JPH05152659A - 半導体レーザ駆動回路 - Google Patents
半導体レーザ駆動回路Info
- Publication number
- JPH05152659A JPH05152659A JP33760191A JP33760191A JPH05152659A JP H05152659 A JPH05152659 A JP H05152659A JP 33760191 A JP33760191 A JP 33760191A JP 33760191 A JP33760191 A JP 33760191A JP H05152659 A JPH05152659 A JP H05152659A
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- Japan
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- fet
- semiconductor laser
- circuit
- current source
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 消光期間中に、雑音等により半導体レーザが
発光してしまうことを防止する。 【構成】 １対のＦＥＴＱ1 、Ｑ2 により構成された差
動増幅回路Ａと、半導体レーザＬＤおよび１対のＦＥＴ
Ｑ3 、Ｑ4により構成されたスイッチ回路Ｂと、１対の
ＦＥＴＱ5 、Ｑ6 により構成され、スイッチ回路Ｂをバ
イパスする付加電流路ｉ5 を含む切替回路Ｃとを備え、
制御信号により切替回路Ｃを操作することにより、スイ
ッチ回路Ｂに供給される駆動電流を付加電流路ｉ5 にバ
イパスさせて、半導体レーザが慮外に発光することを防
止する。
発光してしまうことを防止する。 【構成】 １対のＦＥＴＱ1 、Ｑ2 により構成された差
動増幅回路Ａと、半導体レーザＬＤおよび１対のＦＥＴ
Ｑ3 、Ｑ4により構成されたスイッチ回路Ｂと、１対の
ＦＥＴＱ5 、Ｑ6 により構成され、スイッチ回路Ｂをバ
イパスする付加電流路ｉ5 を含む切替回路Ｃとを備え、
制御信号により切替回路Ｃを操作することにより、スイ
ッチ回路Ｂに供給される駆動電流を付加電流路ｉ5 にバ
イパスさせて、半導体レーザが慮外に発光することを防
止する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体レーザ駆動回路
に関する。より詳細には、本発明は、光通信等の分野に
おいて光信号を発生するために使用される、半導体レー
ザ駆動用集積回路の新規な構成に関する。
に関する。より詳細には、本発明は、光通信等の分野に
おいて光信号を発生するために使用される、半導体レー
ザ駆動用集積回路の新規な構成に関する。
【０００２】
【従来の技術】図２は、従来の半導体レーザ駆動回路の
典型的な構成を示す図である。
典型的な構成を示す図である。
【０００３】同図に示すように、この半導体レーザ駆動
回路は、ゲートに相補的な入力信号を受ける１対のＦＥ
ＴＱ1 、Ｑ2 を含んで構成された差動増幅回路Ａと、差
動増幅回路Ａの相補的な出力をゲートに受ける１対のＦ
ＥＴＱ3 、Ｑ4 を含んで構成されたスイッチ回路Ｂとか
ら主に構成されている。
回路は、ゲートに相補的な入力信号を受ける１対のＦＥ
ＴＱ1 、Ｑ2 を含んで構成された差動増幅回路Ａと、差
動増幅回路Ａの相補的な出力をゲートに受ける１対のＦ
ＥＴＱ3 、Ｑ4 を含んで構成されたスイッチ回路Ｂとか
ら主に構成されている。
【０００４】差動増幅回路Ａでは、ＦＥＴＱ1 、Ｑ2 の
各々の一端が共通に電流源Ｉ1 に接続され、他端が抵抗
Ｒ1 またはＲ2 を介した後、共通に抵抗Ｒ3 を介して接
地ＧＮＤに接続されている。即ち、差動増幅器Ａは、抵
抗Ｒ1 およびＦＥＴＱ1 により形成された電流路ｉ
1 と、抵抗Ｒ2 およびＦＥＴＱ2 により形成された電流
路ｉ2 とから主に構成されており、入力端子に印加され
る入力信号ＩＮ、ＩＮ* の変化に応じて電流路ｉ1 、ｉ
2 に流れる電流が振り分けられる。尚、差動増幅回路Ａ
の出力は、ＦＥＴＱ1 および抵抗Ｒ1 の間とＦＥＴＱ2
および抵抗Ｒ2 の間とからそれぞれ取り出されている。
各々の一端が共通に電流源Ｉ1 に接続され、他端が抵抗
Ｒ1 またはＲ2 を介した後、共通に抵抗Ｒ3 を介して接
地ＧＮＤに接続されている。即ち、差動増幅器Ａは、抵
抗Ｒ1 およびＦＥＴＱ1 により形成された電流路ｉ
1 と、抵抗Ｒ2 およびＦＥＴＱ2 により形成された電流
路ｉ2 とから主に構成されており、入力端子に印加され
る入力信号ＩＮ、ＩＮ* の変化に応じて電流路ｉ1 、ｉ
2 に流れる電流が振り分けられる。尚、差動増幅回路Ａ
の出力は、ＦＥＴＱ1 および抵抗Ｒ1 の間とＦＥＴＱ2
および抵抗Ｒ2 の間とからそれぞれ取り出されている。
【０００５】一方、スイッチ回路Ｂでは、ＦＥＴＱ3 、
Ｑ4 の一端が共通に電流源Ｉ2 に接続され、ＦＥＴＱ3
の他端は半導体レーザＬＤを介して、ＦＥＴＱ4 の他端
は直接に、それぞれ接地ＧＮＤに接続されている。即
ち、スイッチ回路Ｂは、半導体レーザＬＤおよびＦＥＴ
Ｑ3 を含む電流路ｉ3 と、ＦＥＴＱ4 を含む電流路ｉ4
とから主に構成されており、ＦＥＴＱ3 およびＱ4 のゲ
ートに印加される駆動信号の変化に応じて、電流路
ｉ3 、ｉ4 に流れる電流が振り分けられる。
Ｑ4 の一端が共通に電流源Ｉ2 に接続され、ＦＥＴＱ3
の他端は半導体レーザＬＤを介して、ＦＥＴＱ4 の他端
は直接に、それぞれ接地ＧＮＤに接続されている。即
ち、スイッチ回路Ｂは、半導体レーザＬＤおよびＦＥＴ
Ｑ3 を含む電流路ｉ3 と、ＦＥＴＱ4 を含む電流路ｉ4
とから主に構成されており、ＦＥＴＱ3 およびＱ4 のゲ
ートに印加される駆動信号の変化に応じて、電流路
ｉ3 、ｉ4 に流れる電流が振り分けられる。
【０００６】以上のように構成された半導体レーザ駆動
回路は、電気信号として入力される入力信号ＩＮ、ＩＮ
* を差動増幅回路Ａにおいて増幅した後、これを駆動信
号としてスイッチ回路Ｂに入力することにより、半導体
レーザＬＤから入力信号の変化に対応した光信号を出力
させることができる。
回路は、電気信号として入力される入力信号ＩＮ、ＩＮ
* を差動増幅回路Ａにおいて増幅した後、これを駆動信
号としてスイッチ回路Ｂに入力することにより、半導体
レーザＬＤから入力信号の変化に対応した光信号を出力
させることができる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】光信号を発生するため
の半導体レーザ駆動回路において重要な課題のひとつに
消光期間における完全消光の達成がある。即ち、理想的
には、前述のスイッチ回路Ｂの機能により、消光期間中
は半導体レーザＬＤには全く電流が流れず、半導体レー
ザが完全に消光していることが望ましい。しかしなが
ら、実際には、信号入力端子に印可される雑音等のため
に半導体レーザＬＤに僅かな電流が流れ、消光期間中で
も半導体レーザＬＤが発光してしまうことがある。
の半導体レーザ駆動回路において重要な課題のひとつに
消光期間における完全消光の達成がある。即ち、理想的
には、前述のスイッチ回路Ｂの機能により、消光期間中
は半導体レーザＬＤには全く電流が流れず、半導体レー
ザが完全に消光していることが望ましい。しかしなが
ら、実際には、信号入力端子に印可される雑音等のため
に半導体レーザＬＤに僅かな電流が流れ、消光期間中で
も半導体レーザＬＤが発光してしまうことがある。
【０００８】そこで、本発明は、上記従来技術の問題点
を解決し、消光期間中は半導体レーザが全く発光しない
ような新規な構成の半導体レーザ駆動回路を提供するこ
とをその目的としている。
を解決し、消光期間中は半導体レーザが全く発光しない
ような新規な構成の半導体レーザ駆動回路を提供するこ
とをその目的としている。
【０００９】
【課題を解決するための手段】即ち、本発明に従うと、
相補的な入力信号の一方を制御端子に受け一端を高電圧
側に接続され他端を第１電流源に接続された第１ＦＥＴ
と、該入力信号の他方を制御端子に受け一端を高電圧側
に接続され他端を該第１ＦＥＴの該他端と共通に該第１
電流源に接続された第２ＦＥＴとを含む差動増幅回路
と、該差動増幅回路が出力する相補的な駆動信号の一方
を制御端子に受け一端を半導体レーザを介して高電圧側
に接続され他端を第２電流源側に接続された第３ＦＥＴ
と、該駆動信号の他方を制御端子に受け一端を高電圧側
に接続され他端を該第３ＦＥＴの該他端と共通に該第２
電流源側に接続された第４ＦＥＴとを含むスイッチ回路
とを具備する半導体レーザ駆動回路において、更に、相
補的な制御信号の一方を制御端子に受け一端を該スイッ
チ回路の該第２電流源側に接続され他端を該第２電流源
に接続された第５ＦＥＴと、該制御信号の他方を制御端
子に受け、一端を該第４ＦＥＴの高電圧側端子に接続さ
れ他端を該第５ＦＥＴの該他端と共通に該第２電流源に
接続された第６ＦＥＴとを含む切替回路を備え、該制御
信号を所定の状態にすることにより、該第５ＦＥＴを非
導通状態とし且つ該第６ＦＥＴを導通状態として、該ス
イッチ回路に対して供給される駆動電流を該第６ＦＥＴ
を含む電流路にバイパスさせることができるように構成
されていることを特徴とする半導体レーザ駆動回路が提
供される。
相補的な入力信号の一方を制御端子に受け一端を高電圧
側に接続され他端を第１電流源に接続された第１ＦＥＴ
と、該入力信号の他方を制御端子に受け一端を高電圧側
に接続され他端を該第１ＦＥＴの該他端と共通に該第１
電流源に接続された第２ＦＥＴとを含む差動増幅回路
と、該差動増幅回路が出力する相補的な駆動信号の一方
を制御端子に受け一端を半導体レーザを介して高電圧側
に接続され他端を第２電流源側に接続された第３ＦＥＴ
と、該駆動信号の他方を制御端子に受け一端を高電圧側
に接続され他端を該第３ＦＥＴの該他端と共通に該第２
電流源側に接続された第４ＦＥＴとを含むスイッチ回路
とを具備する半導体レーザ駆動回路において、更に、相
補的な制御信号の一方を制御端子に受け一端を該スイッ
チ回路の該第２電流源側に接続され他端を該第２電流源
に接続された第５ＦＥＴと、該制御信号の他方を制御端
子に受け、一端を該第４ＦＥＴの高電圧側端子に接続さ
れ他端を該第５ＦＥＴの該他端と共通に該第２電流源に
接続された第６ＦＥＴとを含む切替回路を備え、該制御
信号を所定の状態にすることにより、該第５ＦＥＴを非
導通状態とし且つ該第６ＦＥＴを導通状態として、該ス
イッチ回路に対して供給される駆動電流を該第６ＦＥＴ
を含む電流路にバイパスさせることができるように構成
されていることを特徴とする半導体レーザ駆動回路が提
供される。
【００１０】
【作用】本発明に係る半導体レーザ駆動回路は、半導体
レーザに駆動電流を供給するスイッチ回路をバイパスす
る付加的な電流路を含む切替回路を備え、消光期間中は
スイッチ回路に供給される駆動電流を遮断することがで
きるように構成されていることをその特徴としている。
レーザに駆動電流を供給するスイッチ回路をバイパスす
る付加的な電流路を含む切替回路を備え、消光期間中は
スイッチ回路に供給される駆動電流を遮断することがで
きるように構成されていることをその特徴としている。
【００１１】即ち、従来の半導体レーザ駆動回路は、半
導体レーザを含む電流路と、もうひとつの電流路との１
対の電流路とを、入力信号に応じて選択的に有効にする
ことにより、入力信号に応じた駆動電流を半導体レーザ
に供給していた。しかしながら、本来消光期間であると
きでも、入力端子に雑音を含む何らかの信号が印加され
た場合、その信号に対応して半導体レーザが発光してし
まうことは避けられなかった。
導体レーザを含む電流路と、もうひとつの電流路との１
対の電流路とを、入力信号に応じて選択的に有効にする
ことにより、入力信号に応じた駆動電流を半導体レーザ
に供給していた。しかしながら、本来消光期間であると
きでも、入力端子に雑音を含む何らかの信号が印加され
た場合、その信号に対応して半導体レーザが発光してし
まうことは避けられなかった。
【００１２】これに対して、本発明に係る半導体レーザ
駆動回路においては、半導体レーザを含む電流路と並列
に付加された電流路と、これらの電流路を選択的に有効
にする選択回路とを備えており、消光期間中は、スイッ
チ回路に供給される電流が半導体レーザを含む電流路に
全く流れないようにすることができる。従って、入力端
子に雑音等の慮外の信号が発生しても、半導体レーザは
全く発光しない。
駆動回路においては、半導体レーザを含む電流路と並列
に付加された電流路と、これらの電流路を選択的に有効
にする選択回路とを備えており、消光期間中は、スイッ
チ回路に供給される電流が半導体レーザを含む電流路に
全く流れないようにすることができる。従って、入力端
子に雑音等の慮外の信号が発生しても、半導体レーザは
全く発光しない。
【００１３】以下、実施例を挙げて本発明をより具体的
に説明するが、以下の開示は本発明の一実施例に過ぎ
ず、本発明の技術的範囲を何ら限定するものではない。
に説明するが、以下の開示は本発明の一実施例に過ぎ
ず、本発明の技術的範囲を何ら限定するものではない。
【００１４】
【実施例】図１は、本発明に係る半導体レーザ駆動回路
の構成を示す図である。尚、図２に示した回路と共通の
構成要素には同じ参照番号を付している。
の構成を示す図である。尚、図２に示した回路と共通の
構成要素には同じ参照番号を付している。
【００１５】同図に示すように、この半導体レーザ駆動
回路は、差動増幅回路Ａとスイッチ回路Ｂとを備えてい
る点では図２に示した従来の半導体レーザ駆動回路と共
通しており、差動増幅回路Ａは電流路ｉ1 およびｉ2 に
より構成され、スイッチ回路Ｂは電流路ｉ3 およびｉ4
により構成されている。但し、この半導体レーザ駆動回
路は、更に、スイッチ回路Ｂに対して、付加電流路ｉ5
を含む切替回路Ｃを備えている点に独自の構成を有して
いる。
回路は、差動増幅回路Ａとスイッチ回路Ｂとを備えてい
る点では図２に示した従来の半導体レーザ駆動回路と共
通しており、差動増幅回路Ａは電流路ｉ1 およびｉ2 に
より構成され、スイッチ回路Ｂは電流路ｉ3 およびｉ4
により構成されている。但し、この半導体レーザ駆動回
路は、更に、スイッチ回路Ｂに対して、付加電流路ｉ5
を含む切替回路Ｃを備えている点に独自の構成を有して
いる。
【００１６】図１に示した回路において、切替回路Ｃ
は、一端を共通に電流源Ｉ2 に接続されたＦＥＴＱ5 お
よびＱ6 により構成されている。ＦＥＴＱ5 の他端は、
スイッチ回路Ｂの一端に接続されている。図２に示した
回路に対応させると、ＦＥＴＱ5 はスイッチ回路Ｂと電
流源Ｉ2 との間に挿入された構成となっている。一方、
ＦＥＴＱ6 の他端は、接地ＧＮＤに直接接続されてい
る。即ち、ＦＥＴＱ6 は、接地ＧＮＤからスイッチ回路
Ｂをバイパスして電流源Ｉ2 に至る付加電流路ｉ5 を構
成している。尚、ＦＥＴＱ5、Ｑ6 の各ゲートには制御
信号ＳＤまたはＳＤ* が印加されている。
は、一端を共通に電流源Ｉ2 に接続されたＦＥＴＱ5 お
よびＱ6 により構成されている。ＦＥＴＱ5 の他端は、
スイッチ回路Ｂの一端に接続されている。図２に示した
回路に対応させると、ＦＥＴＱ5 はスイッチ回路Ｂと電
流源Ｉ2 との間に挿入された構成となっている。一方、
ＦＥＴＱ6 の他端は、接地ＧＮＤに直接接続されてい
る。即ち、ＦＥＴＱ6 は、接地ＧＮＤからスイッチ回路
Ｂをバイパスして電流源Ｉ2 に至る付加電流路ｉ5 を構
成している。尚、ＦＥＴＱ5、Ｑ6 の各ゲートには制御
信号ＳＤまたはＳＤ* が印加されている。
【００１７】以上のように構成された半導体レーザ駆動
回路において、制御信号ＳＤ* によりＦＥＴＱ5 が導通
しているときは、ＦＥＴＱ6 は非導通状態となってお
り、電流源Ｉ2 から供給される駆動電流はスイッチ回路
Ｂに供給される。従って、この回路全体は、図２に示し
た回路と同様に半導体レーザ駆動回路として機能する。
一方、制御信号ＳＤが遷移してＦＥＴＱ5 が非導通状態
になるとＦＥＴＱ6 が導通するので、電流源Ｉ2 により
供給される電流は付加的な電流路ｉ5 を流れ、スイッチ
回路Ｂには全く電流が流れなくなる。従って、入力端子
に如何なる信号が印加されても半導体レーザＬＤは全く
発光しない。
回路において、制御信号ＳＤ* によりＦＥＴＱ5 が導通
しているときは、ＦＥＴＱ6 は非導通状態となってお
り、電流源Ｉ2 から供給される駆動電流はスイッチ回路
Ｂに供給される。従って、この回路全体は、図２に示し
た回路と同様に半導体レーザ駆動回路として機能する。
一方、制御信号ＳＤが遷移してＦＥＴＱ5 が非導通状態
になるとＦＥＴＱ6 が導通するので、電流源Ｉ2 により
供給される電流は付加的な電流路ｉ5 を流れ、スイッチ
回路Ｂには全く電流が流れなくなる。従って、入力端子
に如何なる信号が印加されても半導体レーザＬＤは全く
発光しない。
【００１８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る半導
体レーザ駆動回路は、制御信号によりスイッチ回路に供
給する電流を完全に遮断することができるので、半導体
レーザの消光期間に不慮の信号が入力されても光信号が
発生することがない。
体レーザ駆動回路は、制御信号によりスイッチ回路に供
給する電流を完全に遮断することができるので、半導体
レーザの消光期間に不慮の信号が入力されても光信号が
発生することがない。
【図１】本発明に係る半導体レーザ駆動回路の具体的な
構成例を示す図である。
構成例を示す図である。
【図２】従来の半導体レーザ駆動回路の典型的な構成を
示す図である。
示す図である。
Ａ 差動増幅回路、 Ｂ スイッチ回路、 Ｃ 付加電流路、 ＬＤ 半導体レーザ、 Ｉ1 、Ｉ2 電流源、 Ｑ1 〜Ｑ6 ＦＥＴ、 Ｒ1 〜Ｒ3 抵抗
Claims (1)
- 【請求項１】相補的な入力信号の一方を制御端子に受け
一端を高電圧側に接続され他端を第１電流源に接続され
た第１ＦＥＴと、該入力信号の他方を制御端子に受け一
端を高電圧側に接続され他端を該第１ＦＥＴの該他端と
共通に該第１電流源に接続された第２ＦＥＴとを含む差
動増幅回路と、 該差動増幅回路が出力する相補的な駆動信号の一方を制
御端子に受け一端を半導体レーザを介して高電圧側に接
続され他端を第２電流源側に接続された第３ＦＥＴと、
該駆動信号の他方を制御端子に受け一端を高電圧側に接
続され他端を該第３ＦＥＴの該他端と共通に該第２電流
源側に接続された第４ＦＥＴとを含むスイッチ回路とを
具備する半導体レーザ駆動回路において、 更に、相補的な制御信号の一方を制御端子に受け一端を
該スイッチ回路の該第２電流源側に接続され他端を該第
２電流源に接続された第５ＦＥＴと、該制御信号の他方
を制御端子に受け、一端を該第４ＦＥＴの高電圧側端子
に接続され他端を該第５ＦＥＴの該他端と共通に該第２
電流源に接続された第６ＦＥＴとを含む切替回路を備
え、 該制御信号を所定の状態にすることにより、該第５ＦＥ
Ｔを非導通状態とし且つ該第６ＦＥＴを導通状態とし
て、該スイッチ回路に対して供給される駆動電流を該第
６ＦＥＴを含む電流路にバイパスさせることができるよ
うに構成されていることを特徴とする半導体レーザ駆動
回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33760191A JPH05152659A (ja) | 1991-11-27 | 1991-11-27 | 半導体レーザ駆動回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33760191A JPH05152659A (ja) | 1991-11-27 | 1991-11-27 | 半導体レーザ駆動回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05152659A true JPH05152659A (ja) | 1993-06-18 |
Family
ID=18310184
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33760191A Pending JPH05152659A (ja) | 1991-11-27 | 1991-11-27 | 半導体レーザ駆動回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05152659A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011198865A (ja) * | 2010-03-18 | 2011-10-06 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | ゲート回路およびレーザ駆動回路 |
-
1991
- 1991-11-27 JP JP33760191A patent/JPH05152659A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011198865A (ja) * | 2010-03-18 | 2011-10-06 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | ゲート回路およびレーザ駆動回路 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20000404 |