JPS6330364A - 高誘電率磁器組成物 - Google Patents
高誘電率磁器組成物Info
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- JPS6330364A JPS6330364A JP61169756A JP16975686A JPS6330364A JP S6330364 A JPS6330364 A JP S6330364A JP 61169756 A JP61169756 A JP 61169756A JP 16975686 A JP16975686 A JP 16975686A JP S6330364 A JPS6330364 A JP S6330364A
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Landscapes
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- Ceramic Capacitors (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は高誘電率磁気組成物に係り、特にセラミックコ
ンデンサ、積層セラミックコンデンサに好適な高誘電率
磁器組成物に関する。
ンデンサ、積層セラミックコンデンサに好適な高誘電率
磁器組成物に関する。
従来、高誘電率磁器組成物としては、チタン酸バリウム
ＢａＴｉ０．を主成分とするものが広く用いられている
。なお、チタン酸バリウムを主成分とするものは、焼成
温度が１３００〜１４００°Ｃと非常に高い。
ＢａＴｉ０．を主成分とするものが広く用いられている
。なお、チタン酸バリウムを主成分とするものは、焼成
温度が１３００〜１４００°Ｃと非常に高い。
一方、待開昭５７−６７０７６号には、タングステン酸
鉛Ｐ ｂ （Ｆｅ、７． Ｗ、Ａ） ＯＢ、チタン酸鉛
ｐｂ’ｎｏ、、及び鉄ニオブ酸鉛Ｐ ｂ （Ｆｅ、／、
Ｎｂ、／、 ）Ｏ８からなる高誘電率磁器組成物が記
載されている。この高誘を率磁器組成物は、１０００°
Ｃ以下の低温で焼結する。
鉛Ｐ ｂ （Ｆｅ、７． Ｗ、Ａ） ＯＢ、チタン酸鉛
ｐｂ’ｎｏ、、及び鉄ニオブ酸鉛Ｐ ｂ （Ｆｅ、／、
Ｎｂ、／、 ）Ｏ８からなる高誘電率磁器組成物が記
載されている。この高誘を率磁器組成物は、１０００°
Ｃ以下の低温で焼結する。
上記したチタン酸バリウムを生成物とする高誘電率磁器
組成物は、焼結ＴＭ反が＋３０ト一１４００°Ｃと非常
に高い。従って、この高誘電率磁器組成物で積層セラミ
ックコンデンサを製造する場合、電極材料には上記の高
誘電率磁器組成物の焼結温度より高い融点を有する白金
、パラジウムを主成分とする金属ヲ用いることが必要で
あった。しかし、パラジウム、白金を主成分とする金属
は高価であリ、問題であった。
組成物は、焼結ＴＭ反が＋３０ト一１４００°Ｃと非常
に高い。従って、この高誘電率磁器組成物で積層セラミ
ックコンデンサを製造する場合、電極材料には上記の高
誘電率磁器組成物の焼結温度より高い融点を有する白金
、パラジウムを主成分とする金属ヲ用いることが必要で
あった。しかし、パラジウム、白金を主成分とする金属
は高価であリ、問題であった。
一方、上記の１０００６Ｃ以下の低轟で焼結する高誘Ｍ
１率磁器組成物は、絶縁抵抗の点について配慮がされて
いなかった。すなわち、積層コンデンサに適用する場合
は少しでも絶縁抵抗、誘電圧接の高いことが望ましく、
上記の低温で焼結する高誘電４Ａ磁器組成物は絶縁抵抗
を更に高くすることが改善点であった。
１率磁器組成物は、絶縁抵抗の点について配慮がされて
いなかった。すなわち、積層コンデンサに適用する場合
は少しでも絶縁抵抗、誘電圧接の高いことが望ましく、
上記の低温で焼結する高誘電４Ａ磁器組成物は絶縁抵抗
を更に高くすることが改善点であった。
本発明の目的は上記した従来技術の問題点を解決し、１
０００ ’Ｃ以下の低重で焼結でき、絶縁抵抗、誘電率
が一段と高（、かつ誘電正接が一段と低い高誘電率磁器
組成物を提供するにある。
０００ ’Ｃ以下の低重で焼結でき、絶縁抵抗、誘電率
が一段と高（、かつ誘電正接が一段と低い高誘電率磁器
組成物を提供するにある。
上記目的は、鉄タングステン酸鉛ｐｂ（ｐち７ｍＷｒ／
ｓ＞０１、チタン酸鉛ＰｂＴｉ０．、及び鉄ニオブ酸鉛
Ｐｂ（Ｆｅ１７． Ｎｂ１７． ）Ｏ，よりなる高誘を
率磁器組成物（Ｐｂ（Ｆｅ２７３ ）ｏｎ ）ｘｃＰｂ
Ｔｉｏｍ ）ｙ（Ｐｂ（Ｆｅｘ／ｍＮｂ１７． ） Ｏ
ｓ ） ２９０〜？ ９．９モｙｖ％と、ＭｎＯ，（Ｌ
Ｏ５〜５モ／ｌ／ 慢と、酸化ニッケルＮｉ０ＣＬ０５
〜５モル係とからなる高誘電率迅器組成物で達成される
。
ｓ＞０１、チタン酸鉛ＰｂＴｉ０．、及び鉄ニオブ酸鉛
Ｐｂ（Ｆｅ１７． Ｎｂ１７． ）Ｏ，よりなる高誘を
率磁器組成物（Ｐｂ（Ｆｅ２７３ ）ｏｎ ）ｘｃＰｂ
Ｔｉｏｍ ）ｙ（Ｐｂ（Ｆｅｘ／ｍＮｂ１７． ） Ｏ
ｓ ） ２９０〜？ ９．９モｙｖ％と、ＭｎＯ，（Ｌ
Ｏ５〜５モ／ｌ／ 慢と、酸化ニッケルＮｉ０ＣＬ０５
〜５モル係とからなる高誘電率迅器組成物で達成される
。
但し、上記のＸ、Ｙ、Ｚは、以下の範囲であり、かつＸ
＋Ｙ＋Ｚ−１００モル係である。
＋Ｙ＋Ｚ−１００モル係である。
５０≦Ｘ≦９０モルチ
５≦Ｙ≦４９モル俤
１≦２≦４５モルチ
〔作用〕
上記の高誘電率ミ器組成物は、１０００°Ｃ以下の低温
で焼結し、高誘４率（１９６００以上、好ましくは１９
６００〜２１７００）であり、高絶縁抵抗（４Ｘ１０凰
０Ω以上、好ｔ １． ＜ハ４ｘ １ｏ１ｏ、 ６ Ｘ
１ ｏ”）テあり、かつ低銹電正接（ａ、５ｔｓ以下
）である。
で焼結し、高誘４率（１９６００以上、好ましくは１９
６００〜２１７００）であり、高絶縁抵抗（４Ｘ１０凰
０Ω以上、好ｔ １． ＜ハ４ｘ １ｏ１ｏ、 ６ Ｘ
１ ｏ”）テあり、かつ低銹電正接（ａ、５ｔｓ以下
）である。
なお、副成分の二酸化マンガンＭｎ０１は誘電圧接な小
さくする働きがあり、酸化ニッケルＮｉＯは絶縁抵抗を
高くする動きがある。
さくする働きがあり、酸化ニッケルＮｉＯは絶縁抵抗を
高くする動きがある。
以下、本発明を、実施例に基づいて説明する。
原料酸化物として酸化鉛ＰｂＯ１酸化鉄Ｆｅ１Ｏ，、酸
化タングステンＷＯｓ、酸化チタンＴｉｅ、、 酸化
ニオブＮｂ、 Ｏ，、二酸化マンガンＭｎＯ，及び酸化
ニッケルＮｉＯを用い、これ等を所定の配合比に配合す
る。次に、これ等の配合物を、ライカイ機により十分に
混合した。配合物を混合した後、温度８１０℃で２時間
仮焼した。（７００〜８５０°Ｃ１１〜３時間で仮焼で
きる） 仮焼後、この仮焼物を再びライカイ機くより粉砕し、約
ｔ ６ ｔｏｎ／ｊの圧力で（ｔ ３〜ｔ ９ ｔｏｎ
／１１の範囲で成形できる）、直径１５１！Ｂ、厚さ１
ｍの円板に成形した。そしてこの円板状の成形体を、温
度９００°Ｃの雰囲気中で２時間本焼結して焼結体とし
た。（８５０〜１０００°Ｃ，１〜５時間で焼結できる
。）本焼結した焼結体には、銀電極を焼付けた。
化タングステンＷＯｓ、酸化チタンＴｉｅ、、 酸化
ニオブＮｂ、 Ｏ，、二酸化マンガンＭｎＯ，及び酸化
ニッケルＮｉＯを用い、これ等を所定の配合比に配合す
る。次に、これ等の配合物を、ライカイ機により十分に
混合した。配合物を混合した後、温度８１０℃で２時間
仮焼した。（７００〜８５０°Ｃ１１〜３時間で仮焼で
きる） 仮焼後、この仮焼物を再びライカイ機くより粉砕し、約
ｔ ６ ｔｏｎ／ｊの圧力で（ｔ ３〜ｔ ９ ｔｏｎ
／１１の範囲で成形できる）、直径１５１！Ｂ、厚さ１
ｍの円板に成形した。そしてこの円板状の成形体を、温
度９００°Ｃの雰囲気中で２時間本焼結して焼結体とし
た。（８５０〜１０００°Ｃ，１〜５時間で焼結できる
。）本焼結した焼結体には、銀電極を焼付けた。
このようにして得られたミ器組成物の各特性を、第１表
に示した。なお、比透電率及び誘電損失は、周波数ＩＫ
Ｈｚ、温度２５°Ｃの条件下で測定した。
に示した。なお、比透電率及び誘電損失は、周波数ＩＫ
Ｈｚ、温度２５°Ｃの条件下で測定した。
また絶縁抵抗は、直流電圧１０００°Ｖを印加し、室温
下で測定した。
下で測定した。
第１表から明らかな通り、副成分として二酸化マンガン
ＭｎＯ，と酸化ニッケルＮｉＯを添加することにより絶
縁抵抗は約５倍以上、比誘心率はｔｏ５以上増加し、ｔ
ａｎδは５７９ 以下に減少した。
ＭｎＯ，と酸化ニッケルＮｉＯを添加することにより絶
縁抵抗は約５倍以上、比誘心率はｔｏ５以上増加し、ｔ
ａｎδは５７９ 以下に減少した。
なお、酸化ニッケルＮｉＯは、（ＬＯ５モル係未満かあ
るいは５モル係より多いとｔａｎδが１８倍以上に増加
し、また絶縁抵抗が１７５以下に低下するので、１０５
〜５モル係の範囲とする方がよいことがわかった。
るいは５モル係より多いとｔａｎδが１８倍以上に増加
し、また絶縁抵抗が１７５以下に低下するので、１０５
〜５モル係の範囲とする方がよいことがわかった。
第１表中の二酸化マンガンＭｎＯ，の添加量も、ＮｉＯ
と同様に（１０５〜５モル慢の範囲がよい。
と同様に（１０５〜５モル慢の範囲がよい。
従って、第１表の主成分ＣＰ ｂ （Ｆ ｅ＊７ｓ Ｗ
ｌ／Ａ） Ｏａ ３ｆ；（ＰｂＴｉＯｍ）ｙ（Ｐｂ（Ｆ
ｅｓ／ｍ Ｎｂ、／、）Ｏｓ 〕ｚの配合割合は、９０
〜９９．９モル慢の範囲がよい。好ましい配合割合は、
ＭｎＯ，ＣＬＯ５〜１モル幅、Ｎｉ０Ｑ、０５〜１モル
係、（Ｐ ｂ （Ｆｅｗ／ｓ Ｗｔ／ｓ ）Ｏｓ ）ｘ
（ＰｂＴｉＯ，ｌｙ（Ｐｂ （）’ｅ、／１ Ｎｂ、／
、 ）Ｏｎ 〕ｚ ９ ＆Ｏ〜９９．９％Ａ’ ％であ
る。なお、上記のＸ、Ｙ、Ｚは、以下のとおりである。
ｌ／Ａ） Ｏａ ３ｆ；（ＰｂＴｉＯｍ）ｙ（Ｐｂ（Ｆ
ｅｓ／ｍ Ｎｂ、／、）Ｏｓ 〕ｚの配合割合は、９０
〜９９．９モル慢の範囲がよい。好ましい配合割合は、
ＭｎＯ，ＣＬＯ５〜１モル幅、Ｎｉ０Ｑ、０５〜１モル
係、（Ｐ ｂ （Ｆｅｗ／ｓ Ｗｔ／ｓ ）Ｏｓ ）ｘ
（ＰｂＴｉＯ，ｌｙ（Ｐｂ （）’ｅ、／１ Ｎｂ、／
、 ）Ｏｎ 〕ｚ ９ ＆Ｏ〜９９．９％Ａ’ ％であ
る。なお、上記のＸ、Ｙ、Ｚは、以下のとおりである。
５０≦Ｘ≦９０モル係
５≦Ｙ≦４９モルチ
１ ≦Ｚ≦４５モル俤 Ｘ十Ｙ十Ｚ田１００モル憾
第１表 白Ｘ ： Ｐｂ （Ｆｅ、／、Ｗ、声０． 、 Ｙ ：
ＰｂＴｉ０．、 Ｚ：Ｐｂ（Ｆｅ、／、Ｐ’ｂ、〆）
０．。
第１表 白Ｘ ： Ｐｂ （Ｆｅ、／、Ｗ、声０． 、 Ｙ ：
ＰｂＴｉ０．、 Ｚ：Ｐｂ（Ｆｅ、／、Ｐ’ｂ、〆）
０．。
表中※印のものは本発明和合まれない組成物である。
以上述べたように本発明によれば、絶縁抵抗が大幅に増
加し、比誘電率が増加し、誘電圧接の低い低温焼結の高
銹電率磁器組成物が得られる。
加し、比誘電率が増加し、誘電圧接の低い低温焼結の高
銹電率磁器組成物が得られる。
７−′″＼
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、〔Ｐｂ（Ｆｅ＿２＿／＿３Ｗ＿１＿／＿３）Ｏ＿３
〕＿Ｘ〔ＰｂＴｉＯ＿３〕＿Ｙ〔Ｐｂ（Ｆｅ＿１＿／＿
２Ｎｂ＿１＿／＿２）Ｏ＿３〕＿Ｚで表わされる高誘電
率磁器組成物９０〜９９．９モル％、ＭｎＯ＿２０．０
５〜５モル％、酸化ニッケルＮｉＯ０．５〜５モル％か
らなることを特徴とする高誘電率磁器組成物。 但し、上記のＸ、Ｙ、Ｚは、以下の範囲であり、かつＸ
＋Ｙ＋Ｚ＝１００モル％である。 ５０≦Ｘ≦９０モル％ ５≦Ｙ≦４９モル％ １≦Ｚ≦４５モル％
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61169756A JPS6330364A (ja) | 1986-07-21 | 1986-07-21 | 高誘電率磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61169756A JPS6330364A (ja) | 1986-07-21 | 1986-07-21 | 高誘電率磁器組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6330364A true JPS6330364A (ja) | 1988-02-09 |
Family
ID=15892265
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61169756A Pending JPS6330364A (ja) | 1986-07-21 | 1986-07-21 | 高誘電率磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6330364A (ja) |
-
1986
- 1986-07-21 JP JP61169756A patent/JPS6330364A/ja active Pending
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