JPS6329238A - 板状体の表面欠陥検査方法および装置 - Google Patents
板状体の表面欠陥検査方法および装置Info
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- JPS6329238A JPS6329238A JP17150586A JP17150586A JPS6329238A JP S6329238 A JPS6329238 A JP S6329238A JP 17150586 A JP17150586 A JP 17150586A JP 17150586 A JP17150586 A JP 17150586A JP S6329238 A JPS6329238 A JP S6329238A
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Landscapes
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、塗膜面または薄膜面を有する板状体の表面欠
陥検査方法および装置に係り、特に、高密度ディスクの
塗膜表面上に存在する欠陥の自動検出に好適な板状体の
表面欠陥検査方法および装置に関するものである。
陥検査方法および装置に係り、特に、高密度ディスクの
塗膜表面上に存在する欠陥の自動検出に好適な板状体の
表面欠陥検査方法および装置に関するものである。
従来の磁気ディスクの表面欠陥検査方法は、特開昭６０
−１２３７０８号に記載のように、（、）欠陥による凹
面鏡効果と、（ｂ）アルミ面板の表面からの反射光の減
衰効果とに起因して照度分布に変動が生ずるという現象
を利用したものであっ次。すなわち、この方法は、磁気
ディスクの表面にその表面に対して傾斜角度を有する傾
斜平行照明光を照射し、この照明光による前記表面から
の反射光の照度分布を、散乱光を遮光する遮光光学系を
具備した光電変換手段によシ測定することによシ、梨地
状微小凹凸をなした前記表面に分布する、大きさに比べ
て深さが著しく浅い欠陥を検出する。
−１２３７０８号に記載のように、（、）欠陥による凹
面鏡効果と、（ｂ）アルミ面板の表面からの反射光の減
衰効果とに起因して照度分布に変動が生ずるという現象
を利用したものであっ次。すなわち、この方法は、磁気
ディスクの表面にその表面に対して傾斜角度を有する傾
斜平行照明光を照射し、この照明光による前記表面から
の反射光の照度分布を、散乱光を遮光する遮光光学系を
具備した光電変換手段によシ測定することによシ、梨地
状微小凹凸をなした前記表面に分布する、大きさに比べ
て深さが著しく浅い欠陥を検出する。
この方法によれば、光電変換手段に取シ付けた走査ピン
ホールの大きさは、欠陥の大きさと同程度にするのがよ
く、検出しようとする欠陥のうち最小のものに合わせて
ピンホール径を決定することによシ定まる。ピンホール
径を小さくすると、（１）光電変換手段への入射光量の
減少、（２）塗膜正常部の梨地状微小凹凸によるスペッ
クルノイズの影響によシ検出信号中のノイズ成分が増大
してくる。
ホールの大きさは、欠陥の大きさと同程度にするのがよ
く、検出しようとする欠陥のうち最小のものに合わせて
ピンホール径を決定することによシ定まる。ピンホール
径を小さくすると、（１）光電変換手段への入射光量の
減少、（２）塗膜正常部の梨地状微小凹凸によるスペッ
クルノイズの影響によシ検出信号中のノイズ成分が増大
してくる。
このため、上記従来技術においては、ピンホール径に比
して大きさが比較的大きく、塗膜の膜厚変化が著しく小
さい欠陥については、十分ない比（欠陥部の信号変化Ｓ
と正常部の信号変化Ｎとの比）が得られないという問題
があった。また、上記従来方式では、前述のごとくアル
ミ面板の表面からの反射光の減衰効果を利用しているが
、透過率の高い塗膜や、正常部の膜厚が薄い高密度ディ
スクの塗膜では、アルミ面板の表面からの反射光強度が
強くなり、欠陥部での信号変化が小さくなって、十分な
Ｓ／Ｎ比が得られないという問題があった。
して大きさが比較的大きく、塗膜の膜厚変化が著しく小
さい欠陥については、十分ない比（欠陥部の信号変化Ｓ
と正常部の信号変化Ｎとの比）が得られないという問題
があった。また、上記従来方式では、前述のごとくアル
ミ面板の表面からの反射光の減衰効果を利用しているが
、透過率の高い塗膜や、正常部の膜厚が薄い高密度ディ
スクの塗膜では、アルミ面板の表面からの反射光強度が
強くなり、欠陥部での信号変化が小さくなって、十分な
Ｓ／Ｎ比が得られないという問題があった。
本発明の目的は、上記従来技術の問題点を解決し、走査
ピンホール径に比して大きさが比較的大きく、塗膜の膜
厚変化が著しく小さい欠陥、および塗膜厚が薄く、かつ
、塗膜透過率の高い磁気ディスク表面上に存在する欠陥
を確実に検出する方法および装置を提供することにある
。
ピンホール径に比して大きさが比較的大きく、塗膜の膜
厚変化が著しく小さい欠陥、および塗膜厚が薄く、かつ
、塗膜透過率の高い磁気ディスク表面上に存在する欠陥
を確実に検出する方法および装置を提供することにある
。
上記目的は、被検査板状体表面に平行光を照射し、欠陥
部の塗膜厚変化によって生じる干渉光の強度変化を検出
することによシ達成される。すなわち、本願第１発明は
、被検査板状体表面にその表面に対して傾斜角度を有す
る傾斜平行照明光を照射し、塗膜表面および裏面からの
反射光によって生じる干渉光の強度変化を、光電変換手
段により測定することにより、板状体表面に分布する大
きさに比べて塗膜厚変化が著しく小さい欠陥の検出を可
能とする。
部の塗膜厚変化によって生じる干渉光の強度変化を検出
することによシ達成される。すなわち、本願第１発明は
、被検査板状体表面にその表面に対して傾斜角度を有す
る傾斜平行照明光を照射し、塗膜表面および裏面からの
反射光によって生じる干渉光の強度変化を、光電変換手
段により測定することにより、板状体表面に分布する大
きさに比べて塗膜厚変化が著しく小さい欠陥の検出を可
能とする。
また、本願第２発明は、上記目的達成のための手段とし
て、塗膜面または薄膜面を有する被検査板状体表面に、
その表面に対して傾斜角度をもって可干渉平行照明光を
照射する可干渉平行照明手段と、照射された塗膜または
薄膜の表面および裏面からの反射光の干渉によって生じ
る強度変化を検出する光電変換手段とを備えた板状体の
表面欠陥検査装置を提供する。
て、塗膜面または薄膜面を有する被検査板状体表面に、
その表面に対して傾斜角度をもって可干渉平行照明光を
照射する可干渉平行照明手段と、照射された塗膜または
薄膜の表面および裏面からの反射光の干渉によって生じ
る強度変化を検出する光電変換手段とを備えた板状体の
表面欠陥検査装置を提供する。
本願第１．第２発明は、表面に塗膜面または薄膜面を有
する板状体の表面、すなわち塗膜面または薄膜面に存在
する欠陥を検出する際に適用される。本発明を適用して
顕著な効果を示すものとして、磁気ディスクの塗膜の欠
陥検出がある。
する板状体の表面、すなわち塗膜面または薄膜面に存在
する欠陥を検出する際に適用される。本発明を適用して
顕著な効果を示すものとして、磁気ディスクの塗膜の欠
陥検出がある。
なお、本願第１．第２発明における光電変換手段には、
散乱光を遮光する遮光光学系を設けることが好ましい。
散乱光を遮光する遮光光学系を設けることが好ましい。
単波長、同位相の可干渉平行光を磁気ディスク、 ４
塗膜面に照射すると、塗膜表面からの反射光と塗膜裏面
、すなわちアルミ面板の表面からの反射光とが干渉を起
こす。干渉光の強度は、塗膜表面と裏面からの反射光の
光路差によって決−！シ、照明光の照射角度が一定であ
れば、塗膜厚さに依存する。本発明は、このような薄膜
の干渉を利用したもので、反射光の強度分布から、膜厚
の変化分布を検出して、欠陥を検出する。
、すなわちアルミ面板の表面からの反射光とが干渉を起
こす。干渉光の強度は、塗膜表面と裏面からの反射光の
光路差によって決−！シ、照明光の照射角度が一定であ
れば、塗膜厚さに依存する。本発明は、このような薄膜
の干渉を利用したもので、反射光の強度分布から、膜厚
の変化分布を検出して、欠陥を検出する。
照明光の波長なλ、入射角を１、塗膜の屈折率をｎとす
ると、塗膜の厚さがλ／ ２ ｎ ｏｏｓ （ｓｉｎ−
’（ｓｉｎ ｉ／ｎ ） ）変わるごとに干渉縞が一本
づつ現われる。たとえば、屈折率が１．６の塗膜表面を
入射角６０°、波長α６３２８μｍのＨｅ−Ｎｅレーザ
光で照射した場合には膜厚が０，２４μｍ変化するごと
に干渉縞が一本づつ現われる。したがって［１１μｍ程
度の膜厚変化までは、本方式で十分検出が可能である。
ると、塗膜の厚さがλ／ ２ ｎ ｏｏｓ （ｓｉｎ−
’（ｓｉｎ ｉ／ｎ ） ）変わるごとに干渉縞が一本
づつ現われる。たとえば、屈折率が１．６の塗膜表面を
入射角６０°、波長α６３２８μｍのＨｅ−Ｎｅレーザ
光で照射した場合には膜厚が０，２４μｍ変化するごと
に干渉縞が一本づつ現われる。したがって［１１μｍ程
度の膜厚変化までは、本方式で十分検出が可能である。
明瞭な干渉縞を得るためには、塗膜表面からの反射光と
裏面からの反射光強度とが同等になれば膚い。これは、
照明光の入射角および塗膜面に対する照明光の偏光方向
を適当に選ぶことにより調節することができる。
裏面からの反射光強度とが同等になれば膚い。これは、
照明光の入射角および塗膜面に対する照明光の偏光方向
を適当に選ぶことにより調節することができる。
以上、本発明によれば、塗膜厚の変化を干渉光の強度変
化として検出するため、従来技術では検出が困難であっ
た、走査ピンホール径に比して大きさが比較的大きく、
塗膜の膜厚変化が著しく小さい欠陥、および塗膜厚が薄
く、かつ、透過率が高い塗膜上の欠陥を容易に検出でき
る。
化として検出するため、従来技術では検出が困難であっ
た、走査ピンホール径に比して大きさが比較的大きく、
塗膜の膜厚変化が著しく小さい欠陥、および塗膜厚が薄
く、かつ、透過率が高い塗膜上の欠陥を容易に検出でき
る。
以下、本発明の一実施例を第１図〜第４図にょシ説明す
る。
る。
第１図は本発明を実施するための基本的な構成を示す概
念図である。同図において、本実施例は、磁気ディスク
１上に配置されて、可干渉平行照明系２．遮光光学系３
および光電変換器４を備えて構成される。
念図である。同図において、本実施例は、磁気ディスク
１上に配置されて、可干渉平行照明系２．遮光光学系３
および光電変換器４を備えて構成される。
磁気ディスク１は、厚さ２ｍｍで表面を鏡面状に仕上げ
たアルミ面板５と磁性粉、塗膜補強材、樹脂の混合物か
ら成る厚さ１μｍの塗膜６で構成されている。塗膜６の
表面には、製造過程の種々の要因によシ僅かな膜厚変化
を伴なう微小凹凸欠陥が発生する。７はこれらの欠陥の
うちクレータ状の欠陥を示したものである。
たアルミ面板５と磁性粉、塗膜補強材、樹脂の混合物か
ら成る厚さ１μｍの塗膜６で構成されている。塗膜６の
表面には、製造過程の種々の要因によシ僅かな膜厚変化
を伴なう微小凹凸欠陥が発生する。７はこれらの欠陥の
うちクレータ状の欠陥を示したものである。
可干渉平行照明系２は、レーザ源８とビームエキスパン
ダ９よシ構成され、単波長で同位相の可干渉平行光１０
を塗膜６の表面に照射する。塗膜６０表面に可干渉平行
光１０を照射すると、この照明光の一部は塗膜表面で反
射し、残りは塗膜６を透過してアルミ面板５の表面で反
射した後、再び塗膜６を透過して塗膜表面に出てくる。
ダ９よシ構成され、単波長で同位相の可干渉平行光１０
を塗膜６の表面に照射する。塗膜６０表面に可干渉平行
光１０を照射すると、この照明光の一部は塗膜表面で反
射し、残りは塗膜６を透過してアルミ面板５の表面で反
射した後、再び塗膜６を透過して塗膜表面に出てくる。
この塗膜表面からの反射光とアルミ面板からの反射光の
光路差によシ塗膜表面からは干渉光１１が発生する。
光路差によシ塗膜表面からは干渉光１１が発生する。
塗膜６において、正常部では膜厚が一定であり、欠陥部
ンでは膜厚が僅かに変化する。したがって、塗膜正常部
では塗膜表面とアルミ面板表面からの反射光の光路差が
常に一定となり、干渉光１１の強度も一定となる。これ
に対し欠陥部７では膜厚変化に応じて干渉光１１の強度
が変化する。この欠陥部７の干渉光強度変化を検出する
ことによシフ 。
ンでは膜厚が僅かに変化する。したがって、塗膜正常部
では塗膜表面とアルミ面板表面からの反射光の光路差が
常に一定となり、干渉光１１の強度も一定となる。これ
に対し欠陥部７では膜厚変化に応じて干渉光１１の強度
が変化する。この欠陥部７の干渉光強度変化を検出する
ことによシフ 。
僅かな膜厚変化を伴なう塗膜上の微小欠陥の検出が可能
となる。なお、１２は、欠陥部７の膜厚変化によって生
じた干渉縞である。
となる。なお、１２は、欠陥部７の膜厚変化によって生
じた干渉縞である。
干渉光１１の強度変化は、遮光光学系３を具備した光電
変換器４によ）検出する。遮光光学系６は波線で示した
散乱光１３の影響を除去し、干渉光１１の強度変化のみ
を正確に抽出するために配設したもので、２枚のピンホ
ール（またはスリット）１４．１５によ）構成しである
。
変換器４によ）検出する。遮光光学系６は波線で示した
散乱光１３の影響を除去し、干渉光１１の強度変化のみ
を正確に抽出するために配設したもので、２枚のピンホ
ール（またはスリット）１４．１５によ）構成しである
。
第２図は光電変換器４から出力される欠陥部７の検出信
号例を示したものである。（ａ）は本発明による検出信
号例、（ｂ）は従来方式による検出信号例である。
号例を示したものである。（ａ）は本発明による検出信
号例、（ｂ）は従来方式による検出信号例である。
両者を比較した場合、（ａ）に示した本発明による検出
波形は、従来の（ｂ）で示した波形に干渉による波形が
重ね合わされた形になっている。干渉波形が加算された
分だけ、従来方式に比べて本発明による検出方式の方が
Ｓ／Ｎ比が高くなり、従来方式では検出が困難であった
欠陥の検出も本発明による検出では可能となる。
波形は、従来の（ｂ）で示した波形に干渉による波形が
重ね合わされた形になっている。干渉波形が加算された
分だけ、従来方式に比べて本発明による検出方式の方が
Ｓ／Ｎ比が高くなり、従来方式では検出が困難であった
欠陥の検出も本発明による検出では可能となる。
つぎ忙、本発明の表面欠陥検査方法を適用して磁気ディ
スク塗膜面等の被検査試料の面の欠陥検出を行々う外観
検査装置の例について、第６図および第４図を参照して
説明する。
スク塗膜面等の被検査試料の面の欠陥検出を行々う外観
検査装置の例について、第６図および第４図を参照して
説明する。
第３図において、本発明を適用した外観検査装置は、直
進テーブル１６上に、スピンドル１７を回転させて磁気
ディスク１を回転させるモータ１９と、該モータ１９の
回転角を検知するロータリエンコーダ２１とが設けて１
Ｌまた、該直進テーブル１６には、直進駆動用のモータ
１８と、この直進ストロークを検出するリニアエンコー
ダ２゜とが連結しである。
進テーブル１６上に、スピンドル１７を回転させて磁気
ディスク１を回転させるモータ１９と、該モータ１９の
回転角を検知するロータリエンコーダ２１とが設けて１
Ｌまた、該直進テーブル１６には、直進駆動用のモータ
１８と、この直進ストロークを検出するリニアエンコー
ダ２゜とが連結しである。
上記ロータリエンコーダ２１は、スピンドル１７０回転
角に対応するパルス間隔でパルスを出力し、この出力は
、カウンタ２５９分周回路２６およびＡ／Ｄ変換器２３
に入力される。また、リニアエン：ｌ−１１０は、直進
テーブル１６の直進ストローク、すなわち、光電変換器
４と磁気ディスク１との半径方向の相対偏位に対応する
パルスを出力し、カウンタ２４に送る。これらは、欠陥
の位置を検出するための機能として作用する。
角に対応するパルス間隔でパルスを出力し、この出力は
、カウンタ２５９分周回路２６およびＡ／Ｄ変換器２３
に入力される。また、リニアエン：ｌ−１１０は、直進
テーブル１６の直進ストローク、すなわち、光電変換器
４と磁気ディスク１との半径方向の相対偏位に対応する
パルスを出力し、カウンタ２４に送る。これらは、欠陥
の位置を検出するための機能として作用する。
また、この外観検査装置の要部である欠陥検出機能とし
て、磁気ディスク１上に盤面を臨んで光電変換器４が配
置されるとともに、この光電変換器４の出力を増幅する
増幅器２２と、ｋ０変換器２３と、ディジタル化された
信号を処理する信号処理器２９．３０と、上記両信号処
理器に対して閾値を設定する閾値設定器３１と、処理さ
れた信号を記憶するメモリ３３とを有している。
て、磁気ディスク１上に盤面を臨んで光電変換器４が配
置されるとともに、この光電変換器４の出力を増幅する
増幅器２２と、ｋ０変換器２３と、ディジタル化された
信号を処理する信号処理器２９．３０と、上記両信号処
理器に対して閾値を設定する閾値設定器３１と、処理さ
れた信号を記憶するメモリ３３とを有している。
つぎに、上記のように構成される外観検査による欠陥検
査について説明する。
査について説明する。
欠陥検出は、磁気ディスク１を直進テーブル１６上に設
けたスピンドル１７に取シ付け、駆動モータ１８および
１９によシ光電変換器４に対して螺旋状に走査して行な
う（第４図）。この検出動作により、光電変換器４から
は塗膜面の干渉光強度に応じて第２図（ａ）のごとき検
出信号が増幅器２２に、リニアエンコーダ２０からは直
進テーブル１６のＲ座標がカウンタ２４に、ロータリエ
ンコーダ２１からはスピンドル１７（磁気ディスク１）
のθ座標がカウンタ２５に出力される。
けたスピンドル１７に取シ付け、駆動モータ１８および
１９によシ光電変換器４に対して螺旋状に走査して行な
う（第４図）。この検出動作により、光電変換器４から
は塗膜面の干渉光強度に応じて第２図（ａ）のごとき検
出信号が増幅器２２に、リニアエンコーダ２０からは直
進テーブル１６のＲ座標がカウンタ２４に、ロータリエ
ンコーダ２１からはスピンドル１７（磁気ディスク１）
のθ座標がカウンタ２５に出力される。
光電変換器４からの検出信号は、増幅器２２で増幅した
後、Ａ／Ｄ変換器２５に入力する。Ａ／Ｄ変換器２３に
おいては、ロータリエンコーダ２１からの出力信号をク
ロックとして用い、検出信号をＶＤ変換して信号処理器
２９および信号処理器３０に出力する。
後、Ａ／Ｄ変換器２５に入力する。Ａ／Ｄ変換器２３に
おいては、ロータリエンコーダ２１からの出力信号をク
ロックとして用い、検出信号をＶＤ変換して信号処理器
２９および信号処理器３０に出力する。
信号処理器２９．３０ではＡ／Ｄ変換器２３からのＥＯ
Ｃ信号が入力するごとに検出信号の最大値。
Ｃ信号が入力するごとに検出信号の最大値。
最小値の判定と更新および差の演算を行ない、分周回路
２６ 、 ｏｄｄ回路２７ 、 ｅｖｅｎ回路２８を介
して創成したゲート信号時間内の検出信号変化量の絶対
値と闇値設定器３１によシ設定した閾値を比較し、闇値
よシ大きい場合のみ書き込み命令３４によりメモリ３３
に信号変化量の絶対値を書き込む。
２６ 、 ｏｄｄ回路２７ 、 ｅｖｅｎ回路２８を介
して創成したゲート信号時間内の検出信号変化量の絶対
値と闇値設定器３１によシ設定した閾値を比較し、闇値
よシ大きい場合のみ書き込み命令３４によりメモリ３３
に信号変化量の絶対値を書き込む。
この時、カウンタ２４，２５からＯＲ座標を欠陥の位置
情報として用いる。
情報として用いる。
本発明によれば、磁気ディスクの表面にその表面に対し
て傾斜角度を有する可干渉平行照明光を照射し、塗膜表
面および裏面からの反射光によって生じる干渉光の強度
変化を、散乱光を遮光する遮光光学系を具備した光電変
換手段により測定することによシ、磁気ディスク表面に
分布する大きさに比べて塗膜変化が著しく小さい欠陥の
検出が可能となシ、特に従来技術では検出が困雛であっ
た走査ピンホール径に比して大きさが比較的大きく、塗
膜の膜厚変化が著しく小さい欠陥、および塗膜厚が薄く
、かつ透過率の高い磁気ディスク塗膜表面上に存在する
欠陥を容易に検出できるようになった。
て傾斜角度を有する可干渉平行照明光を照射し、塗膜表
面および裏面からの反射光によって生じる干渉光の強度
変化を、散乱光を遮光する遮光光学系を具備した光電変
換手段により測定することによシ、磁気ディスク表面に
分布する大きさに比べて塗膜変化が著しく小さい欠陥の
検出が可能となシ、特に従来技術では検出が困雛であっ
た走査ピンホール径に比して大きさが比較的大きく、塗
膜の膜厚変化が著しく小さい欠陥、および塗膜厚が薄く
、かつ透過率の高い磁気ディスク塗膜表面上に存在する
欠陥を容易に検出できるようになった。
第１図は本発明の基本構成を示す概念図、第２図は（ａ
）本発明による検出信号例と、（ｂ）従来方式による検
出信号例を示す波形図、第３図は本発明を適用した検査
装置の一実施例の構成を示すブロック図、第４図は欠陥
検出の際の走査状態を示す説明図である。 １・・・磁気ディスク ２・・・可干渉平行照明系
３・・・遮光光学系 ４・・・光電変換器５・・
・アルミ面板 ６・・・塗膜７・・・クレータ状
欠陥 ８・・・レーザ源９・・・ビームエキスパンダ １０・・・可干渉平行光 １１・・・干渉光１２・・
・干渉縞 １３・・・散乱光１４．１５・・・
ピンホール １６・・・直進テーブル １７・・・スピンドル１８
．１９・・・モータ ２ｏ・・・リニアエンコーダ２
１・・・ロータリエンコーダ ２２・・・増幅器 ２３・・・Ａ／Ｄ変換器２
４．２５・・・カウンタ ２６・・・分周回路２７−＝
ｏｄｄ回路 ２８−０．ｅｖｅｎ回路２９．５
０・・・信号処理器 ３１・・・閾値設定器 ３２・・・ＯＲ回路３３・
・・７’ ％ ’） ３４−書き込み命令２
町丁渉子行９腓５ フルミ面扱 １１ 干渉光３
應光ρ！！Ｇ＃＃ ４ 九電畑券 ７７Ｌ−夕杖欠陥 第 １ 図 第 ２ 口 （（ａ） ＜ｂ） 度 ズー一一→−
）本発明による検出信号例と、（ｂ）従来方式による検
出信号例を示す波形図、第３図は本発明を適用した検査
装置の一実施例の構成を示すブロック図、第４図は欠陥
検出の際の走査状態を示す説明図である。 １・・・磁気ディスク ２・・・可干渉平行照明系
３・・・遮光光学系 ４・・・光電変換器５・・
・アルミ面板 ６・・・塗膜７・・・クレータ状
欠陥 ８・・・レーザ源９・・・ビームエキスパンダ １０・・・可干渉平行光 １１・・・干渉光１２・・
・干渉縞 １３・・・散乱光１４．１５・・・
ピンホール １６・・・直進テーブル １７・・・スピンドル１８
．１９・・・モータ ２ｏ・・・リニアエンコーダ２
１・・・ロータリエンコーダ ２２・・・増幅器 ２３・・・Ａ／Ｄ変換器２
４．２５・・・カウンタ ２６・・・分周回路２７−＝
ｏｄｄ回路 ２８−０．ｅｖｅｎ回路２９．５
０・・・信号処理器 ３１・・・閾値設定器 ３２・・・ＯＲ回路３３・
・・７’ ％ ’） ３４−書き込み命令２
町丁渉子行９腓５ フルミ面扱 １１ 干渉光３
應光ρ！！Ｇ＃＃ ４ 九電畑券 ７７Ｌ−夕杖欠陥 第 １ 図 第 ２ 口 （（ａ） ＜ｂ） 度 ズー一一→−
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、塗膜面または薄膜面を有する被検査板状体表面に、
その表面に対して傾斜角度を有する傾斜平行照明光を照
射し、当該表面にある塗膜または薄膜の表面および裏面
からの反射光の干渉によって生じる強度変化を、光電変
換手段により検出することにより、被検査板状体表面の
欠陥を検出することを特徴とする板状体の表面欠陥検査
方法。 ２、磁気ディスクを被検査板状体とした特許請求の範囲
第１項記載の板状体の表面欠陥検査方法。 ３、塗膜面または薄膜面を有する被検査板状体表面に、
その表面に対して傾斜角度をもって可干渉平行照明光を
照射する可干渉平行照明手段と、照射された塗膜または
薄膜の表面および裏面からの反射光の干渉によって生じ
る強度変化を検出する光電変換手段とを備えて構成する
ことを特徴とする板状体の表面欠陥検査装置。 ４、上記光電変換手段に、散乱光を遮光する遮光光学系
を設けた特許請求の範囲第３項記載の板状体の表面欠陥
検査装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17150586A JPS6329238A (ja) | 1986-07-23 | 1986-07-23 | 板状体の表面欠陥検査方法および装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17150586A JPS6329238A (ja) | 1986-07-23 | 1986-07-23 | 板状体の表面欠陥検査方法および装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6329238A true JPS6329238A (ja) | 1988-02-06 |
Family
ID=15924352
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17150586A Pending JPS6329238A (ja) | 1986-07-23 | 1986-07-23 | 板状体の表面欠陥検査方法および装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6329238A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6411377B1 (en) | 1991-04-02 | 2002-06-25 | Hitachi, Ltd. | Optical apparatus for defect and particle size inspection |
| KR100374762B1 (ko) * | 1998-07-28 | 2003-03-04 | 히다치 덴시 엔지니어링 가부시키 가이샤 | 결함 검사 장치 및 그 방법 |
| JP2009080033A (ja) * | 2007-09-26 | 2009-04-16 | Nippon Steel Corp | 表面検査方法及び表面検査装置 |
-
1986
- 1986-07-23 JP JP17150586A patent/JPS6329238A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6411377B1 (en) | 1991-04-02 | 2002-06-25 | Hitachi, Ltd. | Optical apparatus for defect and particle size inspection |
| US7037735B2 (en) | 1991-04-02 | 2006-05-02 | Hitachi, Ltd. | Apparatus and method for testing defects |
| US7098055B2 (en) | 1991-04-02 | 2006-08-29 | Hitachi, Ltd. | Apparatus and method for testing defects |
| US7443496B2 (en) | 1991-04-02 | 2008-10-28 | Hitachi, Ltd. | Apparatus and method for testing defects |
| US7639350B2 (en) | 1991-04-02 | 2009-12-29 | Hitachi, Ltd | Apparatus and method for testing defects |
| US7692779B2 (en) | 1991-04-02 | 2010-04-06 | Hitachi, Ltd. | Apparatus and method for testing defects |
| US7940383B2 (en) | 1991-04-02 | 2011-05-10 | Hitachi, Ltd. | Method of detecting defects on an object |
| KR100374762B1 (ko) * | 1998-07-28 | 2003-03-04 | 히다치 덴시 엔지니어링 가부시키 가이샤 | 결함 검사 장치 및 그 방법 |
| JP2009080033A (ja) * | 2007-09-26 | 2009-04-16 | Nippon Steel Corp | 表面検査方法及び表面検査装置 |
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