JPS63309927A - 強誘電性液晶電気光学装置 - Google Patents
強誘電性液晶電気光学装置Info
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- JPS63309927A JPS63309927A JP10717188A JP10717188A JPS63309927A JP S63309927 A JPS63309927 A JP S63309927A JP 10717188 A JP10717188 A JP 10717188A JP 10717188 A JP10717188 A JP 10717188A JP S63309927 A JPS63309927 A JP S63309927A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、カイラルスメクチック液晶を用いた電気光学
装置に関する。
装置に関する。
液晶は、色々のディスプレイに使われており、パネルが
小型で薄く、さらに消費電力が少ない等の優れた特性に
より、時計や計算器の表示に多(使われている。これら
のディスプレイに利用されている液晶は、サーモドロピ
ンク液晶であり、ある温度範囲で各種の液晶相をとる。
小型で薄く、さらに消費電力が少ない等の優れた特性に
より、時計や計算器の表示に多(使われている。これら
のディスプレイに利用されている液晶は、サーモドロピ
ンク液晶であり、ある温度範囲で各種の液晶相をとる。
この液晶相は層構造の有無で、層をもたないネマチック
(Nと略す)と層をもつスメクチック(以下Smという
)に大別される。Smはさらに一軸性のスメクチックA
(SmA)と二輪性のスメクチックC(SmC)に分
類される。
(Nと略す)と層をもつスメクチック(以下Smという
)に大別される。Smはさらに一軸性のスメクチックA
(SmA)と二輪性のスメクチックC(SmC)に分
類される。
第1図に、N、SmA、SmCの分子配列を模式的に示
した。aはN、bはSmA、cはSmCを示す。
した。aはN、bはSmA、cはSmCを示す。
さらに、液晶分子が不斉炭素をもちラセミ体でなければ
、液晶相は捩れ構造をとるようになる。
、液晶相は捩れ構造をとるようになる。
Nでは、カイラルネマチック(N” )であり、SmC
ではカイラルスメクチックC(SmC” )である。
ではカイラルスメクチックC(SmC” )である。
一般にSmC”は、模れ構造をとるだけでなく、分子軸
に垂直な方向にダイポールモーメントを持ち、強誘電性
を示す。
に垂直な方向にダイポールモーメントを持ち、強誘電性
を示す。
強誘電性液晶は、1975年Meyer(J、de、P
hys、36゜1975、69)らにより合成されその
存在が証明された。
hys、36゜1975、69)らにより合成されその
存在が証明された。
そのとき合成された液晶は通称DOBAMBC(2−メ
チルブチルP−((P−n−デシロキシベンジリデン)
アミノ〕)と呼ばれ、現在でも強誘電性液晶の研究に盛
んに使われている。
チルブチルP−((P−n−デシロキシベンジリデン)
アミノ〕)と呼ばれ、現在でも強誘電性液晶の研究に盛
んに使われている。
SmC“の分子配列は、第2図のように模式的に示す事
ができる。
ができる。
分子軸は、層の法線方向と角度θだけ傾き、この角度は
どの層でも一定である。
どの層でも一定である。
しかし、方位角φは層により少しづつ変化し、分子配向
は螺旋構造を生じている。
は螺旋構造を生じている。
この螺旋のピッチは、液晶によって異なるが通常数μm
程度が多い。
程度が多い。
SmC”を、1μm程度の薄いセルに注入すると、螺旋
構造が消失し、セル基板に層が垂直になったSmCの構
造をとるようになる。
構造が消失し、セル基板に層が垂直になったSmCの構
造をとるようになる。
SmC”液晶は、分子軸に垂直な電気双掻子モーメント
を持つので、薄いセルの中では層に平行に双罹子モーメ
ントが揃う事になる。ここに、電場を上向き、下向きに
印加すると、分子は層の法線に対して、±θ傾いた位置
をとる。
を持つので、薄いセルの中では層に平行に双罹子モーメ
ントが揃う事になる。ここに、電場を上向き、下向きに
印加すると、分子は層の法線に対して、±θ傾いた位置
をとる。
複屈折性を利用すれば、±θの2つの状態を明暗に対応
させ、ディスプレイなどの電気光学装置として使う事が
できる。
させ、ディスプレイなどの電気光学装置として使う事が
できる。
第3図に、2枚の偏光板を用いた従来の電気光学装置の
模式図を示す。
模式図を示す。
この駆動原理は、C1arkとLagerwall(A
ppl。
ppl。
Phys Lett、36.899.1980)により
発表された。
発表された。
彼らは、さらにこの駆動原理は、次のような特徴を持つ
と主張した。
と主張した。
すなわち、
fil μseeオーダの高速応答
(2) メモリー性
(3)望ましい閾値特性
これらの特性のうち高速応答は、我々の観測においても
、μsecオーダの応答を示している。
、μsecオーダの応答を示している。
また、電場を印加して±θいずれかの状態にした後、電
場を切ってもその状態を維持するンモリーは、彼らの主
張通り存在している。
場を切ってもその状態を維持するンモリーは、彼らの主
張通り存在している。
しかし、望ましい闇値特性は我々の観測では得られなか
った。
った。
我々のデータによると、Vth、 VsatはVth
= 500 (mV) Vsat = 5 (V) のような(直を示した。
= 500 (mV) Vsat = 5 (V) のような(直を示した。
電圧平均化法等の駆動ではVsat=5Vの電圧が選択
点にかかり、非選択点には500 (mV)以下の電
圧が加わるように、時分割駆動する事は不可能である。
点にかかり、非選択点には500 (mV)以下の電
圧が加わるように、時分割駆動する事は不可能である。
本発明の目的は、SmC”を利用した時分割駆動する新
しい原理と方法を示し、TN液晶では実現できない範囲
の多分割駆動を可能にする事にある。
しい原理と方法を示し、TN液晶では実現できない範囲
の多分割駆動を可能にする事にある。
以下実施例を示し、本発明の詳細について説明する。
第4図は、SmC”を利用したパネルの断面図の一実施
例を示す。
例を示す。
通常のパネル構造と比較して、ギャップは、2μm位で
あり、橿めて薄い(4μm以下)。
あり、橿めて薄い(4μm以下)。
また、二枚の偏光板のうち一枚は、第3図のように、±
θどちらかの状態にある分子の分子軸方向と偏光方向と
一致させ、もう一枚は同様に分子軸方向におくか、また
90°傾けて配置する。
θどちらかの状態にある分子の分子軸方向と偏光方向と
一致させ、もう一枚は同様に分子軸方向におくか、また
90°傾けて配置する。
このパネルに、充分高い直流電圧を加え、分子を±θど
ちらかの状態にした後、交流を液晶に印加した場合、光
学的透過率の変化は、第6図のようになる。
ちらかの状態にした後、交流を液晶に印加した場合、光
学的透過率の変化は、第6図のようになる。
図からも明らかなように、交流を印加すると光学的透過
率は振動しながら中間状態に収束していく、第7図に示
したように交流の周波数が高く、かつ電圧が低いと光学
的透過率の変化は少ない傾向にある。言い換えれば、緩
和時間が長くなる。
率は振動しながら中間状態に収束していく、第7図に示
したように交流の周波数が高く、かつ電圧が低いと光学
的透過率の変化は少ない傾向にある。言い換えれば、緩
和時間が長くなる。
本発明は、直流電圧によって強誘電性液晶分子の安定状
態を変化させ、その後交流電圧の印加により上記光学的
変化の緩和時間が長くなり、液晶分子はあたかも±θの
状態に近い所で停止したようになる。これを利用して表
示等を行おうとするものである。
態を変化させ、その後交流電圧の印加により上記光学的
変化の緩和時間が長くなり、液晶分子はあたかも±θの
状態に近い所で停止したようになる。これを利用して表
示等を行おうとするものである。
すなわち交流電圧が印加された分子は、第5図のbまた
はb′を中心に振動しなから止まうていると考えられる
。この状態を利用して表示等を行う事が本発明の駆動原
理である。
はb′を中心に振動しなから止まうていると考えられる
。この状態を利用して表示等を行う事が本発明の駆動原
理である。
この特性については、−軸配向処理をしたパネルは、配
向力が強くすぐに初期配向状態に戻ってしまうが、PV
Aラビング(PVAとは、ポリビニールアルコールをい
う)などは配向力が比較的弱く、交流電圧により表示状
態を保持し良好な表示を得ることができた。
向力が強くすぐに初期配向状態に戻ってしまうが、PV
Aラビング(PVAとは、ポリビニールアルコールをい
う)などは配向力が比較的弱く、交流電圧により表示状
態を保持し良好な表示を得ることができた。
実際の駆動では、液晶に印加される駆動波形の一実施例
は第18図のa、bのようになる。
は第18図のa、bのようになる。
これらの波形のうち選択された走査電極上の画素のうち
点灯(消灯か点灯は偏光板の偏向方向によって異なるが
、一応ここでは点灯する状態が第18図のa波形によっ
て得られるとした。)する画素に第18図のaの波形が
印加される。この時の液晶分子の動きは、高い電圧Va
pが印加された時、第5図のaまたはa′の位置か、そ
の位置に近い位置まで動き、その後、正・負の振幅の等
しい交流電圧で、bまたはb′の位置で振動すると考え
られる。
点灯(消灯か点灯は偏光板の偏向方向によって異なるが
、一応ここでは点灯する状態が第18図のa波形によっ
て得られるとした。)する画素に第18図のaの波形が
印加される。この時の液晶分子の動きは、高い電圧Va
pが印加された時、第5図のaまたはa′の位置か、そ
の位置に近い位置まで動き、その後、正・負の振幅の等
しい交流電圧で、bまたはb′の位置で振動すると考え
られる。
この場合、駆動波形の周波数を選ぶには高い電圧Yap
で液晶分子がa、a’の位置に充分動き得るように設定
しなければならない。
で液晶分子がa、a’の位置に充分動き得るように設定
しなければならない。
また、第8図に示した応答時間と電圧との関係が、線形
であるから、電圧を高くとれば周波数は高くとることが
できる。
であるから、電圧を高くとれば周波数は高くとることが
できる。
そして、上記のように強誘電性液晶を反転させ得る電圧
を印加した後に印加する交流電圧の周波数を高く、かつ
、振幅を低(すればその液晶分子の状態を安定に維持す
ることができる。
を印加した後に印加する交流電圧の周波数を高く、かつ
、振幅を低(すればその液晶分子の状態を安定に維持す
ることができる。
駆動素子の種類、または表示の種類(例えば、固定表示
か動画表示)の違いによって表示状態が悪くならない範
囲で適当な駆動周波数及び駆動電圧Vapを設定すれば
良い。
か動画表示)の違いによって表示状態が悪くならない範
囲で適当な駆動周波数及び駆動電圧Vapを設定すれば
良い。
我々が実験に用いた駆動回路は0MO3であり、20V
の駆動電圧Vapで駆動した。
の駆動電圧Vapで駆動した。
0MO3の他に、FET、バイポーラトランジスタ、T
TL、VMO3等の回路素子により駆動する事ができる
。
TL、VMO3等の回路素子により駆動する事ができる
。
第9図は、応答時間の温度変化を示している。
応答時間は温度が上昇するにつれ単調減少する。
温度が上昇し応答時間が短くなった場合、駆動電圧また
は駆動周波数が低温の時のままであると、チラッキの多
い表示状態となる。
は駆動周波数が低温の時のままであると、チラッキの多
い表示状態となる。
よってこれを防ぐには、
■ 電圧を温度の上昇とともに下げる。
■ 周波数を温度の上昇とともに上げる。
■ 電圧・周波数を両方適正に設定する。
上記三通りの方法がある。
SmC”を利用した本発明による駆動方法では、低温で
充分表示するように駆動電圧及び駆動周波数を設定し、
温度が上昇するにつれて周波数および電圧の少なくとも
一方を制御する事により温度補償ができる。
充分表示するように駆動電圧及び駆動周波数を設定し、
温度が上昇するにつれて周波数および電圧の少なくとも
一方を制御する事により温度補償ができる。
センサーを回路内に設は自動的に温度補償する場合は、
スイッチング回路で駆動クロック信号をディジタル的に
選択する方が容易である。
スイッチング回路で駆動クロック信号をディジタル的に
選択する方が容易である。
但し、微調整できるように連続的に(アナログ的に)周
波数を選択するには、発振源を連続的に変える必要があ
るため、周波数制御によると回路が複雑となる欠点があ
る。また、周波数制御の場合、温度が下がると周波数も
下げなければならず、そのため走査に時間がかかり、チ
ラッキが生じる問題がある。電圧制御による場合はこの
ような問題はないが、ドライバーICの耐圧を考慮する
必要がある。
波数を選択するには、発振源を連続的に変える必要があ
るため、周波数制御によると回路が複雑となる欠点があ
る。また、周波数制御の場合、温度が下がると周波数も
下げなければならず、そのため走査に時間がかかり、チ
ラッキが生じる問題がある。電圧制御による場合はこの
ような問題はないが、ドライバーICの耐圧を考慮する
必要がある。
次に実際の駆動波形の実施例を示し、本発明をさらに詳
細に説明する。
細に説明する。
第10図〜第1)図は、本発明の駆動波形の一実施例で
ある。
ある。
非選択時に、±1/3 Vapの電圧が加わるように考
慮されている。
慮されている。
また、図中、β及びdのサフィックスは、点灯及び非点
灯(偏光板の向きにより、ネガ及びポジどちらでも可)
に対応した記号である。
灯(偏光板の向きにより、ネガ及びポジどちらでも可)
に対応した記号である。
実際の駆動では、点灯の走査と非点灯の走査を交互に繰
り返して表示し、第10図乃至第1)図のどちらの!又
はdの波形を利用してもよい。
り返して表示し、第10図乃至第1)図のどちらの!又
はdの波形を利用してもよい。
よって、点灯と非点灯走査を含んだ駆動信号は、第15
図に示した。
図に示した。
φY・・・コモン(走査)選択信号
φY・・・コモン(走査)非選択信号
φX・・・セグメント(情f[り選択信号φX・・・セ
グメント(情報)非選択信号同様に、第14図に示した
駆動波形は、交流パルスによる駆動波形である。
グメント(情報)非選択信号同様に、第14図に示した
駆動波形は、交流パルスによる駆動波形である。
また、第15図は、点灯走査と非点灯走査を交互に行う
実際の、駆動信号を示している。
実際の、駆動信号を示している。
第16図、第17図は、選択コモンの一つ先のコモンを
非点灯とし、選択コモンで点灯の場合には、反対橿性の
信号を入力するかどうかで表示させる実施例である。
非点灯とし、選択コモンで点灯の場合には、反対橿性の
信号を入力するかどうかで表示させる実施例である。
第16図の実施例は、選択コモンの一つ先のコモンを非
点灯とする場合、φXとφXの信号が印加されている画
素については、それぞれ315 Vap及びVapの大
きさでそれぞれ非点灯となるような電圧の向きに印加さ
れる。
点灯とする場合、φXとφXの信号が印加されている画
素については、それぞれ315 Vap及びVapの大
きさでそれぞれ非点灯となるような電圧の向きに印加さ
れる。
非点灯状態に充分なれるだけの電圧が、少なくともVa
、以下であるように設定する必要がある。
、以下であるように設定する必要がある。
同様に、第17図による実施例は非点灯時に上記と逆に
φX、φXについて■ap+ 315 Vapの電圧が
非点灯方向に印加されるように考慮された例である。
φX、φXについて■ap+ 315 Vapの電圧が
非点灯方向に印加されるように考慮された例である。
第18図は、前記点灯と非点灯を交互に行う駆動法の場
合の画素にかかる電位を示した図である。
合の画素にかかる電位を示した図である。
この駆動法は、zフレームで黒白(点灯、非点灯)を書
き込む駆動法である。第19図aは、フレームに対応し
て変化する信号であり、例えば第1フレームに対応した
前半部の走査において、果が書き込まれ、第2フレーム
に対応した後半部の走査において白が書き込まれる。
き込む駆動法である。第19図aは、フレームに対応し
て変化する信号であり、例えば第1フレームに対応した
前半部の走査において、果が書き込まれ、第2フレーム
に対応した後半部の走査において白が書き込まれる。
すなわち、第1フレームでは、表示情報に対応した黒と
なるべき画素に、表示状態が黒になるような一方の安定
状態に強誘電性液晶分子を反転させる電圧を印加する。
なるべき画素に、表示状態が黒になるような一方の安定
状態に強誘電性液晶分子を反転させる電圧を印加する。
第2フレームでは、白となるべき残りの画素に、表示状
態が白になるような他方の安定状態に液晶分子を反転さ
せる電圧を印加して白とする0強誘電性液晶はメモリー
性を有しているため、上記2フレームによって、画像は
完成する。
態が白になるような他方の安定状態に液晶分子を反転さ
せる電圧を印加して白とする0強誘電性液晶はメモリー
性を有しているため、上記2フレームによって、画像は
完成する。
第19図のbは、第1走査線を選択する走査選択信号で
ある。第18図の信号a、bは、第19図の信号すによ
って選択された第1走査線上の画素を、例えばaで黒、
bで白とする場合の画素にかかる電圧を示している。
ある。第18図の信号a、bは、第19図の信号すによ
って選択された第1走査線上の画素を、例えばaで黒、
bで白とする場合の画素にかかる電圧を示している。
第19図の第2の信号すが旧ghレベルの時に、男(点
灯)及び白(非点灯)が選択される。
灯)及び白(非点灯)が選択される。
第20図は、前記選択コモンの次に選択されるコモン電
極を非点灯とする駆動法の画素に印加される電位の変化
を示した図である。
極を非点灯とする駆動法の画素に印加される電位の変化
を示した図である。
第21図に示した信号により、一つ前の走査電極の選択
及び走査電極選択を行う。また、この方法と逆に一つ先
の走査電極上の画素を全部点灯する駆動法も同様に考え
られる。
及び走査電極選択を行う。また、この方法と逆に一つ先
の走査電極上の画素を全部点灯する駆動法も同様に考え
られる。
第22図〜第27図は、それぞれ非選択時に選択時の印
加電圧Vapの1/4の電圧が印加する場合の波形を示
した図である。
加電圧Vapの1/4の電圧が印加する場合の波形を示
した図である。
それぞれ、点灯には1.非点灯にはdのサフィックスを
添付した。実際の駆動では、点灯・非点灯信号列の任意
の組み合わせで駆動できる。しかし、この駆動では選択
されたコモン上の画素のうち、点灯画素の場合は非点灯
時に、また非点灯画素の場合は点灯時に1/2 Vap
の電圧がかかる。
添付した。実際の駆動では、点灯・非点灯信号列の任意
の組み合わせで駆動できる。しかし、この駆動では選択
されたコモン上の画素のうち、点灯画素の場合は非点灯
時に、また非点灯画素の場合は点灯時に1/2 Vap
の電圧がかかる。
第10図〜第27図の実施例は、非選択時にVapの±
1/aの正負の電圧が印加される駆動法のうち、a=3
.a=4についての実施例であり、−Cに1/aの正負
の電圧が印加される駆動方法も同様に考えられる。(但
しaは任意の正の数)。
1/aの正負の電圧が印加される駆動法のうち、a=3
.a=4についての実施例であり、−Cに1/aの正負
の電圧が印加される駆動方法も同様に考えられる。(但
しaは任意の正の数)。
また、選択コモン電極の一つ先を消去する駆動法につい
てもVapの1/aの正負の電圧が非選択時に印加され
る駆動法は同様に考える事ができる。
てもVapの1/aの正負の電圧が非選択時に印加され
る駆動法は同様に考える事ができる。
第28図は1/4 Vapの正・負の電圧が非選択時に
かかり、かつ一つ先の走査電極上の画素を非点灯とする
駆動法の実施例である。
かかり、かつ一つ先の走査電極上の画素を非点灯とする
駆動法の実施例である。
このような駆動法によりTN型のLCDでは実現できな
い多分割が可能になった。大容量液晶装置を簡易な単純
マトリックスで実現させ安価で高画質なディスプレイな
どの電気光学装置を本発明により実現させる事ができる
。
い多分割が可能になった。大容量液晶装置を簡易な単純
マトリックスで実現させ安価で高画質なディスプレイな
どの電気光学装置を本発明により実現させる事ができる
。
以上のような駆動波形によってSmC”を駆動した場合
、光学的透過率は第29図のようになる。
、光学的透過率は第29図のようになる。
走査電極のうち選択された電極上の画素に、正・負のV
apが印加されると、液晶分子は第5図のaまたはa′
の位置、もしくはその位置に近い所まで回転し、光学的
にも明・暗ともに最高のレベルに達する。
apが印加されると、液晶分子は第5図のaまたはa′
の位置、もしくはその位置に近い所まで回転し、光学的
にも明・暗ともに最高のレベルに達する。
その後印加される正・負に等しく振動する交流パルスに
よって、光学的透過率は振動しながら減衰するが、減衰
は正・負の等しい交流パルスが印加された直後が最も太
き(、その後はほとんど変化がない。
よって、光学的透過率は振動しながら減衰するが、減衰
は正・負の等しい交流パルスが印加された直後が最も太
き(、その後はほとんど変化がない。
分割数が多い場合は、走査電極が選択される時間は、短
くなり、非選択の時間が大半を占める。
くなり、非選択の時間が大半を占める。
本発明の場合、走査′@掻群は間断なく選択される(あ
る走査電極の走査制御信号の立ち下がり時に、次の走査
電極の走査制御信号が立ち上がるように連続的に選択さ
れる)ため、分割数がnの場合、−走査時間はtoとす
ると走査電極一本を選択する時間t、は t、=t、/n で表される。
る走査電極の走査制御信号の立ち下がり時に、次の走査
電極の走査制御信号が立ち上がるように連続的に選択さ
れる)ため、分割数がnの場合、−走査時間はtoとす
ると走査電極一本を選択する時間t、は t、=t、/n で表される。
また、選択されない時間t8は、
である。
非選択時の交流パルスが印加されているときの光学的透
過率ば、前述のように振動しているが、大きさはほとん
ど変化しない。
過率ば、前述のように振動しているが、大きさはほとん
ど変化しない。
この状態が、走査時間中のほとんどを占めているわけで
あるから、人間の眼にはこの状態の光学的透過率が画素
のコントラストとしてうつる。
あるから、人間の眼にはこの状態の光学的透過率が画素
のコントラストとしてうつる。
よって、分割数が多くても少なくても、コントラストは
一定になる。
一定になる。
我々の測定では、現在256分割が駆動可能なパネルに
おいて、8分割〜256分割までコントラストは、あま
り変化がなかった。
おいて、8分割〜256分割までコントラストは、あま
り変化がなかった。
SmC”のこの現象は、TN型の液晶表示パネルが分割
数が多くなるにつれて選択点と非選択点の実効電圧に差
がなくなりコントラストが低下する事に比べて、非常に
多分割表示に適しているということを示している。
数が多くなるにつれて選択点と非選択点の実効電圧に差
がなくなりコントラストが低下する事に比べて、非常に
多分割表示に適しているということを示している。
SmC”の応答がlOμsecまで可能になるとすれば
、本発明における走査電極群は連続して選択されるため
、分割数は 10X2(μ5ec) 但し、30m5ecは一回の走査に必要な時間である。
、本発明における走査電極群は連続して選択されるため
、分割数は 10X2(μ5ec) 但し、30m5ecは一回の走査に必要な時間である。
また、分母の2は選択時間中に正・負の電圧をとる事を
示している。
示している。
今まで世の中で得られた最高スピードで液晶が応答する
と、1500分割程度のパネルが駆動でき、また前述の
ように1500分割と8分割でコントラストの差が出な
いようにする事が本発明の駆動法で可能である。
と、1500分割程度のパネルが駆動でき、また前述の
ように1500分割と8分割でコントラストの差が出な
いようにする事が本発明の駆動法で可能である。
ここで、コントラストについて本発明のもう一つの優れ
た点について述べる。
た点について述べる。
セルギャップを1μm程度まで薄くすると、SmC1は
螺旋構造を消失し、層がパネルの基板に垂直になるよう
に配列する。この事は、前にも述べた通りである。
螺旋構造を消失し、層がパネルの基板に垂直になるよう
に配列する。この事は、前にも述べた通りである。
層が基板に垂直になるという事は、液晶分子が基板に対
して水平になるという事である。
して水平になるという事である。
この状態の分子は本発明による駆動方法で駆動した場合
、第5図のa、a’に近いす、b’の状態にあるから、
分子は近似的、に基板に水平であると考えられる。
、第5図のa、a’に近いす、b’の状態にあるから、
分子は近似的、に基板に水平であると考えられる。
この状態を色々の視角で見ても、分子が基板に対して水
平であるからコントラストの変化はほとんどない。
平であるからコントラストの変化はほとんどない。
これに対し、TN型液晶表示パネルでは非点灯(ポジ表
示の場合)テ液晶が完全に基板に対して水平にならず、
視角によっては立っているとみなす事ができ、その結果
クロストークが生じてしまう。
示の場合)テ液晶が完全に基板に対して水平にならず、
視角によっては立っているとみなす事ができ、その結果
クロストークが生じてしまう。
これはいわゆる視角依存性として知られている。
SmC”を用いた本発明による表示は、このような視角
依存性がない、多分割が今までの常識を一変させたのと
同様に、コントラストに関しても視角依存性がなく分割
数によりコントラストが変化しない等、画期的な特性を
本発明によるSmC”を用いた電気光学装置は持ってい
ると言える。
依存性がない、多分割が今までの常識を一変させたのと
同様に、コントラストに関しても視角依存性がなく分割
数によりコントラストが変化しない等、画期的な特性を
本発明によるSmC”を用いた電気光学装置は持ってい
ると言える。
さらに本発明による駆動波形の一実施例を第30図に示
す。
す。
この駆動波形は、前記第10図から第28図に示した駆
動波形等を、1回もしくは有限回走査をし表示させた後
、ハイインピーダンス状態(駆動回路を切った状態)に
して表示を保持させた場合の液晶にかかる電圧変化を示
すものである。
動波形等を、1回もしくは有限回走査をし表示させた後
、ハイインピーダンス状態(駆動回路を切った状態)に
して表示を保持させた場合の液晶にかかる電圧変化を示
すものである。
第30図では、aが走査の部分を示し、bはハイインピ
ーダンス状態を示す。
ーダンス状態を示す。
ハイインピーダンス状態にして第5図のす、b’の位置
に留まる事は、光学的透過率がハイインピーダンスにし
てもほとんど変化しない事から明らかである。
に留まる事は、光学的透過率がハイインピーダンスにし
てもほとんど変化しない事から明らかである。
このメモリー性は充分長く、表示が変化する時にのみa
の走査を行えば良い。
の走査を行えば良い。
ハイインピーダンス状態における消費電力は、ゼロであ
り省エネルギー型の駆動であり、また固定表示等のあま
り表示内容が変化しない画像表示に最も適している。
り省エネルギー型の駆動であり、また固定表示等のあま
り表示内容が変化しない画像表示に最も適している。
この駆動と類似した駆動波形の一実施例を第31図に示
す。
す。
第30図のハイインピーダンスを利用した駆動法と同様
に、1回もしくは有限回の走査を行った後、駆動周波数
をあげて表示を保持させる。駆動周波数をあげれば第7
図に示されているように、液晶分子の状態をより安定に
保持することができる。
に、1回もしくは有限回の走査を行った後、駆動周波数
をあげて表示を保持させる。駆動周波数をあげれば第7
図に示されているように、液晶分子の状態をより安定に
保持することができる。
ハイインピーダンスによりメモリする第30図に示した
駆動では、分子位置がハイインピーダンスとなって外部
規制力がなくなった時点から徐々に初期配向状態に戻っ
ていくのに比較して、メモリー性はさらに良くなる。ハ
イインピーダンスにおける初期配向状態にもどる現象は
配向力が強いほど大きく、また温度が高いほど大きい。
駆動では、分子位置がハイインピーダンスとなって外部
規制力がなくなった時点から徐々に初期配向状態に戻っ
ていくのに比較して、メモリー性はさらに良くなる。ハ
イインピーダンスにおける初期配向状態にもどる現象は
配向力が強いほど大きく、また温度が高いほど大きい。
特に温度による影響が大きいので、第31図のように駆
動周波数をあげて表示を保持させる方が確実である。
動周波数をあげて表示を保持させる方が確実である。
第31図の駆動の場合、走査は通常どうり行い駆動周波
数をあげるだけで良い、また信号電極側では、表示デー
タをそのまま出力するか、点灯または非点灯のどちらか
に定めておけば良い。
数をあげるだけで良い、また信号電極側では、表示デー
タをそのまま出力するか、点灯または非点灯のどちらか
に定めておけば良い。
誘電異方性△εが正の液晶であっても負の液晶であって
も、駆動周波数を上げることによって分子の状態をより
安定に保持でき、その結果、画質を向上させることがで
きるのである。特に、負の液晶を用いた場合には、高周
波電圧の印加によって液晶分子には分子をねかせるよう
な誘電トルクが加えられることになり、そのため、コン
トラストを向上させることができる効果もある。
も、駆動周波数を上げることによって分子の状態をより
安定に保持でき、その結果、画質を向上させることがで
きるのである。特に、負の液晶を用いた場合には、高周
波電圧の印加によって液晶分子には分子をねかせるよう
な誘電トルクが加えられることになり、そのため、コン
トラストを向上させることができる効果もある。
次に第31図に類似した駆動の一実施例を第32図に示
す。
す。
前述の第31図の駆動と異なる点は1回もしくは有限回
の走査後、非選択時に印加される正・負の電圧が等しい
交流パルスと同じか、または異なった正・負の電圧が等
しい交流パルスを印加する事により表示状態を保持させ
る点にある。
の走査後、非選択時に印加される正・負の電圧が等しい
交流パルスと同じか、または異なった正・負の電圧が等
しい交流パルスを印加する事により表示状態を保持させ
る点にある。
第32図では、±1/3 Vapの交流パルスがかかっ
た駆動波形を示している。
た駆動波形を示している。
この実施例の場合、走査終了後走査電極及び信号電極に
印加される駆動波形は、第33図に示したような位相の
異なる振幅の等しい波形となる。
印加される駆動波形は、第33図に示したような位相の
異なる振幅の等しい波形となる。
この場合、走査電極の走査は行わず、またデータの如何
を問わず、第33図の電力の波形を走査電極へ、もう一
方の波形を信号電極へ印加する。
を問わず、第33図の電力の波形を走査電極へ、もう一
方の波形を信号電極へ印加する。
第34図は、有限回数走査後、ゼロボルトとする駆動法
を用いた場合の液晶にかかる電圧の実施例を示すもので
ある。
を用いた場合の液晶にかかる電圧の実施例を示すもので
ある。
次に、階調表示を得るための本発明による駆動方法の実
施例について述べる。
施例について述べる。
階調表示するための基本的な方法は、選択された走査電
極上の画素に加わる±Vapのパルス幅を変調して中間
調を作り出すというものである。
極上の画素に加わる±Vapのパルス幅を変調して中間
調を作り出すというものである。
第29図に示した駆動時の光学的透過率の変化に注目す
ると、選択電圧±Vapが加わった時、明・暗の最高レ
ベルになる。その後減衰するが、減衰して充分時間が経
った後、減衰がほとんど無くなった時の光学的透過率は
、選択電圧±Yapが加わった時の光学的透過率の大き
さに比例している事が観測された。
ると、選択電圧±Vapが加わった時、明・暗の最高レ
ベルになる。その後減衰するが、減衰して充分時間が経
った後、減衰がほとんど無くなった時の光学的透過率は
、選択電圧±Yapが加わった時の光学的透過率の大き
さに比例している事が観測された。
この現象を利用して、選択的の光学透過率を調節すれば
階調表示が可能である。
階調表示が可能である。
選択電圧±Yapのパルス幅に比例した光学的透過率が
得られるから、この方法により階調表示を実現できる。
得られるから、この方法により階調表示を実現できる。
駆動波形の実施例は、第35図〜第47図に示した。
各々について説明を行う。
第35図は、第10図のサフィックスiが添付された波
形、すなわち点灯走査に使われる波形を階調表示用に変
更した波形の実施例を示すものである。
形、すなわち点灯走査に使われる波形を階調表示用に変
更した波形の実施例を示すものである。
第35図と第1O図で異なっているのは、セグメント選
択信号だけであり、他の信号は同一で良い。
択信号だけであり、他の信号は同一で良い。
実施例では、τmだけ位相をずらして選択電圧Vapを
変調している。
変調している。
選択電圧Vapがかかるパルス幅τapは、vA動同周
波数fとすると、 τap! τm f となる、τmは中間調レベルに応じて調節する事により
階調を行う。
波数fとすると、 τap! τm f となる、τmは中間調レベルに応じて調節する事により
階調を行う。
第35図の信号から実際に液晶にかかる電圧の例を示し
たのが第36図である。
たのが第36図である。
第36図のaは、走査電極が選択され、かつ表示電極に
選択信号が加わった時に液晶にかかる波形であり、bは
走査電極が非選択でかつ表示電極に非選択信号がかかっ
た場合の波形である。Cはbとは逆に走査電極が非選択
でかつ表示電極に選択信号がかかった場合の波形である
。
選択信号が加わった時に液晶にかかる波形であり、bは
走査電極が非選択でかつ表示電極に非選択信号がかかっ
た場合の波形である。Cはbとは逆に走査電極が非選択
でかつ表示電極に選択信号がかかった場合の波形である
。
b、cともに±1/s Vapをとる時間は、b、
cの中で等しくなるように考慮されている。
cの中で等しくなるように考慮されている。
第37図も第35図と同様に、第11図の非点灯走査を
行う信号をwjt調表示のために変更した波形である。
行う信号をwjt調表示のために変更した波形である。
第35図と異なる点は、セグメント選択信号が階段状の
波形となっている事である。液晶にかかる選択電圧−Y
apは、τmだけパルス幅を狭められ、τmを中間調レ
ベルにあわせて調節する事により階調表示を行う。
波形となっている事である。液晶にかかる選択電圧−Y
apは、τmだけパルス幅を狭められ、τmを中間調レ
ベルにあわせて調節する事により階調表示を行う。
尚、第38図は、第36図と同様に液晶にかかる波形を
示している0図中、a、b、cは第36図と同じ状態を
示し、第36図の波形の極性を反転した波形となってい
る。
示している0図中、a、b、cは第36図と同じ状態を
示し、第36図の波形の極性を反転した波形となってい
る。
第39図〜第41図は、非選択時に1/3 Vapの振
幅の交流パルスが加わる駆動波形を、階調表示用に変更
した実施例である。
幅の交流パルスが加わる駆動波形を、階調表示用に変更
した実施例である。
変更するのは、前述と同様にセグメント選択信号だけで
良い。
良い。
変更するパターンは二通りに分かれている。
第39図及び第41図のように階段状になる場合と、第
40図のように位相をかえる場合の二通りである。
40図のように位相をかえる場合の二通りである。
次に、非選択時に1/4 Vapの振幅の交流となる駆
動波形を階調表示用に変更した実施例を第42図〜第4
7図に示す。
動波形を階調表示用に変更した実施例を第42図〜第4
7図に示す。
前記の階調表示と同様に、階段状の波形と位相が異なっ
た波形の二通りの変更方法があり、それぞれ選択電圧±
Vapをτmだけ変調する事ができる。
た波形の二通りの変更方法があり、それぞれ選択電圧±
Vapをτmだけ変調する事ができる。
一般にwi調表示を得るためにセグメント選択信号を変
更するのに、二通りの方法がある事を前に示した。
更するのに、二通りの方法がある事を前に示した。
すなわち、
(11位相をずらす
(2) 階段状波形とする
(2)の階段状波形の実施例を第48図に一般の場合に
ついて示した。
ついて示した。
上の二つが点灯、下の二つが非点灯の場合の階段波形で
ある。
ある。
V、、V、はそれぞれ次のような電圧である。
V+ = (1(2/a) Vap)
vz = (2/a) Vap
aは任意の数であり、非選択時に士(1/a) V a
pの交流パルスが印加される。
pの交流パルスが印加される。
以上のように、SmC”を利用した本発明による電気光
学装置は、従来の能動素子を用いないX−Yマトリック
ス型の液晶素子の限界を打ち破る画期的な液晶素子であ
る。この素子を用いれば単純マトリックスで多分割駆動
できドライバーICの数を大幅に減少でき、また、能動
素子を用いない単純なパネルであるから、安価な大容量
液晶パネルを実現する事ができる。
学装置は、従来の能動素子を用いないX−Yマトリック
ス型の液晶素子の限界を打ち破る画期的な液晶素子であ
る。この素子を用いれば単純マトリックスで多分割駆動
できドライバーICの数を大幅に減少でき、また、能動
素子を用いない単純なパネルであるから、安価な大容量
液晶パネルを実現する事ができる。
第1図は、N、SmA、SmCの分子配列の模式図であ
る。第2図は、SmC”の螺旋軸のまわりの分子配列と
単−分子−状態を模式的に示した図である。第3図は、
基板方向からみた分子状態と従来の表示原理を示した模
式図である。第4図は、本発明による電気光学装置の断
面図である。 第5図は、本発明による電気光学装置における分子状態
を示した模式図である。第6図、第7図は、直流電圧印
加後ただちに交流パルス電圧を加えた場合の光学的透過
率の変化を示している。第8図は、応答時間と印加電圧
との関係を示した図である。第9図は応答時間と温度と
の関係を示した図である。第10図〜第1)図は、非選
択時に選択電圧Vapの1/3の正負の交流パルスがか
かる場合の実施例である。第14図は、第10ti!J
〜第1)図が極性が同じ波形であるのに対して信号が交
流パルスで構成されている実施例である。第15図は、
点灯走査・非点灯走査をまとめた実際のφY、φY、φ
X。 φX信号を、第10図、第11図の組み合わせと、第1
4図の場合において示した図である。第16図〜第17
図は、選択された走査電極より一つ先の走査電極上の画
素をすべて消去する駆動法のうち、1/3Vapの正負
の交流パルスが非選択時にかかる実施例である。第18
図は、第10図〜第14図を用いた場合、実際に液晶間
に印加される電圧を示している。 第19図は、その制御信号を示した。第20図は、第1
6図〜第17図の実施例を用いた場合、実際に液晶間に
印加される電圧を示している。第21図は、その制御信
号である。第22図〜第27図は、非選択時に1/4
Vapの正負の交流パルスがかかる場合の実施例である
。第28図は、選択された走査電極より一つ先の走査電
極上の画素をすべて消去する駆動法のうち1/4 Va
pの正負の交流パルスが非選択時にかかる実施例である
。第29図は、駆動した場合の光学的透過率の変化を示
している。第30図〜第32図は、有限回数の走査後フ
ローティング及び周波数を高くする及び完全な交流パル
スをかける駆動法を用いた場合の液晶にかかる電圧の実
施例である。第33図は、第32図の有限回数の走査後
、コモン及びセグメント電極に印加される波形を示して
いる。第34図は、有限回数走査数、ゼロボルトとする
駆動法を用いた場合の液晶にかかる電圧の実施例である
。第35図〜第41図は、選択電圧Vapを変調して階
調を行い、また非選択時に1/3 Vapの正負の交流
パルスがかかる場合の駆動波形の実施例である。第42
図〜第47図は、非選択時に1/4Vapの正負の交流
パルスがかかり、また選択電圧Vapを変調して階調表
示を行う駆動波形の実施例を示す、第48図は、階調表
示するためのセグメント選択信号の例を示した。 1・・・双極子モーメント 2・・・液晶分子 3.4.5・・・偏向方向 6・・・電極 7・・・配向膜 8・・・液晶 9・・−シール剤 10・・・偏光板 11・・・液晶分子 以上 第1図α第1図b 第1図C 第2図a 第3図 第6図 第7図 を 第8図 51UI3〃 シ 屹]」]」下夕m 2/3Vop 第15図(b) 第16図 第18図 第20図 第22図 fYb −−−0 飲b−−一一−−−−−−−−−−−−−−−−−一−
−。 第24図 Vap 蜘’ VaVap第26図 第27図 第2S図 可−一−−−−−−−−−−−−−−。 第30図− ・ 第31図 第33図 第34図 第35図 第36図 第40図 石I V#巧p た/。 第46図 −
る。第2図は、SmC”の螺旋軸のまわりの分子配列と
単−分子−状態を模式的に示した図である。第3図は、
基板方向からみた分子状態と従来の表示原理を示した模
式図である。第4図は、本発明による電気光学装置の断
面図である。 第5図は、本発明による電気光学装置における分子状態
を示した模式図である。第6図、第7図は、直流電圧印
加後ただちに交流パルス電圧を加えた場合の光学的透過
率の変化を示している。第8図は、応答時間と印加電圧
との関係を示した図である。第9図は応答時間と温度と
の関係を示した図である。第10図〜第1)図は、非選
択時に選択電圧Vapの1/3の正負の交流パルスがか
かる場合の実施例である。第14図は、第10ti!J
〜第1)図が極性が同じ波形であるのに対して信号が交
流パルスで構成されている実施例である。第15図は、
点灯走査・非点灯走査をまとめた実際のφY、φY、φ
X。 φX信号を、第10図、第11図の組み合わせと、第1
4図の場合において示した図である。第16図〜第17
図は、選択された走査電極より一つ先の走査電極上の画
素をすべて消去する駆動法のうち、1/3Vapの正負
の交流パルスが非選択時にかかる実施例である。第18
図は、第10図〜第14図を用いた場合、実際に液晶間
に印加される電圧を示している。 第19図は、その制御信号を示した。第20図は、第1
6図〜第17図の実施例を用いた場合、実際に液晶間に
印加される電圧を示している。第21図は、その制御信
号である。第22図〜第27図は、非選択時に1/4
Vapの正負の交流パルスがかかる場合の実施例である
。第28図は、選択された走査電極より一つ先の走査電
極上の画素をすべて消去する駆動法のうち1/4 Va
pの正負の交流パルスが非選択時にかかる実施例である
。第29図は、駆動した場合の光学的透過率の変化を示
している。第30図〜第32図は、有限回数の走査後フ
ローティング及び周波数を高くする及び完全な交流パル
スをかける駆動法を用いた場合の液晶にかかる電圧の実
施例である。第33図は、第32図の有限回数の走査後
、コモン及びセグメント電極に印加される波形を示して
いる。第34図は、有限回数走査数、ゼロボルトとする
駆動法を用いた場合の液晶にかかる電圧の実施例である
。第35図〜第41図は、選択電圧Vapを変調して階
調を行い、また非選択時に1/3 Vapの正負の交流
パルスがかかる場合の駆動波形の実施例である。第42
図〜第47図は、非選択時に1/4Vapの正負の交流
パルスがかかり、また選択電圧Vapを変調して階調表
示を行う駆動波形の実施例を示す、第48図は、階調表
示するためのセグメント選択信号の例を示した。 1・・・双極子モーメント 2・・・液晶分子 3.4.5・・・偏向方向 6・・・電極 7・・・配向膜 8・・・液晶 9・・−シール剤 10・・・偏光板 11・・・液晶分子 以上 第1図α第1図b 第1図C 第2図a 第3図 第6図 第7図 を 第8図 51UI3〃 シ 屹]」]」下夕m 2/3Vop 第15図(b) 第16図 第18図 第20図 第22図 fYb −−−0 飲b−−一一−−−−−−−−−−−−−−−−−一−
−。 第24図 Vap 蜘’ VaVap第26図 第27図 第2S図 可−一−−−−−−−−−−−−−−。 第30図− ・ 第31図 第33図 第34図 第35図 第36図 第40図 石I V#巧p た/。 第46図 −
Claims (4)
- (1)偏光板と、走査信号に基づいて順次周期的に選択
される走査電極群と、この走査電極群に対向し情報信号
に基づいて選択される信号電極群と、これらの電極群間
に配置された強誘電性液晶とを有し、強誘電性液晶の安
定状態を反転させ得るような同一極性の反転電圧を印加
したとき強誘電性液晶の分子配列が変化することによっ
て生ずる光学的変化を利用する電気光学装置であって、
前記反転電圧のパルス幅を変調することにより中間調を
出す強誘電性液晶電気光学装置。 - (2)非選択走査電極上の画素には、強誘電性液晶の安
定状態を反転させないような交流電圧が印加される請求
項1記載の強誘電性液晶電気光学装置。 - (3)強誘電性液晶の安定状態を反転させないような交
流電圧は、その同一極性電圧の各々が前記反転電圧印加
時間の1又は2倍の印加時間を持つ請求項2記載の強誘
電性液晶電気光学装置。 - (4)強誘電性液晶の安定状態を反転させないような交
流電圧は、正負の振幅が等しい交流パルスである請求項
2記載の強誘電性液晶電気光学装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63107171A JPH0656460B2 (ja) | 1988-04-28 | 1988-04-28 | 強誘電性液晶電気光学装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63107171A JPH0656460B2 (ja) | 1988-04-28 | 1988-04-28 | 強誘電性液晶電気光学装置 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP58232963A Division JPS60123825A (ja) | 1983-12-09 | 1983-12-09 | 液晶表示素子 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63309927A true JPS63309927A (ja) | 1988-12-19 |
JPH0656460B2 JPH0656460B2 (ja) | 1994-07-27 |
Family
ID=14452281
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63107171A Expired - Fee Related JPH0656460B2 (ja) | 1988-04-28 | 1988-04-28 | 強誘電性液晶電気光学装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0656460B2 (ja) |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59193427A (ja) * | 1983-04-19 | 1984-11-02 | Canon Inc | 液晶装置 |
-
1988
- 1988-04-28 JP JP63107171A patent/JPH0656460B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59193427A (ja) * | 1983-04-19 | 1984-11-02 | Canon Inc | 液晶装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0656460B2 (ja) | 1994-07-27 |
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