JPS63283133A - 氷微粒子発生装置 - Google Patents
氷微粒子発生装置Info
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- JPS63283133A JPS63283133A JP11923687A JP11923687A JPS63283133A JP S63283133 A JPS63283133 A JP S63283133A JP 11923687 A JP11923687 A JP 11923687A JP 11923687 A JP11923687 A JP 11923687A JP S63283133 A JPS63283133 A JP S63283133A
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- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
この発明は、半導体工業におけるウェハ等の洗浄、ウェ
ハの裏面ゲッタリング等に使用される氷微粒子発生装置
に関するもので、特により微細な水微粒子をｔ８ること
ができる氷微粒子発生装置に関するものである。
ハの裏面ゲッタリング等に使用される氷微粒子発生装置
に関するもので、特により微細な水微粒子をｔ８ること
ができる氷微粒子発生装置に関するものである。
［従来の技術］
第２図は、従来法による氷微粒子発生装置の一例を示し
た断面図であり、図において、１は製氷容器、２は液体
窒素源、３は水の微粒子を凍結させるための液体窒素、
４は液体窒素３の表面に波を生じさせるための散気管、
５は液体窒素を気化させ窒素ガスを得るための熱交換器
、１６は純水を噴霧させるノズル、１７はノズル１６に
純水を供給するための純水源、１１は凍結された氷粒子
、１２はスクリューフィーダ、１３は氷粒子貯蔵用のホ
ッパ、１４はプラスト装置、１５は被洗浄物等である。
た断面図であり、図において、１は製氷容器、２は液体
窒素源、３は水の微粒子を凍結させるための液体窒素、
４は液体窒素３の表面に波を生じさせるための散気管、
５は液体窒素を気化させ窒素ガスを得るための熱交換器
、１６は純水を噴霧させるノズル、１７はノズル１６に
純水を供給するための純水源、１１は凍結された氷粒子
、１２はスクリューフィーダ、１３は氷粒子貯蔵用のホ
ッパ、１４はプラスト装置、１５は被洗浄物等である。
次に動作について説明する。たとえば製氷容器１には液
体窒素ｓ２から液体窒素３が供給されている。この液体
窒素３において、散気管４がら窒素ガスを３００１／■
１ｎの割合で嗅出きだすことによって、液体窒素３の表
面に数１の波を生じさせる。この窒素ガスは液体窒素［
２がら熱交換器５を介して与えられる。一方、製氷容器
１の上部に設けられたノズル１６には、純水１ＩＩ７が
ら０゜１１／鴎ｉｎの流】で純水が供給されるとともに
、５１Ｌ／ｍｌｎの５！壷で窒素ガスが供給される。そ
して純水がノズル１６から霧状に噴射される。こうして
液体窒素３内に噴射された純水の霧は瞬時に微細な氷の
粒子１１となる。こうして製造された氷の粒子８はたと
えばスクリューフィーダ１２によってホッパ１３内に輸
送される。ホッパ内の氷粒子は次にブラスト装置１４に
おいて窒素ガスにより噴射される。この噴射された氷粒
子を被洗浄物等１５に当てて洗浄等を行なう。
体窒素ｓ２から液体窒素３が供給されている。この液体
窒素３において、散気管４がら窒素ガスを３００１／■
１ｎの割合で嗅出きだすことによって、液体窒素３の表
面に数１の波を生じさせる。この窒素ガスは液体窒素［
２がら熱交換器５を介して与えられる。一方、製氷容器
１の上部に設けられたノズル１６には、純水１ＩＩ７が
ら０゜１１／鴎ｉｎの流】で純水が供給されるとともに
、５１Ｌ／ｍｌｎの５！壷で窒素ガスが供給される。そ
して純水がノズル１６から霧状に噴射される。こうして
液体窒素３内に噴射された純水の霧は瞬時に微細な氷の
粒子１１となる。こうして製造された氷の粒子８はたと
えばスクリューフィーダ１２によってホッパ１３内に輸
送される。ホッパ内の氷粒子は次にブラスト装置１４に
おいて窒素ガスにより噴射される。この噴射された氷粒
子を被洗浄物等１５に当てて洗浄等を行なう。
［発明が解決しようとする問題点］
従来の氷微粒子発生装置は以上のように構成されている
ので、ノズル１６による噴霧方式では、７０〜８０μｍ
レベル前後の粒径の氷しか得ることができず、微細加工
されたウェハや治工具の洗浄に使用するさらに微細な氷
粒子は得られないという問題点があった。
ので、ノズル１６による噴霧方式では、７０〜８０μｍ
レベル前後の粒径の氷しか得ることができず、微細加工
されたウェハや治工具の洗浄に使用するさらに微細な氷
粒子は得られないという問題点があった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、０．１μｍレベルの微細な氷粒子を発生させ
る装置を得ることを目的とする。
たもので、０．１μｍレベルの微細な氷粒子を発生させ
る装置を得ることを目的とする。
［問題点を解決するための手段］
この発明に係る氷微粒子発生装置は、氷の微粒子を発生
させる前段階である水の微粒子発生部に、水素ガスの燃
焼機構を備え、酸素ガスと水素ガスの燃焼反応の結果得
られた水の微粒子を液体窒素内に供給して水微粒子を発
生させるようにしたものである。
させる前段階である水の微粒子発生部に、水素ガスの燃
焼機構を備え、酸素ガスと水素ガスの燃焼反応の結果得
られた水の微粒子を液体窒素内に供給して水微粒子を発
生させるようにしたものである。
［作用］
この発明における氷微粒子発生装置は、水微粒子の原料
となる水の微粒子を水素ガスの燃焼反応によって発生さ
せるため非常に微細な水の粒子が得られる。
となる水の微粒子を水素ガスの燃焼反応によって発生さ
せるため非常に微細な水の粒子が得られる。
［発明の実施例］
以下、この発明の一実施例を図について説明する。
第１図において、１は製氷容器、２は液体窒素源、３は
水の粒子を凍結させるための液体窒素、４は液体窒素３
の表面に波を生じさせるための散気管、５は液体窒素を
気化させ窒素ガスを得るための熱交換器、６は水素ガス
を燃焼させる燃焼器、７は燃焼器６に酸素ガスを供給す
る酸素ガス配管、８は燃焼器６に水素ガスを供給する水
素ガス配管、９は酸素ガスと水素ガスが燃焼してできた
炎、１０は水の微粒子、１１は凍結された氷粒子、１２
はスクリューフィーダ、１３は氷粒子貯蔵用のホッパ、
１４はブラスト装置、１５は被洗浄物等である。
水の粒子を凍結させるための液体窒素、４は液体窒素３
の表面に波を生じさせるための散気管、５は液体窒素を
気化させ窒素ガスを得るための熱交換器、６は水素ガス
を燃焼させる燃焼器、７は燃焼器６に酸素ガスを供給す
る酸素ガス配管、８は燃焼器６に水素ガスを供給する水
素ガス配管、９は酸素ガスと水素ガスが燃焼してできた
炎、１０は水の微粒子、１１は凍結された氷粒子、１２
はスクリューフィーダ、１３は氷粒子貯蔵用のホッパ、
１４はブラスト装置、１５は被洗浄物等である。
次に動作について説明する。製氷容器１には液体窒素ｉ
１！２から液体窒素３が供給されている。この液体窒素
３ｋＬおいて、散気管４がら窒素ガスを３００１／−１
ｎの割合で噴出すことによって、液体窒素３の表面に数
−一の波を生じさせる。この窒素ガスは液体窒素源２か
ら熱交換器５を介して与えられる。一方、製氷容器１の
上部に設けられた燃焼器６から水素ガスが燃焼して発生
した炎９を介して水の微粒子１０が発生する。この燃焼
器６には燃焼ガスとして酸素ガス配ｔＲ７から酸素ガス
が、水素ガス配管８から水素ガスが供給される。
１！２から液体窒素３が供給されている。この液体窒素
３ｋＬおいて、散気管４がら窒素ガスを３００１／−１
ｎの割合で噴出すことによって、液体窒素３の表面に数
−一の波を生じさせる。この窒素ガスは液体窒素源２か
ら熱交換器５を介して与えられる。一方、製氷容器１の
上部に設けられた燃焼器６から水素ガスが燃焼して発生
した炎９を介して水の微粒子１０が発生する。この燃焼
器６には燃焼ガスとして酸素ガス配ｔＲ７から酸素ガス
が、水素ガス配管８から水素ガスが供給される。
このようにして発生した水の微粒子１０は液体窒素３に
より瞬時に微細な氷粒子１１となる。
より瞬時に微細な氷粒子１１となる。
こうして製造された氷粒子１１はたとえばスクリューフ
ィーダ１２によってホッパ１３内に輸送される。ホッパ
１３内の氷粒子は次にブラスト装［１４において窒素ガ
スにより噴出される。この噴出された氷粒子を被洗浄物
等１５に当てて洗浄等を行なう。
ィーダ１２によってホッパ１３内に輸送される。ホッパ
１３内の氷粒子は次にブラスト装［１４において窒素ガ
スにより噴出される。この噴出された氷粒子を被洗浄物
等１５に当てて洗浄等を行なう。
［発明の効果］
以上のように、この発明によれば氷の微粒子を製造する
前段階の水の微粒子の生成を、水素ガスの燃焼反応によ
って行ない、それによって得られた分子レベルの大きさ
の水の微粒子を凍結して氷の粒子を生成するため非常に
微細な氷の粒子を得ることができるという効果がある。
前段階の水の微粒子の生成を、水素ガスの燃焼反応によ
って行ない、それによって得られた分子レベルの大きさ
の水の微粒子を凍結して氷の粒子を生成するため非常に
微細な氷の粒子を得ることができるという効果がある。
第１図はこの発明の一実施例による氷微粒子発生装置を
含む半導体背面への格子欠陥導入装置を示す断面図、第
２図は従来の氷微粒子発生装置を含む半導体ウェハ背面
への格子欠陥を導入する装置を示す図面である。 閣において１は製氷容器、２は液体窒素源、３は液体窒
素、４は散気管、５は熱交換器、６は燃焼器、７は酸素
ガス配管、８は水素ガス配管、９は炎、１０は水の微粒
子、１１は氷粒子、１２はスクリューフィーダ、１３は
ホッパ、１４はブラスト装置、１５は被洗浄物である。 なお、図中、同一符号は同一、または相当部分を示す。
含む半導体背面への格子欠陥導入装置を示す断面図、第
２図は従来の氷微粒子発生装置を含む半導体ウェハ背面
への格子欠陥を導入する装置を示す図面である。 閣において１は製氷容器、２は液体窒素源、３は液体窒
素、４は散気管、５は熱交換器、６は燃焼器、７は酸素
ガス配管、８は水素ガス配管、９は炎、１０は水の微粒
子、１１は氷粒子、１２はスクリューフィーダ、１３は
ホッパ、１４はブラスト装置、１５は被洗浄物である。 なお、図中、同一符号は同一、または相当部分を示す。
Claims (2)
- （１）水素ガスの燃焼機構と、前記燃焼機構へ前記水素
ガスと燃焼のための酸素ガスを供給する手段と、前記燃
焼機構で発生した水の微粒子を瞬時に凍結して微細な氷
粒子とする手段とからなる氷微粒子発生装置。 - （２）前記氷微粒子発生装置が半導体ウェハ背面への格
子欠陥導入装置の氷準備手段であることを特徴とする特
許請求の範囲第１項に記載の氷微粒子発生装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11923687A JPS63283133A (ja) | 1987-05-15 | 1987-05-15 | 氷微粒子発生装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11923687A JPS63283133A (ja) | 1987-05-15 | 1987-05-15 | 氷微粒子発生装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63283133A true JPS63283133A (ja) | 1988-11-21 |
Family
ID=14756332
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11923687A Pending JPS63283133A (ja) | 1987-05-15 | 1987-05-15 | 氷微粒子発生装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63283133A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02270322A (ja) * | 1989-04-11 | 1990-11-05 | Taiyo Sanso Co Ltd | 半導体ウェハの洗浄装置 |
| JPH04171818A (ja) * | 1990-11-05 | 1992-06-19 | Taiyo Sanso Co Ltd | 半導体ウエハの洗浄装置 |
| CN109311668A (zh) * | 2016-06-16 | 2019-02-05 | 3M创新有限公司 | 成形六方氮化硼体、用于制备其的六方氮化硼颗粒以及制备其的方法 |
-
1987
- 1987-05-15 JP JP11923687A patent/JPS63283133A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02270322A (ja) * | 1989-04-11 | 1990-11-05 | Taiyo Sanso Co Ltd | 半導体ウェハの洗浄装置 |
| JPH04171818A (ja) * | 1990-11-05 | 1992-06-19 | Taiyo Sanso Co Ltd | 半導体ウエハの洗浄装置 |
| CN109311668A (zh) * | 2016-06-16 | 2019-02-05 | 3M创新有限公司 | 成形六方氮化硼体、用于制备其的六方氮化硼颗粒以及制备其的方法 |
| CN109311668B (zh) * | 2016-06-16 | 2022-07-19 | 3M创新有限公司 | 成形六方氮化硼体、用于制备其的六方氮化硼颗粒以及制备其的方法 |
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