JPS633156Y2 - - Google Patents

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JPS633156Y2
JPS633156Y2 JP1982014153U JP1415382U JPS633156Y2 JP S633156 Y2 JPS633156 Y2 JP S633156Y2 JP 1982014153 U JP1982014153 U JP 1982014153U JP 1415382 U JP1415382 U JP 1415382U JP S633156 Y2 JPS633156 Y2 JP S633156Y2
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JP
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mask
photomask
pattern
inspection
cartridge
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JP1982014153U
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JPS58118731U (en
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  • Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)

Description

【考案の詳細な説明】 本考案は、LSI検査装置に関するものである。[Detailed explanation of the idea] The present invention relates to an LSI inspection device.

LSIホトマスク外観検査装置を例にとり従来技
術を第1図に従つて説明する。
The prior art will be explained with reference to FIG. 1, taking an LSI photomask visual inspection apparatus as an example.

ベース1の上にはX−Yステージ2が設けら
れ、図の前後左右方向に移動し、このX−Yステ
ージ2に回路パターンを備えたマスク3をローデ
イング、又はアンローデイングする搬送装置4が
設置されている。搬送装置4にマスク3を供給す
るため(又は搬送装置4からマスク3を収納する
ため)カートリツジ5が搬送装置の横に設けられ
ていて、マスク3を自動的に供給あるいは収納す
ることが可能になつている。X−Yステージ2に
はマスク3を保持するマスク台6が固設され、マ
スク3は左右の照明レンズ7,8によつて2ケ所
下側から照明されている。マスク3の上方には検
査顕微鏡9がコラム10によりベース1に設置さ
れ、照明部の上方の左右の対物レンズ11,12
によりマスク3のパターンは拡大投影され、検査
顕微鏡9内の左右のセンサ13,14を通して、
欠陥判定部15に電気的に入力される。
An X-Y stage 2 is provided on the base 1, and a transport device 4 that moves in the front, back, right and left directions of the figure and loads or unloads a mask 3 having a circuit pattern on this X-Y stage 2 is installed. has been done. In order to supply the mask 3 to the transport device 4 (or to store the mask 3 from the transport device 4), a cartridge 5 is provided next to the transport device, and it is possible to automatically supply or store the mask 3. It's summery. A mask stand 6 for holding a mask 3 is fixed to the XY stage 2, and the mask 3 is illuminated from below at two locations by left and right illumination lenses 7 and 8. Above the mask 3, an inspection microscope 9 is installed on the base 1 by a column 10, and left and right objective lenses 11, 12 above the illumination section.
The pattern of the mask 3 is enlarged and projected through the left and right sensors 13 and 14 in the inspection microscope 9.
It is electrically input to the defect determination section 15.

上記構成の装置でカートリツジ5に収納されて
いるマスク3は搬送装置4によりX−Yステージ
2上のマスク台6にローデイングされると検査は
次の様に自動的に実行される。
In the apparatus configured as described above, when the mask 3 stored in the cartridge 5 is loaded onto the mask stand 6 on the XY stage 2 by the transport device 4, the inspection is automatically performed as follows.

第2図にホトマスク3の詳細図を示す。ホトマ
スク3は同じ回路パターンが規則正しく碁盤の目
状に配置形成されている。検査の初期状態では、
左対物レンズ11はチツプパターン16上に、ま
た右対物レンズ12は17上に位置し、左パター
ンセンサ13と右パターンセンサ14上にLSI回
路パターンの同一場所を検知するようにX−Yス
テージ2と左右対物レンズ11,12の間隔が位
置決めされる。(位置決め機構部は図示していな
い。)次に対物レンズ間隔を保持したままX−Y
ステージを移動し、第2図の矢印の順序でホトマ
スク全面を検査する。検査の為X−Yステージ2
を走査中、左右のパターンセンサ13,14の出
力信号を欠陥判定部15で比較し違いがあれば異
常部と判定する。
FIG. 2 shows a detailed diagram of the photomask 3. The photomask 3 has the same circuit patterns arranged regularly in a checkerboard pattern. In the initial state of the test,
The left objective lens 11 is positioned on the chip pattern 16 and the right objective lens 12 is positioned on the chip pattern 17, and the X-Y stage 2 is positioned so that the left pattern sensor 13 and the right pattern sensor 14 detect the same location of the LSI circuit pattern. The distance between the left and right objective lenses 11 and 12 is determined. (The positioning mechanism is not shown.) Next, while maintaining the distance between the objective lenses,
The stage is moved and the entire surface of the photomask is inspected in the order of the arrows in FIG. X-Y stage 2 for inspection
While scanning, the output signals of the left and right pattern sensors 13 and 14 are compared by the defect determination section 15, and if there is a difference, it is determined that it is an abnormal part.

この検査装置では、1〜2μmの欠陥を検出する
為、対物レンズも高い解像力が必要で高倍の対物
レンズ(50倍〜100倍のもの)を用いており、マ
スク全面を検査する時間も1〜2μmの欠陥検出で
60〜90分必要である。この検査中に同等の大きさ
(1〜2μm)の異物がマスクパターン上にあれば、
当然欠陥と判定する恐れがある。しかしこの装置
では、5〜10枚のマスクを連続的に自動検査する
為マスクは5時間〜10時間もカートリツジ内に収
納されている事になり、検査中又は検査待の間に
マスクパターン面に異物が付着する。この対策と
して装置そのものをクリーンルームに入れたり、
クリーンベンチで囲うなど防塵には注意を施して
いる。しかし最近ではLSIパターンの微細化に供
ない、さらに微小な欠陥(1μm以下の欠陥)を検
査する必要があり、上記した防塵対策でも不十分
になつてきた。例えば装置をクラス100の清浄度
の極めて高いクリーンベンチで囲い検査をしても
1μm以下の異物は、クリーンベンチ内に充満して
おり、X−Yステージが検査中に移動するだけで
異物をマスクパターン面に付着させる恐れがあ
る。又クリーンベンチ内の空気の流れは、ダウン
フロー(上から下へ空気が流れる)が主流であ
る。この為マスクのパターン面が上向きであれば
装置内(第1図の検査顕微鏡等に付着している異
物)の異物がマスクパターン面に付着しやすくな
る。さらにマスクのパターン面を上向きで収納お
よび搬送している為検査待のマスクのパターン面
にも異物が付着しやすく、欠陥検査の信頼性を下
げひいては半導体製品の歩留りを低下する欠点が
ある。
In order to detect defects of 1 to 2 μm, this inspection equipment requires a high resolution objective lens and uses a high-magnification objective lens (50x to 100x), and the time it takes to inspect the entire mask surface is 1 to 2 μm. 2μm defect detection
It takes 60-90 minutes. During this inspection, if there is a foreign particle of the same size (1 to 2 μm) on the mask pattern,
Naturally, there is a possibility that it will be judged as a defect. However, with this device, 5 to 10 masks are automatically inspected continuously, so the masks are stored in the cartridge for 5 to 10 hours. Foreign matter adheres. As a countermeasure, we put the equipment itself in a clean room,
We are taking precautions to prevent dust by enclosing it with clean benches. However, in recent years, as LSI patterns have become smaller, it has become necessary to inspect even smaller defects (defects of 1 μm or less), and the above dust prevention measures have become insufficient. For example, even if the equipment is inspected in an extremely clean bench with a class 100 level of cleanliness,
The clean bench is filled with foreign matter of 1 μm or less, and there is a risk that the foreign matter will adhere to the mask pattern surface just by moving the X-Y stage during inspection. The main flow of air inside the clean bench is downflow (air flows from top to bottom). For this reason, if the pattern surface of the mask faces upward, foreign matter within the apparatus (such as foreign matter adhering to the inspection microscope in FIG. 1) is likely to adhere to the mask pattern surface. Furthermore, since the masks are stored and transported with their patterned surfaces facing upward, foreign matter tends to adhere to the patterned surfaces of masks waiting to be inspected, which reduces the reliability of defect inspection and ultimately reduces the yield of semiconductor products.

本考案の目的は、カートリツジに収納した状態
からマスク台へ搬送し、検査し、その後カートリ
ツジに回収するまでホトマスクの回路形成面に異
物が付着するのを防止すると共に回路パターンを
傷つけることなく搬送でき、1μm以下の欠陥を高
精度に検査可能にしたLSI検査装置を提供するこ
とにある。
The purpose of this invention is to prevent foreign matter from adhering to the circuit-forming surface of the photomask until the photomask is stored in a cartridge, transported to a mask stand, inspected, and then returned to the cartridge, and to be transported without damaging the circuit pattern. The object of the present invention is to provide an LSI inspection device that can inspect defects of 1 μm or less with high precision.

即ち本考案は、上記目的を達成するために、多
数の半導体用ホトマスクをパターン面を下側にし
て収納したカートリツジと、該カートリツジにパ
ターン面を下側にして収納したホトマスクをパタ
ーン面の外側である両端部と接触させて搭載して
搬送して検査位置へ持ち来たし、検査後上記カー
トリツジに収納すべく、ホトマスクをパターン面
の外側である両端部と接触させて搭載して搬送す
る一対のベルトからなる搬送手段と、該搬送手段
によつて検査位置にパターン面を下側にして持ち
来たされたホトマスクをローデイングすべく、マ
スク台とそのマスク台を取付け、X、及びY軸方
向に移動できるように構成されたX−Yステージ
と、該X−Yステージのマスク台にローデイング
されたホトマスクの下側からホトマスクに形成さ
れた比較すべき回路パターンを撮像すべく、上記
回路パターンのピツチに対応して対物レンズとセ
ンサとを有して設けられた一対の撮像手段と、該
撮像手段の各々によつて撮像された回路パターン
同志を比較して欠陥判定する欠陥判定手段とを備
え付けたことを特徴とするLSI検査装置である。
That is, in order to achieve the above object, the present invention includes a cartridge in which a large number of semiconductor photomasks are stored with the pattern side facing down, and a cartridge in which the photomasks stored in the cartridge with the pattern side facing down are placed outside the pattern side. A pair of belts is used to load and transport the photomask in contact with both ends of the pattern surface, and to transport the photomask to the inspection position, and to store the photomask in the cartridge after the test. In order to load the photomask brought to the inspection position by the transport means with the pattern side facing down, a mask stand and the mask stand are attached and moved in the X and Y axis directions. In order to image the circuit pattern to be compared formed on the photomask from the lower side of the photomask loaded on the mask stand of the X-Y stage, the A pair of imaging means each having an objective lens and a sensor corresponding thereto, and a defect determination means for comparing circuit patterns imaged by each of the imaging means to determine a defect. This is an LSI inspection device featuring:

本考案による実施例を第3図を用いて説明す
る。第3図は本考案のLSIホトマスク検査装置の
一実施例である。
An embodiment according to the present invention will be described using FIG. 3. FIG. 3 shows an embodiment of the LSI photomask inspection apparatus of the present invention.

ベース18の上にはX−Yステージ19が設け
られ、図の前後左右方向に移動しX−Yステージ
19に回路パターンを備えたマスク3をローデイ
ング、又はアンローデイングする搬送装置20が
設置されている。搬送装置20にマスク3を供給
するため(又は搬送装置20からマスク3を収納
するため)カートリツジ21が搬送装置の横に設
けられていて、マスク3を自動的に供給あるいは
収納することが可能になつている。X−Yステー
ジ19にはマスク3を保持するマスク台22が固
設され、マスク3は左右の照明レンズ23,24
によつて2ケ所上側から照明されている。マスク
3の下方には検査顕微鏡25がフランジ26によ
りベース18に設置され、照明レンズ23,24
下方の対物レンズ27,28によりマスク3のパ
ターンは拡大投影され、検査顕微鏡25内の左右
のセンサ29,30を通して欠陥判定部31に電
気的に入力される。
An X-Y stage 19 is provided on the base 18, and a transport device 20 is installed that moves in the front, rear, right and left directions of the figure and loads or unloads the mask 3 having a circuit pattern on the X-Y stage 19. There is. A cartridge 21 is provided next to the transport device to supply the mask 3 to the transport device 20 (or to store the mask 3 from the transport device 20), and it is possible to automatically supply or store the mask 3. It's summery. A mask stand 22 that holds a mask 3 is fixed to the X-Y stage 19, and the mask 3 is attached to left and right illumination lenses 23, 24.
It is illuminated from above in two places. Below the mask 3, an inspection microscope 25 is installed on the base 18 with a flange 26, and illumination lenses 23, 24
The pattern of the mask 3 is enlarged and projected by the lower objective lenses 27 and 28, and is electrically input to the defect determination section 31 through the left and right sensors 29 and 30 in the inspection microscope 25.

上記構成の装置でカートリツジ21に収納され
ているマスク3は搬送装置20によりX−Yステ
ージ19上のマスク台にローデイングされると検
査は前記従来の検査装置と同様に自動的に実行さ
れる。
In the apparatus configured as described above, when the mask 3 stored in the cartridge 21 is loaded onto the mask stand on the XY stage 19 by the transport device 20, the inspection is automatically performed as in the conventional inspection apparatus.

この装置ではマスクパターン面を下向きに検査
している為、上から落ちてくる異物は非パターン
面に付着し、パターン面には付着しにくい。非パ
ターン面に異物が付着しても高倍の対物レンズを
用いている為焦点深度が浅く欠陥パターンの検出
には全く影響がない。又第4図に示すカートリツ
ジ21にマスク3を収納する際、マスクパターン
面を下側にして収納することにより検査待のマス
クのパターン面への異物の付着を低減出来る。さ
らに搬送時にベルトプーリ36を回転してベルト
37にマスク3を載せて搬送する手段において
は、第5図に示す様にマスク3のパターン面3′
に触れずにベルト搬送することにより、搬送時に
よる異物の付着も低減出来る。この様にこの装置
をクリーンベンチ(図示せず)内で使用して空気
の流れ(ダウンフロー)による異物が、マスク上
面に付着したとしても1μm以下の欠陥検査に及ぼ
す影響がなく、従来の異物による悪影響を大巾に
低減できる。
Since this device inspects the mask pattern surface downward, foreign matter falling from above adheres to the non-pattern surface and is less likely to adhere to the pattern surface. Even if foreign matter adheres to the non-patterned surface, since a high-magnification objective lens is used, the depth of focus is shallow and there is no effect on the detection of defective patterns. Furthermore, when storing the mask 3 in the cartridge 21 shown in FIG. 4, by storing the mask 3 with the mask pattern side facing down, it is possible to reduce the adhesion of foreign matter to the pattern side of the mask waiting for inspection. Furthermore, in the means of conveying the mask 3 by rotating the belt pulley 36 and placing the mask 3 on the belt 37 during conveyance, as shown in FIG.
By conveying the belt without touching it, it is possible to reduce the adhesion of foreign matter during conveyance. In this way, even if this device is used in a clean bench (not shown) and foreign matter due to the air flow (downflow) adheres to the top surface of the mask, it will not affect defect inspection of 1 μm or less, and it will not affect the inspection of defects of 1 μm or less. The negative effects of this can be greatly reduced.

以上述べた様に、従来の装置ではマスクパター
ン面に異物が付着し易く、この為1μm以下の欠陥
検査の障害となつていたが、本考案によれば、カ
ートリツジとマスク台との間をパターン面を下側
にしてしかも回路パターンを傷付けることなく搬
送して異物付着を防止し、回路パターンを撮像手
段で結像させて1μm以下の小さな欠陥も検出可能
とし、LSIホトマスクの歩留り、ひいてはLSIの
歩留りを向上することができる効果を奏する。
As mentioned above, with conventional equipment, foreign matter easily adheres to the mask pattern surface, which is an obstacle to inspecting defects of 1 μm or less. However, according to the present invention, the pattern between the cartridge and the mask stand is By transporting the circuit pattern face down without damaging it, we can prevent foreign matter from adhering to it, and by imaging the circuit pattern with an imaging device, we can detect defects as small as 1 μm or less. This has the effect of improving yield.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は従来のLSIホトマスク検査装置の構成
図、第2図はLSIホトマスクの検査方法と検査順
序を示す図、第3図は本考案のLSIホトマスク検
査装置の構成図、第4図はホトマスクの収納と搬
送を示す図、第5図はホトマスクの搬送を示す図
である。 3……マスク、18……ベース、19……X−
Yステージ、20……搬送装置、21……カート
リツジ、22……マスク台、23……左照明レン
ズ、24……右照明レンズ、25……検査顕微
鏡、27……左対物レンズ、28……右対物レン
ズ。
Fig. 1 is a block diagram of a conventional LSI photomask inspection device, Fig. 2 is a diagram showing the LSI photomask inspection method and inspection order, Fig. 3 is a block diagram of the LSI photomask inspection device of the present invention, and Fig. 4 is a photomask FIG. 5 is a diagram showing the storage and transportation of the photomask. 3...Mask, 18...Base, 19...X-
Y stage, 20...Transfer device, 21...Cartridge, 22...Mask stand, 23...Left illumination lens, 24...Right illumination lens, 25...Inspection microscope, 27...Left objective lens, 28... Right objective lens.

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】[Scope of utility model registration request] 多数の半導体用ホトマスクをパターン面を下側
にして収納したカートリツジと、該カートリツジ
にパターン面を下側にして収納したホトマスクを
パターン面の外側である両端部と接触させて搭載
して搬送して検査位置へ持ち来たし、検査後上記
カートリツジに収納すべく、ホトマスクをパター
ン面の外側である両端部と接触させて搭載して搬
送する一対のベルトからなる搬送手段と、該搬送
手段によつて検査位置にパターン面を下側にして
持ち来たされたホトマスクをローデイングすべ
く、マスク台とそのマスク台を取付け、X、及び
Y軸方向に移動できるように構成されたX−Yス
テージと、該X−Yステージのマスク台にローデ
イングされたホトマスクの下側からホトマスクに
形成された比較すべき回路パターンを撮像すべ
く、上記回路パターンのピツチに対応して対物レ
ンズとセンサとを有して設けられた一対の撮像手
段と、該撮像手段の各々によつて撮像された回路
パターン同志を比較して欠陥判定する欠陥判定手
段とを備え付けたことを特徴とするLSI検査装
置。
A cartridge stores a large number of photomasks for semiconductors with the pattern side facing down, and the photomasks stored in the cartridge with the pattern side facing down are loaded and transported with both ends, which are outside the pattern side, in contact with each other. The photomask is brought to the inspection position, and after the inspection, the photomask is loaded and carried in the cartridge in order to be placed in contact with both ends outside the pattern surface. In order to load the photomask brought to the position with the pattern side facing down, a mask stand and an X-Y stage configured to be able to move the mask stand and move in the X and Y axis directions are installed. In order to image the circuit pattern to be compared formed on the photomask from the lower side of the photomask loaded on the mask stand of the X-Y stage, an objective lens and a sensor are provided corresponding to the pitch of the circuit pattern. What is claimed is: 1. An LSI inspection device comprising: a pair of image pickup means; and a defect determination means for comparing circuit patterns imaged by each of the image pickup means to determine a defect.
JP1415382U 1982-02-05 1982-02-05 LSI inspection equipment Granted JPS58118731U (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1415382U JPS58118731U (en) 1982-02-05 1982-02-05 LSI inspection equipment

Applications Claiming Priority (1)

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JP1415382U JPS58118731U (en) 1982-02-05 1982-02-05 LSI inspection equipment

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Publication Number Publication Date
JPS58118731U JPS58118731U (en) 1983-08-13
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ID=30026627

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JP1415382U Granted JPS58118731U (en) 1982-02-05 1982-02-05 LSI inspection equipment

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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5232271A (en) * 1975-09-08 1977-03-11 Hitachi Ltd Inspection method and equipment for photomask pattern
JPS5447579A (en) * 1977-09-22 1979-04-14 Hitachi Ltd Develping condiction inspecting method in photoetching

Patent Citations (2)

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JPS58118731U (en) 1983-08-13

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