JPS63289979A - 半導体レ−ザ駆動制御方法 - Google Patents
半導体レ−ザ駆動制御方法Info
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- JPS63289979A JPS63289979A JP62125077A JP12507787A JPS63289979A JP S63289979 A JPS63289979 A JP S63289979A JP 62125077 A JP62125077 A JP 62125077A JP 12507787 A JP12507787 A JP 12507787A JP S63289979 A JPS63289979 A JP S63289979A
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- Japan
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- semiconductor laser
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- hold circuit
- control
- input
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- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 35
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 10
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 claims description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 7
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000004043 responsiveness Effects 0.000 description 3
- 101100484930 Saccharomyces cerevisiae (strain ATCC 204508 / S288c) VPS41 gene Proteins 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/068—Stabilisation of laser output parameters
- H01S5/0683—Stabilisation of laser output parameters by monitoring the optical output parameters
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- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Optical Head (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[発明の利用分野]
本発明は、半導体レーザの発光量を所定値に制御するた
めの駆動制御方法に係り、特に、半導体レーザな用いた
光学的情報読取り・書込み装置の光学ヘッドなどに適用
し得る半導体レーザ駆動制御方法に関するものである。
めの駆動制御方法に係り、特に、半導体レーザな用いた
光学的情報読取り・書込み装置の光学ヘッドなどに適用
し得る半導体レーザ駆動制御方法に関するものである。
[従来の技術]
従来の半導体レーザの駆動制御方法の一例を第3図に示
す。
す。
第3図の制御回路において、半導体レーザlのアノード
をFET2とスイッチングトランジスタ3との間に接続
し、このスイッチングトランジスタ30ベースに書込み
信号などを入力し、この入力のオン・オフにて、スイッ
チングトランジスタ3をオン・オフするようにしてあり
、このスイッチングトランジスタ3と前記FET2の作
用にて半導体レーザ1に加わるt流をコントロールし、
半導体レーザlの駆動を制御している。
をFET2とスイッチングトランジスタ3との間に接続
し、このスイッチングトランジスタ30ベースに書込み
信号などを入力し、この入力のオン・オフにて、スイッ
チングトランジスタ3をオン・オフするようにしてあり
、このスイッチングトランジスタ3と前記FET2の作
用にて半導体レーザ1に加わるt流をコントロールし、
半導体レーザlの駆動を制御している。
そして、前記制御回路では半導体レーザlの温度変化な
どによる変動を規制するため、半導体レーザ1のモニタ
ー用発光素子4を設け、このモニター用発光素子4の出
力に基づいて、所定の電流が下導体レーザ1に加わるよ
うにしている。
どによる変動を規制するため、半導体レーザ1のモニタ
ー用発光素子4を設け、このモニター用発光素子4の出
力に基づいて、所定の電流が下導体レーザ1に加わるよ
うにしている。
具体的には、前記モニター用発光素子4の出力を差動増
幅器5a、5b、5c、ピークホールド回路6を通し、
前記FET2に加わる電流値を所定値に規制するような
電気的1しj部門ループを構成している。従って、例え
ば、周囲温度の低下などにより半導体レーザ1の発光量
が増大すると、モニター用発光素子4の発光、51が増
大する傾向になり、この光量に基づいて変換された電気
的出力により前記m制御ルー、ブては半導体レーザ1に
加わる電?Rを少なくするように作動する。逆に半導体
レーザlの発光量が減少すると、制御ループではその電
流を多くして、発光素の減少を少なくするように作動す
るのである。
幅器5a、5b、5c、ピークホールド回路6を通し、
前記FET2に加わる電流値を所定値に規制するような
電気的1しj部門ループを構成している。従って、例え
ば、周囲温度の低下などにより半導体レーザ1の発光量
が増大すると、モニター用発光素子4の発光、51が増
大する傾向になり、この光量に基づいて変換された電気
的出力により前記m制御ルー、ブては半導体レーザ1に
加わる電?Rを少なくするように作動する。逆に半導体
レーザlの発光量が減少すると、制御ループではその電
流を多くして、発光素の減少を少なくするように作動す
るのである。
ところで上述した制御回路を、情報を光学的な状態にて
光ディスクに記録・再生し、しかも記録と再生、あるい
は異なる形態の記録に切り換える装置に使用する場合に
は、この制御回路にて半導体レーザの発光量を短時間(
数m s e c )に変化させろ必要がある。
光ディスクに記録・再生し、しかも記録と再生、あるい
は異なる形態の記録に切り換える装置に使用する場合に
は、この制御回路にて半導体レーザの発光量を短時間(
数m s e c )に変化させろ必要がある。
[発明が解決しようとする問題点]
しかしながら、前記制御回路を使用して単純に半導体レ
ーザに急激な光量変化を求めようとすると下記のような
不都合が生じる。
ーザに急激な光量変化を求めようとすると下記のような
不都合が生じる。
すなわち前記制御回路が間ループの時に、制御回路のB
点に第4図(a)に示す制御入力を加え、また0点に第
4図(b)に示す書込み信号を加えると、A点では第4
図(C)に示すような波形が得られ、所定の値の書込み
入力が半導体レーザに加えられる。
点に第4図(a)に示す制御入力を加え、また0点に第
4図(b)に示す書込み信号を加えると、A点では第4
図(C)に示すような波形が得られ、所定の値の書込み
入力が半導体レーザに加えられる。
しかし前記制御回路を閉ループにすると、前記ピークホ
ールド回路60時定数の影響を受けて、第4図(d)示
すように、半導体レーザの光出力波形はイ、口の部分で
立ち上りの遅れを生じ、所定の書込み入力波形が得られ
ない。そして、制御入力がピーク値に達しない間に制御
入力のオン・オフがなされると、第5図に示すような波
形となり、一定出力での書込みが不能となってしまう。
ールド回路60時定数の影響を受けて、第4図(d)示
すように、半導体レーザの光出力波形はイ、口の部分で
立ち上りの遅れを生じ、所定の書込み入力波形が得られ
ない。そして、制御入力がピーク値に達しない間に制御
入力のオン・オフがなされると、第5図に示すような波
形となり、一定出力での書込みが不能となってしまう。
このため制御入力を加える時に、前記制御回路の一部に
おいて制御ループを一時的に切って、制御入力を制御回
路に加え、応答性の向上を図っていた。
おいて制御ループを一時的に切って、制御入力を制御回
路に加え、応答性の向上を図っていた。
しかし一時的にも、制御ループを切ることは、温度ドリ
フトなどの外因による影響を受は易くなり、好ましいこ
とではなかった。
フトなどの外因による影響を受は易くなり、好ましいこ
とではなかった。
そこで本発明は、電気的制御ループを切ることなく、制
御入力を応答性良く加えることができる半導体レーザ駆
動制御方法を提供することを目的とする。
御入力を応答性良く加えることができる半導体レーザ駆
動制御方法を提供することを目的とする。
[問題点を解決するための手段]
上記目的を達成するため、本発明は、ず導体レーザの発
光量をモニター手段の出力に基づき、ピークホールド回
路を有する電気的制御ループにて制御する半導体レーザ
駆動制御方法において、前記ピークホールド回路の前後
に、同一波形の制御入力を同時に加えることを特徴とす
る。
光量をモニター手段の出力に基づき、ピークホールド回
路を有する電気的制御ループにて制御する半導体レーザ
駆動制御方法において、前記ピークホールド回路の前後
に、同一波形の制御入力を同時に加えることを特徴とす
る。
[作 用コ
上述した手段を採用したため、ピークホールド回路によ
るピークの変化を相殺するように2つの制御入力が加わ
ることになり、電気的制御ループのループゲインを保持
てきる。
るピークの変化を相殺するように2つの制御入力が加わ
ることになり、電気的制御ループのループゲインを保持
てきる。
[実施例コ
以下、本発明の一実施例を図面に基づき説明する。
第1図は電気回路図、第2図は制御入力の波形図である
。尚、第1図、第2図において第3図にて説明した部材
と対応する部材には同一符号を付した。
。尚、第1図、第2図において第3図にて説明した部材
と対応する部材には同一符号を付した。
第1図において、半導体レーザーのアノードをFET2
とスイッチングトランジスタ3との間に接続し、このス
イッチングトランジスタ3のベース 半に書込み信号などを入力し、この入力のオン・オフに
てスイッチングトランジスタ3のオン・オフをするよう
にしてあり、このスイッチングトランジスタ3と前記F
E T 2の作用にて半導体レーザーに加わる電流を
コントロールし、半導体レーザーの駆動を制御している
。
とスイッチングトランジスタ3との間に接続し、このス
イッチングトランジスタ3のベース 半に書込み信号などを入力し、この入力のオン・オフに
てスイッチングトランジスタ3のオン・オフをするよう
にしてあり、このスイッチングトランジスタ3と前記F
E T 2の作用にて半導体レーザーに加わる電流を
コントロールし、半導体レーザーの駆動を制御している
。
前記半導体レーザーは、モニター手段である公知のモニ
ター用発光素子4を有しており、半導体レーザーの温度
変化による発光量の変化を前記モニター用発光素子40
発光量の変化による電気的変化としてとらえ、このモニ
ター用発光素子4の出力に基づいて、所定の電流が半導
体レーザーに加わるようにしている。
ター用発光素子4を有しており、半導体レーザーの温度
変化による発光量の変化を前記モニター用発光素子40
発光量の変化による電気的変化としてとらえ、このモニ
ター用発光素子4の出力に基づいて、所定の電流が半導
体レーザーに加わるようにしている。
すなわちモニター発光素子4の出力は、ピークホールド
回路6前の2つの第1差動増幅器5a、第2差動増幅器
5bと、ピークホールド回路6後の第3差動増幅器5c
を通り、前記FET2に達し、FET2に加わる電流を
変え、発光出力の変化を減少させるような電気的制御閉
ループを構成している。
回路6前の2つの第1差動増幅器5a、第2差動増幅器
5bと、ピークホールド回路6後の第3差動増幅器5c
を通り、前記FET2に達し、FET2に加わる電流を
変え、発光出力の変化を減少させるような電気的制御閉
ループを構成している。
前記ピークホールド回路6は、ダイオード6a、抵抗6
b、コンデンサ6Cよりなり、各素子の特性によって時
定数が定まる。
b、コンデンサ6Cよりなり、各素子の特性によって時
定数が定まる。
従って、前記電気的閉ループでは、半導体レーザ1の発
光量が多くなると、モニター用発光素子40発光量が増
大する傾向になり、この光量に基づいて変換された電気
的出力により、この制御ループでは半導体レーザ1に加
わる電流を少なくするように作動する。逆に半導体レー
ザ1の発光量が少なくなると、制御ループではその電流
を多くするように作動するのである。
光量が多くなると、モニター用発光素子40発光量が増
大する傾向になり、この光量に基づいて変換された電気
的出力により、この制御ループでは半導体レーザ1に加
わる電流を少なくするように作動する。逆に半導体レー
ザ1の発光量が少なくなると、制御ループではその電流
を多くするように作動するのである。
ここで本実施例では、制御入力線7を第1入力部10と
第2入力部11とに分岐し、第4差動増幅器8a、第5
差動増幅器8bを各々1つ設け、さらに第4、第5差動
増幅器8a、8bの出力が同一波形になるように調整用
可変抵抗9a、9b、9 G c、9dを設けている。
第2入力部11とに分岐し、第4差動増幅器8a、第5
差動増幅器8bを各々1つ設け、さらに第4、第5差動
増幅器8a、8bの出力が同一波形になるように調整用
可変抵抗9a、9b、9 G c、9dを設けている。
そして第1入力部lOの端部10aを、ピークホールド
回路6@の第1、第2の差劫増@器5a、5bの間の第
2差動増幅器5bに接続し、また第2入力部11の端部
11aをピークホールド回路6後の第3差動増幅器5c
とFET2との間に接続する。尚、図中のRは抵抗を示
す。
回路6@の第1、第2の差劫増@器5a、5bの間の第
2差動増幅器5bに接続し、また第2入力部11の端部
11aをピークホールド回路6後の第3差動増幅器5c
とFET2との間に接続する。尚、図中のRは抵抗を示
す。
制御回路に制御入力を加える場合には、ill制御力力
線7介して行う。このようにすることにより第1入力部
10と第2入力部11には同一波形の入力が加わり、例
えば、制御回路のB点に第2図(a)に示す波形の制御
入力を、D点に第2図(b)に示す波形の制御入力を各
々ピークホールド回路6のピーク側をそろえるように加
えると、A点における波形は第2図(C)に示すように
なり、ピークの変化が相殺されるような作用が生し、半
導体レーザ1の光出力は制御入力に対応した第2図(d
)に示すような波形となる。
線7介して行う。このようにすることにより第1入力部
10と第2入力部11には同一波形の入力が加わり、例
えば、制御回路のB点に第2図(a)に示す波形の制御
入力を、D点に第2図(b)に示す波形の制御入力を各
々ピークホールド回路6のピーク側をそろえるように加
えると、A点における波形は第2図(C)に示すように
なり、ピークの変化が相殺されるような作用が生し、半
導体レーザ1の光出力は制御入力に対応した第2図(d
)に示すような波形となる。
このようにして制御回路のループゲインは常時保持でき
るようになる。
るようになる。
このように本実施例では、制御ループの一部を切ること
なく制御入力を制御回路に加えることができ、常に半導
体レーザ1の発光量に影響を与える温度ドリフトなとの
影響を抑えるような作用が働き、確実なる制御ができる
ことになる。
なく制御入力を制御回路に加えることができ、常に半導
体レーザ1の発光量に影響を与える温度ドリフトなとの
影響を抑えるような作用が働き、確実なる制御ができる
ことになる。
[効 果]
本発明は、電気的制御ループを切ることなく、制御入力
を応答性良く加えることができ、常に確実な制御がなさ
れる半導体レーザ駆動制御方法を提供できる。
を応答性良く加えることができ、常に確実な制御がなさ
れる半導体レーザ駆動制御方法を提供できる。
第1図は本発明の一実施例の電気回路図、第2図(a)
、第2図(b)、第2図(C)、第2図(d)は電気回
路の各部における出力波形を示す図、第3図は従来のT
L電気回路図第4図(a)、第4図(b)、第4図(C
)、第4図(d)は従来の電気回路の各部における出力
波形を示す図、第5図は従来の電気回路の他の状態の時
の光出力波形を示す図である。 1・・半導体レーザ、4・・モニター手段、6・・ピー
クホールド回路、1o・・第1入力部、1’l・・第2
入力部。
、第2図(b)、第2図(C)、第2図(d)は電気回
路の各部における出力波形を示す図、第3図は従来のT
L電気回路図第4図(a)、第4図(b)、第4図(C
)、第4図(d)は従来の電気回路の各部における出力
波形を示す図、第5図は従来の電気回路の他の状態の時
の光出力波形を示す図である。 1・・半導体レーザ、4・・モニター手段、6・・ピー
クホールド回路、1o・・第1入力部、1’l・・第2
入力部。
Claims (1)
- 半導体レーザの発光量をモニター手段の出力に基づき、
ピークホールド回路を有する電気的制御ループにて制御
する半導体レーザ駆動制御方法において、前記ピークホ
ールド回路の前後に、同一波形の制御入力を同時に加え
ることを特徴とする半導体レーザ駆動制御方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62125077A JPS63289979A (ja) | 1987-05-22 | 1987-05-22 | 半導体レ−ザ駆動制御方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62125077A JPS63289979A (ja) | 1987-05-22 | 1987-05-22 | 半導体レ−ザ駆動制御方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63289979A true JPS63289979A (ja) | 1988-11-28 |
Family
ID=14901258
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62125077A Pending JPS63289979A (ja) | 1987-05-22 | 1987-05-22 | 半導体レ−ザ駆動制御方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63289979A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9038103B2 (en) | 2005-05-06 | 2015-05-19 | Rovi Guides, Inc. | Systems and methods for content surfing |
US9185332B2 (en) | 2005-05-06 | 2015-11-10 | Rovi Guides, Inc. | Systems and methods for providing a scan |
-
1987
- 1987-05-22 JP JP62125077A patent/JPS63289979A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9038103B2 (en) | 2005-05-06 | 2015-05-19 | Rovi Guides, Inc. | Systems and methods for content surfing |
US9185332B2 (en) | 2005-05-06 | 2015-11-10 | Rovi Guides, Inc. | Systems and methods for providing a scan |
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