JPS6329782B2 - - Google Patents

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JPS6329782B2
JPS6329782B2 JP55130547A JP13054780A JPS6329782B2 JP S6329782 B2 JPS6329782 B2 JP S6329782B2 JP 55130547 A JP55130547 A JP 55130547A JP 13054780 A JP13054780 A JP 13054780A JP S6329782 B2 JPS6329782 B2 JP S6329782B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
metal wire
electron beam
electron
diaphragm
beam device
Prior art date
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Expired
Application number
JP55130547A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS5652856A (en
Inventor
Jan Furima Haiko
Baruto Ru Hooru Jan
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Koninklijke Philips NV
Original Assignee
Koninklijke Philips Electronics NV
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Filing date
Publication date
Application filed by Koninklijke Philips Electronics NV filed Critical Koninklijke Philips Electronics NV
Publication of JPS5652856A publication Critical patent/JPS5652856A/ja
Publication of JPS6329782B2 publication Critical patent/JPS6329782B2/ja
Granted legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/02Details
    • H01J37/04Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement, ion-optical arrangement
    • H01J37/06Electron sources; Electron guns
    • H01J37/075Electron guns using thermionic emission from cathodes heated by particle bombardment or by irradiation, e.g. by laser

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Electron Sources, Ion Sources (AREA)
  • Electron Beam Exposure (AREA)
  • Lasers (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、 (a) エネルギービームによつて局部的に加熱さ
れ、かつ長手方向に移動可能である金属ワイヤ
を用いた陰極を有する電子源および (b) 前記金属ワイヤの付近に設けられて、この金
属ワイヤに対して正電位を担うビーム制限ダイ
ヤフラム を具える電子ビーム装置に関するものである。
この種の電子ビーム装置は、米国特許第
3745342号明細書から知られる。この明細書に開
示されている装置においては、例えば電子ビーム
またはレーザビームによつて加熱された金属ワイ
ヤが電子ビーム装置の陰極として用いられてい
る。
電子源の十分な耐用年数を確保するために、金
属ワイヤは使用の間においてその長手方向に移動
される。
前述されたような金属ワイヤの非常に細いライ
ンから現われる電子流は、小さい円形横断面を有
するワイヤの場合に、放出方向において比較的大
きな広がりを見せる。電子ビームの別調整のため
のレンズはラインの厚みに対して比較的大きい球
面収差を個有に有するために、ビーム制限ダイヤ
フラムは少なくとも一方向において小さな標的ス
ポツトを形成するに必要とされる。
しかしながら、大きな方向広がりによつて、こ
の種のダイヤフラムはビーム電流の不十分な部分
だけを通しがちである。当然に、これは多くの点
において不利である。したがつて、公知の電子ビ
ーム装置においては、電子源の十分な耐用年数を
得るために、達せられる標的スポツトの質に関し
て、言い換えればそのスポツトの最大電流密度お
よび最小大きさに関して制限が課されねばならな
い。
本発明の目的は、これらの制限が本質的に減ぜ
られ、したがつてより高い質の標的スポツトが実
現されて電子源の十分な耐用年数が維持される電
子ビーム装置を提供することにある。この目的の
ために、本発明による前述された種類の電子ビー
ム装置は、前記金属ワイヤが、前記ビーム制限ダ
イヤフラムに隣接する側に平坦化された表面を有
することを特徴とするものである。
電子ビームにおける方向広がりを減ずるために
は、金属ワイヤ付近に印加される強い収束磁界を
用いることができる。静電界の利用に関して、こ
の場合におおむね並行に配置されて相互に対して
大きな電位差を現わす2枚のプレート間に金属ワ
イヤを設けることができる。例えば、第1のプレ
ートは金属ワイヤに対して強い負であるととも
に、孔を有する第2のプレートは金属ワイヤに対
して強い正である。しかしながら、電位差が適当
な操作に対して実用的でない大きさになることが
見出されている。再調整に関して四重極の磁界を
用いることによつて除去することができる。しか
し、この解決には、磁場において金属ワイヤの位
置を非常に正確に定める必要がある。したがつ
て、電子源の安定性に影響を及ぼすことになる。
陰極付近のレンズに必要とされる強度もまた前述
の両解決に不都合な要因である。
本発明による電子ビーム装置の好ましい実施態
様において、放射される電子ビームが放射に関し
て一層小さい方向広がりを既に見せるように、金
属ワイヤの横断プロフイールを形作る。細長い形
状の商業上利用できる金属ワイヤは強い局部的加
熱の間において安定ではなくて、放出表面の位置
および形状はビーム制限ダイヤフラムに対して制
御されないあり方で変化することができることを
見出している。この場合に、放出された電子を運
び去るに必要な表面付近の電界は比較的に小さく
なる。知られるように、電場空間における表面の
電場強度は、表面の曲率の径に大いに依存する。
金属ワイヤの好ましい実施態様は、電子放出が生
じる領域において丸い金属ワイヤの外表面を平坦
化することによつて見出される。例えば、円形の
ワイヤを圧延することによつて、これを実現する
ことができる。平坦化の程度は、表面電場の強度
と残りの方向広がりとの間において到達される有
利な妥協を可能にする。ほぼ1.5から2.5までの長
円率が電子源の形状における満足な結果を与える
ことを見出している。
次に、本発明による電子ビーム装置の具体的実
施例を図面を参照しつつ説明する。
第1図に示されているように電子ビーム装置
は、ワイヤ陰極2と陽極スリーブ3とを有する電
子源1、他の陽極4、および収束(コンデンサ)
レンズ5から成つている。さらに、電子ビーム装
置は平面図に明確化のために示されている第1の
ダイヤフラム6、および同様に平面図に示されて
いる第2のダイヤフラム7を有している。第1の
ダイヤフラム6は電子光学レンズ系8によつて第
2のダイヤフラム7に像を映すことができる。こ
の像は、ビーム偏向装置9によつて、ビームの中
心をダイヤフラム孔の中心と一致させるために第
2のダイヤフラム7の平面において変位させるこ
とができる。この第2のダイヤフラム7によつて
通過される電子ビーム11のビーム部分10は、
非常に減ぜられた形で、切削される物体14の表
面13にコリメーテイング・レンズ12によつて
像を映すことができる。表面13を切削するため
に、ビーム偏光系15によつてビームはパターン
で表面を横切るように移位することができる。第
1のダイヤフラム6を、例えば、矩形として、ビ
ーム制限効果を有する2側面16に形成すること
ができる。この第1のダイヤフラム6は、この場
合においても矩形として形作られる第2のダイヤ
フラム7に像が映される。この第2のダイヤフラ
ム7の矩形の2側面17はまたビーム制限効果を
有するので、2個のダイヤフラムの後方で、第2
のダイヤフラム7の側面17と第1のダイヤフラ
ム6の像18とによつて形成されて調節可能な透
過孔19にビームが制限される。電子源1の機能
は、このビームにおいて高電流密度を実現するこ
とである。
この場合に、ワイヤ陰極2は金属ワイヤで形成
されており、この金属ワイヤの表面の少なくとも
1側面は平坦化され、第1図の平面に対して垂直
に延びていると仮定する。ビーム源22で発生し
てコイル23によつて方向づけられる電子ビーム
21によつて、孔20を介して、金属ワイヤが側
面から照射される。こうして、この金属ワイヤ
は、通常約2800℃の放出温度が使用されるのに対
して、例えばタングステンワイヤでは3400℃の温
度に局部加熱される。
第2図は第1図に示された好ましい実施例の電
子源1の図式的な透視図である。金属ワイヤは引
張力の影響を受けて動く。この引張力は長手方向
に働き、あらゆる場合に案内26を備えたリール
25および案内28を備えたリール27との間で
金属ワイヤを1直線に保つ。金属ワイヤの周囲に
は、2個の支持台29,30が配置されており、
これら支持台29,30の各々はV溝31,32
を備え、金属ワイヤを長手方向に正確に案内す
る。支持台29,30の金属ワイヤとの接触面
は、好ましくは金属ワイヤのプロフイールに適合
され、支持台29,30の間に金属ワイヤが回転
するのを防止するように形成されて、この結果平
坦化された部分は常に陽極スリーブ3において透
過孔34に向かつて正確に向けられたままであ
る。好ましくは支持台29,30は金属ワイヤと
適当な熱接触の状態にあり適当な熱伝導性を有す
る金属、例えば銀から作られる。支持台29,3
0の間において、陽極スリーブ3は金属ワイヤの
周囲に設けられ、この陽極スリーブ3は、例え
ば、0.5〜2mmの内径および、例えば、0.2〜0.5mm
の壁厚を有する中空円筒として形成されている。
陽極スリーブ3は本実施例では支持台29,30
とともに不可欠である。透過孔34は長手方向の
電子源1の大きさに関する要求に適合されて、例
えば50×500μmの大きさとされる。
操作の間、陽極スリーブ3は、例えば+300〜
+700Vの電位を担い、金属ワイヤの電位はゼロ
である。
本発明はミクロ回路用の電子ビーム切削装置に
関して開示されたものであるが、特に注目すべき
は、この装置の応用範囲が広く、例えば、正確に
定められた孔またはパターンの穴あけのような作
業をする材料にも適用できることである。
この種の装置では、所望により、標的スポツト
の長さおよび幅が刻まれるべき構造の一次元に適
合させることができ、その結果実質的に作業時間
が短縮される。ターゲツトスポツトの長さと幅は
第1図に関して説明されたような電子光学装置に
よつて決定することができる。従つて、正方形ま
たは細長い標的スポツトを円形孔(透過孔)34
でもつてさえ形成できる。
第3図には陰極ワイヤのプロフイールが示され
ている。第3a図には長円形の形でプロフイール
40が示され、この場合長円率は1.5である。放
出表面41は長円の最も平坦な部分に中心的に位
置され、金属ワイヤは加熱されるために例えば長
円の表面42上を照射される。第3b図に示され
るように、プロフイール43は放出表面として長
円表面44を有して反対側に位置される表面45
はなお円形である。第3c図には放射部(放出表
面)47が平坦な部分を有するプロフイール46
が示されている。この場合に反対側に位置される
表面48は放出面のように形成されることがで
き、または長円または円形であることもできる。
3種類のプロフイールは各々初めは丸いワイヤを
圧延させて形成することができ、放出部および反
対側に位置される部分との間の差は使用されるロ
ーラー表面の硬度および形状を適当に選択して得
られる。比較的大きなビーム誤差のためにあまり
多く応用するには適さないが、凹形の放出表面を
実現することも可能である。第3d図には長四角
形帯によるワイヤプロフイール49を示す。放出
表面50は僅かに丸くして、反対側に位置する表
面51は完全にまつすぐに保つことができ、この
ようにしてワイヤの適当なターゲツト表面を得る
ことができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の電子ビーム装置の実施例を示
す平面図、第2図はその装置の電子源の実施例を
示す透視図、第3図はその装置の電子源用陰極ワ
イヤの実施例を示す断面図である。 1……電子源、2……ワイヤ陰極、3……陽極
スリーブ、4……陽極、5……収束レンズ、6,
7……ダイヤフラム、8……電子光学レンズ系、
9……ビーム偏向、10……ビーム部分、11…
…電子ビーム、12……コリメーテイング・レン
ズ、13……表面、14……物体、15……ビー
ム偏向系、16,17……側面、18……像、1
9……透過光、20……孔、21……電子ビー
ム、22……ビーム源、23……コイル、25,
27……リール、26,28……案内、29,3
0……支持台、31,32……V溝、34……透
過孔、40,43,46,49……プロフイー
ル、41,44,47,50……放出表面、4
2,45,48,51……表面。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 (a) エネルギービームによつて局部的に加熱
    され、かつ長手方向に移動可能である金属ワイ
    ヤを用いた陰極を有する電子源および (b) 前記金属ワイヤの付近に設けられて、この金
    属ワイヤに対して正電位を担うビーム制限ダイ
    ヤフラム を具える電子ビーム装置において、 前記金属ワイヤは、前記ビーム制限ダイヤフ
    ラムに隣接する側に平坦化された表面を有する ことを特徴とする電子ビーム装置。 2 前記金属ワイヤは、実質においてほぼ1.5〜
    2.5の間の長円率を有する長円形の横断面を有す
    る ことを特徴とする特許請求の範囲第1項に記載の
    電子ビーム装置。 3 前記金属ワイヤの横断面は、放出側に関して
    前記平担化された表面を形成する平坦化されたプ
    ロフイールを有する ことを特徴とする特許請求の範囲第1項に記載の
    電子ビーム装置。 4 前記陰極に用いられる金属ワイヤは、圧延可
    能であるとともに、高い溶融温度およびその溶融
    温度付近において比較的低い蒸気圧を有する材料
    から成る ことを特徴とする特許請求の範囲第1項乃至第3
    項のいずれかに記載の電子ビーム装置。
JP13054780A 1979-09-19 1980-09-19 Electron beam unit Granted JPS5652856A (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
NL7906958A NL7906958A (nl) 1979-09-19 1979-09-19 Metaaldraadkathode voor elektronenstraalapparaat.

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JPS5652856A JPS5652856A (en) 1981-05-12
JPS6329782B2 true JPS6329782B2 (ja) 1988-06-15

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ID=19833868

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JP (1) JPS5652856A (ja)
BR (1) BR8008838A (ja)
CA (1) CA1151320A (ja)
DE (1) DE3034598C2 (ja)
FR (1) FR2466096A1 (ja)
GB (1) GB2059149B (ja)
IT (1) IT1141056B (ja)
NL (1) NL7906958A (ja)
SE (1) SE437585B (ja)
WO (1) WO1981000929A1 (ja)

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Publication number Publication date
IT1141056B (it) 1986-10-01
JPS5652856A (en) 1981-05-12
DE3034598C2 (de) 1985-05-15
DE3034598A1 (de) 1981-04-09
WO1981000929A1 (en) 1981-04-02
US4419561A (en) 1983-12-06
NL7906958A (nl) 1981-03-23
GB2059149B (en) 1984-01-18
SE8006463L (sv) 1981-03-20
GB2059149A (en) 1981-04-15
IT8024696A0 (it) 1980-09-16
BR8008838A (pt) 1981-06-30
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CA1151320A (en) 1983-08-02
FR2466096B1 (ja) 1984-12-14
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