JPS63301518A

JPS63301518A - 堆積膜形成方法

Info

Publication number: JPS63301518A
Application number: JP13665787A
Authority: JP
Inventors: Masahiro Kanai; 正博金井
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1987-05-30
Filing date: 1987-05-30
Publication date: 1988-12-08

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】［産業上の利用分野］本発明は、機能性堆積膜、特に半導体デバイス、画像人
力用のライセンサ−５撮像デバイス、光超電力素子、電
子写真用の感光デバイスなどに用いられる非晶質乃至は
結晶質の堆積膜の結晶性および／または水素含有量を制
御するために好適な堆積膜形成方法に関する。

［従来技術］従来、非晶質乃至多結晶質の機能性膜は、所望される物
質的特性や用途等の観点から個々に適した成膜方法が採
用されている。

堆積膜の形成には、真空蒸着法、プラズマＣＶＤ法、熱
ＣＶＤ法、光ＣＶＤ法、反応性スパッタリング法、イオ
ンブレーティング法などが試みられており、−ＩＩ的に
は、プラズマＣＶＤ法が広く用いられ、企業化されてい
る。

しかしながら、これ等堆積膜形成方法によって得られる
堆積膜は、より高度な機能が求められる電子デバイスや
光電子デバイスへの適用が求められていることから、さ
らに電気的、光学的特性等を有する堆積膜を得るために
、任意に制御できる堆積膜形成方法が試みられている。

［発明が解決しようとする問題点］例えば、プラズマＣＶＤ法によるアモルファスまたは多
結晶シリコンの形成においては、シラン（ＳｉＨ２）と
水素（Ｈ２）との混合比や成膜時の圧力、放電パワー、
基板温度等を変化させることにより堆積膜の結晶性およ
び／または水素含有量を制御し、電気的、光学的特性等
を自在に制御している。

しかし、上記の方法では結晶性を高めるには水素流量を
増やし、放電パワーを大きくし、基板温度を高める方法
が良しとされているが、結晶性は向上しても、表面荒れ
や水素含有量の減少によるダングリングボンドの増加な
どの現象が生じ、その結果、デバイスとしての満足のゆ
く特性を有する多結晶シリコンの形成条件は、非常に限
られたものとなっている。

また、アモルファスシリコンの形成においても、水素流
量や、基板温度の変化によって水素含有量を変化させる
ことは出来るが、その結果、膜の微密性や電気的特性が
悪化するために、デバイスとして満足のゆく堆積膜の形
成条件が、限られたものとなっている。

［問題点を解決するための手段］本発明は、堆積膜形成手段および基体保持手段を設けて
おり、かつ、排気され真空状態となった成膜空間内にお
いて、前記基体保持手段上に設置した基体の表面もしく
は側面から３０ｍｍ以内の空間内で、基体方向を向いて
配設された細孔もしくはスリット状のガス放出孔を備え
た発熱体であるタングステン製パイプを発熱状態とし、
当該発熱状態のタングステン製パイプに水素ガスを流し
当該水素ガスを活性化し、生成した活性種としての原子
状水素を前記堆積膜形成手段によって、堆積膜が形成さ
れつつある前記基体表面上に、当該原子状水素の供給量
を変化させまたは／および供給位置を変化させて供給す
ることを特徴とする堆積膜形成方法に要旨が存在する。

［作用コ上記の本発明による堆積膜形成方法によれば、堆積膜の
結晶性および／または水素含有量の制御を、管理許容幅
も広く、大面積に亘り再現性良く行なうことができる。

本発明の方法によれば堆積膜形成手段とは別に堆積膜の
膜質を制御する手段としてのタングステン製パイプを備
え、ここで生成した原子状水素を基体表面上に供給でき
るため、堆積膜の形成条件を変化させることなく、原子
状水素の供給ユおよび供給位置を変化させるだけで堆積
膜の結晶性および／または水素含有量を制御することが
できる。したがって、同一基板内においても結晶性の異
なる領域や、水素含有量の異なる領域を同時に形成する
ことができる。また、堆積膜形成用の前駆体が、発熱し
ているタングステン製パイプの表面上を通過する確率を
上げるようにした場合には、前駆体と活性種との反応効
率を上げることができ、原料ガスの使用効率を高めるこ
とができる。

本発明において使用されるタングステン製パイプは、所
望の特性を必要とする基板の表面または側面から３０ｍ
ｍ以内に配設され、電流を流すことによって発熱する。

原子状水素を有効に生成させるための発熱温度としては
、好適には１００℃〜３０００℃、より好適には２ｏｏ
℃〜２５００℃、最適には５００℃〜２０００℃とされ
るのが望ましい。

タングステン製パイプ内には、タングステン製パイプ内
で生成した原子状水素が効率よく基体表面に供給される
ように、細孔もしくはスリット状のガス放出孔が、基体
方向を向いて開けられている。ガス放出孔の一つあたり
の面積は所望の特性を必要とする堆積膜の面積の他、他
の形成条件との有機的関係により、好適には０．５〜１
５０ｍ　ｍ’であることが望ましく、スリット状である
場合には、スリット巾は０．５〜５ｍｍ、スリット長さ
は好適には１ｍｍ以上、より好適には５ｍｍ以上である
ことが望ましい。

本発明において用いられる放電分解法による堆積膜形成
手段としては、ＤＣ１低周波、高周波、マイクロ波等の
放電分解によるいわゆるプラズマＣＶＤ法があげられる
。また、光分解による堆積膜形成手段としては、レーザ
ー、紫外線、赤外線を用いたいわゆる光ＣＶＤ法があげ
られる。

また、基体上に堆積膜を形成するための成膜空間に成膜
空間とは別に設けられた活性化空間（Ａ）において生成
される堆積膜形成用の原料となる前駆体と、成膜空間と
は別に設けられた活性化空間（Ｂ）において生成され、
前記前駆体と相互作用をする活性種とを夫々成膜空間へ
導入することによって堆積膜を形成する方法は特開昭６
ｏ−４１０４７号に提案されている。

前記方法においては、所望の堆積膜を形成するための成
膜パラメータが、導入する前駆体、活性種の導入量、基
板、堆積空間内の温度、堆積空間内の内圧であるため、
堆積膜形成のコントロールが容易になり、再現性、量産
性のある堆積膜を形成させることができる。

なお、本発明での「前駆体」とは、形成される堆積膜の
原料に成り得るものを云う。「活性種」とは、前記前駆
体と化学的相互作用を起こして例えば前駆体にエネルギ
ーを与えたり、前駆体と化学的に反応したりして、前駆
体がより効率よく堆積膜を形成出来る状態にする役目を
になうものを云う。したがって、活性種としては、形成
される堆積膜を構成する構成要素となる要素を含んでい
ても良く、あるいはその様な要素を含んでいなくとも良
い。

この活性種は、成膜空間で堆積膜を形成する際、活性化
空間（Ｂ）から堆積空間に導入される。また活性化空間
（Ａ）にて生成される前駆体は、堆積空間へ導入されて
前記活性種と相互作用を起こす。その結果、基体上に所
望の堆積膜が容易に形成される。

前記方法によれば、成膜空間内でプラズマを生起させな
いで堆積膜を形成でき、したがって、この堆積膜は、エ
ツチング作用、あるいはその他の例えば異常放電作用等
による悪影舌を受けることが実質的にない。また、本発
明によれば成膜空間の霊囲気温度、基体温度を所望に従
って任意に制御することに加え、タングステン製パイプ
を介して生成した原子状水素を堆積膜の形成されつつあ
る基体表面に供給することにより、安定して堆積膜の結
晶性および／または水素含有量を制御できるＣＶＤ法と
することができる。

本発明において使用される基体材料としては、絶縁体、
半導体、あるいは金属のいずれも用いることができる。

以下に本発明の堆積膜形成法についての具体的実施例を
挙げて説明する。

なお、本発明は本実施例に限定されるものではない。

［実施例］第１図は本発明を実施するにあたり好適な堆積膜形成装
置の模式的概略図である。

本装置には、成膜空間および成膜空間とは別に堆積膜形
成手段としての活性化室（Ａ）および活性化室（Ｂ）が
設けられている。

１０１は真空チャンバーであって、メイン真空バルブ１
２８およびメイン排気管１２９を介して不図示のポンプ
により真空チャンバー１０１は排気され、その時の圧力
は、圧力計１３２によってモニターされる。

１０９はタングステン製パイプであり、不図示の電源装
置に導線１１４、電流導入端子１１３、リード線１１２
を介して接続されており、電力が供給されタングステン
製パイプ１０９は発熱する。また、タングステン製パイ
プ１０９には、不図示のボンベより水素が配管１１５、
バルブ１１６、ガス分配管１１０、絶縁パイプ１１１を
介して水素が供給され、発熱しているタングステン製パ
イプ１０９内で上記水素が活性化され、生成した原子状
水素は、細孔またはスリット状のガス放出孔１３０を介
して基体方向に向って供給される。

１０４は、基体１０２を成膜時に適当な温度に加熱した
り、あるいは、成膜前に基体１０２を予備加熱したり、
さらには、成膜後、膜をアニールするために加熱する基
体加熱用ヒーターである。

基体加熱用ヒーター１０４には、導線１０５を介して温
度コントローラー１０８によって電力が供給される。１
０６は基体温度を測定制御するための熱電対であり、温
度コントローラー１０８に導線１０７を介して接続され
ている。　　また、基体１０２が設置される基体ホルダ
ー１０３は、固定治具１３１を用いてその位置を変化さ
せることができる。

また、真空チャンバー１０１には、活性化室（Ａ）１１
７および（Ｂ）１２２が接続され、活性化室（Ａ）には
、励起エネルギー発生袋首１１８が接続され、活性化室
（Ｂ）には、励起エネルギー発生公認１２３が接続され
ている。

活性化室（Ａ）１１７内には必要に応じて触媒等を詰め
、励起エネルギー発生公認１１８により供給される励起
エネルギーを作用させる。不図示のボンベより導入され
た前駆体生成用の原料ガスは、ガス供給パイプ１２０、
バルブ１２１を介して活性化室（Ａ）１１７に導入され
、前記励起エネルギーによって活性化され堆積膜形成用
の前駆体を生成し、さらに当該前駆体は導入管１１９よ
り成膜空間１２７へ導びかれる。

一方、活性化室（Ｂ）１２２では、必要に応じて触媒等
を詰め、励起エネルギー発生装置１２３により供給され
る励起エネルギーを作用させる。

不図示のボンベよりガス供給パイプ１２５、バルブ１２
６を介して導入された活性種生成用の原料ガスは、上記
励起エネルギー発生装置１２３より供給される励起エネ
ルギーの作用下で活性種を生成し、該活性種は導入管１
２４を介して成膜空間１２７へ導びかれる。

本発明の場合、基体１０２とタングステン製パイプ１０
９のガス放出孔１３０との距だ、および基体１０２と導
入管１１９，１２４のガス排出口どの距離は、形成され
る堆積膜の種類およびその所望される特性、ガス流量、
真空チャンバーの内圧等を考慮して適切な状態になる様
に決めることができる。

なお、活性化室（Ａ）、（Ｂ）ではなく、放電励起用の
電極または光エネルギー供給手段を設けた堆積膜形成装
置についても本実施例の装置構成と同様の構成で本発明
を実施することができる。

第２図は本発明を実施するにあたり、使用されるタング
ステン製パイプの模式図である。

第２図（ａ）に於いてタングステン製パイプ２０１には
、ガス放出孔としての細孔２０２が開けられている。ま
たタングステン製パイプ２０１にはリード線２０３が接
続されており、このリード線２０３は不図示の電源に電
流端子２０４を介して接続されており、タングステン製
パイプ２０１に電力が供給されることになり、このタン
グステン製パイプ２０１は発熱する。水素ガスは、ガス
分配管２０６、絶縁パイプ２０５を介してタングステン
製パイプ２０１内へ導入される。

ここで生成された原子状水素は図中矢印の方向へ放出さ
れる。

細孔の穴径、および穴間隔を変化させることにより原子
状水素の供給量および密度を変化させることができる。

第２図（ｂ）は、タングステン製パイプ２０１にガス放
出孔としてのスリット２０７を設けた例を示しており、
他の仕様は第２図（ａ）と同様である。また、スリット
の巾、および長さを変化させることにより、原子状水素
の供給量及び密度を変化させることができる。

（実施例１）第３図は、本発明の第１図に示した堆積膜形成装置によ
って作製したＴＰＴの概略的構成図である。

第３図において、ガラス基板３００上には、半導体層３
０１（第１層、厚さ５０００人）、リンを高濃度にドー
プしたｎ土層３０２（第２層、厚さ６００人）、絶縁層
３０３（第３層、厚さ１８００人）、およびＡＪ２のゲ
ート電極３０４、ソースおよびドレイン電極３０５，３
０５’　が形成されている。

以下に上記構成のＴＰＴの製造方法について説明する。

まず、コーニング＃７０５９ガラス基板３００を、真空
チャンバー１０１内の基体ホルダー１０３に設置し、メ
イン排気管１２９より排気し、真空チャンバー１０１内
の圧力を１Ｏ−６Ｔｏｒｒ程度とした。基体加熱用ヒー
ター１０４ヲｔＭｓ　度コントローラー１０８により加
熱し、基体温度を２５０℃に保持した。

半導体層３０１の堆積にあたっては、不図示のボンベよ
りＳ　ｉ　Ｆ４ガスを流量４０ｓｅｃｍでガス供給パイ
プ１２０、バルブ１１６を介して活性化室（Ａ）　１１
７内に導入した。このとき活性化室（Ａ）１１７内には
固体Ｓｉ粒か充填されていて、励起エネルギー発生装面
としての赤外線加熱炉１１８によりこの３１粒は、１１
５０℃に加熱されている。次に、不図示のボンベよりＨ
２ガス（Ａｒで２０％希釈）を流量１００　ｓ　ｅ　ｃ
　ｍで、ガス供給パイプ１２５、バルブ１２６を介して
活性化室（Ｂ）１２２内に導入した。

ただちに励起エネルギー発生装置としてのマイクロ波発
生装置１２３より、活性化室（Ｂ）１２２内に１６０Ｗ
のマイクロ波電力を供給した。これらの操作によって、
活性化室（Ａ）１１７および（Ｂ）１２２内に生じた前
駆体および活性種を導入管１１９，１２４を介して成膜
空間１２７内に導入し、内圧が０．８Ｔｏｒｒとなるよ
うメイン真空バルブ１２８の開度を調整しながら半導体
層３０１を形成した。

この半導体層の電子線回折パターンを測定したところ、
ハローであり非晶質であることが判明した。また、含有
水素量は８ａｔｏｍｉ　ｃ％であった。

この堆積膜を素材として、第３図に示すＴＰＴを作製し
た。ｎ＋層３０２および絶縁膜３０３は常法であるＲＦ
プラズマＣＶＤ法により形成した。

このようにして作製されたＴＰＴの実効キャリア８勅度
は０．　７　ｃｒｎ’／Ｖ　−ｓ　ｅ　ｃであった。

次に、半導体層３０１の形成の際に第２図（ａ）に示し
た形状のタングステン製パイプ１０９を基体端部両側よ
り４５°方向２０ｍｍの位置に配置して、１８００℃に
加熱し、水素ガスを４０ｓｅｃｍで導入した以外は前記
した方法と同様の操作で行なった。

この半導体層の電子線回折パターンを測定したところ、
（１１０）配向を示すスポット状で、強い配向が確認さ
れた。原子状水素が基体表面上を覆うことにより結晶化
が促進されたものと考えのられる。

この堆積膜を素材として、第３図に示すＴＰＴを作製し
た。ｎ＋層３０２、および絶縁Ｍ３ｏ３は常法であるＲ
ＦプラズマＣＶＤ法により形成した。

このようにして作製されたＴＰＴの実効キャリア穆勤度
は、１２ｃｒｎ’／Ｖ・５８０以上と良好であり、同−
基体内の特性分布も５％以下であった。

以上のように、基板表面上にタングステン製パイプを配
置し、このタングステン製パイプを加熱して、水素ガス
を導入することにより、堆積膜の結晶性を制御すること
ができた。

（実施例２）実施例１において、タングステン製パイプ１０９の加熱
温度を１７００℃とし、水素ガスを１０１０５ｅとした
以外は同様の操作で半導体層およびＴＰＴの形成を行っ
た。

この半導体層の含有水素量は１０ａｔｏｍｉｃ％であり
、原子状水素の供給によって非晶質シリコン中のダング
リングボンドの補償率が向上したためと考えられる。

この半導体層を用いて作製したＴＰＴの実効キャリア穆
動度は、タングステン製パイプを用いないものより１０
％以上向上した。

（実施例３）第１図において、堆積膜形成手段としての活性化室（Ａ
）および活性化室（Ｂ）のかわりに、基体ホルダー１０
３と対向して放電用電極（不図示）を設け、高周波プラ
ズマＣＶＤ装置とした以外は同様の装置構成で堆積膜の
形成を行った。

半導体層３０１の堆積にあたっては基体温度を２４０℃
とし不図示のボンベよりＳ　ｉ　Ｈ４ガスを流舒３０ｓ
ｃｃｍ、Ｈ２ガスを流量２０ｓｅｃｍで真空チャンバー
１０１内に導入し、内圧が０．５Ｔｏｒｒとなるようメ
イン真空バルブ１２８の開度を調整しながら高周波伝達
用電極（不図示）に高周波（１３，５８ＭＨｚ、実効出
力２０Ｗ）を印加して、プラズマを発生させる。

このプラズマＣＶＤ法によって半導体層３０１を形成し
た。

この半導体層の電子線回折パターンを測定したところハ
ローであり、非晶質であることが判明した。また、含有
水素量は１０ａｔｏｍｉｃ％であった。

この堆積膜を素材として、第３図に示すＴＰＴを作製し
た。ｎ４層３０２および絶縁膜３０３は常法であるＲＦ
プラズマＣＶＤ法により形成した。

このようにして作製されたＴＰＴの実効キャリア移動度
は０．　５　ｃｒｔ？／Ｖ　−ｓ　ｅ　ｃであった。

次に、半導体層３０１の形成の際に第２図（ｂ）に示し
た形状のタングステン製パイプ１０９を基体端部両側よ
り４０°方向１５ｍｍの位置に配置して、１８００℃に
加熱し、水素ガスを３０ｓｅｃｍで導入した以外は前記
した方法と同様の操作で行った。

この半導体層の電子線回折パターンを測定したところ（
１１０）配向を示すスポット状で、強い配向が確認され
た。原子状水素が基体表面上を覆うことにより結晶化が
促進されたものと考えられる。

この堆積膜を素材として、第３図に示すＴＰＴを作製し
た。０９層３０２および絶縁膜３０３は常法であるＲＦ
プラズマＣＶＤ法により形成した。

このようにして作製されたＴＰＴの実効キャリア移動度
は８　ｃｒｒ？／Ｖ−ｓ　ｅ　ｃ以上であり、同一基板
内の特性分布も５％以下であった。

以上のように、基板表面上にタングステン製パイプを配
置し、このタングステン製パイプを加熱して水素ガスを
導入することにより、堆積膜の結晶性を制御することが
できた。

（実施例４）実施例３において、タングステン製パイプ１０９の加熱
温度を１７００℃とし、水素ガスを１０１０５ｅとした
以外は同様の操作で半導体層およびＴＰＴの形成を行っ
た。

この半導体層の含有水素量は、１２ａｔｏｍｉＣ％であ
り、原子状水素の供給によって非晶質シリコン中のダン
グリングボンドの補償率が向上したためと考えられる。

この半導体層を用いて作製したＴＰＴの実効キャリア移
動度は、タングステン製パイプを用いないものより１２
％以上向上した。

（実施例５）第１図において、堆積膜形成手段としての活中生化室（
Ａ）および活性化室（Ｂ）のかわりに、基体ホルダー１
０３と対向した壁面に励起エネルギー光の導入窓および
低圧水銀灯（１５ｍＷ／ｃｒｎ’）（不図示）を設け、
光ＣＶＤ装蓋とした以外は同様の装置構成で堆積膜の形
成を行った。

半導体層３０１の堆積にあたっては基体温度を２５０℃
とし不図示のボンベより５ｉ２Ｈａガスを流′Ｈｋ２０
ｓｅｃｍ、Ｈ２ガスを流量１１０５ＣＱを、それぞれ真
空チャンバー１０１内に導入し、内圧が０．７Ｔｏｒｒ
となるようメイン真空バルブ１２８の開度を調整しなが
ら低圧水銀灯（図示せず）から１５ｍＷ／ａｍ’の光を
照射する。この光ＣＶＤ法によって半導体層３０１を形
成した。

この半導体層の電子線回折パターンを測定したところ、
ハローであり、非晶質であることが判明した。また、含
有水素ユは１２ｃｒｎｍｉｃ％であった。

このようにして作製されたＴＰＴの実効キャリア移動度
は０．８　ｃｒｎ”／Ｖ　−ｓ　ｅ　ｃであフた。

次に、半導体層３０１の形成の際に第２図（ｂ）に示し
た形状のタングステン製パイプ１０９を基体端部両側よ
り４０°方向２５ｍｍの位置に配置して、１８００℃に
加熱し、水素ガスを２５ｓｅｃｍで導入した以外は前記
した方法と同様の操作で行った。

この堆積膜を素材として、第３図に示すＴＰＴを作製し
た。ｎ“層３０２および絶縁膜３０３は常法であるＲＦ
プラズマＣＶＤ法により形成した。

このようにして作製されたＴＰＴの実効キャリア７Ｊ！
Ｊ１度は１０ｃｒｎ”／Ｖ・ｓｅｃ以上であり、同一基
板内の特性分布も５％以下であった。

（実施例６）実施例５において、タングステン製パイプ１０９の加熱
温度を１６５０℃とし、水素ガスを１５ｓｅｃｍとした
以外は同様の操作で半導体層およびＴＰＴの形成を行っ
た。

この半導体層の水素含有量は、１４ｃｒｎｍｉＣ％であ
り、原子状水素の供給によって非晶質シリコン中のダン
グリングボンドの補償率が向上したためと考えられる。

この半導体層を用いた作製してＴＰＴの実効キャリア移
動度は、タングステン製パイプを用いないものより１０
％以上向上した。

（実施例７）実施例１において、Ｓ　ｉ　Ｆ４ガスのかわりにＧｅＦ
４ガス３０ｓｅｃｍとし固体Ｓｔ粒のかわりに固体Ｇｅ
粒を活性化室（Ａ）１１７に充填し、５００℃に加熱し
た以外は同様の操作で主導体層３０１を形成した。

このとき、タングステン製パイプ１０９を基板端部片側
より４０゛方向１５ｍｍの位置に配置し、１８００℃に
加熱し、水素ガスを２５ｓｅｃｍ導入した。

このようにして形成した半導体層の電子線回折パターン
を測定したところ、タングステン製パイプ１０９の配置
されている側のパターンはスポット状であり、タングス
テン製パイプ１０９の配置されていない側のパターンは
（１１０）であった。このことから、本発明により同一
基板内において、結晶性の異なる堆積膜が容易に形成し
得ることがわかった。

（実施例８）実施例１において、タングステン製パイプ１０９を基体
表面上から２５ｍｍの距離に２０ｍｍ間隔で２本配置し
て、１７５０℃に加熱し、水素ガスを２５ｓｅｃｍで導
入した以外は同様の操作で半導体層３０１を形成した。

このようにして形成した半導体層を配置したタングステ
ン製パイプと垂直方向に、電子線回折により結晶性の評
価を行ったところ、２０ｍｍ間隔でハローと（１１０）
配向を示すスポットが現われた。

すなわち、本実施例では、同一基板内において結晶性の
異なる堆積膜が容易に形成し得ることがわかった。

［発明の効果］本発明の堆積膜形成方法によれば、従来の種々の堆積膜
形成方法によって形成される堆積膜の結晶性および／ま
たは水素含有量の制御を管理許容幅も広く、大面積に亘
り、再現性良く行なうことができる。

また、タングステン製パイプの位置、温度、ガス放出孔
の変化などによって、任意の面積において堆積膜の結晶
性および／または水素含有量を容易に制御できる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明を実施するにあたり好適な堆積膜形成
装置の模式的概略図、第２図は、本発明を実施するにあ
たり使用されるタングステン製パイプの模式図、第３図
は、本発明の実施例で形成されたＴＰＴの概略構成図で
ある。１０１・・・真空チャンバー、１０２・・・基体、１０
９・・・タングステン製パイプ、１１７・・・活性化室
（Ａ）、１１８，１２３・・・励起エネルギー発生装置
、１２２・・・活性化室（Ｂ）、１２７・・・成膜空間
、２０１・・・タングステン製パイプ、２０３・・・リ
ード線、２０４・・・電流導入端子、３００・・・基体
、３０１・・・半導体層、３０２・・・ｎ＋層、３０３
・・・絶縁層、１０３・・・基体ホルダー、１０４・・
・放出孔、１０５・・・導線、１０６・・・熱電対、１
０７・・・導線、１０８・・・温度コントローラー、１
１０・・・分配管、１１１・・・パイプ、１１２・・・
リード線、１１３・・・端子、１１４・・・導線、１１
５・・・配管、１１６・・・バルブ、１１９・・・導入
管、１２０・・・供給パイプ、１２１・・・バルブ、１
２４・・・排出口、１２５・・・パイプ、１２６・・・
バルブ、１２８・・・真空バルブ、１２９・・・排気管
、１３０・・・放出孔、１３１・・・固定治具、１３２
・・・圧力計。第２図第３図

Claims

【特許請求の範囲】

（１）堆積膜形成手段および基体保持手段を設けており
、かつ、排気され真空状態となった成膜空間内において
、前記基体保持手段上に設置した基体の表面もしくは側
面から３０ｍｍ以内の空間内で、基体方向を向いて配設
された細孔もしくはスリット状のガス放出孔を備えた発
熱体であるタングステン製パイプを発熱状態とし、当該
発熱状態のタングステン製パイプに水素ガスを流し当該
水素ガスを活性化し、生成した活性種としての原子状水
素を前記堆積膜形成手段によって、堆積膜が形成されつ
つある前記基体表面上に、当該原子状水素の供給量を変
化させまたは／および供給位置を変化させて供給するこ
とを特徴とする堆積膜形成方法。
（２）堆積膜形成手段内においては、堆積膜形成用原料
物質の放電分解、または光分解が行なわれる特許請求の
範囲第１項に記載の堆積膜形成方法。
（３）活性化空間（Ａ）および活性化空間（Ｂ）により
構成される堆積膜形成手段から、当該活性化空間（Ａ）
において生成される堆積膜形成用の原料となる前駆体と
当該活性化空間（Ｂ）において生成される活性種とが、
それぞれ成膜空間に導入される特許請求の範囲第１項に
記載の堆積膜形成方法。