液晶の配向方法としては、一般にラ
ビング処理や斜方蒸着処理などによる一軸性配向処理を
施した配向制御膜を用いる方法が知られている。

この従来からの配向方法は、そのほとんどが双安定性を
示さないらせん構造をもつ強誘電性液晶に対するもので
あった。例えば、ヨーロッパ公開特許第９１６６１号公
報や特開昭６〇−２３０６３５号公報に開示された配向
方法は、双安定性を示さないらせん構造の状態下で強誘
電性液晶ラビング処理したポリイミド、ポリアミド又は
ポリビニルアルコール膜によフて配向制御するものであ
った。

しかしながら、前述した如きの従来の配向制御膜をクラ
ークとラガーウオルによって発表された双安定性を示す
非らせん構造の強誘電性液晶に対する配向制御に適用し
た場合には、下達の如き問題点を有していた。

〔発明が解決しようとする問題点〕

すなわち、本発明者らの実験によれば、従来の配向制御
膜によって配向させて得られた非らせん構造の強誘電性
液晶でのチルト角θ（後述の第３図に示す角度θ）がら
せん構造をもつ強誘電性液晶でのチルト角■（後述の第
２図に示す三角錐の頂角の１／２の値である角度■）と
比べて小さくなっていることが判明した。

特に、従来の配向制御膜によりて配向させて得た非らせ
ん構造の強誘電性液晶でのチルト角θは、一般に数置程
度で、その時の透過率はせいぜい３〜５％程度であった
。

この様に、クラークとラガクオールによれば双安定性を
実現する非らせん構造の強誘電性液晶でのチルト角がら
せん構造をもつ強誘電性液晶でのチルト角と同一の角度
をもつはずであるが、実際には非らせん構造でのチルト
角θの方がらせん構造でのチルト角０より小さくなって
いる。即ち、チルト角θが最大チルト角■を採る為には
、液晶分子の配向状態が第４図に示すユニフォーム配向
となっている必要があるが、実際には第５図に示す様に
隣接する各々の液晶分子がねじれ角αでねじれて配向し
ている事に原因するスプレィ配向状態となっている為に
、十分に大きいチルト角θを形成する事ができない問題
点があった。また、スプレィ配向状態下の液晶素子は、
第７図に示す様なパルス信号に対する光学応答特性を示
し、この光学応答特性がマルチプレクシング駆動を行な
った時の表示画面でのちらつきの原因となる問題点があ
った。

従って、本発明の目的は、前述の問題点を解決すること
、すなわち少なくとも２つの安定状態、特に双安定性を
実現する非らせん構造の強誘電性液晶でのチルト角を増
大し、これによって画素シャッタ開口時の透過率を向上
させた液晶素子を提供することにある。

又、本発明の別の目的は、マルチブレクシレグ駆動時の
画面にちらつきを生じない液晶素子を提供することにあ
る。

即ち、本発明は、特定の配向制御膜を用いることによっ
て、第４図に示すユニフォーム配向状態の強誘電性液晶
素子を実現することができ、これに伴い第６図に示す様
なパルス信号に対する光学応答特性を示し、マルチブレ
クシレグ駆動時の画面にちらつきを生じない液晶素子を
実現することができる。

本発明で用いる特定の配向制御膜は、低密度ポリエチレ
ン樹脂の変性体によって形成することができる。ここで
いう低密度ポリエチレンとは直鎖状でなく結晶化度およ
び密度融点が低く、直鎖状である高密度ポリエチレンと
は性質を異にするものである。

〔問題点を解決するための手段）及び〔作用〕すなわち
、本発明は一対の平行基板と、該一対の平行基板の面に
対して垂直な複数の層を形成している分子の配列をもつ
強誘電性液晶とを有する液晶素子において、前記一対の
平行基板のうちの少なくとも一方の基板が前記複数の層
を一方向に優先して配向させる低密度ポリエチレンの被
膜を有していることを特徴とする液晶素子である。

本発明で使用される低密度ポリエチレンとしては、各種
の重合度のものをはじめ、ビニルアルコールで代表され
るオレフィン類又は他の重合性単量体（例えば、プロピ
レン、イソブチレンなどのα−オレフィン類、メチルビ
ニルエーテルで代表されるアルキルビニルエーテル類、
アクリル酸、塩化ビールなど一種又は二種以上）などと
の共重合体ばかりでなく、シアノエチル化低密度ポリエ
チレンなどの変性低密ポリエチレンなども含まれる。

これら変性ポリエチレンのうち、エチレンと酢酸ビニル
、アクリル酸又はアクリル酸エステルなどとの高圧ラジ
カル共重合体の製造は、いずれもエチレンの高圧重合装
置で行なうことができる。又、濃溶ラジカル重合法（加
圧）又はサスペンション（エマルジョン）重合法で酢酸
ビニルとエチレンとの共重合体を得ることも可能である
。

これら変性ポリエチレンの変成度は、一般に４０モル％
以下、好ましくは３０モル％以下、特に好ましくは２０
モル％以下である。

又、これらの低密度ポリエチレンの被膜の形成法として
は、低密度ポリエチレン樹脂を適当な溶剤に０．１１二
％〜２０重量％、好ましくは０．２重量％〜１０重量％
の割合で溶解させた溶液、或いはその前駆体溶液をスピ
ンナー塗布法、浸漬塗布法、スクリーン印刷法、スプレ
ー塗布法やロール塗布法などの方法によって塗布した後
、所定の硬化条件（例えば加熱）下で硬化させる方法を
用いることができる。

この際に用いる溶剤としては未変性又は変性とすること
により水、グリコール、グリセロール、ピペラジン、ト
リエチレンジアミン、ホルムアミド、ジメチルホルムア
ミド、０−クロロフェノール、テトラクロロエチレン、
クレゾール、ジメチルアセトアミド、ｎ−ブチルアセテ
ートなどを用いることができる。

本発明で用いる低密度ポリエチレンの重合度は、２００
〜２００００、好ましくは１０００〜１００００が適し
ている。

これらの低密度ポリエチレンの被膜で配向制御膜１４ａ
と１４ｂを形成するが、絶縁膜としての機能をもたせる
ことが可能で、通常５０人〜１μ程度、好ましくは１０
０人〜２０００人、さらに好ましくは５００人〜２００
０人の範囲の膜厚で形成される。

以下、本発明の詳細な説明する。

第１図（ａ）及び（ｂ）は、それぞれ本発明の液晶素子
の実施態様を示す断面図である。

第１図（ａ）に示す液晶素子は、一対の平行配置した上
基板１１ａ及び下基板１１ｂと、それぞれの基板に配線
した透明電極１２ａと１２ｂを備えている。上基板１１
ａと下基板ｊｌｂとの間には強誘電性液晶、好ましくは
少なくとも２つの安定状態をもつ非らせん構造の強誘電
性液晶１３が配置されている。

前述した透明電極１２ａと１２ｂは、強誘電性液晶１３
をマルチブレクシング駆動するために、それぞれストラ
イプ形状で配線され、且つそのストライプ形状が互いに
交差させて配置されていることが好ましい。

第１図（ａ）に示す液晶素子では、基板１１ａとｌｌｂ
にそれぞれ前述した低密度ポリエチレン樹脂で形成した
配向制御膜１４ａと１４ｂが配置されている。

又、第１図（ａ）に示す液晶素子で用いた配向制御％　
１４　ａと１４ｂのうち何れか一方を低密度ポリエチレ
ン樹脂とし、何れか他方を低密度ポリエチレン樹脂以外
の配向制御膜とすることも可能である。この際に用いる
配向制御膜としてポリイミド、ポリアミドやポリビニル
アルコールで形成した被膜とすることができる。

又、第１図（ｂ）に示す様に、本発明では、第１図（ａ
）の液晶素子で用いた配向制御膜１４ｂの使用を省略す
ることも可能である。

本発明では、前述した配向制御膜１４ａと１４ｂに一軸
性配向軸を付与することができる。この一軸性配向軸は
、好ましくはラビング処理によって付与されることがで
きる。この際、前述した一軸性配向軸を互いに平行方向
とすることができるが、互いに交差きせることも可能で
ある。

次に、本発明の液晶素子に用いられる一対の平行基板の
面に対して垂直な複数の層を形成している分子の配列を
もつ強誘電性液晶について説明する。

第２図は、らせん構造を用いた強誘電性液晶セルの例を
模式的に描いたものである。２１ａと２１ｂはＩ　ｎ２
０３．５ｎ０２やＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ　　Ｔｉｎ　　
０ｘｉｄｅ）等の透明電極がコートされた基板（ガラス
板）であり、その間に複数の液晶分子層２２がガラス基
板面に対して垂直な層となるよう配向したＳｍＣ“　（
カイラルスメクチックＣ相）の液晶が封入されている。

太線で示した線２３が液晶分子を表わしており、この液
晶分子２３は、その分子に直交した方向に双極子モーメ
ント（Ｐ上）２４を有している。この時の三角錐の頂角
をなす角度がかかるらせん構造のカイラルスメクチック
相でのチルト角■を表わしている。

基板２１ａと２１ｂ上の電極間に一定の閾値以上の電圧
を印加すると、液晶分子２３のらせん構造がほどけ、双
極子モーメント（Ｐ上）２４はすべて電界方向に向くよ
う、液晶分子２３の配向方向を変えることができる。

しかし、このらせん構造を用いた強誘電性液晶は、電界
無印加時には、もとのらせん構造に復帰するもので、下
達する双安定性を示さない。

本発明の好ましい具体例では、無電界時に少なくとも２
つの安定状態、特に双安定状態をもつ第３図に示す強誘
電性液晶素子を用いることができる。すなわち、液晶セ
ルの厚さを充分に薄くした場合（例えば１μｍ）には、
第３図に示すように電界を印加していない状態でも液晶
分子のらせん構造はほどけ、非らせん構造となり、その
双極子モーメントＰａ又はｐｂは上向き（３４ａ）又は
下向き（３４ｂ）のどちらかの状態をとり、双安定状態
が形成される。

このようなセルに第３図に示す如く一定の閾値以上の極
性の異なる電界ＥａまたはＥｂを付与すると、双極子モ
ーメント電界Ｅａ又はＥｂは電界ベクトルに対応して上
向き３４ａ又は、下向き３４ｂと向きを変え、それに応
じて液晶分子は第１の安定状態３３ａかあるいは第２の
安定状態３３ｂの何れか一方に配向する。

この時の第１と第２の安定状態のなす角度の１／２がチ
ルト角θに相当している。

このような強誘電性液晶を光学変調素子として用いるこ
との利点は２つある。第１に、応答速度が極めて速いこ
と、第２に液晶分子の配向が双安定性を有することであ
る。第２の点を、例えば第３図によって説明すると、電
界Ｅａを印加すると液晶分子は第１の安定状態３３ａに
配向するが、この状態は電界を切っても安定である。又
、逆向きの電！！￥Ｅｂを印加すると、液晶分子は第２
の安定状態３３ｂに配向して、その分子の向きを変える
が、やはり電界を切ってもこの状態に留っている。又、
与える電界Ｅａが一定の閾値を越えない限り、それぞれ
の配向状態にやはり維持されている。このような応答速
度の速さと、双安定性によるメモリー効果が有効に実現
されるには、セルとしては出来るだけ薄い方が好ましく
、一般的には、０．５μｍ〜２０μｍ１特に１μｍ〜５
μｍが適している。この種の強誘電性液晶を用いたマト
リクス電極構造を有する液晶−電気光学装置は、例えば
クラークとラガウオールにより、米国特許第４，３６７
．９２４号明細書で提案されている。

本発明の液晶素子で用いることができる強誘電性液晶と
しては、例えばｐ−デシロキシベンジリデン−ｐ′　−
アミノ−２−メチルブチルシンナメート（ＤＯＢＡＭＢ
Ｃ）、　　ｐ−へキシロキシベンジリデン−ｐ′　−ア
ミノ−２−クロルプロピルシンナメート（ＨＯＢＡＣＰ
Ｃ）、ｐ−デシロキシベンジリデン−ｐ′−アミノ−２
−メチルブチル−α−シアノシンナメート（ＤＯＢＡＭ
ＢＣＣ）、Ｐ−テトラデシロキシベンジリデン−ｐ′−
アミノ−２−メチルブチル−α−シアノシンナメー）−
（ＴＤＯＢＡＭＢＣＣ）、Ｉ）−オクチルオキシベンジ
リデン−ｐ′　−アミノ−２−メチルブチル−α−クロ
ロシンナメート（ＯＯＢＡＭＢＣＣ）、Ｉ）−オクチル
オキシベンジリデン−ｐ′　−アミノ−２−メチルブチ
ル−α−メチルシンナメート、４．４′−アゾキシシン
ナミックアシッド−ビス（２−メチルブチル）エステル
、４−Ｏ−（２−メチル）プチルレゾルシリデンー４′
−オクチルアリニン、４−（２’−メチルブチル）フェ
ニル−４′−オクチルオキシビフェニル−４−カルボキ
シレート、４−へキシルオキシフェニル−４−（２”−
メチルブチル）ビフェニル−４′−カルボキシレート、
４−才クチルオキシフェニル−４−（２”−メチルブチ
ル）ビフェニル−４′−カルボキシレート、４−へブチ
ルフェニル−４−（４”−メチルヘキシル）ビフェニル
−４′−カルボキシレート、４−（２”−メチルブチル
）フェニル−４−（４”　−メチルヘキシル）ビフェニ
ル−４′−カルボキシレートなどを挙げることができ、
これらは単独又は２種以上組合せて用いることがで幹、
又強誘電性を示す範囲で他のコレステリック液晶やスメ
クチック液晶を含有させることができる。

又、本発明では強誘電性液晶としてカイラルスメクチッ
ク相を用いることができ、具体的には、カイラルスメク
チックＣ相（ＳｍＣ”　）、Ｈ相（ＳｍＨ”　）、Ｉ相
（ＳｍＩ”　）、Ｋ相（ＳｍＫ″）やＧ相（ＳｍＧ”　
）を用いることができる。

第４図は、強誘電性液晶素子の電圧無印加時におけるユ
ニフォーム配向状態を模式的に表わした断面図で、第６
図はその際のパルス信号に対する光学応答特性を表わし
ている。すなわち、第４図は第３図に示す複数のカイラ
ルスメクチック液晶分子で形成した垂直Ｎ３２の法線方
向から見た断面図で、第４図中の４１は第３図に示す液
晶分子３３ａ又は３３ｂの前述の垂直層３２への写影（
Ｃ＝デレクタ）を表わし、４２は前述の垂直層３２に対
する液晶分子３３ａ又は３３ｂの先端部を表わしている
。従って、第４図によれば垂直層３２内の液晶分子は互
いに実質的に平行に配向した状態を採り、チルト角θを
最大チルト角［Ｆ］に近ずけることができる。

この状態をユニフォーム配向状態という。

これに対し、第５図は第４図と同様の方法で垂直層３２
内の液晶分子の配列状態を表わしたものである。第５図
から判る様に垂直層３２内の液晶分子４１の先端部４２
が垂直層の層厚方向に円周に沿って回転している。従っ
て、基板２１ａと２１ｂ１．：ＩＡ接する液晶分子は、
互いに平行とはなっておらず、垂直層３２内の液晶分子
は基板２１ａから２１ｂに向けて連続的にねじれた状態
で配向していることになる。

この様な配向状態をスプレィ配向状態という。

このスプレィ配向状態は所定の電圧が印加された状態下
では、第４図に示すユニフォーム配向状態を採るが、一
旦印加電圧を遮断し、メモリー状態とした時に第５図に
示すスプレィ配向状態に戻ることが判明した。従って、
スプレィ配向状態では第７図に示す様に電圧印加状態下
では、ユニフォーム配向状態に基ずく高い透過率の光学
特性を示すが、電圧無印加時ではチルト角θが小さいも
とのスプレィ配向状態に戻ってしまうため、これに基づ
く低い透過率の光学特性となっている。

これに対し、第４図に示すユニフォーム配向状態では、
前述したスプレィ配向状態を採らないことから、第６図
に示す様に印加電圧遮断時のメモリー状態下でも電圧印
加時の高い透過率特性をそのまま維持することかできる
。

すなわち、第６図では電圧１０■、パルス幅５００μｓ
ｅｃのパルス６２を印加した時の透過率曲線６１を表わ
しているが、電圧ｏＶのメモリー状態下でもパルス印加
時の透過率を維持していることが判る。第７図では同様
の電圧１０ｖ、パルス幅５００μｓｅｃのパルス７２を
印加した時の透過率曲線７１を表わしてイル。この透過
率曲線７１によれば、パルス印加には高い透過率となっ
ているため、これが駆動時のちらつきに原因している。

さらに、電圧０■のメモリー状態下では透過率が急濫に
低下しているため、これが表示画面での暗さに原因して
いる。

本発明の好ましい具体例では、強銹電性液晶が第４図に
示すユニフォーム配向状態を採る上で交流印加前処理が
有効である。この交流印加前処理により、前述したチル
ト角θをらせん構造でのチルト角■と等しいが、あるい
は同程度の角度まで増大させることができる。この際に
用いる交流としては、電圧２０〜５ｏｏｖ。

好ましくは３０〜１５０ｖで周波数１０〜５００　Ｈｚ
、好ましくは１０〜２００Ｈｚを用いることができ、そ
の印加時間を数秒〜１゜分間程度で交流印加前処理を施
すことができる。

又、かかる交流印加前処理は、液晶素子を例えば映像信
号や情報信号に応じて書き込みを行う前の段階で行われ
、好ましくはかかる液晶素子を装置に組み込み、かかる
装置を操作する時のウェイトタイムで前述の交流印加前
処理を行うが、あるいはかかる液晶素子の製造時でも交
流印加前処理を施すことができる。

かかる交流印加前処理は、印加前のチルト角θがらせん
構造でのチルト角■と同程度にまで増大させたチルト角
とすることができ、しかもかかる交流印加を除去した後
であってもその増大されたチルト角を維持することがで
きる。

又、かかる交流印加前処理は、自発分極の大きい強誦電
性液晶（例えば２５℃で５ｎｃ／　ｃ　ｍ　”以上、好
ましくは１０ｎｃ／ｃｍ２〜３００ｎｃ／ａｍ２　；ｎ
ｃはナノクー０）ｌを示す単位である）に対して有効で
ある。この自発分極は１００μセルで三角波印加法“に
より測定することができる。

１ジヤパニーズ・ジャーナル・才プ・アプライド・フィ
ジックス（Ｊａｐａｎｅｓｅ　　Ｊｏｕｒｎａｌ　　ｏ
ｆ　　Ａｐｐｌｉｅｄ　　Ｐｈｙｓｉａｓ）２２　（１
０）号、６６１〜６６３頁（１９８３年）に掲載された
クー・ミャサト（に、Ｍｉｙａｓａｔｏ）らの共著の“
ダイレツクト・メソッド・クイズ・トライアングラ−・
ウェーブズ・フォー・メジャーリング・スボンタナス・
ボーラリゼーション・イン・フェロエレクトリック・リ
キッド・クリスタル”（Ｄｉｒｅｃｔ　　Ｍｅｔｈｏｄ
　　ｗｉｔｈＴｒｉａｎｇｕｌａｒ　　Ｗａｖｅｓ　　
ｆｏｒＭｅａｓｕｒｉｎｇ　　５ｐｏｎｔａｎｅｏｕｓ
Ｐｏｌａｒｉｚａｔｉｏｎ　　ｉｎ　　Ｆｅｒｒ。

ｅｌｅｃｔｒｉｃ　　Ｌｉｑｕｉｄ　　Ｃｒ　ｙ　ｓｔ
ａｌｏｏ）による。

（実施例）以下、本発明を具体的な実施例及び比較例を挙げて説明
する。

実施例１重合度８，０００、密度０．９１９の低密度ポリエチレ
ンを配向膜として用いて液晶素子を作製した。

２枚の０．７　ｍ　ｍ厚のガラス板を用意し、それぞれ
のガラス板上にＩＴ○膜を形成した。

このＩ　Ｔ　Ｏ膜付きのガラス板上にそれぞれ前記の低
密度ポリエチレンを０．８重量％の割合で溶解したＯ−
クロロフェノール：テトラクロロエタン（１：１）溶液
を回転数２００Ｏｒ、ｐ、ｍのスピンナーで９０秒間塗
布した。

成膜後、約１時間の１８０℃加熱焼成処理を施した。こ
の時の塗膜の膜厚は、約１００人であった。

この焼成後の被膜には、アセテート植毛布によるラビン
グ処理がなされ、その後、イソプロピルアルコール液で
洗浄し、平均粒径約１μｍのアルミナビーズを一方のガ
ラス板上に散布した後、それぞれのラビング処理軸が互
いに平行となる様に２枚のガラス板を重ね合せてセルを
作成した。

このセルのセル厚をベレック位相板（位相差による測定
）によって測定したところ、約１μｍであった。このセ
ル内にチッソ（株）社製のｒｃｓ−ｔ　Ｏ１１Ｊ　、（
商品名）を等労相下で真空注入してから、等１相から０
．５℃／ｈで６０℃まで徐冷することにより配向させる
ことができた。以後の実験は６０℃で行なった。

尚、前述したｒＣ３−１０１１」の相変化は、下記のと
おりであった。

（ＳｍＡ；スメクチックＡ相、Ｃｈ；コレステリック相
、Ｉｓｏ：等１相を示す）直交ニコル下でこのセルを観察すると、一様で欠陥のな
い非らせん構造のカイラルスメクチックＣ相を形成した
モノドメインが得られていた。

次いで、上述した液晶セルに電圧７０Ｖで周波数７０Ｈ
ｚの高電界交流を約１分間印加した（交流印加前処理）
。この時のチルト角θを測定したところ、１８°であっ
た。

このチルト角θは、液晶セルにパルス電界（１０Ｖ、５
００μ５ｅｃ）を印加することにより、一方の安定状態
に液晶分子方向をそろえ、直交ニコル下で液晶セルを回
転させながら透過光二が最も低くなる最暗状態となる位
置を見つけ、次に、前のパルスと逆極性のパルス電界（
−１０Ｖ、５００μ５ｅｃ）を印加することによって、
もう一方の安定分子配列状態に転穆させて明状態とした
後、再び液晶セルを回転させてｆｘＥｌａ状態となる角
度を見つけることによって測定することができる。この
２つの最暗状態の位置は、液晶の安定な平均的分子軸を
検出していることに対応し、これら２つの状態の間の角
度がチルト角２θに相当している。

本実施例の液晶セルは、１週間以上の期間に亘ってチル
ト角１８°を維持することが判明した。

又、本実施例の液晶素子を下記の駆動条件でマルチブレ
クシング駆動したところ、ちらつきのない表示画面が形
成されていた。

駆動条件（１）第１ステップ；　全走査線にパルス幅５００μｓ
ｅｃ、電圧１０Ｖの信号及び全信号線にパルス幅５００μｓｅｃ、電圧一５Ｖの信号を一時に印加する。

（２）第２ステップ；　走査選択信号としてパルス幅５
００μ５ｅｃＳ電圧ｉｏｖを使用し、この信号を順次走査線に印加し、この走査選択信号に同期させて、パルス幅５００μｓｅｃ、電圧５ｖの信号とパルス幅５００μ ｓｅｃ％電圧−５Ｖの信号を選択的に信号線に印加する。

実施例２重合度５０００、密度０．９２１の低密度ポリエチレン
を配向制御膜として用いて液晶素子を作製した。作製し
た液晶セルに実施例１と同様に電圧７０ボルトで周波数
７０Ｈｚの高電界交流を約１分間印加した（交流印加前
処理）。

この時のチルト角θを測定したところ１９．０度であっ
た。又、本実験例の液晶セルは１週間以上の期間に亘っ
てチルト角１８度以上を維持することが判明し書き込み
時のちらつきはなかった。

実施例３一般式１１で示される構造単位により１０モル％変性さ
れた重合度３０００、密度０．９１０の低密度ポリエチ
レンを配向制御膜として用いて液晶素子を作製した。

＋ＣＨ２−ＣＨ＋−−−−−−−−−−−−（１１）０
ＯＮａ゛作製した液晶セルに実施例１と同様に電圧７０ボルト
で周波数７０Ｈｚの高電界交流を約１分間印加した（交
流印加前処理）。この時のチルト角θを測定したところ
１９．５度であった。又、本実験例の液晶セルは１週間
以上の期間に亘ってチルト角１９度以上を維持すること
が判明し書き込み時のちらつきはなかった。

実施例４〜６表１に示す、変性低密度ポリエチレンを用いて実施例１
と同様のセルを作成し、実施例１と同様の交流印加前処
理を行なった。その時の比較例１実施例１の液晶セルを作成した時に用いた低密度ポリエ
チレン樹脂をポリイミド樹脂（３，３’、　　４．　４
’−ジフェニルテトラカルボン酸無水物とｐ−フェニレ
ンジアミンとを１＝１のモル比で脱水縮合反応されて得
たポリアミック酸の３．５重量％Ｎ−メチル−２−ピロ
リドン液による塗布膜を脱水閉環させて形成したポリイ
ミド）に代えたほかは、実施例１と全く同様の方法で液
晶セルを作成し、実施例１とＰ］様の交流印加前処理を
行なった。

この時の液晶セルのチルト角θを測定したところ、８°
であった。又、この液晶セルを実施例１と同様のマルチ
プレクシング駆動によって表示画面を形成したが、書き
込み時にちらつきが発生していた。

比較例２実施例１の液晶セルを作成した時に用いた低密度ポリエ
チレン樹脂をポリビニルアルコールに代えたほかは、実
施例１と全く同様の方法で液晶セルを作成し、実施例１
と同様の交流印加前処理を行った。

この時の液晶セルのチルト角θを測定したところ、１７
．５’　であった。さらに、このン夜晶セルがもつ１８
°のチルト角θの維持時間を測定したところ、２日目で
そのチルト角は１５．５”　までに減少し、１週間後に
はそのチルト角は約１０°までに減少することが判明し
た。又、この１週間放置後の液晶セルを実施例１と同様
のマルチブレクシング駆動によって表示画面を形成した
が、書き込み時にちらつきが発生していた。

〔発明の効果］本発明によれば、増大したチルト角を得ることができる
ユニフォーム配向状態の強誘電性液晶を実現することが
でき、しかもこのユニフォーム配向状態を長期間に亘っ
て安定的に維持することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図（ａ）及び（ｂ）は、それぞれ本発明の液晶素子
の実施態様を示す断面図、第２図はらせん構造の強誘電
性液晶を用いた液晶素子を模式的に表わす斜視図、第３
図は非らせん構造の強誘電性液晶を用いた液晶素子を模
式的に表わす斜視図、第４図はユニフォーム配内状、聾
を模式的に表わす断面図、第５ｉ２１はスプレィ配向状
態を模式的に表わす断面図、第６図はユニフォーム配向
状態での光学応答特性を表わす特性図および第７図はス
プレィ配向状態での光学応答特性を表わす特性図である
。１１　ａ　　−−−−−−−−−一上基板１１　ｂ　　
−−−−−一−−−−下基板１２ａ、１２ｂ　−透明電
極１３　−−一−−−−−−−−−強誘電性液晶１４ａ、
１４ｂ　　−配向制御膜２１ａ、２１ｂ　　−一基板２２　−−−−−−−−−一−−液晶分子層２３　−−
−−−−−−−−−一液晶分子２４　−−−−−−−−
一−−−双極子モーメント３２　−−−−−−−−−一
一一垂直層３３　ｇ　　−−−−−−一−−−第１の安
定状態３３　ｂ　　−−−−−−−−−一第２の安定状
態３４　ａ　　−−−−−−−−−一上向き双極子モー
メント３４　ｔ）　　−−−−−−−−−一下向き双極
子モーメント■−一−−−−−−−−−−−−らせん構
造でのチルト角θ　−一−−−−−−−−−−−−非ら
せん構造でのチルト角Ｅ　ａ、　Ｅ　ｂ　　−−−−−
一電界４１　−−−−−−−−−−−一液晶分子の垂直
層への写影（Ｃ−ブレフタ）４２　−−−−−−−−−−−一垂直層に対する液晶分
子の先端部６１　−−一−−−−−−−−−ユニフォーム配向状態
の透過率曲線６２、　７２−−−−−−パルス７１　−−一−−−−−−−−−スプレィ配向状態の透
過率曲線

Claims

【特許請求の範囲】

（１）一対の平行基板と、該一対の平行基板の面に対し
て垂直な複数の層を形成している分子の配列をもつ強誘
電性液晶とを有する液晶素子において、前記一対の平行
基板のうちの少なくとも一方の基板が、前記複数の層を
一方向に優先して配向させる低密度ポリエチレンの被膜
を有していることを特徴とする液晶素子。
（２）前記低密度ポリエチレンが低密度ポリエチレンの
変成体である特許請求の範囲第１項記載の液晶素子。
（３）前記低密度ポリエチレンの重合度が２００〜２０
０００である特許請求の範囲第１項記載の液晶素子。
（４）前記低密度ポリエチレンの重合度が、１０００〜
１００００である特許請求の範囲第１項記載の液晶素子
。
（５）前記低密度ポリエチレンの密度が、０．９１〜０
．９４である特許請求の範囲第１項記載の液晶素子。
（６）前記配向制御膜が一軸性配向軸を有している特許
請求の範囲第１項記載の液晶素子。
（７）前記一軸性配向軸がラビング処理によって付与さ
れた配向軸である特許請求の範囲第６項記載の液晶素子
。
（８）前記強誘電性液晶がカイラルスメクチツク相であ
る特許請求の範囲第１項記載の液晶素子。
（９）前記強誘電性液晶が無電界時に少なくとも２つの
安定配向状態を示す液晶である特許請求の範囲第１項記
載の液晶素子。
（１０）前記強誘電性液晶が非らせん構造のカイラルス
メクチツク液晶であり、そのチルト角が１８°以上であ
る特許請求の範囲第１項記載の液晶素子。