JPS63282254A - 弗素樹脂薄膜の製造方法 - Google Patents
弗素樹脂薄膜の製造方法Info
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- JPS63282254A JPS63282254A JP11546187A JP11546187A JPS63282254A JP S63282254 A JPS63282254 A JP S63282254A JP 11546187 A JP11546187 A JP 11546187A JP 11546187 A JP11546187 A JP 11546187A JP S63282254 A JPS63282254 A JP S63282254A
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Landscapes
- Laminated Bodies (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、金属、セラミックス、無機物質、有機物質等
の基板上に所望の特性を持ちかつ基板との密着性にすぐ
れた弗素樹脂薄膜を製造する方法に関するものである。
の基板上に所望の特性を持ちかつ基板との密着性にすぐ
れた弗素樹脂薄膜を製造する方法に関するものである。
（従来技術）
弗素樹脂薄膜の従来の製法は、■重合が完結した弗素樹
脂粉末を水に分散したディスパージョンを基板に塗布し
た後、水の除去および焼き付けを行う方法、■テトラフ
ルオロエチレンやＣＦ４’Ｉの７０ロカーボン系ガスを
プラズマにより重合し薄膜化する方法がある。
脂粉末を水に分散したディスパージョンを基板に塗布し
た後、水の除去および焼き付けを行う方法、■テトラフ
ルオロエチレンやＣＦ４’Ｉの７０ロカーボン系ガスを
プラズマにより重合し薄膜化する方法がある。
しかし前者のディスパージョン法では、基板材質によっ
ては膜ができない場合があり、さらに１μｍ以下の様な
薄膜の作製が困難である。また焼き付けの際高温加熱す
るため、耐熱性のない基板上への成膜が不可能であり、
又アルミニウム箔を基板とする場合にはエツチング処理
が必要である。
ては膜ができない場合があり、さらに１μｍ以下の様な
薄膜の作製が困難である。また焼き付けの際高温加熱す
るため、耐熱性のない基板上への成膜が不可能であり、
又アルミニウム箔を基板とする場合にはエツチング処理
が必要である。
後者のプラズマ法は、成膜速度が遅く、膜の分子構造制
御が困難であるという欠点がある。
御が困難であるという欠点がある。
（発明が解決しようとする問題点）
そこで本発明は、前述のような従来の弗素樹脂薄膜法の
欠点を改良し、基板との密着性が良好でピンホールのな
い弗素樹脂薄膜を製造する方法を提供することである。
欠点を改良し、基板との密着性が良好でピンホールのな
い弗素樹脂薄膜を製造する方法を提供することである。
さらに具体的には、一般夜加熱すると蒸発する前に熱分
解が起こる高分子化金物を熱分解させずに分子イオンあ
るいは帯電粒子とするために電界脱離法を応用したこと
を特徴とする弗素樹脂薄膜の製造法を提供することであ
る。
解が起こる高分子化金物を熱分解させずに分子イオンあ
るいは帯電粒子とするために電界脱離法を応用したこと
を特徴とする弗素樹脂薄膜の製造法を提供することであ
る。
（問題点を解決するための手段）
即ち本発明において原料高分子物である弗素樹脂の分解
を抑制し、これを微細な粒子状とするためいわゆる電界
脱離（Ｆｉｅｌｄ Ｄｅｓｏｒｐｔｉｏｎ ）法を利用
する。即ち加熱可能な電極に原料物質を保持させて溶融
状態とし、空間を隔てた電極との間に高電圧を印加する
。これにより発生した電界の吸引膜とする。
を抑制し、これを微細な粒子状とするためいわゆる電界
脱離（Ｆｉｅｌｄ Ｄｅｓｏｒｐｔｉｏｎ ）法を利用
する。即ち加熱可能な電極に原料物質を保持させて溶融
状態とし、空間を隔てた電極との間に高電圧を印加する
。これにより発生した電界の吸引膜とする。
（作用）
電界脱離法について簡単に説明する。高分子材料などが
塗っである鋭く尖った針金やかみそりの刃の先端などと
対向電極との間に高電圧をかけ約１０’ Ｖ／Ｃ１１以
上の強い電場を作り、徐々に温度を上げると先端に塗ら
れた材料が部分的にイオン化され飛び出す。この場合、
材料は非常に微細な液滴となり、ジェット噴射状で飛び
出す場合および分子状のいわゆる分子イオンとして飛び
出す場合がある。
塗っである鋭く尖った針金やかみそりの刃の先端などと
対向電極との間に高電圧をかけ約１０’ Ｖ／Ｃ１１以
上の強い電場を作り、徐々に温度を上げると先端に塗ら
れた材料が部分的にイオン化され飛び出す。この場合、
材料は非常に微細な液滴となり、ジェット噴射状で飛び
出す場合および分子状のいわゆる分子イオンとして飛び
出す場合がある。
質量分析法において、後者の現象が難揮発性物質の分子
イオンスペクトルを測定するためのイオン化法として応
用されているが、非常に微量のイオンで質量スペクトル
が得られるのでジェット噴射は利用されず、むしろ有害
なものとして前処理により除去される。
イオンスペクトルを測定するためのイオン化法として応
用されているが、非常に微量のイオンで質量スペクトル
が得られるのでジェット噴射は利用されず、むしろ有害
なものとして前処理により除去される。
本発明の方法においては、ジェット噴射および分子イオ
ンの両方を有効に利用する。難揮発性物質である弗素樹
脂の分解を最少限に押え、これを分子状にして気相中に
取り出す。次いで直接被覆すべき基板上に導き有機薄膜
を形成させる。
ンの両方を有効に利用する。難揮発性物質である弗素樹
脂の分解を最少限に押え、これを分子状にして気相中に
取り出す。次いで直接被覆すべき基板上に導き有機薄膜
を形成させる。
原料物質を導入する前に公知のイオンエツチングあるい
はプラズマエツチング等の処理により、基板表面をエツ
チングするかもしくは中間接合層を形成することが可能
で６Ｄ、これによって基板と高分子薄膜との密着性を更
に向上させることができる。
はプラズマエツチング等の処理により、基板表面をエツ
チングするかもしくは中間接合層を形成することが可能
で６Ｄ、これによって基板と高分子薄膜との密着性を更
に向上させることができる。
また加熱可能なぶ料保持電極の形状としては先端が針状
であればいろいろな形状のものが利用可能である。
であればいろいろな形状のものが利用可能である。
さらに原料として用いる弗素樹脂としては、四弗化エチ
レン、三弗化塩化エチレンの重合体あるいは塩化ビニル
と三弗化塩化エチレンの共重合体等が適当である （実施例） 以下添付図面の第１図を参照して本発明の製法を具体的
実施例について説明するが、本発明はこれに限定される
ものではない。
レン、三弗化塩化エチレンの重合体あるいは塩化ビニル
と三弗化塩化エチレンの共重合体等が適当である （実施例） 以下添付図面の第１図を参照して本発明の製法を具体的
実施例について説明するが、本発明はこれに限定される
ものではない。
実施例
原料有機物として分子量１０万のポリテトラフルオロエ
チレンを用い、これを多孔質金属（１）に保持し、この
多孔質金属をヒーター（３）により４００℃に加熱し原
料物質を溶融状態にする。これと空間を隔てて対向した
電極（２）との間に電圧を１５ＫＶ印加する。２０分後
、基板（４）であるアルミニクム箔上に膜厚１０００Ａ
０の撥水性が良好で基板との密着性の良いテトラフルオ
ロエチレンオリゴマーの薄膜が得られた。この膜をプラ
ズマ重合させることによりさらに高分子量化できた。
チレンを用い、これを多孔質金属（１）に保持し、この
多孔質金属をヒーター（３）により４００℃に加熱し原
料物質を溶融状態にする。これと空間を隔てて対向した
電極（２）との間に電圧を１５ＫＶ印加する。２０分後
、基板（４）であるアルミニクム箔上に膜厚１０００Ａ
０の撥水性が良好で基板との密着性の良いテトラフルオ
ロエチレンオリゴマーの薄膜が得られた。この膜をプラ
ズマ重合させることによりさらに高分子量化できた。
（発明の効果）
本発明の弗素樹脂薄膜の製造法により、従来の方法に比
べてはるかに基板との密着性が優れたビンホｒルのない
弗素樹脂薄膜が得られた。これ１′：ｔフィルムコンデ
ンサーなどの電子部品や食品用非粘着性フィルムとして
有効である。
べてはるかに基板との密着性が優れたビンホｒルのない
弗素樹脂薄膜が得られた。これ１′：ｔフィルムコンデ
ンサーなどの電子部品や食品用非粘着性フィルムとして
有効である。
第１図は本発明の製造法に用いる装置を模式的に示した
例である。 （１）・・・原料有機物質を含浸した多孔質金属、（２
）・・・対向電極、（６）・・・ヒーター、（４）・・
・基板、（５）・・・高圧電源
例である。 （１）・・・原料有機物質を含浸した多孔質金属、（２
）・・・対向電極、（６）・・・ヒーター、（４）・・
・基板、（５）・・・高圧電源
Claims (2)
- （１）薄膜形成原料物質である弗素樹脂をその軟化点以
上の温度に加熱できる電極に保持させ、その電極と空間
を隔てて対向する電極間に電圧を印加し、その電界の吸
引力により原料物質を保持電極から分子イオンあるいは
帯電粒子として気相中へ脱離させ基板へ析出させること
を特徴とする弗素樹脂薄膜の製造方法。 - （２）弗素樹脂の分子量が５万以上である特許請求の範
囲第（１）項記載の弗素樹脂薄膜の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11546187A JPS63282254A (ja) | 1987-05-11 | 1987-05-11 | 弗素樹脂薄膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11546187A JPS63282254A (ja) | 1987-05-11 | 1987-05-11 | 弗素樹脂薄膜の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63282254A true JPS63282254A (ja) | 1988-11-18 |
Family
ID=14663119
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11546187A Pending JPS63282254A (ja) | 1987-05-11 | 1987-05-11 | 弗素樹脂薄膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63282254A (ja) |
-
1987
- 1987-05-11 JP JP11546187A patent/JPS63282254A/ja active Pending
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