JPS63297586A - 部分メッキ装置とそのprパルス電源装置 - Google Patents

部分メッキ装置とそのprパルス電源装置

Info

Publication number
JPS63297586A
JPS63297586A JP13159487A JP13159487A JPS63297586A JP S63297586 A JPS63297586 A JP S63297586A JP 13159487 A JP13159487 A JP 13159487A JP 13159487 A JP13159487 A JP 13159487A JP S63297586 A JPS63297586 A JP S63297586A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
plated
anode
cathode
pulse
plating
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP13159487A
Other languages
English (en)
Inventor
Yoichi Okuda
洋一 奥田
Susumu Takahashi
進 高橋
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
SANYU GIKEN KK
Original Assignee
SANYU GIKEN KK
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by SANYU GIKEN KK filed Critical SANYU GIKEN KK
Priority to JP13159487A priority Critical patent/JPS63297586A/ja
Publication of JPS63297586A publication Critical patent/JPS63297586A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Electroplating Methods And Accessories (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は金属などの表面の一部分のみをメッキする部分
メッキ装置とその電源に関する。更に詳しくは、半導体
などに用いられているリード(ビン)、コネクタビンな
どに使用される打抜条材への金、銀などの貴金属の部分
メッキ法に関する。
[従来技術] コネクタビン、ICのリード、リレー等電子部品、電気
部品の電気的接点は、空気中の酸素による酸化、放電な
どのため金属表面が腐食、劣化し電気的安定性が悪くな
る。このため、従来から含、銀、ロジウム等の貴金属を
fitiili的接触部分にメッキを施すことが行なわ
れている。とりわけ、低電圧で作動する半導体用リード
フレームのような端子には、設定された均一のメッキ厚
を確実に確保するために細心の技術が要求される。この
ため、信頼性の高いメッキ法が要求される。
一方、コネクタピンなどをメッキをする場合、接触しな
い部分に高価な貴金属をメッキすることは怠昧のないこ
とであり、省資源上からも問題がある。このため、従来
から部分メッキ法として各種のメッキ法が提案されてい
る。特公昭60−45278号公報には、合成ゴムの治
具により、端子のメッキを要する部分を残して、端子表
面を密着してはさみメッキを要する部分、すなわち端子
の相手部材との接触面と、その接触面の両開面および半
田付部接合面にのみ、メッキ液を噴射して端子を部分メ
ッキし、メッキ金属の節約を図るものが記載されている
また、特公昭60−41718号公報には、打抜条材の
一部を連続的に部分メッキするために、メツキネ要個所
にローラーでパラフィンを塗布してマスキングをし、そ
の後メッキを施して最終的にパラフィンを除去するメッ
キ方法が記載されている。
その他に、部分メッキ部分にマスキングのためにテープ
を貼着するマスキングテープ法(特公昭60 5831
4号公報等)などが知られている。
[発明が解決しようとする問題点] しかし、前記特公昭60−45278号公報に記載のも
のは構造物でマスキングするため、複雑でかつ変形しや
すいものをメ・・lキする場合、高価な治具が必要でか
つ完全にはマスキングできない問題点がある。また、連
続的なメッキ処理も困難である。また、特公昭60−4
1718号公報のようにローラーでマスキング剤を塗布
するものは、被メッキ材にマスキング用のローラーが直
接接触するため、変形しやすい被メッキ材の場合は変形
することもある。
変形を避けるためローラーの接触圧を下げるとマスキン
グ剤を均一に塗布できないという問題も生じる。また、
マスキング剤を除去する工程も必要となる。マスキング
テープ法も同様にテープを貼着する工程と、はがす工程
が必要であ葛。
本発明は、前記問題に鑑みて非接触方式及びPRパルス
電源装置を用いる事で、均一良好な部分メッキ皮膜を連
続高速で得られる部分メッキ装置を提供することにある
更に、本発明は前記部分メッキ装置に最適な正逆の断続
的なパルス電圧をかける方法を提供するものである。
[前記問題点を解決するための手段] 本発明は、前記問題点を解決するために以下の手段を採
る。
第1手段は、連続的に移送される被メッキ材と、該被メ
ッキ材の近傍に配置した陽極と、前記披メッキ材と前記
陽極の近傍に配置した陰極と、前記陽極に設けたメッキ
液を噴出するジェッI−噴出口と、前記陰極に設けられ
前記被メッキ材に近傍した透過膜と、該透過膜に区画し
て収納された電導性溶剤と、該電導性溶剤に挿入された
疑似陰極と、前記肢メッキ材と前記陽極との間及び前記
被メッキ材と前記疑似電極との間に設けたPRパルス電
源とからなる部分メッキ装置である。
第2手段は、連続的に移送される被メッキ材と、該被メ
ッキ材の近傍に配置した陽極と、前記波線メッキ材と前
記陽極の近傍に配置した陰極と、前記陽極に設けたメッ
キ液を噴出する噴出口と、前記陰極に設けられ前記被メ
ッキ材に近傍した透過膜と、該透過膜に区画して収納さ
れた電導性溶剤と、該電導性溶剤に挿入された疑似陰極
と、前記被メッキ材と前記陽極との間及び前記被メッキ
材と前記疑似陰極との間にPRパルス電源と、該P’R
パルス電源は前記被メッキ材と前記陽極との間のパルス
が正側パルス、前記被メッキ材と前記疑似電極との間の
パルスが前記正側パルスと逆方向の電圧である負側パル
スである部分メッキ装置用パルス電源装置である。
[作 用] 陽極から金メッキ液に圧力をかけてジエツ)・噴流を作
り噴流させる。このジエツ1〜噴流中に被メッキ材を移
動させる。この移動中にPRパルス電源装置を用い陽極
と被メッキ材と陰極との間に電圧をかける。金メッキ液
の中の金イオンは、陰極である被メッキに吸引されつつ
ジェット噴流が突き当たる。被メッキの接触部を中心に
メッキされる。このとき、金メッキ液は被メッキの被接
触部1p!!にも回り込む。しかし、被メツキ接触部付
近のメッキ液中の金属イオン電荷を電気的に中和し、高
速で被メッキ材の接触部のみ連続して高速メッキする。
[実施r!A] 以下、本発明の実施例を図面とともに説明する。第1図
に示すものは、本発明の部分メッキ装置1を実現した1
実施例である。第2図に示すものは、コ冬りタビンに使
用される板状体の打抜条材20である。金属製の板条材
を打抜き、曲げ加工して作られるものである。ICの高
密度化の流れになって端子21と端子間のピッチ、端子
21の幅、厚さは小寸法の傾向が強まっている。この端
子21は種々の形状が知られているが、本例では湾曲部
22を有している。
湾曲部22の外側は、接触部24があり、この接触部2
4は池のコ木りタピンと接触し、電気を導通させる接触
部分である。したがって、この接触部24には金がメッ
キされる。この裏面には、非接触部25があり、この部
分にはメッキは必要がない。端子21の根元部は連結部
23を有している。この連結部23は組立後、ジャリン
グ装置など周知の方法、装置で切断されるものである。
第1図に示す部分メッキ装置1の切断面を示す。陽極2
は、後述するPRパルス電源装置の陽極側に接続される
電極である。陽極2の間には、メッキ液を送るための流
路3は、メッキ液を加圧して送るジェット噴流4を流す
ためのものである。ジェット噴流4は吐出口5から吐出
される。
流路3は流量調整弁を介してポンプ装置に連結されてい
る(図示せず)。ジェット噴流の流量を調整できる。ジ
ェット流噴出し装置・白金などの貴金属の陽極板が浸さ
れている。本例では白金陽極板が設置されている。ジェ
ット噴流4が噴出する側には打抜条材20が配置されて
いる。本実施例では、打抜条材20の湾曲部22の外側
である連結される相手側に接触する接触面24が陽極2
側に向いている。接触面24には、金がメッキされる。
陽極2と対向する位置に打抜条材20を挾んで陰極10
が配置しである。打抜条材20は図示していないが、メ
ッキ中は公知の手段で連続的に搬送される。打抜条材2
0(tlJに最も近く位置にセラミックスI′A11が
位置されている。セラミ・ソクス膜11は、アルミナ系
等金属イオンをできる限り通さないように気孔が少ない
。通常のセラミ・ンクスであれば良い。本例では容器に
なっていて、外壁がセラミックス膜11である。セラミ
ックス膜11内には電導性溶剤12が満たしである。主
導性溶剤は、塩基性の溶剤であり周知の溶剤である。電
導性溶剤12内には疑似陰極13が挿入しである。
陽極2と打抜条材20間にはPR(peri。
dic  reverse  current)パルス
電源があり、陽極2と打抜条材20間に直流電圧がかけ
である。更に、打抜条材20と疑似電極13との間にも
同様に直流電圧がかけである。第3図に示すものは、本
実施例に用いるPRパルス電源の波形を示す、陽極2と
打板条材20との間の電圧の波形が上部の波形を示し、
打抜条材20と疑似電源15との間の電圧波形は下部の
波形を示す。数十Hzないし数千Hzの周波数で゛メッ
キを行う。
好ましくは、200〜2,500Hzが望ましい。この
電源のパルス幅は調整できるものである。すなわち、こ
の上記のプラス側のパルス幅はメッキに要する電力量と
なる。下方のマイナス側のパルスは打抜条材20と陰極
10との間を電気的に中和する電源である。この両者の
パルスは、一方が作動しているときは、他方が休止する
という関係がある。ただし、時間にして数μ秒〜数ナノ
秒程度両方の電源同時の休止時間Sが取っである。この
休止の時間Sは両方の電源が作動しているので、両型源
の電圧を互いに打ち消しあって休止時間Sとなる。この
休止時間Sは、本発明にとって必須のものではないが休
止時間を設けたほうがより望ましいメッキ面が得られる
。この休止時間Sを得るのに、前記実施例では+側のパ
ルスと一側のパルスを同時に作動させる時間を設けたが
、精密なスイッチング動作の制御ができれば単なるタロ
ツクを用いてクロック時間をカウントシてON −OF
 F $’l mする制御装置を十電源、〜電源に組み
込んで行うものでも良い。
1飢 上の構成により本実施例の部分メッキ装置は、次のよう
な作動になる。陽極2の流路3から金メッキ液に圧力を
かけてジェット噴流4を作り噴出口5から吐出する。こ
のジェット噴流4中に打抜条材20を移動させる。この
移動中にPRパルス電源装置を用い予め実験的に定めら
れた値に、極性変換サイクル及び周波数の調整をする。
この調整後、陽極2と打抜条材20と陰極5との間にし
て電圧をかける。金メッキ液の中の金イオンは、陰極・
陽極の作用をしながらの打抜部材20に吸引されつつジ
ェット噴流4が突き当たる。打抜条材20の接触部24
を中心にメ・・Iキされる。
このメッキ層の厚さは金メッキ液の噴射量、噴射時間、
電源パルスの通電電流・時間等によって調整する。この
とき、金メッキ液は打抜条材20の非接触部25p!に
も回り込む。しかし、打抜条材20の非接触部25(1
近のメッキ液中の金属イオン電荷を電気的に中和し、高
速で打抜条材20の接触部24のみ連続して高速メッキ
する。
及1昨 処理条件 1、メッキ液(株)メルテックス社製、商品名ロノベル
C 2、電流密度30A/’dm  、PRパルス電流3、
メッキ膜厚 Maxi、16μ、Mi no。
14μ ・、1.メッキ速度 250 m/H 5、パルス周波数 2500Hz ()、メ・ツキ厚 第4図(b)参照 第4図(a)に示すものは従来のローラー電極を用いた
場合の1例である。
[他の実施例] 前記した実施例の被メッキ材は、コネクタピンであるが
、前記実施例からも理解されるように、被メッキ材はコ
ネクタビンに限らず、池のどんな金属部品でも良い。更
に、メッキが可能なように処理されている材料であれば
合成樹脂布でも可能である。
[発明の効果コ 以上詳記したように、本発明により接触部の必要かつ最
小限の個所へのみ連続して高速で部分メッキが可能とな
った。また、メッキ厚も均一にできる。
【図面の簡単な説明】
第1図は、本発明の部分メッキ装置の構造を示す断面図
、第2図は被メッキ材のIW造を示す図、第3図(a)
は電源の波形を示す図、第3図(1〕)は電源のON、
OFF時間を示す図、第4図(a)は従来のローラ一式
のメッキ厚の例を示す図、第4図(b)は本発明の場合
のメッキ厚の例を示す図である。 1・・・部分メッキ装置、2・・・陽極、10・・・陰
極、11・・・セラミックス膜、13・・・疑似陰極、
15・・・PRパルス電源

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、連続的に移送される被メッキ材と、該被メッキ材の
    近傍に配置した陽極と、前記被メッキ材と前記陽極の近
    傍に配置した陰極と、前記陽極に設けたメッキ液を噴出
    するジェット噴出口と、前記陰極に設けられ前記被メッ
    キ材に近傍した透過膜と、該透過膜に区画して収納され
    た電導性溶剤と、該電導性溶剤に挿入された疑似陰極と
    、前記被メッキ材と前記陽極との間及び前記被メッキ材
    と前記疑似電極との間に設けたPRパルス電源とからな
    る部分メッキ装置。 2、前記特許請求範囲第1項記載において、前記透過膜
    がセラミックス膜であることを特徴とする部分メッキ装
    置。 3、連続的に移送される被メッキ材と、該被メッキ材の
    近傍に配置した陽極と、前記被メッキ材と前記陽極の近
    傍に配置した陰極と、前記陽極に設けたメッキ液を噴出
    する噴出口と、前記陰極に設けられ前記被メッキ材に近
    傍した透過膜と、該透過膜に区画して収納された電導性
    溶剤と、該電導性溶剤に挿入された疑似陰極と、前記被
    メッキ材と前記陽極との間及び前記被メッキ材と前記疑
    似陰極との間にPRパルス電源と、該PRパルス電源は
    前記被メッキ材と前記陽極との間のパルスが正側パルス
    、前記被メッキ材と前記疑似電極との間のパルスが前記
    正側パルスと逆方向の電圧である負側パルスである部分
    メッキ装置用パルス電源装置。 4、特許請求の範囲第3項記載において、前記正側パル
    スが休止中は前記負側パルスが動作していることを特徴
    とする部分メッキ装置用電源。
JP13159487A 1987-05-29 1987-05-29 部分メッキ装置とそのprパルス電源装置 Pending JPS63297586A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP13159487A JPS63297586A (ja) 1987-05-29 1987-05-29 部分メッキ装置とそのprパルス電源装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP13159487A JPS63297586A (ja) 1987-05-29 1987-05-29 部分メッキ装置とそのprパルス電源装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS63297586A true JPS63297586A (ja) 1988-12-05

Family

ID=15061706

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP13159487A Pending JPS63297586A (ja) 1987-05-29 1987-05-29 部分メッキ装置とそのprパルス電源装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS63297586A (ja)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4367123A (en) Precision spot plating process and apparatus
US4033833A (en) Method of selectively electroplating an area of a surface
KR890005858A (ko) 반도체장치의 제조방법 및 그 제조장치
ATE193337T1 (de) Elektrolytisches verfahren zur reinigung von elektrisch leitenden oberflächen
US3536594A (en) Method and apparatus for rapid gold plating integrated circuit slices
US3933615A (en) Fluid flow stripping and plating system
US4240880A (en) Method and apparatus for selectively plating a material
JP3289459B2 (ja) メッキ方法及びメッキ装置
US4483749A (en) Method and apparatus for plating minute parts
US3894918A (en) Methods of treating portions of articles
JPS63297586A (ja) 部分メッキ装置とそのprパルス電源装置
JP2006328448A (ja) 部分めっき装置及び部分めっき方法
TW538143B (en) Electrochemical treatment device and method for goods
US20040040863A1 (en) Systems for electrolytic removal of metals from substrates
JPS6214235B2 (ja)
JPS62127491A (ja) 部分メツキ方法及びその装置
JPS58217693A (ja) 微小部分銀メツキ処理物及びそのメツキ方法
JPS5931882A (ja) 浴中表面処理方法及びその装置
JP2576142B2 (ja) スプレー式エッチング方法
US11322400B2 (en) Roughening of a metallization layer on a semiconductor wafer
JPH02243800A (ja) リード端子の製造方法
JPS61204397A (ja) めつき装置
JP6740428B1 (ja) 電解剥離装置
KR20000012442A (ko) 반도체 패키지용 리드프레임 자재의 세정 방법
JPH07216585A (ja) メッキ装置