JP2995971B2 - 半導体レーザ駆動回路 - Google Patents

半導体レーザ駆動回路

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JP2995971B2 JP3337602A JP33760291A JP2995971B2 JP 2995971 B2 JP2995971 B2 JP 2995971B2 JP 3337602 A JP3337602 A JP 3337602A JP 33760291 A JP33760291 A JP 33760291A JP 2995971 B2 JP2995971 B2 JP 2995971B2
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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体レーザ駆動回路
に関する。より詳細には、本発明は、光通信等の分野に
おいて光信号を発生するために使用される、半導体レー
ザ駆動用集積回路の新規な構成に関する。
【0002】
【従来の技術】図2は、従来の半導体レーザ駆動回路の
典型的な構成を示す図である。
【0003】同図に示すように、この半導体レーザ駆動
回路は、ゲートに相補的な入力信号を受ける1対のFE
TQ1 、Q2 を含んで構成された差動増幅回路Aと、差
動増幅回路Aの相補的な出力をゲートに受ける1対のF
ETQ3 、Q4 を含んで構成されたスイッチ回路Bとか
ら主に構成されている。
【0004】差動増幅回路Aでは、FETQ1 、Q2
各々の一端が共通に電流源I1 に接続され、他端が抵抗
1 またはR2 を介した後、共通に抵抗R3 を介して接
地GNDに接続されている。即ち、差動増幅器Aは、抵
抗R1 およびFETQ1 により形成された電流路i
1 と、抵抗R2 およびFETQ2 により形成された電流
路i2 とから主に構成されており、入力端子に印加され
る入力信号IN、IN* の変化に応じて電流路i1 、i
2 に流れる電流が振り分けられる。尚、差動増幅回路A
の出力は、FETQ1 および抵抗R1 の間とFETQ2
および抵抗R2 の間とからそれぞれ取り出されている。
【0005】一方、スイッチ回路Bでは、FETQ3
4 の一端が共通に電流源I2 に接続され、FETQ3
の他端は半導体レーザLDを介して、FETQ4 の他端
は直接に、それぞれ接地GNDに接続されている。即
ち、スイッチ回路Bは、半導体レーザLDおよびFET
3 を含む電流路i3 と、FETQ4 を含む電流路i4
とから主に構成されており、FETQ3 およびQ4 のゲ
ートに印加される駆動信号の変化に応じて、電流路
3 、i4 に流れる電流が振り分けられる。
【0006】以上のように構成された半導体レーザ駆動
回路は、電気信号として入力される入力信号IN、IN
* を差動増幅回路Aにおいて増幅した後、これを駆動信
号としてスイッチ回路Bに入力することにより、半導体
レーザLDから入力信号の変化に対応した光信号を出力
させることができる。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】光信号を発生するため
の半導体レーザ駆動回路において重要な課題のひとつに
消光期間における完全消光の達成がある。即ち、理想的
には、前述のスイッチ回路Bの機能により、消光期間中
は半導体レーザLDには全く電流が流れず、半導体レー
ザが完全に消光していることが望ましい。しかしなが
ら、実際には、信号入力端子に印可される雑音等のため
に半導体レーザLDに僅かな電流が流れ、消光期間中で
も半導体レーザLDが発光してしまうことがある。
【0008】そこで、本発明は、上記従来技術の問題点
を解決し、消光期間中は半導体レーザが全く発光しない
ような新規な構成の半導体レーザ駆動回路を提供するこ
とをその目的としている。
【0009】
【課題を解決するための手段】即ち、本発明に従うと、
相補的な入力信号の一方を制御端子に受け一端を高電圧
側に接続され他端を第1電流源側に接続された第1FE
Tと、該入力信号の他方を制御端子に受け一端を高電圧
側に接続され他端を該第1FETの該他端と共通に該第
1電流源側に接続された第2FETとを含む差動増幅回
路と、該差動増幅回路が出力する相補的な駆動信号の一
方を制御端子に受け一端を半導体レーザを介して高電圧
側に接続され他端を第2電流源に接続された第3FET
と、該駆動信号の他方を制御端子に受け一端を高電圧側
に接続され他端を該第3FETの該他端と共通に該第2
電流源に接続された第4FETとを含むスイッチ回路と
を具備する半導体レーザ駆動回路において、更に、相補
的な制御信号の一方を制御端子に受け一端を該差動増幅
回路の該第1電流源側に接続され他端を該第1電流源に
接続された第5FETと、該制御信号の他方を制御端子
に受け、一端を該第1FETの高電圧側端子に接続され
他端を該第5FETと共通に該第1電流源に接続された
第6FETとを含む切替回路を備え、該制御信号により
該第6FETを導通状態とし且つ該第5FETを非導通
状態として、該差動増幅回路が該スイッチ回路に対して
該駆動信号を出力しなくなるように構成されていること
を特徴とする半導体レーザ駆動回路が提供される。
【0010】
【作用】本発明に係る半導体レーザ駆動回路は、その差
動増幅回路に付加的な電流路と取替回路とを備えてお
り、切替回路により、差動増幅回路に供給する電流を付
加電流路にバイパスさせることにより、消光期間中はス
イッチ回路に対して駆動信号が全く出力されないように
構成されている。
【0011】即ち、従来の半導体レーザ駆動回路は、半
導体レーザを含む電流路ともうひとつの電流路との1対
の電流路に対して、入力信号に応じて振り分けた電流を
供給することにより、入力信号に応じた駆動電流を半導
体レーザに供給していた。しかしながら、本来消光期間
であるときでも、入力端子に雑音等の慮外の信号が印加
された場合、その信号に対応して半導体レーザが発光し
てしまうことは避けられなかった。
【0012】これに対して、本発明に係る半導体レーザ
駆動回路においては、差動増幅回路を構成するFETを
バイパスする付加的な電流路と、制御信号によりこの付
加的な電流路を有効にする切替回路とを備えている。従
って、制御信号により、差動増幅回路からスイッチ回路
に供給される駆動信号を完全に遮断することができ、こ
の状態では、如何なる信号が入力端子に印加されても半
導体レーザは全く発光しない。
【0013】以下、実施例を挙げて本発明をより具体的
に説明するが、以下の開示は本発明の一実施例に過ぎ
ず、本発明の技術的範囲を何ら限定するものではない。
【0014】
【実施例】図1は本発明に係る半導体レーザ駆動回路の
構成例を示す図である。尚、図2に示した回路と共通の
構成要素には同じ参照符号を付している。
【0015】同図に示すように、この半導体レーザ駆動
回路は、差動増幅回路Aとスイッチ回路Bとを備えてい
る点では図2に示した従来の半導体レーザ駆動回路と共
通しており、差動増幅回路Aは電流路i1 およびi2
より構成され、スイッチ回路Bは電流路i3 およびi4
により構成されている。但し、この半導体レーザ駆動回
路は、更に、差動増幅回路Aに対して、付加電流路i5
を含む切替回路Cを備えている点に独自の構成を有して
いる。
【0016】即ち、図1に示した回路において、切替回
路Cは、一端を共通に電流源I1 に接続されたFETQ
5 およびQ6 により構成されている。FETQ5 の他端
は、差動増幅回路Aの一端に接続されており、図2に示
した回路に対応させると、FETQ5 は、差動増幅回路
Aと電流源I1 との間に挿入された構成となっている。
一方、FETQ6 の他端は、FETQ1 と抵抗R1 との
間に接続されている。従って、付加電流路i5 は、接地
GND側からFETQ1 をバイパスして電流源I1 に接
続されている。尚、FETQ5 、Q6 の各ゲートには制
御信号SDまたはSD* が印加されている。
【0017】以上のように構成された半導体レーザ駆動
回路において、制御信号SD* によりFETQ5 が導通
しているときは、FETQ6 は非導通状態となってお
り、電流源I1 から供給される電流は全て差動増幅回路
Aに供給される。従って、この回路全体は、図2に示し
た回路と同様に半導体レーザ駆動回路として機能する。
一方、制御信号SDが遷移してFETQ5 が非導通状態
になるとFETQ6 が導通するので、電流源I1 により
供給される電流は付加的な電流路i5 を流れ、差動増幅
回路Aには電流が流れなくなる。従って、入力端子に如
何なる信号が印加されても、スイッチ回路Bに対して供
給される駆動信号が発生せず、半導体レーザLDは全く
発光しない。
【0018】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る半導
体レーザ駆動回路は、差動増幅回路に供給する電流を制
御信号で切り換えることにより、半導体レーザを駆動す
る駆動信号を完全に遮断することができる。従って、半
導体レーザの消光期間に不慮の信号が入力されても光信
号は全く発生しない。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る半導体レーザ駆動回路の具体的な
構成例を示す図である。
【図2】従来の半導体レーザ駆動回路の典型的な構成を
示す図である。
【符号の説明】
A 差動増幅回路、 B スイッチ回路、 C 切替回路、 LD 半導体レーザ、 I1 、I2 電流源、 Q1 〜Q6 FET、 R1 〜R3 抵抗
フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) H01S 3/18 H01S 3/096 H01S 3/103 JICSTファイル(JOIS)

Claims (1)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】相補的な入力信号の一方を制御端子に受け
    一端を高電圧側に接続され他端を第1電流源側に接続さ
    れた第1FETと、該入力信号の他方を制御端子に受け
    一端を高電圧側に接続され他端を該第1FETの該他端
    と共通に該第1電流源側に接続された第2FETとを含
    む差動増幅回路と、 該差動増幅回路が出力する相補的な駆動信号の一方を制
    御端子に受け一端を半導体レーザを介して高電圧側に接
    続され他端を第2電流源に接続された第3FETと、該
    駆動信号の他方を制御端子に受け一端を高電圧側に接続
    され他端を該第3FETの該他端と共通に該第2電流源
    に接続された第4FETとを含むスイッチ回路とを具備
    する半導体レーザ駆動回路において、 更に、相補的な制御信号の一方を制御端子に受け一端を
    該差動増幅回路の該第1電流源側に接続され他端を該第
    1電流源に接続された第5FETと、該制御信号の他方
    を制御端子に受け、一端を該第1FETの高電圧側端子
    に接続され他端を該第5FETと共通に該第1電流源に
    接続された第6FETとを含む切替回路を備え、 該制御信号により該第6FETを導通状態とし且つ該第
    5FETを非導通状態として、該差動増幅回路が該スイ
    ッチ回路に対して該駆動信号を出力しなくなるように構
    成されていることを特徴とする半導体レーザ駆動回路。
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