JPS6331378A - アナログ−デジタル変換器付きイメ−ジセンサ - Google Patents
アナログ−デジタル変換器付きイメ−ジセンサInfo
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- JPS6331378A JPS6331378A JP61175126A JP17512686A JPS6331378A JP S6331378 A JPS6331378 A JP S6331378A JP 61175126 A JP61175126 A JP 61175126A JP 17512686 A JP17512686 A JP 17512686A JP S6331378 A JPS6331378 A JP S6331378A
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- sensor
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Links
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- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 abstract 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 7
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 6
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- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 3
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- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 2
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、電荷結合素子（以下ＣＯＤという）によるイ
メージセンサ（以下ＣＣＤセンサという）に関し、特に
ＣＣＤ出力をデジタル信号で処理するシステムに組込ん
で構成する場合に適したＣＣＤセンサに関する。
メージセンサ（以下ＣＣＤセンサという）に関し、特に
ＣＣＤ出力をデジタル信号で処理するシステムに組込ん
で構成する場合に適したＣＣＤセンサに関する。
（従来の技術）
従来、この種のＣＣＤセンサの出力信号処理は、第３図
のブロック図に示すように、イメージセンサ１のＣ０Ｄ
２から送り出された信号をセンサ出力伝送部５を介して
センサ出力処理部８に入力し、Ｓ／Ｎ改善部７で信号対
雑音比（以下ＳＮ比という）を大きくしてからＡ／Ｄ変
換器３でアナログ−デジタル変換（以下Ａ／Ｄ変換とい
う）を行った後、デジタル信号処理部６で、信号の処理
を行っている。なおＳ／Ｎ改善部７は場合によっては必
要としないこともある。
のブロック図に示すように、イメージセンサ１のＣ０Ｄ
２から送り出された信号をセンサ出力伝送部５を介して
センサ出力処理部８に入力し、Ｓ／Ｎ改善部７で信号対
雑音比（以下ＳＮ比という）を大きくしてからＡ／Ｄ変
換器３でアナログ−デジタル変換（以下Ａ／Ｄ変換とい
う）を行った後、デジタル信号処理部６で、信号の処理
を行っている。なおＳ／Ｎ改善部７は場合によっては必
要としないこともある。
（発明が解決しようとする問題点）
上述した従来のＣＣＤセンサ出力の信号処理方法は、Ｃ
ＣＤセンサ２とセンサ出力処理部８の間に介在するセン
サ出力伝送部５で、アナログ信号のまま伝送されるため
、信号が伝送されることＫよりＳＮ比を小さくするとい
う欠点がある。特ＫＣＣＤセンサ２とセンサ出力処理部
８が構造上能れて配置されるときは、ＳＮ比の低下を最
小限にするよう充分考えてインタフェースの設計をしな
ければならない。またＡ／Ｄ変換後のデジタル信号の信
頼性が厳しく要求されるときは、センサ出力処理部８の
中にＡ／Ｄ変換前のＳ／Ｎを改善するＳ／Ｎ改善部７の
配置が必要となる。したがってセンサ出力処理部８の構
造が大きくなり、その設計が難しくなるという欠点があ
る。
ＣＤセンサ２とセンサ出力処理部８の間に介在するセン
サ出力伝送部５で、アナログ信号のまま伝送されるため
、信号が伝送されることＫよりＳＮ比を小さくするとい
う欠点がある。特ＫＣＣＤセンサ２とセンサ出力処理部
８が構造上能れて配置されるときは、ＳＮ比の低下を最
小限にするよう充分考えてインタフェースの設計をしな
ければならない。またＡ／Ｄ変換後のデジタル信号の信
頼性が厳しく要求されるときは、センサ出力処理部８の
中にＡ／Ｄ変換前のＳ／Ｎを改善するＳ／Ｎ改善部７の
配置が必要となる。したがってセンサ出力処理部８の構
造が大きくなり、その設計が難しくなるという欠点があ
る。
本発明の目的は、このような欠点を解消し、ＣＣＤセン
サ出力の伝送をデジタル伝送とすることによってＣＣＤ
センサから離れた位ｉＫ配置されるセンサ出力処理部を
簡単にすることができるようなＣＣＤセンサを提供する
ことにある。
サ出力の伝送をデジタル伝送とすることによってＣＣＤ
センサから離れた位ｉＫ配置されるセンサ出力処理部を
簡単にすることができるようなＣＣＤセンサを提供する
ことにある。
（問題を解決するための手段）
前記の目的を達成するため、本発明のアナログ−デジタ
ル変換器付きイメージセンサは、電荷結合素子により影
像を検出するイメージセンサにおいて、センサ出力をデ
ジタル信号として出力するためのアナログ−デジタル変
換器（３）を内蔵する構造とする。
ル変換器付きイメージセンサは、電荷結合素子により影
像を検出するイメージセンサにおいて、センサ出力をデ
ジタル信号として出力するためのアナログ−デジタル変
換器（３）を内蔵する構造とする。
（実施例）
つぎに、本発明の実施例について図面を参照して説明す
る。
る。
第１図は、本発明による一実施例を、その出力を処理す
る信号処理部とともに示したブロック図である。
る信号処理部とともに示したブロック図である。
第１図に示すように本実施例のイメージセンサ１にはＣ
ＣＤ２の他ＫＡ／Ｄ変換器３を内蔵している。したがっ
てセンサ出力伝送部５ではデジタル信号で伝送されるの
で、センサ出力処理部８には第３図に示すようなＳ／Ｎ
改善部７およびＡ／Ｄ変換器３がなく、デジタル信号処
理部６があるだけである。
ＣＤ２の他ＫＡ／Ｄ変換器３を内蔵している。したがっ
てセンサ出力伝送部５ではデジタル信号で伝送されるの
で、センサ出力処理部８には第３図に示すようなＳ／Ｎ
改善部７およびＡ／Ｄ変換器３がなく、デジタル信号処
理部６があるだけである。
そこでイメージセンサ１のＣＣＤ２によって画像が撮影
されると、その出力は同一パッケージ内のＡ／Ｄ変換器
３に転送される。この転送は同一パッケージ内に収納さ
れたものの間で行われるためＳＮ比劣化の心配はない。
されると、その出力は同一パッケージ内のＡ／Ｄ変換器
３に転送される。この転送は同一パッケージ内に収納さ
れたものの間で行われるためＳＮ比劣化の心配はない。
Ａ／Ｄ変換器３によってデジタル化された画像データの
信号は、センサ出力伝送部５を通してセンサ出力処理部
８へ送られる。センサ出力伝送部５を通過するときは信
号が既にデジタル化されているので、ＳＮ比の劣化の影
響は少なく、もしあっても後段のデジタル信号処理部で
取除くことができる。したがってセンサ出力処理部８に
はＳ／Ｎ改善部は不要で、デジタル信号処理部６のみで
よい。
信号は、センサ出力伝送部５を通してセンサ出力処理部
８へ送られる。センサ出力伝送部５を通過するときは信
号が既にデジタル化されているので、ＳＮ比の劣化の影
響は少なく、もしあっても後段のデジタル信号処理部で
取除くことができる。したがってセンサ出力処理部８に
はＳ／Ｎ改善部は不要で、デジタル信号処理部６のみで
よい。
第２図は、第１図に示す実施例（イメージセンサ）１の
外観の一例を示す斜視図である。
外観の一例を示す斜視図である。
第２図に示すように、本実施例ではＣＣＤ２とＡ／Ｄ変
換器３の間に断熱材４を挾んで重ね合わせた構造として
いる。Ａ／Ｄ変換器３はハイブリッドＩＣ技術により製
作し、Ａ／Ｄ変換器３で発生した熱がＣＣＤ２の特性に
影響を与えないよう熱分離構造としている。その熱分離
は、ＣＣＤ２とＡ／Ｄ変換器３の間に挾まれた断熱材４
による断熱効果と、Ａ／Ｄ変換器３からＣＣＤセンサ１
の取付は側のヒートシンクによって行われる。このよう
にしてＣＣＤ２に対するＡ／Ｄ変換器３の影響を少なく
し、ＣＣＤセンサ１内にＡ／Ｄ変換器の内蔵を可能とし
ている。
換器３の間に断熱材４を挾んで重ね合わせた構造として
いる。Ａ／Ｄ変換器３はハイブリッドＩＣ技術により製
作し、Ａ／Ｄ変換器３で発生した熱がＣＣＤ２の特性に
影響を与えないよう熱分離構造としている。その熱分離
は、ＣＣＤ２とＡ／Ｄ変換器３の間に挾まれた断熱材４
による断熱効果と、Ａ／Ｄ変換器３からＣＣＤセンサ１
の取付は側のヒートシンクによって行われる。このよう
にしてＣＣＤ２に対するＡ／Ｄ変換器３の影響を少なく
し、ＣＣＤセンサ１内にＡ／Ｄ変換器の内蔵を可能とし
ている。
（発明の効果）
以上説明したように、本発明は同一パソケージ内ＫＣＣ
ＤとＡ／Ｄ変換器を収容するこきにより、ＣＣＤセンサ
出力をデジタル信号で送り出すので、ＣＣＤセンサとそ
の出力処理部との間のセンサ出力伝送部におけるＳＮ比
低下の影響をなくすことができるという効果がある。し
たがってＣＣＤセンサとその出力処理部が離れている場
合の用途に汲適であり、このような場合にも、センサ出
力処理部の内にＳ／Ｎ改善部、Ａ／Ｄ変換部が不要とな
り、センサ出力処理部の簡単化、小形化が容易で、シス
テム全体の設計が容易となるなどの効果もある。
ＤとＡ／Ｄ変換器を収容するこきにより、ＣＣＤセンサ
出力をデジタル信号で送り出すので、ＣＣＤセンサとそ
の出力処理部との間のセンサ出力伝送部におけるＳＮ比
低下の影響をなくすことができるという効果がある。し
たがってＣＣＤセンサとその出力処理部が離れている場
合の用途に汲適であり、このような場合にも、センサ出
力処理部の内にＳ／Ｎ改善部、Ａ／Ｄ変換部が不要とな
り、センサ出力処理部の簡単化、小形化が容易で、シス
テム全体の設計が容易となるなどの効果もある。
第１図は本発明による一実施例とその出力処理部を示す
ブロック図である。 第２図は第１図に示す実施例の外観の一例を示す斜視図
である。 第３図は従来のＣＣＤセンサとその出力処理部の例を示
すブロック図である。 １・・・ＣＣＤセンサ ２・・・ＣＣＤ３・・・Ａ／
Ｄ変換器 ４・・・断熱材５・・・センサ出力伝送部 ６・・・デジタル信号処理部 ７・・・Ｓ／Ｎ改善部 ８・・・センサ出力処理部 特許出願人 日本電気株式会社 代理人 弁理士 井 ノ ロ 壽汁 １
図 オ ２ 図 循
ブロック図である。 第２図は第１図に示す実施例の外観の一例を示す斜視図
である。 第３図は従来のＣＣＤセンサとその出力処理部の例を示
すブロック図である。 １・・・ＣＣＤセンサ ２・・・ＣＣＤ３・・・Ａ／
Ｄ変換器 ４・・・断熱材５・・・センサ出力伝送部 ６・・・デジタル信号処理部 ７・・・Ｓ／Ｎ改善部 ８・・・センサ出力処理部 特許出願人 日本電気株式会社 代理人 弁理士 井 ノ ロ 壽汁 １
図 オ ２ 図 循
Claims (1)
- 電荷結合素子により影像を検出するイメージセンサに
おいてセンサ出力をデジタル信号として出力するための
アナログ−デジタル変換器を内蔵することを特徴とする
アナログ−デジタル変換器付きイメージセンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61175126A JPS6331378A (ja) | 1986-07-25 | 1986-07-25 | アナログ−デジタル変換器付きイメ−ジセンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61175126A JPS6331378A (ja) | 1986-07-25 | 1986-07-25 | アナログ−デジタル変換器付きイメ−ジセンサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6331378A true JPS6331378A (ja) | 1988-02-10 |
Family
ID=15990739
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61175126A Pending JPS6331378A (ja) | 1986-07-25 | 1986-07-25 | アナログ−デジタル変換器付きイメ−ジセンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6331378A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4985774A (en) * | 1988-01-20 | 1991-01-15 | Minolta Camera Kabushiki Kaisha | Image sensing device having direct drainage of unwanted charges |
| US5010409A (en) * | 1987-01-06 | 1991-04-23 | Minolta Camera Kabushiki Kaisha | Image sensing system |
| US5227834A (en) * | 1987-01-06 | 1993-07-13 | Minolta Camera Kabushiki Kaisha | Image sensing system having a one chip solid state image device |
| WO2006038583A1 (ja) * | 2004-10-07 | 2006-04-13 | Shimadzu Corporation | 撮像素子およびそれを用いた撮像装置、並びに撮像素子を製造する製造方法 |
| JP2009504046A (ja) * | 2005-08-05 | 2009-01-29 | サントル ナシオナル ドゥ ラ ルシェルシェサイアンティフィク（セエヌエールエス） | インテリジェント高速カメラ |
-
1986
- 1986-07-25 JP JP61175126A patent/JPS6331378A/ja active Pending
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5010409A (en) * | 1987-01-06 | 1991-04-23 | Minolta Camera Kabushiki Kaisha | Image sensing system |
| US5144449A (en) * | 1987-01-06 | 1992-09-01 | Minolta Camera Kabushiki Kaisha | Image sensing system |
| US5227834A (en) * | 1987-01-06 | 1993-07-13 | Minolta Camera Kabushiki Kaisha | Image sensing system having a one chip solid state image device |
| US5371567A (en) * | 1987-01-06 | 1994-12-06 | Minolta Camera Kabushiki Kaisha | Image sensing system |
| US5469239A (en) * | 1987-01-06 | 1995-11-21 | Minolta Camera Kabushiki Kaisha | Image sensing system |
| US4985774A (en) * | 1988-01-20 | 1991-01-15 | Minolta Camera Kabushiki Kaisha | Image sensing device having direct drainage of unwanted charges |
| WO2006038583A1 (ja) * | 2004-10-07 | 2006-04-13 | Shimadzu Corporation | 撮像素子およびそれを用いた撮像装置、並びに撮像素子を製造する製造方法 |
| JPWO2006038583A1 (ja) * | 2004-10-07 | 2008-05-15 | 株式会社島津製作所 | 撮像素子およびそれを用いた撮像装置、並びに撮像素子を製造する製造方法 |
| US7728899B2 (en) | 2004-10-07 | 2010-06-01 | Shimadzu Corporation | Image sensor, and image pickup apparatus using same, and manufacturing method for manufacturing image sensor |
| JP4807259B2 (ja) * | 2004-10-07 | 2011-11-02 | 株式会社島津製作所 | 撮像素子およびそれを用いた撮像装置、並びに撮像素子を製造する製造方法 |
| JP2009504046A (ja) * | 2005-08-05 | 2009-01-29 | サントル ナシオナル ドゥ ラ ルシェルシェサイアンティフィク（セエヌエールエス） | インテリジェント高速カメラ |
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