JPS63314179A - 電源回路 - Google Patents

電源回路

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JPS63314179A
JPS63314179A JP62148438A JP14843887A JPS63314179A JP S63314179 A JPS63314179 A JP S63314179A JP 62148438 A JP62148438 A JP 62148438A JP 14843887 A JP14843887 A JP 14843887A JP S63314179 A JPS63314179 A JP S63314179A
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circuit
power
voltage
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switching element
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Katsumi Sato
勝己 佐藤
Takuya Komoda
卓哉 菰田
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Panasonic Electric Works Co Ltd
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Matsushita Electric Works Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [技術分野] 本発明は高周波変換装置を用いた電源回路に関するもの
である。
[背景技術] 第7図及び第8図はこの種の高周波変換装置を用いた電
源回路の従来例を示す、この電源回路は交流電源ACを
ダイオードプリツノDBで全波整流し、その整流出力を
コンデンサC1で平滑して直流電源を得、この直流電源
に発振トランスOTの1次8 Aa n 、を介して接
続したスイッチング素子たるトランジスタTr1をオン
オフさせること(こより発振トランスOTの2次8Mn
2に高周波電圧を誘起させ、その高周波電圧により高周
波電力を負荷1に供給する周知の一方式のインバータ回
路からなる高周波変換!!置を備えている。
そして第7図従来例では電源投入時は抵抗R1を介して
コンデンサC2に充電電圧を発生させ、その電圧により
制御回路2を通じでトランジスタTr、の駆動電流を流
し、発振開始後には発振トランスOTの3次巻線n、に
誘起される高周波電圧をダイオードD1で整流してコン
デンサC2を充電し、トランジスタTr+の駆動電流を
得るようになっている。
この第7図従来例の回路構成は簡単であるが、第9図(
c)に示すようにダイオードD、のスイッチング時にダ
イオードD、のりカバリ−タイム等の影響によりコンデ
ンサC2の充電電圧に泥状のノイズが発生し、そのノイ
ズにより制御回路2が誤動作する可能性があった。尚第
9図(、)はトランジスタTr、のコレクタ・エミッタ
間電圧、同図(b)は3次巻Mn3の出力電圧である。
また近年、LSI技術等の進歩により上記制御回路2に
、ゲートアレイ或いはカスタムICのような集積化した
回路を用いる傾向があり、その観点からすれば制御回路
2の電源は低電圧(例えば5V)が望ましい。一方スイ
ツチング素子としてパワーMO8FETのような電圧駆
動素子を考えた場合、そのスイッチングスピードを上げ
て損失を低減させる為にはある程度高電圧の駆動電源(
例えば15■)が必要となる。また最近スイッチングイ
バイスとして注目を集めている静電誘導サイリスタ(S
■サイリスタ)のオフ時の逆バイアス電圧を得る為にも
上記の高電圧の駆動電源が必要となってくる。従って第
7図に示すような電源回路構成においては、制御回路2
が高価になるという問題がある。或いはスイッチング素
子の損失が増すといった問題がある。
第8図従来例の回路では発振開始後はダイオードD、を
介してコンデンサC2に充電される電圧がトランジスタ
Tr2のベースに接続されているツェナーダイオードD
Z、のツェナー電圧より高くなるように設定しておけば
、トランジスタTr2がオフとなり抵抗R,による損失
は無くなる。ところがこの様な回路の場合も第7図に示
す従来例と同様の問題があり、又トランジスタTr2と
し−C高耐圧の素子を必要とするという問題がある。
尚コンデンサC1は共振用コンデンサ、ダイオードD2
は保護用ダイオードである。
[発明の目的] 本発明は上記問題点に鑑みて為されたもので、その目的
とするところは製作費が安価で且つ安定な動作を為す電
源回路を提供するにある。
[発明の開示1 本発明は直流電源と、スイッチング素子がオンオフを繰
り返すことによって負荷に高周波電力を供給する高周波
変換装置とからなり、上記スイッチング素子の駆動電源
を上記直流電源及び高周波変換装置から得る電源回路に
おいて、上記スイッチング素子の動作開始後にはスイッ
チング素子のオンオフ信号を送出する制御回路に直流電
源のみから電源を供給し、該制御回路からの信号を受け
てスイッチング素子を駆動電力を供給するドライブ回路
を高周波変換装置から電流を供給する手段を備えたこと
を特徴とするものである。
以下本発明を実施例により説明する。
犬1j1− 第1図は本実施例の回路構成を示しており、第1の制御
回路2Aは高周波変換装置たるインバータ回路のスイッ
チング素子Qのオンオフ条件を決定するための制御信号
を発生する回路であり、消費電流が例えば数mA程度で
済むようなものである。第2の制御回路2Bは上記制御
16号を受けてスイッチング素子Qに実際の駆動電流を
供給するドライブ回路を構成する。切換回路3は電源投
入時に制御回路2Bの電源であるコンデンサC1の充電
電流を供給する様にする切り換えるスイッチ手段を構成
する。尚第1図中上記第8図回路と同一記号、同一番号
の回路要素は同様な働きをなすものである。
第2図は両制御回路2 A、2 B及び切換回路3の具
体的回路を示しており、上記スイッチング素子Qとして
SIサイリスクを用いている。制御回路2Aには汎用タ
イマIC″555″からなるタイマ回路I C+、抵抗
R2−R3、コンデンサCs −Cb等を用いた無安定
マルチバイブレータを備え、ドライブ回路を構成する制
御回路2Bには制御回路2Aのナンドデー)IC2から
の出力信号を電流増幅してトランジスタT r、、 T
 r、をドライブするバッファIC,を備え、スイッチ
ング素子Qのデートに駆動電流をコンデンサC7及び抵
抗R9の並列回路を介して流すようになっている。切換
回路3はダイオードD、から構成されている。
次にこの具体回路に基づいて本発明の電源回路の動作を
説明する。
まず交流電源ACが投入されると、抵抗R5を介してコ
ンデンサC2が充電され、その両端に充電電圧が第3図
(、)に示すように発生する。またダイオードD、を介
してコンデンサC4も充電され、電圧が第3図(r)に
示すように発生する。
また抵抗R4を介してコンデンサC6も第3図(b)に
示すように充電されていき、このコンデンサC6の充電
電圧がインバータIC,のスレッシ3ホールド電圧りを
越えると、第3図(C)に示すようにインバータIC,
の出力が″′H″レベルから”L″レベル移行する。
このL”レベル移行によりナンドデー)IC。
の出力電圧としてはそれまでL”レベルであったのが、
第3図(d)に示すタイマ回路IC,の出力(3番端子
電圧)に応じて、第3図(e)に示すようにその反転出
力が現れるようになり、バッファIC,、トランジスタ
T rzt T r3を介して、スイッチング素子Qに
デート電流を流す。即ち発振が開始されて、発振トラン
スOTの2大巻Rn 2及び3次巻線n、に高周波電圧
が誘起され、2次巻線n2の誘起電圧が負荷1に印加さ
れ、また3大巻an3の誘起電圧がダイオードD、によ
り整流されてコンデンサC4を充電し、コンデンサC4
の充電電圧が得られることになる。
ここで3次巻線n1、ダイオードD、にょって充電され
るコンデンサC1の光電電圧をツェナーダイオードDZ
、のツェナー電圧より高くなるように設定しておけば、
発振開始後はダイオードD。
がオフとなる。従って制御回路2Aの電源は抵抗R1?
コンデンサC2、ツェナーダイオードDZ、からなる回
路により供給され、他方制御回路2Bの電源は発振トラ
ンスOTの3大巻#i n 3、ダイオードD 1% 
コンデンサC1からなる回路により供給される。
こような構成により、コンデンサc2の充電電圧とコン
デンサC4の充電電圧にある程度の差を持たせておけば
(例えばコンデンサc2の充電電圧を5■、コンデンサ
C1の充電電圧を15v)、スイッチング動作時におけ
るコンデンサc4に発生する配状のノイズがダイオード
D、により阻止され、制御回路2Aには安定な平滑電源
が供給される。また制御回路2Aの動作電圧を低(でき
、例えば集積化するような場合にそのチップ面積を小さ
くでき、従って価格の低減が図れる。−力制御回路2B
にはスイッチング素子Qを十分にスイッチングできるだ
けの電源を供給することができるので、スイッチング素
子Qのスイッチング損失を低減させ、スイッチング素子
Qを十分に駆動できるだけの電源を得ることができる。
尚上記実施例では高周波変換装置に一方式のインバータ
回路を用いているが、特に実施例回路に限定されるもの
でない。またSIサイリスタを用いているが従来例と同
様なバイポーラトランジスタを用いても勿論良い。
笈(九り 本実施例は上記のダイオードD、の切換回路3の代わり
に第4図に示す回路を用いたものである。
この実施例回路では電源投入時には抵抗R6を介してト
ランジスタTr5にベース電流が供給され、トランジス
タTrgがオンするとともにトランジスタTr6がオン
してコンデンサC1にも充電電流が流れ、はぼツェナー
ダイオードDZ、のツェナー電圧まで充電される。この
時切換回路3のツェナーダイオードDZ2のツェナー電
圧をツェナーダイオードDZ、のツェナー電圧より高く
設定しておけば、トランジスタTr7はオフ状態にある
。その後、発振が開始されると、発振トランスOTの3
次巻線n、に誘起される高周波電圧により、コンデンサ
C4の充電電圧が上昇し、ツェナーダイオードZD2の
ツェナー電圧を越えると、トランジスタTryがオンし
、従ってトランジスタT r 5 t T r・がオフ
となり、制御回路2A、2Bの?!!源を分離するので
ある。
支(九1 本実施例は実施例1におけるSIサイリスタからなるス
イッチング素子Qの代わりに、パワーMO8FETを用
いたものであり、第5図はその実施例回路を示す。
本実施例では交流電源ACが投入されると、抵抗R1を
介してコンデンサC2が充電され、またダイオードD、
を介してコンデンサC1も充電される。
そして制御回路2Aの電源電圧は抵抗R7を介してコン
デンサC1に接続したツェナーダイオードD Z 3の
ツェナー電圧で決まる値に設定される。
発振開始後は発振トランスOTの3次巻線n3、ダイオ
ードD、によってコンデンサC3に充電電流が流れる。
この時例えばツェナーダイオードDZ。
のツェナー電圧を10■、ツェナーダイオードDZ、の
ツェナー電圧を5V13次巻線n3、ダイオードD1か
らコンデンサC4に充電される充電電圧を15■となる
ように設定しておけば、発振開始後は切換回路3を構成
するダイオードD、はオフになる。又電源投入時はコン
デンサC1の充電電圧として約10■得られるため、ス
イッチング素子Qの最初の起動の為の電圧はほばIOV
得られることになる。また制御回路2Aの電源電圧はツ
ェナーダイオードDZコによって決まるので、常に5V
の電圧が供給される。この様な構成にすることによって
、電源投入時も安定にスイッチング素子Qをオンオフさ
せることができる。
即ち、パワーMO8FETのような電圧駆動素子をイン
バータ回路のスイッチング素子Qとして用いる場合、パ
ワーMO8FETを確実にオンさせるためには例えば3
〜4■程度以上の電圧を必要とする。このような場合、
第2図又は155図のような構成であれば、電源投入時
のドライブ回路を構成する制御回路2Bの電源電圧はコ
ンデンサC2の充電電圧からダイオードD3の順方向降
下電圧を差し引いた値となり、また制御回路2Bの出力
部での電圧降下等も考慮すれば、スイッチング素子Qを
確実にオンさせることができない可能性もあり、スイッ
チング素子Qに不要なストレスを印加する原因となりう
る。
従って、本実施例のような構成にすることにより、電源
投入時もスイッチング素子Qに十分な駆動電圧を供給す
ることができで、確実なオンオフ制御が可能になる。勿
論発振開始後はMS2図回路と同様な動作を為し、実施
例1と同様な効果が得られる。
また第スイッチング素子QにSIサイリスタを用いた場
合、確実にオフさせる為には、例えば5V以上の逆バイ
アスをゲートカンード間に印加する必要があるが、本実
施例のような回路構成にすれば、電源投入時に十分な逆
バイアスを得ることが可能となる。
尚制御回路2Aの電源電圧は抵抗R2及びツェナーダイ
オー−DZ、により得ているが、例えば第6図に示すよ
うな定電圧電源により得ることもできる。
[発明の効果1 本発明は上述のように構成した電源回路において、高周
波変換装置のスイッチング素子の動作開始後にはスイッ
チング素子のオンオフ信号を送出する制御回路に直流電
源のみから電源を供給し、該制御回路からの信号を受け
てスイッチング素子を駆動電力を供給するドライブ回路
に高周波変換装置から電源を供給するようにしたので、
制御回路とドライブ回路との電源を発振開始後号離する
ことができ、その為スイッチング動作時に発生する不要
な詫状のノイズが制御回路に印加されることを防止でき
、結果制御回路の誤動作を防止して安定な発振制御を行
うことができ、また制御回路の電源を直流電源のみから
供給するためその電源の低電圧化が図れ、従って制御回
路のIC化、LSI化志向の際、チップ面積を小さくす
ることが可能となり、またドライブ回路には高周波変換
装置から電源を供給するので、十分な高電圧を得ること
ができ、結果スイッチング素子を十分にバイアスできて
スイッチング損失の低減も図れ、安定した動作を為し得
るという効果を奏し、更にIC化、LSI化により製作
費の低減も図れる可能性があるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の実施例1の回路構成図、第2図は同上
の要部の回路図、第3図は同上の動作説明用の波形図、
第4図は本発明の実施例2の要部の回路図、第5図は本
発明の実施例3の回路構成図、第6図は同上の直流供給
部位の肩側の回路図、第7図、第8図は夫々従来例の回
路構成図、第9図は従来例の動作説明用の波形図である
。 OT・・・発振トランス、n、・・・3次巻線、Q・・
・スイッチング素子、1・・・負荷、2 A、2 B・
・・制御回路、3・・・切換回路である。 代理人 弁理士 石 1)艮 七 OT・・・発振トランス n、・・・帰還巻線 Q・・・スイッチング素子 1・・・負荷 2A、2B・・・制御回路 3・・・切換回路 2A     乙b 手続補正書く自発) 昭和62年9月4日 昭和62年特許M第148438号 2、発明の名称 電源回路 3、補正をする者 π件との関係  特許出願人 住 所 大阪府門真市大字門真1048番地名称(58
3)松下電工株式会社 代表者  藤  井  貞  夫 4、代理人 郵便番号 530 住 所 大阪市北区梅田1丁目12番17号5.11t
l正命令の日付 自  発 1)8本願明細書!51頁の特許請求の範囲を下記のよ
うに訂正する。 r(1)itI流電源と、スイッチング素子がオンオフ
を繰り返すことによって負荷に高周波電力を供給一 する高周波変換装置とがらなり、上記スイッチング素子
の駆動電源を上記直流電源及び高周波変換装置から得る
電源回路において、上記スイッチング素子の動作開始後
にはスイッチング素子のオンオフ信号を送出する制御回
路からの信号を受けてスイッチング素子へ駆動電力を供
給するドライブ回路に高周波変換装置からの電流を供給
する手段を備えたことを特徴とする電源回路。」2)、
同上第6W第1行のし時に」を[時と発振開始時とにお
いて1と訂正する。 3)、同上同頁第2行の[充電電流を供給する様にする
」を「充電経路を」と訂正する。 4)、同上@141頁@14行乃至第15行の「第1図
・・・要部の回路図」を「第1図は本発明の回路構成図
、tJS2図は本発明の実施例1の要部の回路図」と訂
正する。 5)9図面中W41図を別紙のように訂正する。 代理人 弁理士 石 1)艮 七 第1図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)直流電源と、スイッチング素子がオンオフを繰り
    返すことによって負荷に高周波電力を供給する高周波変
    換装置とからなり、上記スイッチング素子の駆動電源を
    上記直流電源及び高周波変換装置から得る電源回路にお
    いて、上記スイッチング素子の動作開始後にはスイッチ
    ング素子のオンオフ信号を送出する制御回路に直流電源
    のみから電源を供給し、該制御回路からの信号を受けて
    スイッチング素子を駆動電力を供給するドライブ回路に
    高周波変換装置から電流を供給する手段を備えたことを
    特徴とする電源回路。
JP62148438A 1987-06-15 1987-06-15 電源回路 Expired - Lifetime JP2675784B2 (ja)

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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS52147753A (en) * 1976-06-04 1977-12-08 Fuji Electric Co Ltd Switching type dc stabilized power supply
JPS6055292U (ja) * 1983-09-20 1985-04-18 松下電工株式会社 インバ−タ装置

Patent Citations (2)

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