JPH0514722B2 - - Google Patents
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- JPH0514722B2 JPH0514722B2 JP59151139A JP15113984A JPH0514722B2 JP H0514722 B2 JPH0514722 B2 JP H0514722B2 JP 59151139 A JP59151139 A JP 59151139A JP 15113984 A JP15113984 A JP 15113984A JP H0514722 B2 JPH0514722 B2 JP H0514722B2
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Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、基板上に高周波低圧グロー放電に
よつて単量体の炭化水素および／またはフツ化炭
化からなるグロー重合体層を形成する方法に関す
る。
よつて単量体の炭化水素および／またはフツ化炭
化からなるグロー重合体層を形成する方法に関す
る。
ガス状の有機単量体から出発して低圧プラズマ
励起によつて基板上に重合体を生じるグロー重合
によつて、その他の方法では重合不可能な単量体
からでも薄く均質で気孔のない層を製造すること
ができることは知られている。特に、無線周波数
領域（A.T.Bell S.Veprek，M.Venugopalan著
“Plasma Chemistry”，Berlin Heidel−berg，
Springer−Verlag，1980年，43ページ以降参照）
即ち0.1ないし100MHz（RF）の領域、およびマ
イクロ波領域（J.Macromol著Sci.−Chem.”A14
(3)、321ないし337ページ、1980年参照）即ち0.1
ないし1000GHz（MW）の領域における高周波放
電は、グロー重合用の低圧プラズマを発生するの
に特に好適であることが判明している。その場合
エネルギーは、プラズマ即ちグロー重合が行なわ
れる反応装置に、容易に外部導体を介して容量的
および誘導的に、および共振空胴いわゆる“低速
波構造”などのような導波管によつて導くことが
できるので、導電部とプラズマとの間の相互干渉
は阻止される。
励起によつて基板上に重合体を生じるグロー重合
によつて、その他の方法では重合不可能な単量体
からでも薄く均質で気孔のない層を製造すること
ができることは知られている。特に、無線周波数
領域（A.T.Bell S.Veprek，M.Venugopalan著
“Plasma Chemistry”，Berlin Heidel−berg，
Springer−Verlag，1980年，43ページ以降参照）
即ち0.1ないし100MHz（RF）の領域、およびマ
イクロ波領域（J.Macromol著Sci.−Chem.”A14
(3)、321ないし337ページ、1980年参照）即ち0.1
ないし1000GHz（MW）の領域における高周波放
電は、グロー重合用の低圧プラズマを発生するの
に特に好適であることが判明している。その場合
エネルギーは、プラズマ即ちグロー重合が行なわ
れる反応装置に、容易に外部導体を介して容量的
および誘導的に、および共振空胴いわゆる“低速
波構造”などのような導波管によつて導くことが
できるので、導電部とプラズマとの間の相互干渉
は阻止される。
グロー重合における興味のある点は、炭化水素
（CH）およびフツ化炭素（CF）を原材料とする
層の製造である。その場合重合性化合物の広いス
ペクトルを包含する有機単量体から、広範囲にわ
たつて特定できる特性をもつグロー重合体を製造
することができる。CH基板および／またはCF基
板上のこのように製造された薄層によつて、質的
および量的に良好な歩留りにおいて損失の少い誘
電体、表面エネルギーの少い疎液性の被覆、Ｘ線
リトグラフおよび電子線リトグラフにおける乾燥
構造化プロセス用の高感度抵抗層、電気医療に使
用する薄膜および種々な用途に使用するエレクト
レツトが製造される。
（CH）およびフツ化炭素（CF）を原材料とする
層の製造である。その場合重合性化合物の広いス
ペクトルを包含する有機単量体から、広範囲にわ
たつて特定できる特性をもつグロー重合体を製造
することができる。CH基板および／またはCF基
板上のこのように製造された薄層によつて、質的
および量的に良好な歩留りにおいて損失の少い誘
電体、表面エネルギーの少い疎液性の被覆、Ｘ線
リトグラフおよび電子線リトグラフにおける乾燥
構造化プロセス用の高感度抵抗層、電気医療に使
用する薄膜および種々な用途に使用するエレクト
レツトが製造される。
無線周波グロー放電においてはとりわけ、空気
中の酸素が入つた場合に酸化するか或いは場合に
よつて他の反応性の化合物と反応する不飽和構造
およびラジカルがCH層またはCF層の中に形成さ
れることを防止することは原則的に不可能であ
り、これは好ましくない又は不明確な極性、例え
ば溶媒を作用させた場合の親液性または湿気の存
在における特性の著しい変化のため、形成された
層を化学変化させる原因となる。このことは、単
量体分子からなるプラズマにおいては電子との衝
突によつて水素原子およびフツ素原子の一部が分
裂し、ガス流（単量体成分の）によつて押し流さ
れ、従つて層の形成が阻止されることに帰因して
いる。単量体に比べて化学量論以下即ち２以下の
Ｈ／Ｃ比率またはＦ／Ｃ比率（E.Kay，J.
Coburn，A.Dilks，M.Venugopalan著”Plasma
Chem−istry”，Berlin Heidelberg Springer
−Verlag，1980年、１ページ以降参照）によつ
て、層の中に炭素原子の一次遊離原子価が残留
し、これは結果として不飽和構造および凍結され
たラジカルを形成し、従つて化学的な観点におい
て不安定の原因となる。
中の酸素が入つた場合に酸化するか或いは場合に
よつて他の反応性の化合物と反応する不飽和構造
およびラジカルがCH層またはCF層の中に形成さ
れることを防止することは原則的に不可能であ
り、これは好ましくない又は不明確な極性、例え
ば溶媒を作用させた場合の親液性または湿気の存
在における特性の著しい変化のため、形成された
層を化学変化させる原因となる。このことは、単
量体分子からなるプラズマにおいては電子との衝
突によつて水素原子およびフツ素原子の一部が分
裂し、ガス流（単量体成分の）によつて押し流さ
れ、従つて層の形成が阻止されることに帰因して
いる。単量体に比べて化学量論以下即ち２以下の
Ｈ／Ｃ比率またはＦ／Ｃ比率（E.Kay，J.
Coburn，A.Dilks，M.Venugopalan著”Plasma
Chem−istry”，Berlin Heidelberg Springer
−Verlag，1980年、１ページ以降参照）によつ
て、層の中に炭素原子の一次遊離原子価が残留
し、これは結果として不飽和構造および凍結され
たラジカルを形成し、従つて化学的な観点におい
て不安定の原因となる。
本発明の目的は、化学的に安定した製品が得ら
れるような冒頭に述べた種類のグロー重合体層の
形成方法を提供することにある。
れるような冒頭に述べた種類のグロー重合体層の
形成方法を提供することにある。
この目的は本発明によれば、グロー重合体の製
造後に炭化水素単量体および／またはフツ化炭素
単量体の雰囲気中で、100ないし450℃の温度で、
１ないし10時間にわたつて空気を排除して熱処理
を行なうことによつて達成される。
造後に炭化水素単量体および／またはフツ化炭素
単量体の雰囲気中で、100ないし450℃の温度で、
１ないし10時間にわたつて空気を排除して熱処理
を行なうことによつて達成される。
本発明による方法では、一次的に製造されたグ
ロー重合体の水素不足量またはフツ素不足量を後
から全部または一部を捕填することによつて、化
学的および物理的な観点において安定な層が形成
される。この方法では、場合によつては450℃以
上の温度で短時間熱処理することもできる。
ロー重合体の水素不足量またはフツ素不足量を後
から全部または一部を捕填することによつて、化
学的および物理的な観点において安定な層が形成
される。この方法では、場合によつては450℃以
上の温度で短時間熱処理することもできる。
前述の解決策、即ち後から熱処理を行う代り
に、本発明の上述の目的は、グロー重合体がその
上に析出される基板を、グロー重合体の製造中に
100ないし450℃の温度に加熱することによつても
達成することができる。
に、本発明の上述の目的は、グロー重合体がその
上に析出される基板を、グロー重合体の製造中に
100ないし450℃の温度に加熱することによつても
達成することができる。
このような処置方法によれば、凍結されたラジ
カルの飽和による安定化と共に、層からの低分子
量の揮発性の重合成分の除去も達成される。その
ほか、グロー重合の場合に必要とする条件に制約
されて、その代替策の場合においても、空気を排
除して行われる。
カルの飽和による安定化と共に、層からの低分子
量の揮発性の重合成分の除去も達成される。その
ほか、グロー重合の場合に必要とする条件に制約
されて、その代替策の場合においても、空気を排
除して行われる。
本発明による方法においては、高周波によつて
行われるグロー重合に特有な原理的な欠点、即ち
一次的に形成されるグロー重合体の化学的不安定
性が、化学的および物理的に安定な層の製造に実
質的に利用されるものである。一次的に形成され
たグロー重合体の欠点は、安定な特性と共に一定
した目標に合せて製造可能な特性を有する層の製
造にも利用することができる。
行われるグロー重合に特有な原理的な欠点、即ち
一次的に形成されるグロー重合体の化学的不安定
性が、化学的および物理的に安定な層の製造に実
質的に利用されるものである。一次的に形成され
たグロー重合体の欠点は、安定な特性と共に一定
した目標に合せて製造可能な特性を有する層の製
造にも利用することができる。
本発明による方法の好適な実施態様によれば、
後からの熱処理の場合に、炭化水素単量体または
フツ化炭素単量体が少なくとも部分的に他の反応
性ガス成分に置き換えられる。場合によつては、
この反応性成分にアルゴンのような不活性気体を
添加することもできる。
後からの熱処理の場合に、炭化水素単量体または
フツ化炭素単量体が少なくとも部分的に他の反応
性ガス成分に置き換えられる。場合によつては、
この反応性成分にアルゴンのような不活性気体を
添加することもできる。
本発明による方法において、反応性ガス状成分
としては、例えば水素またはフツ素、即ち無機成
分を使用することができる。これと共にCHおよ
びCF含有ガスも使用できる。その場合、凍結さ
れたラジカルを飽和させるように作用する反応性
成分によつて、疎液性の無機性グロー重合体層を
形成することができる。このようなグロー重合体
層は、例えば誘電体または疎液性被覆に適してい
る。上述の反応性成分には、１、１ジフエニルエ
チレンのような特殊なラジカル捕捉剤を添加する
こともできる。
としては、例えば水素またはフツ素、即ち無機成
分を使用することができる。これと共にCHおよ
びCF含有ガスも使用できる。その場合、凍結さ
れたラジカルを飽和させるように作用する反応性
成分によつて、疎液性の無機性グロー重合体層を
形成することができる。このようなグロー重合体
層は、例えば誘電体または疎液性被覆に適してい
る。上述の反応性成分には、１、１ジフエニルエ
チレンのような特殊なラジカル捕捉剤を添加する
こともできる。
しかしながら、反応性ガス状成分としては、酸
素（O2）、二酸化硫黄（SO2）、水蒸気（H2O）お
よびこれらの化合物の混合体またはアンモニア
（NH3）および一次、二次のアミン（RNH2また
はR2NH）などの無機化合物を使用することもで
きる。このような反応性成分によつて、例えば薄
膜として使用するのに適した例えば目的にかなつ
た疎液性または親液性をもつ安定化された有極グ
ロー重合体層が形成される。
素（O2）、二酸化硫黄（SO2）、水蒸気（H2O）お
よびこれらの化合物の混合体またはアンモニア
（NH3）および一次、二次のアミン（RNH2また
はR2NH）などの無機化合物を使用することもで
きる。このような反応性成分によつて、例えば薄
膜として使用するのに適した例えば目的にかなつ
た疎液性または親液性をもつ安定化された有極グ
ロー重合体層が形成される。
空気中の酸素を排除して、グロー重合体に炭化
水素および／またはフツ化炭素化合物からなる雰
囲気中において後から熱処理を行なうか、又はグ
ロー重合体の製造を高温で行なう本発明方法にお
いては、生成された不飽和の原子価は、水素原子
またはフツ素原子、あるいはＣ−Ｈグループまた
はＣ−Ｆグループによつて明らかに飽和され、高
いＨ／Ｃ比率またはＦ／Ｃ比率をもつ層が生じ
る。これと共に、この方法においては、特別な温
度によつて、層が熱的な損傷を受けないように保
証される。焼結プロセスの場合と同様に層の流れ
が得られ、これが均一な特性に良い影響を与える
ことができる。
水素および／またはフツ化炭素化合物からなる雰
囲気中において後から熱処理を行なうか、又はグ
ロー重合体の製造を高温で行なう本発明方法にお
いては、生成された不飽和の原子価は、水素原子
またはフツ素原子、あるいはＣ−Ｈグループまた
はＣ−Ｆグループによつて明らかに飽和され、高
いＨ／Ｃ比率またはＦ／Ｃ比率をもつ層が生じ
る。これと共に、この方法においては、特別な温
度によつて、層が熱的な損傷を受けないように保
証される。焼結プロセスの場合と同様に層の流れ
が得られ、これが均一な特性に良い影響を与える
ことができる。
本発明による方法は、約400℃の温度で行なう
のが好ましい。この場合、ガス状の単量体分子に
おけるＣ−結合またはＣ−Ｆ結合およびＣ−Ｃ結
合の必要な分裂が充分に保証され、従つて熱処理
の反応速度も充分に高い。
のが好ましい。この場合、ガス状の単量体分子に
おけるＣ−結合またはＣ−Ｆ結合およびＣ−Ｃ結
合の必要な分裂が充分に保証され、従つて熱処理
の反応速度も充分に高い。
時間的にみてグロー重合体層の生成後に熱処理
が行われる場合、この熱処理は１ないし10時間に
わたり行われる。その際、熱処理における最高温
度に達するまでは徐々に加熱し、この温度に比較
的短時間保持し、次に比較的迅速に冷却するよう
に行なうことが好ましい。CH−CF基板上にグロ
ー重合された層の場合には、エレクトレツト特性
を生じさせるため、電界の中で熱処理を行なうこ
ともできる。
が行われる場合、この熱処理は１ないし10時間に
わたり行われる。その際、熱処理における最高温
度に達するまでは徐々に加熱し、この温度に比較
的短時間保持し、次に比較的迅速に冷却するよう
に行なうことが好ましい。CH−CF基板上にグロ
ー重合された層の場合には、エレクトレツト特性
を生じさせるため、電界の中で熱処理を行なうこ
ともできる。
グロー重合と熱処理とが時間的に平行に経過す
る場合にはこの熱処理は基板上へのグロー重合体
の析出期間に左右される。析出期間は所望の層厚
および析出条件に依存し、一般には30分ないし３
時間である。この時間は、上述の処理方法すなわ
ちグロー重合と熱処理とを同時に行なう方法の場
合、所望の特性を備えた層を得るためにも充分で
ある。
る場合にはこの熱処理は基板上へのグロー重合体
の析出期間に左右される。析出期間は所望の層厚
および析出条件に依存し、一般には30分ないし３
時間である。この時間は、上述の処理方法すなわ
ちグロー重合と熱処理とを同時に行なう方法の場
合、所望の特性を備えた層を得るためにも充分で
ある。
本発明による方法の場合、炭化水素単量体とし
ては例えばエチレン、プロペン、ブタン、ブタジ
エンおよびシクロヘキサンなどの化合物を使用す
ることができる。この方法においては、グロー重
合並びに熱処理に際して過フツ素性の有機化合物
すなわちフツ化炭素が使用される。その場合、特
にオクタフルオルシクロブタンC4F8（過フルオル
シクロブタン）が単量体フツ素化合物として使用
される。しかしながらこれと共に、テトラフルオ
ルエチレンC2F4、過フルオルプロペンC3F6，過
フルオルブタンC4F8および過フルオルシクロヘ
キサンC6F12などの過フツ素性の炭化水素も使用
可能である。
ては例えばエチレン、プロペン、ブタン、ブタジ
エンおよびシクロヘキサンなどの化合物を使用す
ることができる。この方法においては、グロー重
合並びに熱処理に際して過フツ素性の有機化合物
すなわちフツ化炭素が使用される。その場合、特
にオクタフルオルシクロブタンC4F8（過フルオル
シクロブタン）が単量体フツ素化合物として使用
される。しかしながらこれと共に、テトラフルオ
ルエチレンC2F4、過フルオルプロペンC3F6，過
フルオルブタンC4F8および過フルオルシクロヘ
キサンC6F12などの過フツ素性の炭化水素も使用
可能である。
本発明による方法において、反応ガス例えばフ
ツ素含有有機化合物の流速は、一般に10ないし
1000mbar・cm3・s-1であり、動作圧力は10-2ない
し10mbarである。これはグロー重合体層の“通
常”の形成方法の場合だけでなく、グロー重合と
熱処理とを同時に行なう場合にも当て嵌まる。時
間的にみてグロー重合体層の製造後に熱処理を行
なう場合、反応ガス圧は10-2ないし1000mbarで
ある。低圧グロー放電の励起周波数は、RF領域
においては、一般に0.1ないし100MHz、特に0.1
ないし30MHzであり、MW領域においては、一般
に0.1ないし1000GHz、特に0.1ないし100GHzであ
る。
ツ素含有有機化合物の流速は、一般に10ないし
1000mbar・cm3・s-1であり、動作圧力は10-2ない
し10mbarである。これはグロー重合体層の“通
常”の形成方法の場合だけでなく、グロー重合と
熱処理とを同時に行なう場合にも当て嵌まる。時
間的にみてグロー重合体層の製造後に熱処理を行
なう場合、反応ガス圧は10-2ないし1000mbarで
ある。低圧グロー放電の励起周波数は、RF領域
においては、一般に0.1ないし100MHz、特に0.1
ないし30MHzであり、MW領域においては、一般
に0.1ないし1000GHz、特に0.1ないし100GHzであ
る。
以下に本発明を、実施例および本発明による方
法を行なう装置の好適な実施態様を示す図によつ
て、一層詳細に説明する。
法を行なう装置の好適な実施態様を示す図によつ
て、一層詳細に説明する。
図に示された装置は、本発明によるグロー重合
体の製造およびその熱処理に使用されるものであ
る。この装置は、ガラスからなる放電管１を備
え、この放電管１はのほぼ中央の一部分が矩形断
面をもつ放電室２を形成するため扁平にされてい
る。放電室２の範囲には管１の外側に２つの電極
３および４が設けられており、これらの電極は図
示されていない高周波発生装置に接続されてい
る。放電室２には放電管１の底部に被覆しようと
する基板５、例えば液滴によつて作動する記録装
置のノズル支持体がある。すなわち本発明による
方法は、例えばドイツ連邦共和国特許第2527647
号明細書から公知（ドイツ連邦共和国特許出願公
開第3114192号公報も参照）の記録装置のノズル
支持体上に化学的に安定な層を直接形成するのに
使用することができる。この記録装置において、
ノズル支持体の記録担体例えば記録紙に向いた側
が記録液によつて濡れることを防止するため、ノ
ズル支持体のこの側にポリエチレンまたはポリテ
トラフルオルエチレンからなる疎液性の層を設け
ることが既に提案されている（ドイツ連邦共和国
特許出願公開第3214791号公報）。同様な方向がド
イツ連邦共和国特許出願公開第3214804号公報に
提案されている。
体の製造およびその熱処理に使用されるものであ
る。この装置は、ガラスからなる放電管１を備
え、この放電管１はのほぼ中央の一部分が矩形断
面をもつ放電室２を形成するため扁平にされてい
る。放電室２の範囲には管１の外側に２つの電極
３および４が設けられており、これらの電極は図
示されていない高周波発生装置に接続されてい
る。放電室２には放電管１の底部に被覆しようと
する基板５、例えば液滴によつて作動する記録装
置のノズル支持体がある。すなわち本発明による
方法は、例えばドイツ連邦共和国特許第2527647
号明細書から公知（ドイツ連邦共和国特許出願公
開第3114192号公報も参照）の記録装置のノズル
支持体上に化学的に安定な層を直接形成するのに
使用することができる。この記録装置において、
ノズル支持体の記録担体例えば記録紙に向いた側
が記録液によつて濡れることを防止するため、ノ
ズル支持体のこの側にポリエチレンまたはポリテ
トラフルオルエチレンからなる疎液性の層を設け
ることが既に提案されている（ドイツ連邦共和国
特許出願公開第3214791号公報）。同様な方向がド
イツ連邦共和国特許出願公開第3214804号公報に
提案されている。
反応ガスはコツク６を通して放電管１に供給さ
れ、コツク７を通つて排出される。放電管１に設
けられた短管８は、図示されていない圧力計を接
続するのに使用される。さらに放電管１には、被
覆後に基板５を収容することが可能なガラスアン
プル９が設けられており、アンプル９は密封する
ため狭隘部１０において融着することができる。
管１は、放電室２の部分に加熱装置すなわち管形
炉１１を備えている。
れ、コツク７を通つて排出される。放電管１に設
けられた短管８は、図示されていない圧力計を接
続するのに使用される。さらに放電管１には、被
覆後に基板５を収容することが可能なガラスアン
プル９が設けられており、アンプル９は密封する
ため狭隘部１０において融着することができる。
管１は、放電室２の部分に加熱装置すなわち管形
炉１１を備えている。
例 １
被覆しようとする基板（ノズル支持体）５を入
れた後、放電管１（アンプル９を含む）は、コツ
ク７を介して真空ポンンプによつて約10-3mbar
に排気される。続いてコツク６を介して反応ガス
たとえばガス状のオクタフルオルシクロブタンが
供給される。その場合の流速は、図示されていな
い常用の調量弁によつて、約170mbar・cm3s-3に
調整される。次に真空ポンプの吸引容量が、排気
管中の図示されていない絞り弁によつて、約
0.5mbarの動作圧力が生じるように低下される。
次に高周波発生装置から供給された高周波電圧が
電極３および４に印加されることによつてグロー
放電が開始されるが、この周波数は例えば約
13.5MHzである。45分間の経過後ノズル支持体上
に厚さ約3μｍの層が形成される。
れた後、放電管１（アンプル９を含む）は、コツ
ク７を介して真空ポンンプによつて約10-3mbar
に排気される。続いてコツク６を介して反応ガス
たとえばガス状のオクタフルオルシクロブタンが
供給される。その場合の流速は、図示されていな
い常用の調量弁によつて、約170mbar・cm3s-3に
調整される。次に真空ポンプの吸引容量が、排気
管中の図示されていない絞り弁によつて、約
0.5mbarの動作圧力が生じるように低下される。
次に高周波発生装置から供給された高周波電圧が
電極３および４に印加されることによつてグロー
放電が開始されるが、この周波数は例えば約
13.5MHzである。45分間の経過後ノズル支持体上
に厚さ約3μｍの層が形成される。
グロー放電の停止後放電管１は改めて排気さ
れ、続いてアンプル９と共に熱処理に使用される
反応ガス、例えば700mbarのオクタフルオルシク
ロブタンを充填される。充填圧力は比較的大幅に
変更することができる。コツク６および７を閉め
た状態で他の装置から放電管１を分離し、傾斜さ
せることによつて、被覆されたノズル支持体５を
アンプル９内に滑らせ、次に狭隘部１０を溶着す
ることによつて密封する。続いてアンプル９は室
炉に入れられて６時間で約400℃に加熱される。
１時間経過後（温度400℃）に炉が停止されアン
プルは１時間以内に400℃から室温に冷却され、
公知の方法でアンプルが開放される。
れ、続いてアンプル９と共に熱処理に使用される
反応ガス、例えば700mbarのオクタフルオルシク
ロブタンを充填される。充填圧力は比較的大幅に
変更することができる。コツク６および７を閉め
た状態で他の装置から放電管１を分離し、傾斜さ
せることによつて、被覆されたノズル支持体５を
アンプル９内に滑らせ、次に狭隘部１０を溶着す
ることによつて密封する。続いてアンプル９は室
炉に入れられて６時間で約400℃に加熱される。
１時間経過後（温度400℃）に炉が停止されアン
プルは１時間以内に400℃から室温に冷却され、
公知の方法でアンプルが開放される。
ノズル支持体上のグロー重合体層は、熱処理後
は約1μｍの層の厚さを有している。上述の方法
により、層が析出過程と熱処理過程との間におい
て空気中の酸素に触れずに、捕捉されたラジカル
との反応が親液性のＣ＝Ｏ−Ｃグループの形成に
よつて阻止されることが保証される。
は約1μｍの層の厚さを有している。上述の方法
により、層が析出過程と熱処理過程との間におい
て空気中の酸素に触れずに、捕捉されたラジカル
との反応が親液性のＣ＝Ｏ−Ｃグループの形成に
よつて阻止されることが保証される。
例 ２
ノズル支持体５が例１と同様に被覆される。し
かしながら、被覆されたノズル支持体はアンプル
９内に移されずに放電室２内に残留し、この場合
熱処理には加熱装置１１が使用される。流速を約
170mbar・cm3・s-1に維持したまま、絞り弁によ
つて真空ポンプの吸引容量を著しく絞ることによ
つて、管１内のオクタフルオルシクロブタン圧力
を約50mbarに上昇させる。次に、６時間以内に
約400℃に加熱し、さらに１時間の経過後に室温
に冷却される。この方法は、被覆する際に層内に
埋め込まれ熱処理中に再び釈放される低分子中間
生成物が反応ガス流により除去されるという利点
を備えている。
かしながら、被覆されたノズル支持体はアンプル
９内に移されずに放電室２内に残留し、この場合
熱処理には加熱装置１１が使用される。流速を約
170mbar・cm3・s-1に維持したまま、絞り弁によ
つて真空ポンプの吸引容量を著しく絞ることによ
つて、管１内のオクタフルオルシクロブタン圧力
を約50mbarに上昇させる。次に、６時間以内に
約400℃に加熱し、さらに１時間の経過後に室温
に冷却される。この方法は、被覆する際に層内に
埋め込まれ熱処理中に再び釈放される低分子中間
生成物が反応ガス流により除去されるという利点
を備えている。
例 ３
例１に述べたように、被覆しようとするノズル
支持体５を入れ、放電管１を真空にした後、オク
タフルオルシクロブタンの流速を約170mbar・
cm3・s-1に調整し、動作圧力を約0.5mbarに調整
する。加熱装置１１によつて、放電管１およびノ
ズル支持体５を約400℃に加熱し、この温度に保
持する。グロー放電の開始後、直接約400℃でノ
ズル支持体の被覆を行なう。層の厚さが所望値に
達した後、放電を停止し、１時間経過後に温度を
400℃から室温に低下させる。この方法は、被覆
すなわちグロー重合体層の形成と、熱処理との２
つの過程が１段階で行なえる利点を有している。
支持体５を入れ、放電管１を真空にした後、オク
タフルオルシクロブタンの流速を約170mbar・
cm3・s-1に調整し、動作圧力を約0.5mbarに調整
する。加熱装置１１によつて、放電管１およびノ
ズル支持体５を約400℃に加熱し、この温度に保
持する。グロー放電の開始後、直接約400℃でノ
ズル支持体の被覆を行なう。層の厚さが所望値に
達した後、放電を停止し、１時間経過後に温度を
400℃から室温に低下させる。この方法は、被覆
すなわちグロー重合体層の形成と、熱処理との２
つの過程が１段階で行なえる利点を有している。
上述の方法で製造されたグロー重合体層は、赤
外線分光検査が示すように、PTFEとよく似た組
成を有している。ESCA測定すなわち電子分光検
査装置による結合状態の測定では、Ｆ／Ｃ比率が
ほぼ２：１であることを示している。この層は高
度に疎液性であることが明らかであり、例えば前
述の形式の記録装置のインクの長期間の作用にも
十分に耐えることができる。
外線分光検査が示すように、PTFEとよく似た組
成を有している。ESCA測定すなわち電子分光検
査装置による結合状態の測定では、Ｆ／Ｃ比率が
ほぼ２：１であることを示している。この層は高
度に疎液性であることが明らかであり、例えば前
述の形式の記録装置のインクの長期間の作用にも
十分に耐えることができる。
図は本発明方法を行なう装置の一実施例を示す
説明図である。 １……放電管、２……放電室、３，４……電
極、５……基板（ノズル支持体）、６，７……コ
ツク、８……短管、９……アンプル、１０……狭
隘部、１１……炉。
説明図である。 １……放電管、２……放電室、３，４……電
極、５……基板（ノズル支持体）、６，７……コ
ツク、８……短管、９……アンプル、１０……狭
隘部、１１……炉。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 基板上に高周波低圧グロー放電によつて単量
体の炭化水素および／またはフツ化炭素からなる
グロー重合体層を形成する方法において、グロー
重合体の製造後に、炭化水素単量体および／また
はフツ化炭素単量体の雰囲気中において100ない
し450℃の温度で１ないし10時間にわたり空気を
排除して熱処理を行なうことを特徴とするグロー
重合体層の形成方法。 ２ 熱処理を電界中で行なうことを特徴とする特
許請求の範囲第１項記載の方法。 ３ 炭化水素単量体またはフツ化炭素単量体の少
くとも一部が反応性ガス状成分によつて置き換え
られることを特徴とする特許請求の範囲第１項記
載の方法。 ４ 反応性ガス状成分として水素またはフツ素を
使用することを特徴とする特許請求の範囲第３項
記載の方法。 ５ 反応性ガス状成分として酸素、二酸化硫黄、
水蒸気およびこれらの化合物の混合体またはアン
モニアおよび一次、二次アミンを使用することを
特徴とする特許請求の範囲第３項記載の方法。 ６ 約400℃の温度で処理されることを特徴とす
る特許請求の範囲第１項ないし第５項のいずれか
に記載の方法。 ７ 有機性単量体として、過フツ素性の化合物特
にオクタフルオルシクロブタンを使用することを
特徴とする特許請求の範囲第１項ないし第６項の
いずれかに記載の方法。 ８ 基板上に高周波低圧グロー放電によつて単量
体の炭化水素および／またはフツ化炭素からなる
グロー重合体層を形成する方法において、基板は
グロー重合体の製造中100ないし450℃の温度に加
熱されることを特徴とするグロー重合体層の形成
方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE3326376.0 | 1983-07-22 | ||
| DE19833326376 DE3326376A1 (de) | 1983-07-22 | 1983-07-22 | Verfahren zum erzeugen von glimmpolymerisat-schichten |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6044503A JPS6044503A (ja) | 1985-03-09 |
| JPH0514722B2 true JPH0514722B2 (ja) | 1993-02-25 |
Family
ID=6204589
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59151139A Granted JPS6044503A (ja) | 1983-07-22 | 1984-07-20 | グロ−重合体層の形成方法 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5089290A (ja) |
| EP (1) | EP0132686B1 (ja) |
| JP (1) | JPS6044503A (ja) |
| AT (1) | ATE30162T1 (ja) |
| CA (1) | CA1240285A (ja) |
| DE (2) | DE3326376A1 (ja) |
Families Citing this family (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5246451A (en) * | 1991-04-30 | 1993-09-21 | Medtronic, Inc. | Vascular prosthesis and method |
| CA2072384A1 (en) * | 1991-08-29 | 1993-03-01 | Clifford L. Spiro | Carbon fluoride compositions |
| US5569810A (en) * | 1994-03-18 | 1996-10-29 | Samco International, Inc. | Method of and system for processing halogenated hydrocarbons |
| US5804259A (en) * | 1996-11-07 | 1998-09-08 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for depositing a multilayered low dielectric constant film |
| CA2294644C (en) | 1997-06-14 | 2009-12-22 | The Secretary Of State For Defence | Surface coatings |
| GB9712338D0 (en) * | 1997-06-14 | 1997-08-13 | Secr Defence | Surface coatings |
| JP3574734B2 (ja) * | 1997-11-27 | 2004-10-06 | 東京エレクトロン株式会社 | 半導体デバイスの製造方法 |
| US6203850B1 (en) * | 1999-05-18 | 2001-03-20 | Neomecs Incorporated | Plasma-annealed porous polymers |
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Family Cites Families (6)
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-
1983
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1984
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- 1984-07-20 JP JP59151139A patent/JPS6044503A/ja active Granted
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1990
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Patent Citations (1)
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| JPS59159806A (ja) * | 1983-02-28 | 1984-09-10 | Daikin Ind Ltd | 含フツ素高分子化合物被膜の形成方法 |
Also Published As
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|---|---|
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