JPS63290964A - ラテックス粒子を利用した抗原測定方法及びその装置 - Google Patents
ラテックス粒子を利用した抗原測定方法及びその装置Info
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- JPS63290964A JPS63290964A JP12732387A JP12732387A JPS63290964A JP S63290964 A JPS63290964 A JP S63290964A JP 12732387 A JP12732387 A JP 12732387A JP 12732387 A JP12732387 A JP 12732387A JP S63290964 A JPS63290964 A JP S63290964A
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Landscapes
- Investigating Or Analysing Materials By The Use Of Chemical Reactions (AREA)
- Investigating, Analyzing Materials By Fluorescence Or Luminescence (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本う４明はラテックス粒子を利用した抗原１１１］定方
法及びその装置に関する。
法及びその装置に関する。
（従来の技術）
従来、抗原を感度良く測定する方法と１７では、ＲＩＡ
（ラジオイムノアッセイ）法やＥ Ｉ Ａ （Ｒ素免疫
測定）法が用いられている。いずれの方法も測定対象た
る抗原に対する第一抗体を試験管内部あるいはガラスピ
ーズ等に固定し、測定対象たる抗原と反応させて抗原第
一抗体複合物を形成する。次いでＥＩＡ法ではラジオア
イソトープ（放射性同位元素）で、またＥＩＡ法では酵
素でそれぞれ標識した第二抗体を作用させ抗原第一抗体
標識第二抗体複合物を形成する。更に、過剰の標識第二
抗体をアスピレーション又はデカンテーションにて除去
ｊ７、更に洗浄する。そ（〜でＲＩＡ法では抗原第一抗
体標識第二抗体のラジオアイソｌ−−プを１ｒｔｌｌ定
し、捷たＥＩＡでは標識に用いた酵素に対する基質を作
用させその吸光度を測定することにより抗原の量を求め
ている。
（ラジオイムノアッセイ）法やＥ Ｉ Ａ （Ｒ素免疫
測定）法が用いられている。いずれの方法も測定対象た
る抗原に対する第一抗体を試験管内部あるいはガラスピ
ーズ等に固定し、測定対象たる抗原と反応させて抗原第
一抗体複合物を形成する。次いでＥＩＡ法ではラジオア
イソトープ（放射性同位元素）で、またＥＩＡ法では酵
素でそれぞれ標識した第二抗体を作用させ抗原第一抗体
標識第二抗体複合物を形成する。更に、過剰の標識第二
抗体をアスピレーション又はデカンテーションにて除去
ｊ７、更に洗浄する。そ（〜でＲＩＡ法では抗原第一抗
体標識第二抗体のラジオアイソｌ−−プを１ｒｔｌｌ定
し、捷たＥＩＡでは標識に用いた酵素に対する基質を作
用させその吸光度を測定することにより抗原の量を求め
ている。
（発明が解決しようとする問題点）
しかしながら、ＲＩＡ法では放射性’４ｆｉ＋質を用（
・るため被曝の危険が大きいこと、放射性同位元素の自
然崩壊により放射性試薬の長期保存が出来ないこと、試
薬が高１曲なこと、シンチレーションカウンタ等設備や
機器が高価なことなどの欠点がある。ｉｆ、たＥＩＡ法
では基質との反応が必要であるため測定操作が繁雑であ
りしかも測定精度が劣るという欠点がある。
・るため被曝の危険が大きいこと、放射性同位元素の自
然崩壊により放射性試薬の長期保存が出来ないこと、試
薬が高１曲なこと、シンチレーションカウンタ等設備や
機器が高価なことなどの欠点がある。ｉｆ、たＥＩＡ法
では基質との反応が必要であるため測定操作が繁雑であ
りしかも測定精度が劣るという欠点がある。
（問題点を解決するための手段）
本発明は上記従来の欠点を除去すべくなされｌ二もので
、このため本発明による抗原測定方法は、比重の違いを
利用して上層から下層へ順次形成した反応層とｊ信号発
生層とを有する反応容器を用意し、該反応容器の反応層
にて被１１１１定抗原に対する第一の抗体を感ｉ”ｒ
Ｌだ磁性体を含むラテックス粒子（第一抗体感作磁性ラ
テックス粒子という）と１、被測定抗原に対する第二の
抗体を感作した螢光色素を含むラテックス粒子（第二抗
体感作螢光ラテックス粒子という）とを反応させ、反応
容器の下部に設けた電磁石により磁性及び螢光をもった
抗原抗体複合物及び単独の第一抗体感作磁性ラテックス
粒子を反応層より信号発生層へ吸引ソートし、信号発生
層へ励起光を投入し、磁性及び螢光をもった抗原抗体複
合物中の螢光を励起し、検出器にて該励起された螢光量
を＋ｆｌｌＪ定することによシ被測定抗原鍵を測定する
ことを特徴とする。
、このため本発明による抗原測定方法は、比重の違いを
利用して上層から下層へ順次形成した反応層とｊ信号発
生層とを有する反応容器を用意し、該反応容器の反応層
にて被１１１１定抗原に対する第一の抗体を感ｉ”ｒ
Ｌだ磁性体を含むラテックス粒子（第一抗体感作磁性ラ
テックス粒子という）と１、被測定抗原に対する第二の
抗体を感作した螢光色素を含むラテックス粒子（第二抗
体感作螢光ラテックス粒子という）とを反応させ、反応
容器の下部に設けた電磁石により磁性及び螢光をもった
抗原抗体複合物及び単独の第一抗体感作磁性ラテックス
粒子を反応層より信号発生層へ吸引ソートし、信号発生
層へ励起光を投入し、磁性及び螢光をもった抗原抗体複
合物中の螢光を励起し、検出器にて該励起された螢光量
を＋ｆｌｌＪ定することによシ被測定抗原鍵を測定する
ことを特徴とする。
又、本発明による抗ｌつ測定装置は、比重の違いを利用
して上層から下層へ順次形成した反応層と信号発生層と
を有する反応容器と、該反応容器の下部に設けた電磁石
と、該反応容器の１ｄ号発生層へ容器側壁を介して励起
光を投入するよう設けられた励起光光源と、該信号発生
層より容器１）１１１壁を介して励起光量を検出するだ
めの検出器と、該検出器からの出力信号を処理する信号
処理装置とを備えた事を特徴とする。
して上層から下層へ順次形成した反応層と信号発生層と
を有する反応容器と、該反応容器の下部に設けた電磁石
と、該反応容器の１ｄ号発生層へ容器側壁を介して励起
光を投入するよう設けられた励起光光源と、該信号発生
層より容器１）１１１壁を介して励起光量を検出するだ
めの検出器と、該検出器からの出力信号を処理する信号
処理装置とを備えた事を特徴とする。
（作用）
比重の軽い反応層で被測定抗原に対する２種類の抗体（
第１抗体、第２抗体）を谷々礎性をもった担体と螢光色
素標識した担体に感作したものと被測定抗原とを抗原抗
体反応させると、磁性及び螢光色素をもった抗原抗体複
合物が形成される。
第１抗体、第２抗体）を谷々礎性をもった担体と螢光色
素標識した担体に感作したものと被測定抗原とを抗原抗
体反応させると、磁性及び螢光色素をもった抗原抗体複
合物が形成される。
反応容器下方より磁石を作用させると、磁性及び螢光を
もった抗原抗体複合物と、単独の第１抗体を感作した磁
性をもったよ目体とが反応層ＪＪＩ信号発生層に吸引ソ
ートされる。この信号発生層に励起光を投入すると、吸
引ソートされた磁性及び螢光をもった抗原抗体複合物の
螢光色素が励起される。信号発生層に吸引ソートされた
単独の第１抗体を感作した磁性をもった担体は螢光を持
たないので励起されない。又、反応層に残った単独の第
２抗体を感作した螢光色素をもった担体は信号発生層に
吸引ソートされないので螢光検出されることはない。し
たがって、信号発生層では抗原抗体複合物の螢光のみが
検出され、この螢光量は被測定抗原の量に比例する。そ
れ故、検出器にてとの励起された螢光量を測定しこれを
信号処理することにより被測定抗原量を測定することが
できる。
もった抗原抗体複合物と、単独の第１抗体を感作した磁
性をもったよ目体とが反応層ＪＪＩ信号発生層に吸引ソ
ートされる。この信号発生層に励起光を投入すると、吸
引ソートされた磁性及び螢光をもった抗原抗体複合物の
螢光色素が励起される。信号発生層に吸引ソートされた
単独の第１抗体を感作した磁性をもった担体は螢光を持
たないので励起されない。又、反応層に残った単独の第
２抗体を感作した螢光色素をもった担体は信号発生層に
吸引ソートされないので螢光検出されることはない。し
たがって、信号発生層では抗原抗体複合物の螢光のみが
検出され、この螢光量は被測定抗原の量に比例する。そ
れ故、検出器にてとの励起された螢光量を測定しこれを
信号処理することにより被測定抗原量を測定することが
できる。
（実施例）
以下、本発明の実施例を添付図面に沿って説明する。
第１図は本発明によるラテックス粒子を利用した抗原測
定装置の一例を示す。図において１は反応容器であって
抗原抗体反応層２、分離層３、信号発生層４とからなる
。上記各層は抗原抗体反応層２、分離層３、信号発生層
４の順に比重の違いを利用して分削形成されている。反
応容器１の最下層である信号発生層４の下方にはバッテ
リー及びスイッチを含む電磁石５が配置されている。信
号発生層４の一方の側面には励起光源６が該信号発生層
へ励起光を投入するように設けられている。
定装置の一例を示す。図において１は反応容器であって
抗原抗体反応層２、分離層３、信号発生層４とからなる
。上記各層は抗原抗体反応層２、分離層３、信号発生層
４の順に比重の違いを利用して分削形成されている。反
応容器１の最下層である信号発生層４の下方にはバッテ
リー及びスイッチを含む電磁石５が配置されている。信
号発生層４の一方の側面には励起光源６が該信号発生層
へ励起光を投入するように設けられている。
又、信号発生層４の励起光源６の反対側の側面には螢光
検出器７が設けられており、信号発生層４の螢光を検出
し、螢光検出器に接続した信号処理装置８によって螢光
を処理するようになっている。
検出器７が設けられており、信号発生層４の螢光を検出
し、螢光検出器に接続した信号処理装置８によって螢光
を処理するようになっている。
第２図及び第３図は本発明方法の抗原抗体反応と測定段
階とを模式的に示す図である。しかして、本発明方法で
は、まず抗原抗体反応層２にて被測定抗原１■、該被測
定抗原に対する第１の抗体１２を感作した磁性ラテック
ス粒子１３（以下、第一抗体感作磁性ラテックス粒子と
いう）、被測定抗原にだいする第２の抗体］４を感作し
た螢光色素標識ラテックス粒子］５（以下、第二抗体感
作螢光ラテックス粒子という）を反応させる（第３図ａ
）。上記被測定抗原１１としては例えばヒ）１ｇＧを、
第一抗体感作磁性ラテックス粒子１３としては例えば「
日本免疫学会総会記録第１４巻」演題５３３：ａ性体及
び螢光色素を包含するＩｍｍｕｆＬｏ ｌ ａ ｔ ｅ
ｘの作成とその免疫学的応用、や特開昭６０−１５６
４に開示されているように、ＭＭＡ １２ｆ、ＰＡｍ
６〜９．５ＤＢＳ３０〜７５ｆｆｉ＆、鉄２４７を密
栓耐圧ガラスびん中で振盪過熱して作った磁性ラテック
ス粒子に抗ヒトＩｇＧ抗体を結合させて作ったもの、ま
た第二抗体感作螢光ラテックス粒子１５としてはイムノ
ラテックスのＭＭＡにＭＭＡ可溶で水に不溶のＦＢＩ及
びＦＹＩをあらかじめＭＭＡに溶解しておき乳化束合し
てつくった螢光ラテックスに第二の抗ヒトＩｇＧ抗体を
結合させて作ったものを用いる。これにより、被測定抗
原１１は第一抗体感作磁性ラテックス粒子１３及び第二
抗体感作螢光ラテックス粒子１５の双方に反応し、磁性
及び螢光をもった抗原抗体複合物１６を形成する（第３
図ｂ）。反応容器１の下部には電磁石５があり磁性及び
螢光をもった抗原抗体複合物１６及び単独の第一抗体感
作磁性ラテックス粒子】３が電磁石５の磁力によって信
号発生層４へ吸引ソートされる（第３図Ｃ）。単独の第
二抗体感作螢光ラテックス粒子］５は磁性もなく、１だ
抗原抗体反応層２、分離層３、信号発生層４の順に比重
がおもくなっているため信号発生層４に移行する事はな
い。同、この場合抗原抗体反応層２の比重は第一抗体感
作磁性ラテックス粒子１３及び第二抗体感作螢光ラテッ
クス粒子１５の比重より軽い。信号発生層４へは励起光
源６より励起光が投入され磁性及び螢光をもった抗原抗
体複合物１６の中の螢光が励起され、該螢光量を検出器
７で検出し、これを信号処理装置８で処理することによ
り螢光量に比例した抗原量を求めることができる（第３
図ｄ）。第４図は、上記の方法により得られた螢光強度
と抗原濃度との関係を現す標準曲線の一例である。
階とを模式的に示す図である。しかして、本発明方法で
は、まず抗原抗体反応層２にて被測定抗原１■、該被測
定抗原に対する第１の抗体１２を感作した磁性ラテック
ス粒子１３（以下、第一抗体感作磁性ラテックス粒子と
いう）、被測定抗原にだいする第２の抗体］４を感作し
た螢光色素標識ラテックス粒子］５（以下、第二抗体感
作螢光ラテックス粒子という）を反応させる（第３図ａ
）。上記被測定抗原１１としては例えばヒ）１ｇＧを、
第一抗体感作磁性ラテックス粒子１３としては例えば「
日本免疫学会総会記録第１４巻」演題５３３：ａ性体及
び螢光色素を包含するＩｍｍｕｆＬｏ ｌ ａ ｔ ｅ
ｘの作成とその免疫学的応用、や特開昭６０−１５６
４に開示されているように、ＭＭＡ １２ｆ、ＰＡｍ
６〜９．５ＤＢＳ３０〜７５ｆｆｉ＆、鉄２４７を密
栓耐圧ガラスびん中で振盪過熱して作った磁性ラテック
ス粒子に抗ヒトＩｇＧ抗体を結合させて作ったもの、ま
た第二抗体感作螢光ラテックス粒子１５としてはイムノ
ラテックスのＭＭＡにＭＭＡ可溶で水に不溶のＦＢＩ及
びＦＹＩをあらかじめＭＭＡに溶解しておき乳化束合し
てつくった螢光ラテックスに第二の抗ヒトＩｇＧ抗体を
結合させて作ったものを用いる。これにより、被測定抗
原１１は第一抗体感作磁性ラテックス粒子１３及び第二
抗体感作螢光ラテックス粒子１５の双方に反応し、磁性
及び螢光をもった抗原抗体複合物１６を形成する（第３
図ｂ）。反応容器１の下部には電磁石５があり磁性及び
螢光をもった抗原抗体複合物１６及び単独の第一抗体感
作磁性ラテックス粒子】３が電磁石５の磁力によって信
号発生層４へ吸引ソートされる（第３図Ｃ）。単独の第
二抗体感作螢光ラテックス粒子］５は磁性もなく、１だ
抗原抗体反応層２、分離層３、信号発生層４の順に比重
がおもくなっているため信号発生層４に移行する事はな
い。同、この場合抗原抗体反応層２の比重は第一抗体感
作磁性ラテックス粒子１３及び第二抗体感作螢光ラテッ
クス粒子１５の比重より軽い。信号発生層４へは励起光
源６より励起光が投入され磁性及び螢光をもった抗原抗
体複合物１６の中の螢光が励起され、該螢光量を検出器
７で検出し、これを信号処理装置８で処理することによ
り螢光量に比例した抗原量を求めることができる（第３
図ｄ）。第４図は、上記の方法により得られた螢光強度
と抗原濃度との関係を現す標準曲線の一例である。
同、上記抗原抗体反応層２は抗原１１、第一抗体感作磁
性ラテックス粒子１３、第二抗体感作螢光ラテックス粒
子１５が均質な懸濁液を形成し、かつ抗原抗体反応を妨
げないものならよく、分離層３は抗原抗体反応層２より
比重が重くかつ反応を妨げないものならよく、また信号
発生層４は分離層３よす比重が重く、反応を妨げず、か
つ励起光の透過に対し吸収が小さいものであればよい。
性ラテックス粒子１３、第二抗体感作螢光ラテックス粒
子１５が均質な懸濁液を形成し、かつ抗原抗体反応を妨
げないものならよく、分離層３は抗原抗体反応層２より
比重が重くかつ反応を妨げないものならよく、また信号
発生層４は分離層３よす比重が重く、反応を妨げず、か
つ励起光の透過に対し吸収が小さいものであればよい。
具体的には、反応層２には例えば水を使用することが望
寸しい。また、分離層３および信号発生層４には、例え
ば■ｃｒｉ２ｃｌ、 （ｔｔ３０１．３０７ ）（ｄ″
：３０℃における比重、以下同じ）、■ＣＨ２１２（ｄ
”０３．２６７ ）、■■、■の混合物（例、ＣＨ２Ｉ
２が５０．１ ｍｏＡ％のときｄ３０Ｊ、４６ ）、■
ＣＨ３１（ｄ２５２．２８ ）、■■とＣＨｓ ＣＯＣ
Ｈｓとの混合物（例、ＣＨ３ＣＯＣＨ３が２４ ｒｎｏ
Ｌ％のときｄ２′（］０） １５４）、■ＣＩＩＣＬ３（ｄ２５１．４７８ ）、■
Ｃ２１１Ｃ１゜（ｄ２Ｊ、４５６）、■ＣＣ４（ｄ２５
１．５８５ ）、■ＣＣｔ４とＣ６１１，Ｂｒ との混
合物（例、Ｃ６Ｈ５Ｂｒが１、０ ｍｏｔ％のときｄ”
１．１０）のような液体から比重の異なる液体を２種類
選んで使用することが望ましい。また、反応容器１は石
英ガラスなどがよく、励起光源６はＸｅフラッシュラン
プなどが好ましい。
寸しい。また、分離層３および信号発生層４には、例え
ば■ｃｒｉ２ｃｌ、 （ｔｔ３０１．３０７ ）（ｄ″
：３０℃における比重、以下同じ）、■ＣＨ２１２（ｄ
”０３．２６７ ）、■■、■の混合物（例、ＣＨ２Ｉ
２が５０．１ ｍｏＡ％のときｄ３０Ｊ、４６ ）、■
ＣＨ３１（ｄ２５２．２８ ）、■■とＣＨｓ ＣＯＣ
Ｈｓとの混合物（例、ＣＨ３ＣＯＣＨ３が２４ ｒｎｏ
Ｌ％のときｄ２′（］０） １５４）、■ＣＩＩＣＬ３（ｄ２５１．４７８ ）、■
Ｃ２１１Ｃ１゜（ｄ２Ｊ、４５６）、■ＣＣ４（ｄ２５
１．５８５ ）、■ＣＣｔ４とＣ６１１，Ｂｒ との混
合物（例、Ｃ６Ｈ５Ｂｒが１、０ ｍｏｔ％のときｄ”
１．１０）のような液体から比重の異なる液体を２種類
選んで使用することが望ましい。また、反応容器１は石
英ガラスなどがよく、励起光源６はＸｅフラッシュラン
プなどが好ましい。
なお、上記実施例ではとくに反応層と信号発生層との間
に分離層を設けているが、これら反応層と信号発生層と
の界面が分離層としての機能をもつ場合にはとくに分離
層を設けなくてもよい。
に分離層を設けているが、これら反応層と信号発生層と
の界面が分離層としての機能をもつ場合にはとくに分離
層を設けなくてもよい。
捷だ、ラテックス粒子の比重が反応層の比重より小さく
ても、ラテックス粒子は磁力によって分離層を介し信号
発生層に移動させることができるので本発明の使用には
何等問題はない。
ても、ラテックス粒子は磁力によって分離層を介し信号
発生層に移動させることができるので本発明の使用には
何等問題はない。
（発明の効果）
以上に説明したように、本発明によれば簡単な構成の装
置で被測定抗原を感度よく測定することができ、しかも
放射性物質を使用する必要がないので被曝の危険がない
。また試薬としてラテックス粒子を用いているので長期
保存が可能である。
置で被測定抗原を感度よく測定することができ、しかも
放射性物質を使用する必要がないので被曝の危険がない
。また試薬としてラテックス粒子を用いているので長期
保存が可能である。
第１図は本発明装置の一例を示す概略図、第２図は本発
明における抗原抗体反応を模式的に示す図、第３図（α
）〜（Ｊは本発明方法の各段階を模式的に示す図、第４
図は本発明方法により得られた螢光強度と抗原濃度との
関係を現す標準曲線の一例を示す図である。
明における抗原抗体反応を模式的に示す図、第３図（α
）〜（Ｊは本発明方法の各段階を模式的に示す図、第４
図は本発明方法により得られた螢光強度と抗原濃度との
関係を現す標準曲線の一例を示す図である。
Claims (4)
- （１）比重の違いを利用して上層から下層へ順次形成し
た反応層と信号発生層とを有する反応容器を用意し、 該反応容器の反応層にて被測定抗原に対する第一の抗体
を感作した磁性体を含むラテックス粒子（第一抗体感作
磁性ラテックス粒子という）と、被測定抗原に対する第
二の抗体を感作した螢光色素を含むラテックス粒子（第
二抗体感作螢光ラテックス粒子という）とを反応させ、 反応容器の下層に設けた電磁石により磁性及び螢光をも
つた抗原抗体複合物及び単独の第一抗体感作磁性ラテッ
クス粒子を反応層より信号発生層へ吸引ソートし、 信号発生層へ励起光を投入し、磁性及び螢光をもつた抗
原抗体複合物中の螢光を励起し、 検出器にて該励起された螢光量を測定することにより被
測定抗原量を測定することを特徴とする抗原測定方法。 - （２）前記反応層と信号発生層との間に比重の違いを利
用して形成した分離層を含み、 前記電磁石により磁性及び螢光をもつた抗原抗体複合物
及び単独の第一抗体感作磁性ラテックス粒子を反応層よ
り信号発生層へ吸引ソートするに該分離層を介して吸引
ソートすることを特徴とする特許請求の範囲第１項の方
法。 - （３）比重の違いを利用して上層から下層へ順次形成し
た反応層と信号発生層とを有する反応容器と、該反応器
の下部に設けた電磁石と、 該反応容器の信号発生層へ容器側壁を介して励起光を投
入するよう設けられた励起光光源と、該信号発生層より
容器側壁を介して励起光量を検出するための検出器と、 該検出器からの出力信号を処理する信号処理装置とを備
えた抗原測定装置。 - （４）前記反応層と信号発生層との間に比重の違いを利
用して形成した分離層を含むことを特徴とする特許請求
の範囲第３項の装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12732387A JPS63290964A (ja) | 1987-05-25 | 1987-05-25 | ラテックス粒子を利用した抗原測定方法及びその装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12732387A JPS63290964A (ja) | 1987-05-25 | 1987-05-25 | ラテックス粒子を利用した抗原測定方法及びその装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63290964A true JPS63290964A (ja) | 1988-11-28 |
Family
ID=14957088
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12732387A Pending JPS63290964A (ja) | 1987-05-25 | 1987-05-25 | ラテックス粒子を利用した抗原測定方法及びその装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63290964A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1989007270A1 (en) * | 1988-01-29 | 1989-08-10 | Mitsubishi Kasei Corporation | Method for assaying antigen or antibody |
| JPH02151766A (ja) * | 1988-12-02 | 1990-06-11 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | レーザ磁気免疫測定法 |
-
1987
- 1987-05-25 JP JP12732387A patent/JPS63290964A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1989007270A1 (en) * | 1988-01-29 | 1989-08-10 | Mitsubishi Kasei Corporation | Method for assaying antigen or antibody |
| JPH02151766A (ja) * | 1988-12-02 | 1990-06-11 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | レーザ磁気免疫測定法 |
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