JPS63307655A - 電子照射装置 - Google Patents
電子照射装置Info
- Publication number
- JPS63307655A JPS63307655A JP62143632A JP14363287A JPS63307655A JP S63307655 A JPS63307655 A JP S63307655A JP 62143632 A JP62143632 A JP 62143632A JP 14363287 A JP14363287 A JP 14363287A JP S63307655 A JPS63307655 A JP S63307655A
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- JP
- Japan
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- filament
- chamber
- electron irradiation
- ion source
- vacuum
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、半導体製造装置に用いる電荷中和用電子照
射装置に関する。
射装置に関する。
本発明は、半導体製造装置に用いる電荷中和用電子照射
装置において、熱電子発生用フィラメントを独立した真
空チェンバー内部に設置し、当該チェンバーに電子引き
出し孔をかねた差動排気用スリット、真空ポンプを設置
し、当該チェンバーを装置本体と差動排気することによ
り、フィラメント寿命を伸ばし、かつフィラメントより
発生するコンタミネーシヨンを低減させたものである。
装置において、熱電子発生用フィラメントを独立した真
空チェンバー内部に設置し、当該チェンバーに電子引き
出し孔をかねた差動排気用スリット、真空ポンプを設置
し、当該チェンバーを装置本体と差動排気することによ
り、フィラメント寿命を伸ばし、かつフィラメントより
発生するコンタミネーシヨンを低減させたものである。
従来のイオンビームを用いたミリング、エツチング装置
等において、イオンビームの電流密度の増大に伴い、イ
オンの空間電荷制限効果を緩和するために、イオンビー
ム中に積極的に電子を供給している。この際、電子を供
給する方法としては、イオン源ビーム引き出し部にフィ
ラメントを第２図（ａｌ 、又は伽）のように設置し、
イオンビームに対して熱電子を注ぎかける方法がとられ
ている。
等において、イオンビームの電流密度の増大に伴い、イ
オンの空間電荷制限効果を緩和するために、イオンビー
ム中に積極的に電子を供給している。この際、電子を供
給する方法としては、イオン源ビーム引き出し部にフィ
ラメントを第２図（ａｌ 、又は伽）のように設置し、
イオンビームに対して熱電子を注ぎかける方法がとられ
ている。
イオンビームの空間電荷制限効果を緩和するための熱電
子供給用のフィラメントを、従来の第２図（ａｌのよう
に設置した場合、イオンがフィラメントと衝突し、フィ
ラメント材料がスパッタリングをうけ、フィラメント自
身の寿命が短くなる、フィラメント材料がコンタミネー
シヨンとして発生するという欠点を有していた。又、イ
オン源内部に反応性の活性ガス種が導入され、リアクテ
ィブイオンビームを使用する場合は、第２図ｔａｇ、
（ｂｌのようにフィラメントを設置した場合、ともに、
イオン源引き出し孔より漏れてくる中性の反応性の活性
ガスに高熱のフィラメントが晒されるため、フィラメン
トの寿命が短くなるという欠点を有していた。
子供給用のフィラメントを、従来の第２図（ａｌのよう
に設置した場合、イオンがフィラメントと衝突し、フィ
ラメント材料がスパッタリングをうけ、フィラメント自
身の寿命が短くなる、フィラメント材料がコンタミネー
シヨンとして発生するという欠点を有していた。又、イ
オン源内部に反応性の活性ガス種が導入され、リアクテ
ィブイオンビームを使用する場合は、第２図ｔａｇ、
（ｂｌのようにフィラメントを設置した場合、ともに、
イオン源引き出し孔より漏れてくる中性の反応性の活性
ガスに高熱のフィラメントが晒されるため、フィラメン
トの寿命が短くなるという欠点を有していた。
そこで本発明では、イオン源に反応性の活性ガス種を導
入した場合でも、長時間安定に使用できる電子照射装置
を得ることを目的としている。
入した場合でも、長時間安定に使用できる電子照射装置
を得ることを目的としている。
そこで本発明においては、熱電子供給用フィラメントを
独立した真空チェンバー内に設置し、このチェンバーに
電子照射孔をかねた差動排気スリットと真空ポンプを接
続し、フィラメント設置部分を差動排気した。
独立した真空チェンバー内に設置し、このチェンバーに
電子照射孔をかねた差動排気スリットと真空ポンプを接
続し、フィラメント設置部分を差動排気した。
上記のように、熱電子供給用フィラメントが設置されて
おり、差動排気されている真空チェンバー内部の真空度
は、イオン源動作中のイオン源出口付近の真空度（通常
Ｉ Ｘｌ０−’ Ｔｏｒｒ ＝ ｌ Ｘｌ０−’Ｔｏｒ
ｒ程度）より、１桁ないし２桁はど高真空に保たれる。
おり、差動排気されている真空チェンバー内部の真空度
は、イオン源動作中のイオン源出口付近の真空度（通常
Ｉ Ｘｌ０−’ Ｔｏｒｒ ＝ ｌ Ｘｌ０−’Ｔｏｒ
ｒ程度）より、１桁ないし２桁はど高真空に保たれる。
従ってイオン源内部に、反応性の活性ガス種が導入され
た場合でも、フィラメント周囲の雰囲気ガス圧が充分に
低く保たれるので、反応性ガスによる影響が大幅に低減
され、フィラメント寿命が大幅に伸びる。さらに、フィ
ラメント自身がイオンビームに晒されることがなく、ま
た雰囲気ガスがフィラメントから放出される熱電子によ
りイオン化し、このイオンがフィラメントに入射し、フ
ィラメント材料をスパッタリングする割合も１桁ないし
２桁低減されるので、コンタミネーシヨンの発生も減少
する。
た場合でも、フィラメント周囲の雰囲気ガス圧が充分に
低く保たれるので、反応性ガスによる影響が大幅に低減
され、フィラメント寿命が大幅に伸びる。さらに、フィ
ラメント自身がイオンビームに晒されることがなく、ま
た雰囲気ガスがフィラメントから放出される熱電子によ
りイオン化し、このイオンがフィラメントに入射し、フ
ィラメント材料をスパッタリングする割合も１桁ないし
２桁低減されるので、コンタミネーシヨンの発生も減少
する。
以下に、本願における発明の実施例を図面に基づいて説
明する。
明する。
第１図（ａｌは本願における電子照射装置の縦断面図で
、第１図山）は斜視図である０両端にＩＣＦ１５２コン
フラツトフランジが溶接された円筒型のステンレス製チ
ェンバー８の内部に熱電子供給用フィラメント４が、電
流導入端子５により固定設置されている０円筒型チェン
バー８は、他端がイオンビームに接続され、電子照射孔
をかねた差動排気スリト３が設置されている。又、反対
側のフランジには排気速度５０１／ｓｅｃのターボ分子
ポンプ９が接続され、内部が真空排気されている。フィ
ラメント４には、フィラメント加熱用型ａ６及び電子加
速用型ｉ１［７が接続されており、この電子加速用電源
によりフィラメント電位が、例えば−２００ｖというよ
うに、負電位に保たれるので、生成された熱電子は、大
地電位にある差動排気スリットに向かい加速され、スリ
ットを通り抜け、イオンビーム２に照射され、イオンビ
ーム２の空間電荷を中和する。
、第１図山）は斜視図である０両端にＩＣＦ１５２コン
フラツトフランジが溶接された円筒型のステンレス製チ
ェンバー８の内部に熱電子供給用フィラメント４が、電
流導入端子５により固定設置されている０円筒型チェン
バー８は、他端がイオンビームに接続され、電子照射孔
をかねた差動排気スリト３が設置されている。又、反対
側のフランジには排気速度５０１／ｓｅｃのターボ分子
ポンプ９が接続され、内部が真空排気されている。フィ
ラメント４には、フィラメント加熱用型ａ６及び電子加
速用型ｉ１［７が接続されており、この電子加速用電源
によりフィラメント電位が、例えば−２００ｖというよ
うに、負電位に保たれるので、生成された熱電子は、大
地電位にある差動排気スリットに向かい加速され、スリ
ットを通り抜け、イオンビーム２に照射され、イオンビ
ーム２の空間電荷を中和する。
本発明によれば、以上説明してきたように、熱電子供給
用フィラメントを独立した真空チェンバーに設置し、こ
の真空チェンバーを差動排気するので、反応性の活性ガ
ス種を使用した場合でも、フィラメント寿命の長い、か
つコンタミネーシヨンの発生の少ない電子照射装置を得
ることができる。
用フィラメントを独立した真空チェンバーに設置し、こ
の真空チェンバーを差動排気するので、反応性の活性ガ
ス種を使用した場合でも、フィラメント寿命の長い、か
つコンタミネーシヨンの発生の少ない電子照射装置を得
ることができる。
第１図＋ａ）、 （ｂｌは本願における電子照射装置の
縦断面図及び斜視図で、第２図（ａＪ、 （ｂｌはとも
にフィラメント設置方法の従来例の斜視図である。 １・・・イオン源 ２・・・イオンビーム ３・・・差動排気システム ４・・・フィラメント ５・・・電流導入端子 ゛ ６・・・フィラメント加熱用電源 ７・・・電子加速用電源 ８・・・円筒型チェンバー ９・・・真空ポンプ ２１・・・イオン源 ２２・・・イオン源引き出し孔
縦断面図及び斜視図で、第２図（ａＪ、 （ｂｌはとも
にフィラメント設置方法の従来例の斜視図である。 １・・・イオン源 ２・・・イオンビーム ３・・・差動排気システム ４・・・フィラメント ５・・・電流導入端子 ゛ ６・・・フィラメント加熱用電源 ７・・・電子加速用電源 ８・・・円筒型チェンバー ９・・・真空ポンプ ２１・・・イオン源 ２２・・・イオン源引き出し孔
Claims (1)
- 熱電子発生用フィラメントが独立したチェンバー内に
設置され、当該チェンバーに電子照射孔をかねた差動排
気用スリット及び真空ポンプが設置されたことを特徴と
する電子照射装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62143632A JPS63307655A (ja) | 1987-06-09 | 1987-06-09 | 電子照射装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62143632A JPS63307655A (ja) | 1987-06-09 | 1987-06-09 | 電子照射装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63307655A true JPS63307655A (ja) | 1988-12-15 |
Family
ID=15343272
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62143632A Pending JPS63307655A (ja) | 1987-06-09 | 1987-06-09 | 電子照射装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63307655A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013072785A (ja) * | 2011-09-28 | 2013-04-22 | Hitachi Ltd | 低真空軟ｘ線実験装置 |
-
1987
- 1987-06-09 JP JP62143632A patent/JPS63307655A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013072785A (ja) * | 2011-09-28 | 2013-04-22 | Hitachi Ltd | 低真空軟ｘ線実験装置 |
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