JPS63291427A

JPS63291427A - バンプ付フィンガ−リ−ド担持体の製法

Info

Publication number: JPS63291427A
Application number: JP62126533A
Authority: JP
Inventors: Shigenari Takami; 茂成高見; Tatsuhiko Irie; 達彦入江; Jiro Hashizume; 二郎橋爪
Original assignee: Matsushita Electric Works Ltd
Current assignee: Panasonic Electric Works Co Ltd
Priority date: 1987-05-23
Filing date: 1987-05-23
Publication date: 1988-11-29

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔技術分野〕この発明は、半導体素子実装のためのバンプを有するフ
ィンガーリードが担持体上に配列担持されたバンプ付フ
ィンガーリード担持体を得る方法に関する。

〔背景技術〕

半導体素子に対する結線の方法の一つとして、バンプ（
突起電極）を用いた、いわゆる、ギヤングボンド法があ
る。ギヤングボンド法にも種々の態様があるが、その中
でも、長尺のキャリヤテープ上に配列担持されたフィン
ガーリードと半導体素子との間の接続を上記バンプで行
う、いわゆる、ＴＡＢ法が、量産性等の点で優れている
。

一般的なＴＡＢ法における、フィンガーリードとバンプ
の接続を、第４図および第５図（ａ）〜（Ｃ１に示す。

第４図のものは、長尺のキャリヤテープ（主にポリイミ
ドテープ）６にフィンガーリード５・・・を配列担持さ
せ、半導体素子７′の上記フィンガーリードに対応する
位置には複数のパン１３′・・・を形成しておいて、両
者を加熱、加圧することで接合するものである。フィン
ガーリード５の材料としては銅等が用いられ、バンプ３
′としては、図の一点鎖線円中に示したような多層構造
のものが用いられる。すなわち、半導体素子７′表面に
形成されたＡＩ電極７ａ上に、Ｃｒ、Ｔｉ等からなるバ
リアＦｉ３’ａ、　Ｎ　ｉ、　Ｃｕ等からなる接着層３
’ｂ、および、ＡｕＪ”Ｊ３’ｃで構成されたパン１３
′が使用されるのである。

しかし、この方法では、通常のワイヤーボンディング用
半導体素子に較べ、バンプを形成する分だけ半導体素子
のコストが上昇する、と言う問題がある。

第５図＋ａ）〜（Ｃ）のものは、あらかじめ、他の基板
１′上に形成しておいたバンプ３″・・・を、長尺のキ
ャリヤテープ６上に配列担持されたフィンガーリード５
・・・に転写したあと、これを半導体素子７に加熱、加
圧することで接合する、いわゆる、転写バンプ法である
。この方法は、半導体素子７として通常のワイヤーボン
ディング用半導体素子を使える、と言う点で有利である
。しかし、バンプ３″のフィンガーリード５への転写時
と、バンプ３″の半導体素子７への接合時の二度にわた
って位置合わせをしなければならず、位置ズレの発生す
る恐れがその分だけ増大する、と言う問題がある。

〔発明の目的〕

この発明は、上記事情に鑑みてなされたものであって、
バンプ、フィンガーリードおよび半導体素子の間の位置
精度を高（保つことができ、かつ、高価な半導体素子を
使用する必要のないバンブ付フィンガーリード担持体を
得る方法を提供することを目的としている。

〔発明の開示〕

上記目的を達成するため、この発明は、バンプを有して
半導体素子の実装に使用されるフィンガーリードが配列
担持された担持体を得るにあたり、前記フィンガーリー
ドとバンプとを、あらかじめ、前記担持体とは別の基板
上で所定の配列に積層形成することで作っておき、この
積層物を前記担持体上に転写、配列させるようにするこ
とを特徴とするバンプ付フィンガーリード担持体の製法
を要旨としている。

以下に、この発明を、その一実施例をあられす図面を参
照しつつ、詳しく説明する。

なお、フィンガーリードとこれに設けられるバンプとを
、あらかじめ、所定の配列に積層形成するための基板Ｉ
は、形成されるバンプやフィンガーリードを容易に剥離
できるような材料からなっていることが望ましい。また
、これらバンプやフィンガーリードを電解メッキで基板
１上に形成するためには、これら基板１は導電性を有し
ている必要がある。上記のような条件を満足するものと
しては、たとえば、ＩＴＯ等の透明導電膜を表面に形成
したガラス基板や、ステンレス等の金属基板が挙げられ
るが、それ以外のものを用いるようであってもよい。

まず、第１図（ａ）〜（ｈ）の実施例について、説明す
る。

第１図＋８）にみるように、基板１表面にバンプの形状
に対応するエツチングレジストＭ２を形成し、エツチン
グを行って、バンプの形状を有する凹部１ａ・・・を形
成する。− この実施例では、基板１として、ステンレス等の金属基
板が使用されているが、このようにすることが好ましい
。なぜなら、表面に透明導電膜が形成されたガラス基板
では、凹部を形成すると、その凹部内の導電性が失われ
てしまい、導電性を得るためには、改めて、凹部内面に
透明導電膜を形成しなければならないからである。エツ
チングレジストＮ２の材料は、基板１の材料と、それに
通したエツチング処理の種類により、適宜選択すればよ
い。

凹部１ａの寸法、つまり、バンプの形状や寸法は、従来
と同じでよい。すなわち、たとえば、直径２０〜１００
ｎφ、深さ１０〜４Ｏｎ程度の円筒形とすることができ
る。

基板１表面に形成されたエツチングレジスト層２を、そ
のままメンキレジストとして使用し、基板１に通電しな
がら、凹部１ａ・・・内に電解メッキ処理によってＡｕ
層を積層する。そして、凹部１ａをＡｕ層によって完全
に埋め、バンプ３・・・を形成する（第１図（ｂ））。

基板１表面のエツチングレジスト層２を除去しく第１図
（Ｃ））、その表面にフィンガーリードの形状に対応す
る新たなメツキレシスト層４を形成する（第１図（ｄｌ
）。

メツキレシストＮ４としても、通常使用されているもの
を用いることができる。

再び基板１に通電しながら、メツキレシスト層４が形成
されていない基板１表面の露出部分に、今度は電解メッ
キ処理によってＣｕ層を積層してフィンガーリード５・
・・を形成（第１図（ｅ））　したあと、メンキレジス
ト層４を除去（第１図（ｆ））するそして、表面に粘着
剤層６ａが形成された長尺のキャリヤテープ６を圧着し
く第１図（ｇ））、このキャリヤテープ６を基板１から
引き剥がすと、フィンガーリード５が、先端にバンプ３
を付けたまま基板１から剥離される。そうすると、第１
図（ｈ）にみるように、担持体たる長尺のキャリヤテー
プ６にバンプ３付フインガーリード５が配列担持された
パンツ付フィンガーリード担持体が得られるのである。

なお、図中６ｂは、実装される半導体素子よりも大きい
開口部であって、この実施例では、バンプ３が形成され
たフィンガーリード５の先端を、この開口部６ｂに突出
させるよう、フィンガーリード５を配置している。この
ようにし、半導体素子７とバンプ３との接合の際に、こ
の開口部６ｂ内に半導体素子７を入れるようにすれば、
キャリヤテープ６の存在が接合操作の邪魔にならないか
らである。しかし、この開口部６ｂは、必ずしも必要な
ものではない。

つぎに、第２図（ａ）〜（幻記載の別の実施例について
、説明する。

まず、基板１上に、フィンガーリードの形状に対応する
メンキレジスト層４を形成する（第２図（ａ））。

基板１に通電しながら、メツキレシスト層４が形成され
ていない基板１表面の露出部分に、電解メッキ処理によ
ってＣｕ層を積層してフィンガーリード５・・・を形成
する（第２図山））。

フィンガーリード５の厚みは、メツキレシスト層４と同
じになるようにする。このようにすれば、後工程でフィ
ンガーリード５の上にメツキレシストを形成する工程が
容易になるからである。

フィンガーリード５およびメツキレシスト層４の上にバ
ンプの形状に対応する凹部４’　ａ・・・を有するメン
キレジスト層４′を形成する（第２図（Ｃ））。

再び基板１に通電しながら、今度は凹部４’　ａ・・・
内に電解メッキ処理によってＡｕ層を積層する。

そして、凹部４’　ａをＡｕ層によって完全に埋め、バ
ンプ３・・・を形成（第２図（ｄｌ）　したあと、メツ
キレシスト層４，４′を全て除去する（第２図（ｅ））
。

そして、表面に粘着剤Ｎ６ａが形成された長尺のキャリ
ヤテープ６を圧着しく第２図（ｆ））、このキャリヤテ
ープ６°を基板１から引き剥がすと、フィンガーリード
５が、先端にバンプ３を付けたまま基板ｌから剥離され
る。そうすると、第２図（幻にみるように、担持体たる
長尺のキャリヤテープ６にバンプ３付フインガーリード
５が配列担持されたパンツ付フィンガーリード担持体が
得られるのである。

なお、図中６ｂは、先の実施例同様、実装される半導体
素子よりも大きい開口部であって、この実施例では、バ
ンプ３が、キャリヤテープ６の方を向いているため、半
導体素子実装の必要上、必ず設けられている必要がある
。

つぎに、第３図（ａ）〜（Ｃ）記載の実施例について、
説明する。

この実施例では、基板１上にバンプ付フィンガーリード
を積層形成するまでの工程は、先の第２図（ａｌ〜ｔｇ
＋の実施例と同じである。したがって、ここでは、それ
以降の工程について、説明する。

まず、上記のようにして積層形成されたパンプ３付フイ
ンガーリード５上に、表面に粘着剤層８ａが形成された
回路用絶縁基板８を圧着する（第３図（ａ））。

回路用絶縁基板８としては、セラミック基板、積層板等
、通常のものが使用できる。

なお、この実施例では、バンプ３が、回路用絶縁基板８
の方を向いているため、半導体素子実装の必要上、回路
用絶縁基板８には、先のキャリヤテープと同様に、開口
８ｂが設けられている。

つぎに、この回路用絶縁基板８を基板１から引き剥がす
と、フィンガーリード５が、先端にバンプ３を付けたま
ま基板１から剥離すると、担持体たる回路用絶縁基板８
にバンプ３付フインガーリード５が配列担持されたパン
ツ付フィンガーリード担持体が得られる（第３図（ｂ）
）。

得られたパンツ付フィンガーリード担持体に対し、前記
開口８ｂの側から半導体素子７を加熱。

加圧して接合すれば、半導体素子の回路用絶縁基板８へ
の実装が完了する（第３図（Ｃ））。

以上のように、この発明のパンツ付フィンガーリード担
持体の製法は、ＴＡＢ法だけでなく、半導体素子の基板
への直接実装、すなわち、ハイブリッドＩＣの製造にも
適用できる。そして、その場合には、回路用絶縁基板８
表面に、直接にフィンガーリードやバンプを形成する際
に問題となる導体エツジのピンホールの問題を解消でき
るようになるのである。

なお、これまでは、以上の実施例にもとづいてのみ、こ
の発明のバンプ付フィンガーリード担持体の悪法を説明
してきたが、この発明は上記実施例に限定されるもので
はない。

たとえば、第１図（ａ）〜（ｈ）の実施例においては、
前述したようにキャリヤテープ６に開口部６ｂが形成さ
れていなくてもよい。また、フィンガーリード５とバン
プ３が第１図（ａ）〜（ｈ）の構成で担持体が回路用絶
縁基板であるような組み合わせも考えられる。フィンガ
ーリード５とバンプ３は、第１図（ａｌ〜（ｈ）や第２
図（ａ）〜（ｇ）以外の順序、構成で積層されるようで
あってもよい。その配列も上記各実施例には限定されな
い。バンプやフィンガーリードの形成は電解メッキ以外
の方法によっても構わない。

要するに、バンプを有して半導体素子の実装に使用され
るフィンガーリードが配列担持された担持体を得るにあ
たり、前記フィンガーリードとバンプとを、あらかじめ
、前記担持体とは別の基板上で所定の配列に積層形成す
ることで作っておき、この積層物を前記担持体上に転写
、配列させるようになっているのであれば、その他の構
成は特に限定されないのである。

〔発明の効果〕

この発明のバンプ付フィンガーリードの製法は、以上の
ようであり、バンプを有して半導体素子の実装に使用さ
れるフィンガーリードが配列担持された担持体を得るに
あたり、前記フィンガーリードとバンプとを、あらかじ
め、前記担持体とは別の基板上で所定の配列に積層形成
することで作っておき、この積層物を前記担持体上に転
写、配列させるようになっているため、バンプ、フィン
ガーリードおよび半導体素子の間の位置精度を高く保つ
ことができ、かつ、高価な半導体素子を使用する必要が
ない。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明の一実施例をあられす図であって、同
図（ａ）は基板表面にバンプに相当する凹部を形成した
状態を説明する説明図、同図（ｂ）は凹部内にバンプを
形成した状態を説明する説明図、同図（Ｃ）はエツチン
グレジストを除去した状態を説明する説明図、同図（ｄ
）は基板表面にメツキレシストを形成した状態を説明す
る説明図、同図（ｅ）は基板表面にフィンガーリードを
形成した状態を説明する説明図、同図（ｆ）はメンキレ
ジストを除去した状態を説明する説明図、同図（幻はキ
ャリヤテープを圧着する様子を説明する説明図、同図（
ｈ）はフィンガーリードとバンプとを基板から剥離しバ
ンプ付フィンガーリードを完成した状態を説明する説明
図、第２図はこの発明の別の実施例をあられす図であっ
て、同図（ａ）は基板表面にメンキレジストを形成した
状態を説明する説明図、同図（ｂ）は基板表面にフィン
ガーリードを形成した状態を説明する説明図、同図（Ｃ
１はフィンガーリードの上にさらにメツキレシストによ
り凹部を形成した状態を説明する説明図、同図（ｄｌは
凹部内にバンプを形成した状態を説明する説明図、同図
（ｅ）はメンキレジストを除去した状態を説明する説明
図、同図（ｆ）はキャリヤテープを圧着する様子を説明
する説明図、同図（ｇ）はフィンガーリードとバンプと
を基板から剥離しバンプ付フィンガーリードを完成した
状態を説明する説明図、第３図はこの発明のさらに別の
実施例をあられす図であって、同図（ａ）は回路用絶縁
基板を圧着する様子を説明する説明図、同図（ｂ）はフ
ィンガーリードとバンプとを基板から剥離しバンプ付フ
ィンガーリードを完成した状態を説明する説明図、同図
（Ｃ）は半導体素子を接合した状態を説明する説明図、
第４図は従来例を説明する説明図、第５図（ａ）〜（Ｃ
）は従来の別の例を説明する説明図である。１・・・基板　３・・・バンプ　５・・・フィンガーリ
ード６．８・・・担持体　７・・・半導体素子代理人　
弁理士　　松　本　武　彦第３図（ａ）（ｂ）（ｃ）第１図（ａ）（ｂ）（ｃ）〜（ｅ）（ｆ） θ７りね４第２（ａ）（ｂ）（ｊ−）

Claims

【特許請求の範囲】

（１）バンプを有して半導体素子の実装に使用されるフ
ィンガーリードが配列担持された担持体を得るにあたり
、前記フィンガーリードとバンプとを、あらかじめ、前
記担持体とは別の基板上で所定の配列に積層形成するこ
とで作っておき、この積層物を前記担持体上に転写、配
列させるようにすることを特徴とするバンプ付フィンガ
ーリード担持体の製法。
（２）担持体には実装される半導体素子よりも大きい開
口部が設けられており、フィンガーリードが、バンプの
形成された先端をこの開口部に突出させるようにして前
記担持体上に配列される特許請求の範囲第１項記載のバ
ンプ付フィンガーリード担持体の製法。
（３）担持体が可とう性を有する長尺のキャリヤテープ
である特許請求の範囲第１項または第２項記載のバンプ
付フィンガーリード担持体の製法。
（４）担持体が回路用絶縁基板である特許請求の範囲第
１項または第２項記載のバンプ付フィンガーリード担持
体の製法。