JPS63290251A - 金属基複合材料の製造方法 - Google Patents
金属基複合材料の製造方法Info
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- Manufacture Of Alloys Or Alloy Compounds (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の目的〕
(産業上の利用分野)
本発明は炭化ケイ素(S i C)のiamまたは1ク
イスカ(以下、SIC繊維という)からなる強化材で予
備成形体(プリフォーム)を形成し、これにマトリック
ス金属とじてのアルミニウム(Aオ)合金溶湯を加圧溶
浸させて5iC1!帷A1合全A1合材料を製造する金
属J314合材料の製i4方法に係り、特にSiC繊維
への5tO2の発生防止を図った金属基複合材料の′!
EJ造方法に関する。
イスカ(以下、SIC繊維という)からなる強化材で予
備成形体(プリフォーム)を形成し、これにマトリック
ス金属とじてのアルミニウム(Aオ)合金溶湯を加圧溶
浸させて5iC1!帷A1合全A1合材料を製造する金
属J314合材料の製i4方法に係り、特にSiC繊維
への5tO2の発生防止を図った金属基複合材料の′!
EJ造方法に関する。
(従来の技術)
近年、例えばカーボン(C)、アルミナ(Az2o3>
あるいは炭化ケイ素(SiC)等のセラミックス繊維や
ウィスカで強化された金属基複合材料が新素材の1つと
して注目されている。中でもAl合金基複合材料は軽量
、高強度、高剛性のみならず、耐熱性、耐摩耗性にも優
れているため、宇宙機器、ロボット部品、自動車部品等
の幅広い分野での応用が期待されている。
あるいは炭化ケイ素(SiC)等のセラミックス繊維や
ウィスカで強化された金属基複合材料が新素材の1つと
して注目されている。中でもAl合金基複合材料は軽量
、高強度、高剛性のみならず、耐熱性、耐摩耗性にも優
れているため、宇宙機器、ロボット部品、自動車部品等
の幅広い分野での応用が期待されている。
このような金属基毅合材v1の製造り法としては溶浸法
、粉末法、拡散接合法が知られているが、特に溶浸法は
一度に多数の複雑形状部品を生産できるので、大fil
生産に適したIllll法と言われている。
、粉末法、拡散接合法が知られているが、特に溶浸法は
一度に多数の複雑形状部品を生産できるので、大fil
生産に適したIllll法と言われている。
溶浸法による金属基複合材料の製造方法は、まず強化材
で所定の形状および体積率を右する予備成形体を作成し
、この予備成形体を金型内で予熱した後、溶融金属を加
圧溶浸させる方法である。
で所定の形状および体積率を右する予備成形体を作成し
、この予備成形体を金型内で予熱した後、溶融金属を加
圧溶浸させる方法である。
ところで、溶浸法により、例えばS i CmM強化A
1合金基複合材料を製造する場合、その3iCII維表
面に数重量パーセントの二酸化ケイ素(Sin、、)を
有していると、複合材料としての機械的特性が大きく損
われてしまう。特に、引張強さ、耐力、硬さ、ヤング率
において数十パーセントの低下を示す場合がある。この
理由としては、SiC繊維自身の一部が酸化し、その生
成物としてのSiO2が活性な溶融AJ合金と反応する
ため、間接的に5iCIil雑がA7合金によって損傷
を受けるためと考えられる。また、5i02の存在によ
ってSiC繊維とマトリックス金属との結合力が弱めら
れたり、マトリックス金属成分元素がSio2と反応す
るため、マトリックス金属の強度自身が損われるという
場合もある。
1合金基複合材料を製造する場合、その3iCII維表
面に数重量パーセントの二酸化ケイ素(Sin、、)を
有していると、複合材料としての機械的特性が大きく損
われてしまう。特に、引張強さ、耐力、硬さ、ヤング率
において数十パーセントの低下を示す場合がある。この
理由としては、SiC繊維自身の一部が酸化し、その生
成物としてのSiO2が活性な溶融AJ合金と反応する
ため、間接的に5iCIil雑がA7合金によって損傷
を受けるためと考えられる。また、5i02の存在によ
ってSiC繊維とマトリックス金属との結合力が弱めら
れたり、マトリックス金属成分元素がSio2と反応す
るため、マトリックス金属の強度自身が損われるという
場合もある。
このように溶浸法によるS i C1l!維強化金属基
複合材料において繊維表面の5i02は有害である。こ
れに対して、S i CmHの製造方法によっては表面
のSiO2の生成mをかなり低くすることも可能である
。しかしながら、前記のような溶浸法による金属基複合
材料の製造工程上、繊維予備成形体を500〜700℃
に予熱する必要がある。この予熱時にSiCは酸化し多
量のS i O2を生成してしまう。
複合材料において繊維表面の5i02は有害である。こ
れに対して、S i CmHの製造方法によっては表面
のSiO2の生成mをかなり低くすることも可能である
。しかしながら、前記のような溶浸法による金属基複合
材料の製造工程上、繊維予備成形体を500〜700℃
に予熱する必要がある。この予熱時にSiCは酸化し多
量のS i O2を生成してしまう。
なお、予熱工程を真空中もしくは不活性ガス雰囲気中で
行なうことら考えられるが、Fll素分圧を充分低く抑
制し、かつ溶浸を満足に実施するにはかなり大掛りな設
備と製造コストを必要とし、この解決方法は余り望まし
くない。
行なうことら考えられるが、Fll素分圧を充分低く抑
制し、かつ溶浸を満足に実施するにはかなり大掛りな設
備と製造コストを必要とし、この解決方法は余り望まし
くない。
(発明が解決しようとする問題点)
予備成形体に溶融金属を加圧含浸せしめる溶浸法ににっ
て、S i CIJAH強化Al強化A1白金基複合材
料る場合、予備成形体の予熱時等に3iC11維表面に
S + 02を生成し易い。そのため、複合材料の諸特
性が損われるという問題があった。
て、S i CIJAH強化Al強化A1白金基複合材
料る場合、予備成形体の予熱時等に3iC11維表面に
S + 02を生成し易い。そのため、複合材料の諸特
性が損われるという問題があった。
本発明は、このような重粘に鑑みてなされたもので、s
r cmraが製造途中で酸化することを防止し、5
102の含有ωの少ないSiC[雑強化AJ!合金複合
材料を製造できる金属基複合林料の製造方法を提供する
ことを目的とする。
r cmraが製造途中で酸化することを防止し、5
102の含有ωの少ないSiC[雑強化AJ!合金複合
材料を製造できる金属基複合林料の製造方法を提供する
ことを目的とする。
(fe明の構成)
(v!B題点を解決するための手段)
本発明は、SiCの!1tIiまたはウィスカからなる
強化材で予備成形体を作成し、この予備成形体を予熱し
た状態でA7合金溶湯の加圧溶浸を行なうことによりS
i Cl1li強化Aオ合金基複合材料を製造する金
属基複合材料の製造方法において、表面のS i O2
が1重間パーセント以下のSiCの強化材にat解メッ
キ法により重金属のコーティングを行ない、これを用い
て予備成形体を作成することを特徴とする。
強化材で予備成形体を作成し、この予備成形体を予熱し
た状態でA7合金溶湯の加圧溶浸を行なうことによりS
i Cl1li強化Aオ合金基複合材料を製造する金
属基複合材料の製造方法において、表面のS i O2
が1重間パーセント以下のSiCの強化材にat解メッ
キ法により重金属のコーティングを行ない、これを用い
て予備成形体を作成することを特徴とする。
(作用)
上記方法によると、S i Chilliやウィスカは
表層部が重金属層に被覆されため大気中で高温で加熱し
ても酸化が防止され、S + 02は生成されない。特
に、無電解メッキによる膜厚は小ざいことから、メッキ
膜は溶浸時に溶融金属と接触して容易に消失する。した
がって、複合材料としては強化材とマトリックス金属と
が直接的に接触するようになり、各特性、特に機械的性
質が向上する。
表層部が重金属層に被覆されため大気中で高温で加熱し
ても酸化が防止され、S + 02は生成されない。特
に、無電解メッキによる膜厚は小ざいことから、メッキ
膜は溶浸時に溶融金属と接触して容易に消失する。した
がって、複合材料としては強化材とマトリックス金属と
が直接的に接触するようになり、各特性、特に機械的性
質が向上する。
また、無電解メッキによる重金属の被覆は溶潟との濡れ
性も向上させるため、溶浸几を低くすることが可能とな
り、予備成形体の溶浸時の変形防止効宋−b得られる。
性も向上させるため、溶浸几を低くすることが可能とな
り、予備成形体の溶浸時の変形防止効宋−b得られる。
(実施例)
以下、本発明の一実施例としてSiCウィスカ強化Al
!合金す複合材を製造する方法について第1図〜第3図
を参照して説明する。
!合金す複合材を製造する方法について第1図〜第3図
を参照して説明する。
まず、第1図によってSiCウィスカ表面のSiO2を
除去する方法を説明する。SiCウィスカ1を、5〜1
0%に希釈したフッ化水素酸液2に混入しく第1図(a
))、撹拌機3を用いて、例えば10〜30分間撹拌す
る(同図(b))。
除去する方法を説明する。SiCウィスカ1を、5〜1
0%に希釈したフッ化水素酸液2に混入しく第1図(a
))、撹拌機3を用いて、例えば10〜30分間撹拌す
る(同図(b))。
次に、ろ紙を用いてろ過し、ウィスカとフッ化水素酸液
を分離した後、水洗を行なう(同図(C))。
を分離した後、水洗を行なう(同図(C))。
即ち、ろ紙4を孔のあいた一対の押え板5で両側から挟
み、これにより水だけが通過できるフィルタ6を形成し
、このフィルタ6を容′Js7の上下に一対装着し、そ
の間にSiCウィスカ混入フッ化水素MM1aを収容し
ておき、下側のフィルタ6の下方から上方へ水8を流す
。この方法で約30分間水洗いした後、ろ紙9を有する
ろ過容器10上で水分を除去する(同図(d))。
み、これにより水だけが通過できるフィルタ6を形成し
、このフィルタ6を容′Js7の上下に一対装着し、そ
の間にSiCウィスカ混入フッ化水素MM1aを収容し
ておき、下側のフィルタ6の下方から上方へ水8を流す
。この方法で約30分間水洗いした後、ろ紙9を有する
ろ過容器10上で水分を除去する(同図(d))。
以上の方法によりSiCウィスカの表面の3i02吊は
約0.01〜0.2%程度に減することができる。なお
、5i02ffiの低減は先に述べた複合材料の強度へ
の悪影響の低減に加えて、原材料としてのウィスカの中
に混在しているウィスカ塊を分解することの効果がある
。即ち、SiCウィスカ塊は表面のSiO2をバインダ
としてウィスカが集結しており、それによりウィスカの
分散が不均質となったり、予備成形体の1j81 造I
程においてウィスカの体積率の抑制が困難となることが
あるが、前記のフッ化水素酸洗浄はウィスカ均質分散や
体積率制御にも有効である。
約0.01〜0.2%程度に減することができる。なお
、5i02ffiの低減は先に述べた複合材料の強度へ
の悪影響の低減に加えて、原材料としてのウィスカの中
に混在しているウィスカ塊を分解することの効果がある
。即ち、SiCウィスカ塊は表面のSiO2をバインダ
としてウィスカが集結しており、それによりウィスカの
分散が不均質となったり、予備成形体の1j81 造I
程においてウィスカの体積率の抑制が困難となることが
あるが、前記のフッ化水素酸洗浄はウィスカ均質分散や
体積率制御にも有効である。
次に、無電解メッキエ稈について説明する。
下記の第1表はSiCウィスカにNiメッキする場合に
使用する前処理液を例示している。
使用する前処理液を例示している。
第1表
第1表に示寸前処理液へ液あるいはB液中に、先の工程
で5i02を低減したウィスカを涙金する。この前処理
の目的は、ウィスカ表面を化学腐食して無電解メッキ液
に対する感受性化や反応活性化を促進させるためである
。
で5i02を低減したウィスカを涙金する。この前処理
の目的は、ウィスカ表面を化学腐食して無電解メッキ液
に対する感受性化や反応活性化を促進させるためである
。
次に、ニッケル(Ni)無電解メッキ処理液中に前処理
したウィスカを添加する。
したウィスカを添加する。
下記の第2表はメッキ処理液を示したものである。
第2表
PHを10、液温を約95℃に保持し、軽くガラス棒で
かきまぜていくと、約30分程で反応は飽和する。その
時のメッキ層厚としては約0.05〜0.2μmが得ら
れる。無電解メッキの利点は■SiCウィスカのように
良電導体でなく、また粉体である場合は電流を流すこと
が困難であるが、それでもメッキができること、■複雑
な凹凸の表面に均質なメッキ層ができること、■非常に
薄いメッキ層厚ができること等である。特に、本実施例
のヒドラジン化合物を還元剤とするNi無電界メッキに
よれば、得られるNiメッキ層に不純物が少な(、膜厚
を低く制御できる。
かきまぜていくと、約30分程で反応は飽和する。その
時のメッキ層厚としては約0.05〜0.2μmが得ら
れる。無電解メッキの利点は■SiCウィスカのように
良電導体でなく、また粉体である場合は電流を流すこと
が困難であるが、それでもメッキができること、■複雑
な凹凸の表面に均質なメッキ層ができること、■非常に
薄いメッキ層厚ができること等である。特に、本実施例
のヒドラジン化合物を還元剤とするNi無電界メッキに
よれば、得られるNiメッキ層に不純物が少な(、膜厚
を低く制御できる。
以上のNi無電解メッキにより、Niで表面被覆された
SiCウィスカを大気中で約500〜800℃に加熱し
ても、SiO2は生成されない。
SiCウィスカを大気中で約500〜800℃に加熱し
ても、SiO2は生成されない。
これを第3図を用いて説明する。第3図は、未処理Si
Cウィスカと、フッ化水素酸洗浄したSiCウィスカと
、フッ化水素酸洗浄後Ni無電解メッキ処理したSiC
ウィスカとについて、加熱温度とS + 02生成吊と
の関係を示したものである。
Cウィスカと、フッ化水素酸洗浄したSiCウィスカと
、フッ化水素酸洗浄後Ni無電解メッキ処理したSiC
ウィスカとについて、加熱温度とS + 02生成吊と
の関係を示したものである。
図において、未処理SiCウィスカは約4.5%の5h
o2を含有していたが、これを人気中で1000℃まで
加熱すると、800℃で約7%、1000℃で約17.
5%の8102の増量がある。
o2を含有していたが、これを人気中で1000℃まで
加熱すると、800℃で約7%、1000℃で約17.
5%の8102の増量がある。
一方、フッ化水素酸液で洗浄したものでは、SiO2の
量が0.2%程麿に低減される。しかし、これを大気中
で加熱すると800℃で3.8%、1000℃で11.
3%の5tO2を再び生成する。これに対し、本実施例
に係る方法、つまり、フッ化水素酸洗浄後、Ni無電解
メッキ処理したウィスカは大気中で約800℃まで加熱
してもS+02mの増大はほとんどない。
量が0.2%程麿に低減される。しかし、これを大気中
で加熱すると800℃で3.8%、1000℃で11.
3%の5tO2を再び生成する。これに対し、本実施例
に係る方法、つまり、フッ化水素酸洗浄後、Ni無電解
メッキ処理したウィスカは大気中で約800℃まで加熱
してもS+02mの増大はほとんどない。
次に、このようなウィスカを用いた予備成形体を用いた
溶浸法による金属基複合材料の製造工程を第2図(a)
〜(d)を用いて説明する。
溶浸法による金属基複合材料の製造工程を第2図(a)
〜(d)を用いて説明する。
まず、所定の形状および繊維体積率を有する予備成形体
11を作成する。この予備成形体11は、前記のNiメ
ッキ処理後のウィスカ溶液を型内に入れ、水抜ぎ後、乾
燥することにより作成する。
11を作成する。この予備成形体11は、前記のNiメ
ッキ処理後のウィスカ溶液を型内に入れ、水抜ぎ後、乾
燥することにより作成する。
この予備成形体11を金型12の中にセットし、ヒータ
13で500〜700℃に加熱する(第1図(a))。
13で500〜700℃に加熱する(第1図(a))。
その後、マトリックス金属としてのNi溶騙14をピス
トン15で直接加圧することにより予備成形体11に含
浸させ、複合部16を得る(同図(b))。さらに、ピ
ストン15を押し下げ、予備成形体12の中に完全に溶
融金属14を充填しく同図(C))、凝固後、金型12
から取り出し、金属基複合材1’l17を得る(同図(
d))。
トン15で直接加圧することにより予備成形体11に含
浸させ、複合部16を得る(同図(b))。さらに、ピ
ストン15を押し下げ、予備成形体12の中に完全に溶
融金属14を充填しく同図(C))、凝固後、金型12
から取り出し、金属基複合材1’l17を得る(同図(
d))。
なお、強化材をSiCウィスカとしたが、SiC短繊維
を使用してもよく、また洗浄液として、フッ化水素酸を
使用したが、メッキ前の酸化防止手段としてはこれに限
らず、SiO2の除去が可能な試薬であれば他の液を用
いてもよい。
を使用してもよく、また洗浄液として、フッ化水素酸を
使用したが、メッキ前の酸化防止手段としてはこれに限
らず、SiO2の除去が可能な試薬であれば他の液を用
いてもよい。
また、前記実施例では、Ni無電解メッキ法としてヒド
ラジン化合物還元法を用いたが、これに限らず、イ■の
ニッケル無電解メッキ法により、その施工条件を制御し
て適正膜厚を得ることも可能である。
ラジン化合物還元法を用いたが、これに限らず、イ■の
ニッケル無電解メッキ法により、その施工条件を制御し
て適正膜厚を得ることも可能である。
さらに、無電解メッキ材としては、前述したNiやその
合金、さらにこれら以外の各種の重金属、例えばCU、
Co、A<IJ、AU、Pt%Crまたはこれらの合金
等の使用ら可能である。
合金、さらにこれら以外の各種の重金属、例えばCU、
Co、A<IJ、AU、Pt%Crまたはこれらの合金
等の使用ら可能である。
以上の方法によれば、SiCウィスカを用いて予備成形
体をつくり、大気中で予熱した状態で溶融金属を溶浸し
ても、5102はほとんど無いため、複合材料としての
引張強ざ、耐力、硬さ、ヤング率において、5i02の
悪影響は生じない。
体をつくり、大気中で予熱した状態で溶融金属を溶浸し
ても、5102はほとんど無いため、複合材料としての
引張強ざ、耐力、硬さ、ヤング率において、5i02の
悪影響は生じない。
下記の第3表に、従来の未処理SiCウィスカを用いた
場合および他の比較例とともに、本発明による処理を行
なったSiCウィスカを用いた場合の6061Ai1合
金基複合材料の機械的性質を示す。
場合および他の比較例とともに、本発明による処理を行
なったSiCウィスカを用いた場合の6061Ai1合
金基複合材料の機械的性質を示す。
〈実施例1〉
S i 02 fftカ約4.5f4ff1%(7)S
i Cウィスカを、濃度10%のフッ化水素酸液で3
0分間撹拌し、その後水洗した。これにより、SiCウ
ィスカの5i02fllは約0.3重量%に減少した。
i Cウィスカを、濃度10%のフッ化水素酸液で3
0分間撹拌し、その後水洗した。これにより、SiCウ
ィスカの5i02fllは約0.3重量%に減少した。
このSiCウィスカに、塩化第2スズ10g、塩酸40
a:、水1000a:の混合成分からむる前処理液に1
0分間浸し、その後前記第2表のメッキ処理液でN1無
電界メッキ処理したところ、0.1μm厚のNiメッキ
層が得られた。
a:、水1000a:の混合成分からむる前処理液に1
0分間浸し、その後前記第2表のメッキ処理液でN1無
電界メッキ処理したところ、0.1μm厚のNiメッキ
層が得られた。
このようにして得たSiCウィスカを用いて予備成形体
をつくり、これを700℃に予熱した状sr、800℃
の6061A7合金11を加圧力50ONgf/−の圧
力で加圧溶浸させた。この場合のSiCウィスカの体積
率は12%に設定した。
をつくり、これを700℃に予熱した状sr、800℃
の6061A7合金11を加圧力50ONgf/−の圧
力で加圧溶浸させた。この場合のSiCウィスカの体積
率は12%に設定した。
そして、T6LjlS)の熱処理条件(溶体化処理53
5℃、水冷焼入れ、時効硬化処理180℃、約7時間)
で熱処理することにより、SiC「クィスカ強化AJ合
金複合合材料を製造した。
5℃、水冷焼入れ、時効硬化処理180℃、約7時間)
で熱処理することにより、SiC「クィスカ強化AJ合
金複合合材料を製造した。
このようにして製造した複合材料の機械的性質を調べた
ところ、下記の第3Sに示1ように、引張強ざは36.
0に9f/mtA、耐力は25 、0に9f/1nti
、硬さ160(Hv)、ヤング率は9 X 103Ky
f/−であった。
ところ、下記の第3Sに示1ように、引張強ざは36.
0に9f/mtA、耐力は25 、0に9f/1nti
、硬さ160(Hv)、ヤング率は9 X 103Ky
f/−であった。
〈実施例2〉
前記の実施例1と同一のSiCウィスカを同様の方法で
5i02除去、Ni無電界メッキ処理し、それにより得
たSiCウィスカで予備成形品をつくり、これを700
℃に予熱し、体積率を25%に設定して、実施例1と同
様に6061Δオ合金の加圧溶浸、T6熱処理を行なっ
た。
5i02除去、Ni無電界メッキ処理し、それにより得
たSiCウィスカで予備成形品をつくり、これを700
℃に予熱し、体積率を25%に設定して、実施例1と同
様に6061Δオ合金の加圧溶浸、T6熱処理を行なっ
た。
このようにして製造した複合材料の機械的性質を調べた
ところ、第3表に示すように、引張強さは48.5に9
f/1nti、耐力は41 、 OK’jf/−1硬さ
4J200(HV)、ヤング率は12X 103に9r
/−であった。
ところ、第3表に示すように、引張強さは48.5に9
f/1nti、耐力は41 、 OK’jf/−1硬さ
4J200(HV)、ヤング率は12X 103に9r
/−であった。
〈従来例1〉
5i02fflが約4.5重量%のSiCウィスカをそ
のまま使用して予備成形品をつくり、これを700℃に
予熱し、実施例1と同一条件、即ち、体積率を12%に
設定して、6061Aオ合金の加圧溶浸、熱処理を行な
いSiCウィスカ強化A(白金基複合材料を製造した。
のまま使用して予備成形品をつくり、これを700℃に
予熱し、実施例1と同一条件、即ち、体積率を12%に
設定して、6061Aオ合金の加圧溶浸、熱処理を行な
いSiCウィスカ強化A(白金基複合材料を製造した。
この複合材料は、第3表に示すように、引張強さが20
.0Kyf/1utA1耐力が10.5に9f/rnt
A、砂さが60(Hv)、ヤング率が7.5x10
Kgf/−であり、実施例1と比べて機械的特性、特に
引張強さ、耐力の点で劣ることが認められる。
.0Kyf/1utA1耐力が10.5に9f/rnt
A、砂さが60(Hv)、ヤング率が7.5x10
Kgf/−であり、実施例1と比べて機械的特性、特に
引張強さ、耐力の点で劣ることが認められる。
〈従来例2〉
前記従来例1の場合と同一のSiCウィスカを用い、同
一の条件下で、体積率25%の複合材料を製造した。
一の条件下で、体積率25%の複合材料を製造した。
この複合材料は、第3表に示すように、引張強さが35
.0/l/ad、耐力が17 、0Kgf/1rrtA
、硬さが100 (Hv) 、ヤング率が10×103
Kgf/−であり、実施例2と比べて機械的特性が劣る
ことが認められる。
.0/l/ad、耐力が17 、0Kgf/1rrtA
、硬さが100 (Hv) 、ヤング率が10×103
Kgf/−であり、実施例2と比べて機械的特性が劣る
ことが認められる。
このように、未処理のSiCウィスカを用いた従来例1
.2の場合の各特性値はそれぞれ大幅な低下が認められ
る。この低下はウィスカ表面の5i02生成によるもの
と考えられる。
.2の場合の各特性値はそれぞれ大幅な低下が認められ
る。この低下はウィスカ表面の5i02生成によるもの
と考えられる。
く比較例1〉
5i02fflが約4.5重量%のSiCウィスカを、
フッ化水素酸洗浄を行なわずに、Ni無電界メッキのみ
施した。フッ化水素酸洗浄以外の条件は全て実施例1と
同一として複合材料を製造した。
フッ化水素酸洗浄を行なわずに、Ni無電界メッキのみ
施した。フッ化水素酸洗浄以外の条件は全て実施例1と
同一として複合材料を製造した。
この複合材料は、第3表に示すように、引張強さが21
、0*ff/aj、耐力が11 、 OK!If/d
、硬さが75(HVI、rレグ率が8.OxOx103
N/−であり、複合材としての特性は未処理ウィスカを
用いた従来例1の場合とほぼ同等の値を示している。こ
れはメッキ膜が0.1μm以下のためAj!溶湯中で容
易にNiとAlとが瞬時に相互拡散して溶融し、消失す
ることにより、メッキ層下の5102の悪影響が表面化
したものと考えられる。
、0*ff/aj、耐力が11 、 OK!If/d
、硬さが75(HVI、rレグ率が8.OxOx103
N/−であり、複合材としての特性は未処理ウィスカを
用いた従来例1の場合とほぼ同等の値を示している。こ
れはメッキ膜が0.1μm以下のためAj!溶湯中で容
易にNiとAlとが瞬時に相互拡散して溶融し、消失す
ることにより、メッキ層下の5102の悪影響が表面化
したものと考えられる。
〈比較例2〉
S + 02 ffjrが約4.5重量%のSiCウィ
スカを、フッ化水素酸洗浄を行なわずに、Ni無電界メ
ッキのみ施し、他は、実施例2と同一条件で複合材料を
製造した。
スカを、フッ化水素酸洗浄を行なわずに、Ni無電界メ
ッキのみ施し、他は、実施例2と同一条件で複合材料を
製造した。
この複合材料は、第3表に示すように、引張強さが35
.0*ff/aj、耐力が17.0Kyr/rt4、硬
さが110(1−1v)、ヤング率が10.5X103
に9f/−であり、従来例2の場合とほぼ同様の特性し
か得られない。
.0*ff/aj、耐力が17.0Kyr/rt4、硬
さが110(1−1v)、ヤング率が10.5X103
に9f/−であり、従来例2の場合とほぼ同様の特性し
か得られない。
〈比較例3〉
Sin、、吊が5重量%のフッ化水素酸洗浄したSiC
ウィスカを用い、それを粉末焼結法により複合材料を製
造した。この粉末焼結法においては、予熱は”IQ−’
at−の高真空中で行なうため、ウィスカの5i02生
成はほとんど無いと言える。
ウィスカを用い、それを粉末焼結法により複合材料を製
造した。この粉末焼結法においては、予熱は”IQ−’
at−の高真空中で行なうため、ウィスカの5i02生
成はほとんど無いと言える。
本実施例のウィスカを用いWJ浸法による複合材の特性
値は、粉末焼結法の場合とほぼ同等のものが得られるこ
とがわかる。
値は、粉末焼結法の場合とほぼ同等のものが得られるこ
とがわかる。
なお、Niメッキ膜層を厚くし、溶浸時のメッキ膜溶失
を防止することも考えられるが、膜厚を1μm以上にす
ることはウィスカの径が0.5〜2μmであることを考
慮すると、ニッケルメッキ層の体積率は8M体積率の5
〜10倍に達し、A1合金やMg合金の軽量性を利用す
る複合材料にとって大ぎな価値低下を意味する。それ故
、メッキ膜厚はできるだけ薄いことが望ましい。
を防止することも考えられるが、膜厚を1μm以上にす
ることはウィスカの径が0.5〜2μmであることを考
慮すると、ニッケルメッキ層の体積率は8M体積率の5
〜10倍に達し、A1合金やMg合金の軽量性を利用す
る複合材料にとって大ぎな価値低下を意味する。それ故
、メッキ膜厚はできるだけ薄いことが望ましい。
第4図はSiCウィスカの5i02ffiを種々の値に
調整し、それを用いて本発明に暴づく方法で複合材料を
製造した場合の機械的特性、特に引張強さと耐力とを調
べた結果を示している。第4図から明らかなように、5
i02ffiが1%を超えたSiCウィスカを用いて製
造した複合I4nは引張強さおよび耐力とも大幅に低下
する。この低下した引張強さおよび耐力は純へlのそれ
と略同等のらのである。
調整し、それを用いて本発明に暴づく方法で複合材料を
製造した場合の機械的特性、特に引張強さと耐力とを調
べた結果を示している。第4図から明らかなように、5
i02ffiが1%を超えたSiCウィスカを用いて製
造した複合I4nは引張強さおよび耐力とも大幅に低下
する。この低下した引張強さおよび耐力は純へlのそれ
と略同等のらのである。
以上のように、前記実施例によれば、用いるSiCウィ
スカのSiO,lを1重量%以下とし、そのウィスカを
0.2μm以下のNiλIGで表面コーティングするこ
とにより、機械内路特性の良好な金属基複合材料が得ら
れた。
スカのSiO,lを1重量%以下とし、そのウィスカを
0.2μm以下のNiλIGで表面コーティングするこ
とにより、機械内路特性の良好な金属基複合材料が得ら
れた。
(発明の効果)
以上のように、本発明の方法によれば、予備成形体を大
気中で加熱しても5102をほとノυど含有しない状態
で溶融金属を溶浸することができ、機械内路特性の良好
な金属基複合材料を!l造することができる。
気中で加熱しても5102をほとノυど含有しない状態
で溶融金属を溶浸することができ、機械内路特性の良好
な金属基複合材料を!l造することができる。
第1図(a)〜(d)は本発明に係る金IIm基複合材
料の製造方法の一実施例を説明するためのもので、Si
CウィスカからSiO2を除去する工程を示す図、第2
図(a)〜(d)は溶浸コニ稈を示す図、第3図はSi
Cウィスカにおける大気中の加熱温度とSiO2生成吊
との関係を示すグラフ、第4図はSiCウィスカ中のS
+O2+aと、得られる複合材料の引張強さ等との関係
を示ずグラフである。 − 1・・・5iC1クイスカ、11・・・予備成形体、1
4・・・Aノ合金溶楊。 出願人代理人 波 多 野 久(a)
(b) 第 1 図 第2図 刀0 奔へ 531虻 (#C) 第3図
料の製造方法の一実施例を説明するためのもので、Si
CウィスカからSiO2を除去する工程を示す図、第2
図(a)〜(d)は溶浸コニ稈を示す図、第3図はSi
Cウィスカにおける大気中の加熱温度とSiO2生成吊
との関係を示すグラフ、第4図はSiCウィスカ中のS
+O2+aと、得られる複合材料の引張強さ等との関係
を示ずグラフである。 − 1・・・5iC1クイスカ、11・・・予備成形体、1
4・・・Aノ合金溶楊。 出願人代理人 波 多 野 久(a)
(b) 第 1 図 第2図 刀0 奔へ 531虻 (#C) 第3図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、SiCの繊維またはウィスカからなる強化材で予備
成形体を作成し、この予備成形体を予熱した状態でAl
合金溶湯の加圧溶浸を行なうことによりSiC繊維強化
Al合金基複合材料を製造する金属基複合材料の製造方
法において、表面のSiO_2が1重量パーセント以下
のSiCの強化材に無電解メッキ法により重金属のコー
ティングを行ない、これを用いて予備成形体を作成する
ことを特徴とする金属基複合材料の製造方法。 2、SiO_2が1重量パーセント以上のSiCの強化
材を、SiO_2を除去することが可能な試薬によりS
iO_2含有量が1重量パーセント以下となるよう調整
し、その試薬洗浄後に強化材に無電界メッキ法による重
金属のコーティングを行なう特許請求の範囲1項記載の
金属基複合材料の製造方法。 3、SiCの強化材のSiO_2量を調整する試薬はフ
ッ化水素酸液である特許請求の範囲第1項記載の金属基
複合材料の製造方法。 4、無電解メッキ法によるコーティング用の重金属とし
て、Ni、Cu、Co、Ag、Au、Pt、Crまたは
これらの合金を使用する特許請求の範囲第1項記載の金
属基複合材料の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62124046A JP2610265B2 (ja) | 1987-05-22 | 1987-05-22 | 金属基複合材料の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62124046A JP2610265B2 (ja) | 1987-05-22 | 1987-05-22 | 金属基複合材料の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63290251A true JPS63290251A (ja) | 1988-11-28 |
JP2610265B2 JP2610265B2 (ja) | 1997-05-14 |
Family
ID=14875657
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62124046A Expired - Lifetime JP2610265B2 (ja) | 1987-05-22 | 1987-05-22 | 金属基複合材料の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2610265B2 (ja) |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS50109695A (ja) * | 1974-02-02 | 1975-08-28 | ||
JPS59205464A (ja) * | 1983-05-06 | 1984-11-21 | Tateho Kagaku Kogyo Kk | 金属複合材料用ウイスカ− |
JPS61271829A (ja) * | 1985-05-28 | 1986-12-02 | Kanto Kasei Kogyo Kk | シリコンウエハ−の表面処理方法 |
-
1987
- 1987-05-22 JP JP62124046A patent/JP2610265B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS50109695A (ja) * | 1974-02-02 | 1975-08-28 | ||
JPS59205464A (ja) * | 1983-05-06 | 1984-11-21 | Tateho Kagaku Kogyo Kk | 金属複合材料用ウイスカ− |
JPS61271829A (ja) * | 1985-05-28 | 1986-12-02 | Kanto Kasei Kogyo Kk | シリコンウエハ−の表面処理方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2610265B2 (ja) | 1997-05-14 |
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