JPS63281210A - 複合磁気ヘツド装置 - Google Patents
複合磁気ヘツド装置Info
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- JPS63281210A JPS63281210A JP11463987A JP11463987A JPS63281210A JP S63281210 A JPS63281210 A JP S63281210A JP 11463987 A JP11463987 A JP 11463987A JP 11463987 A JP11463987 A JP 11463987A JP S63281210 A JPS63281210 A JP S63281210A
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- 239000002131 composite material Substances 0.000 title claims 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 12
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 1
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 230000008929 regeneration Effects 0.000 description 1
- 238000011069 regeneration method Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、磁気ディスク装置、フロッピーディスク装置
、磁気テープ装置等磁気記録装置に係り、特に狭トラツ
クの磁気ヘッドで記録再生する装置に好適な磁気ヘッド
に関する。
、磁気テープ装置等磁気記録装置に係り、特に狭トラツ
クの磁気ヘッドで記録再生する装置に好適な磁気ヘッド
に関する。
磁気記憶装置の磁気ヘッドとして該溝型の記録ヘッドと
組合せて磁気抵抗効果型ヘッド（以下、略してＭＲヘッ
ドと称す）を用いることが試みられている。それらは例
えば特開昭５１−４４９１７に既に提案されている技術
である。ＭＲヘッドはその感度と線型性を高めるため磁
気抵抗効果膜（ＭＲ膜）に一定の外部磁界（バイアス磁
界）を印加する方法、例えば永久磁石バイアス法（特開
昭５０−１７１２） 、シャットバイアス法（特開昭４
９−７４５２２）、およびＭＲ膜を流れる電流の向きを
傾ける方法。
組合せて磁気抵抗効果型ヘッド（以下、略してＭＲヘッ
ドと称す）を用いることが試みられている。それらは例
えば特開昭５１−４４９１７に既に提案されている技術
である。ＭＲヘッドはその感度と線型性を高めるため磁
気抵抗効果膜（ＭＲ膜）に一定の外部磁界（バイアス磁
界）を印加する方法、例えば永久磁石バイアス法（特開
昭５０−１７１２） 、シャットバイアス法（特開昭４
９−７４５２２）、およびＭＲ膜を流れる電流の向きを
傾ける方法。
バーバーポール法（特開昭５Ｏ−１３４６２４）などが
既に提案されている。バイアス磁界を印加するための手
段を備えたＭＲヘッドの構造としては第２図の斜視図の
如くなる、同図１０はＭＲＲ２Ｏ３バイアス膜（例えば
、永久磁石膜）であり、ＭＲ膜には電流を流し抵抗変化
を電圧変化としてとり出すための端子３０．３１が付加
されている。それらをはさむように構成しているシール
ド４０゜４１は、軟磁性体の部材で構成され、磁気シー
ルドをすることによりヘッドとしての空間分解能を高め
る役目を持つ、また５０は記録媒体、６ｏは記録媒体上
に記録された磁化を表わす。
既に提案されている。バイアス磁界を印加するための手
段を備えたＭＲヘッドの構造としては第２図の斜視図の
如くなる、同図１０はＭＲＲ２Ｏ３バイアス膜（例えば
、永久磁石膜）であり、ＭＲ膜には電流を流し抵抗変化
を電圧変化としてとり出すための端子３０．３１が付加
されている。それらをはさむように構成しているシール
ド４０゜４１は、軟磁性体の部材で構成され、磁気シー
ルドをすることによりヘッドとしての空間分解能を高め
る役目を持つ、また５０は記録媒体、６ｏは記録媒体上
に記録された磁化を表わす。
外部からの信号磁界に対してＭＲ膜の抵抗変化を最大に
し、線型性を最も良くすることは再生、ラドとして当然
のことであるが、そのためには。
し、線型性を最も良くすることは再生、ラドとして当然
のことであるが、そのためには。
上記バイアス磁界をある値に保つこと′が必須となる。
しかしながら、バイアス磁界はＭＲヘッドの構造（各膜
厚等）にも、各法の磁気特性や電気特性によっても大き
く変化し、ＭＲ膜に常に一定の値のバイアス磁界を印加
することは極めて困難である。そのため、ＭＲヘッドの
構成をトラック幅方向にて分割して、お互いが逆方向の
バイアスを印加し、出力を差動構成とすることが提案さ
れている（例えば特開昭４９−７４５２４（） 、この
方法をとることにより個々にはバイアスが不十分でも線
型性の良い出力波形が得られる。
厚等）にも、各法の磁気特性や電気特性によっても大き
く変化し、ＭＲ膜に常に一定の値のバイアス磁界を印加
することは極めて困難である。そのため、ＭＲヘッドの
構成をトラック幅方向にて分割して、お互いが逆方向の
バイアスを印加し、出力を差動構成とすることが提案さ
れている（例えば特開昭４９−７４５２４（） 、この
方法をとることにより個々にはバイアスが不十分でも線
型性の良い出力波形が得られる。
前述したバイアス法の中で差動構成のとれる方法はシャ
ント、電流、バーバーポールの各バイアス法であり、い
ずれもトラックの中心からお互いにバイアス電流を逆方
向に流すことで達成されている。そのような差動、構成
ではいずれもトラックの中心にも端子（中間端子）が必
要である。この中間端子がＭＲ膜（電流バイアスではバ
イアス膜）と接する部分（電極部分）は電流がトラック
幅方向に流れないため有効なバイアス磁界を発生させず
ＭＲ膜の抵抗変化には寄与しない部分となる。
ント、電流、バーバーポールの各バイアス法であり、い
ずれもトラックの中心からお互いにバイアス電流を逆方
向に流すことで達成されている。そのような差動、構成
ではいずれもトラックの中心にも端子（中間端子）が必
要である。この中間端子がＭＲ膜（電流バイアスではバ
イアス膜）と接する部分（電極部分）は電流がトラック
幅方向に流れないため有効なバイアス磁界を発生させず
ＭＲ膜の抵抗変化には寄与しない部分となる。
また同様の理由で両側の端子の電極部分もＭＲ膜の抵抗
変化には寄与しない部分となる。
変化には寄与しない部分となる。
この電極部分の幅は通常ＭＲの幅（記録媒体対向面から
の奥行き）程度は必要であり、従って中間端子の電極部
分はＭＲ膜の幅の２倍程度必要である。
の奥行き）程度は必要であり、従って中間端子の電極部
分はＭＲ膜の幅の２倍程度必要である。
上記従来技術は、特に狭トラツクになった場合、全トラ
ック幅に対する中間端子の電極部分の割合が増し、低出
力となったり、さらに狭トラツク時には、差動構成のＭ
Ｒヘッドは実現出来ないという問題があった。
ック幅に対する中間端子の電極部分の割合が増し、低出
力となったり、さらに狭トラツク時には、差動構成のＭ
Ｒヘッドは実現出来ないという問題があった。
本発明の目的は１ＭＲヘッドを差動構成としても中間端
子をＭＲ素子に接続する部分の影響を除去して低出力に
なることを防ぎ、さらに狭トラツクとなった時でも、差
動構成が可能なヘッドを提供することにある。
子をＭＲ素子に接続する部分の影響を除去して低出力に
なることを防ぎ、さらに狭トラツクとなった時でも、差
動構成が可能なヘッドを提供することにある。
上記目的は第３図に示す如く、１トラツクの幅を少なく
とも２分割以上に分割してサブトラックとし、サブトラ
ック間に隣接トラックのサブトラックを該サブトラック
の間に分散させることによって達成される。第３図の例
では、ｎ番目のトラックを２分割し、サブトラックｎｔ
ｎｚとする。ｎ−１番目、ｎ＋１番目、ｎ＋２番目のサ
ブトラックを（ｎ −１）ｘｔ （ｎ −１）ｚ、（ｎ
＋ １）ｚ、（ｎ ＋ １）ｔ（ｎ＋２）皇ｅ （ｎ
＋ ２）ｚとすると１本発明では、サブトラックは（
ｎ １）ｔ、 ｎＬｅ （ｎ １）ｚ、 ｎＺｖ（
ｎ ＋ １）ｘ（ｎ ＋ ２）ｓ（ｎ ＋ １）ｚ（ｎ
＋ ２）ｚの順に配置される。サブトラックの配置は
このように本来の１トラツクのサブトラックを一トラッ
ク離すだけでなく−のに倍（ｋは整数）離しても良い、
このようにしても、トラック密度が低下することはない
。
とも２分割以上に分割してサブトラックとし、サブトラ
ック間に隣接トラックのサブトラックを該サブトラック
の間に分散させることによって達成される。第３図の例
では、ｎ番目のトラックを２分割し、サブトラックｎｔ
ｎｚとする。ｎ−１番目、ｎ＋１番目、ｎ＋２番目のサ
ブトラックを（ｎ −１）ｘｔ （ｎ −１）ｚ、（ｎ
＋ １）ｚ、（ｎ ＋ １）ｔ（ｎ＋２）皇ｅ （ｎ
＋ ２）ｚとすると１本発明では、サブトラックは（
ｎ １）ｔ、 ｎＬｅ （ｎ １）ｚ、 ｎＺｖ（
ｎ ＋ １）ｘ（ｎ ＋ ２）ｓ（ｎ ＋ １）ｚ（ｎ
＋ ２）ｚの順に配置される。サブトラックの配置は
このように本来の１トラツクのサブトラックを一トラッ
ク離すだけでなく−のに倍（ｋは整数）離しても良い、
このようにしても、トラック密度が低下することはない
。
このようにトラックを配置してのち、再生ＭＲヘッド１
２０は、サブトラックを配置した間隔を中間端子８０と
ＭＲ素子が接する電極幅９ｏとすることにより差動構成
が達成される。また隣接トラックを再生する時は、ｎ−
１のトラックは第３図上で一左にトラックだけ移動させ
、ｎ＋１は右に１トラツク移動させれば良い。
２０は、サブトラックを配置した間隔を中間端子８０と
ＭＲ素子が接する電極幅９ｏとすることにより差動構成
が達成される。また隣接トラックを再生する時は、ｎ−
１のトラックは第３図上で一左にトラックだけ移動させ
、ｎ＋１は右に１トラツク移動させれば良い。
前述したように、中間端子の電極部分および両側の端子
の電極部分はＭＲヘッドにとっては不感領域であり、こ
の部分に隣接トラックの情報が記録されていても、この
情報を再生することはなくＳ／Ｎの低下はない。
の電極部分はＭＲヘッドにとっては不感領域であり、こ
の部分に隣接トラックの情報が記録されていても、この
情報を再生することはなくＳ／Ｎの低下はない。
また中間端子の幅は、サブトラック幅の整数倍が可能で
あり、トラック幅が狭くなっても差動構成が可能となる
。
あり、トラック幅が狭くなっても差動構成が可能となる
。
本発明を磁気ディスク装置の磁気ヘッドに適用した実施
例について述べる０本ヘッドの構造及び作成方法は、特
開昭５１−４４９１７号と基本的には同一である０本ヘ
ッドの斜視図を第１図に示す。
例について述べる０本ヘッドの構造及び作成方法は、特
開昭５１−４４９１７号と基本的には同一である０本ヘ
ッドの斜視図を第１図に示す。
本磁気ディスク装置はトラックピッチ２５μｍであるの
で記録ヘッド１００の記録サブトラックを記録するギャ
ップ部１１０．ＩＩＱ’の幅は１１μｍとした。再生ヘ
ッド１２０の差動の片チャンネルの実効トラック１３０
，１３０’の幅は９μｍづつとしている。記録ヘッド１
００の下側の磁気回路１４０は再生ヘッド１２０の上部
のシールドと兼用する構造としている。記録ヘッドの２
つのギヤツブ部１１０，１１０’間は上部磁気回路１５
０には切り欠き部１６０を入れ両サブトラックを記録す
るギャップ１１０，１１０’ を分離している。この幅
は１４μｍとしている。記録ヘッド１００にはコイル１
７０があり、これは本来特開昭５５−８４０１９にある
如くスパイラルを形成しているが本図では切断面を示し
ている。コイルに反転する電流を流して磁気回路１４０
，１５０に磁束を発生させギャップ部１１０．１１０’
からのもれ磁界によりサブトラックを記録するが切り
欠き部１６０は等測的なギャップが大きく、記録するに
十分なもれ磁界の発生はなく、この部分でディスク上の
データを消去したり、新たに記録することはない。
で記録ヘッド１００の記録サブトラックを記録するギャ
ップ部１１０．ＩＩＱ’の幅は１１μｍとした。再生ヘ
ッド１２０の差動の片チャンネルの実効トラック１３０
，１３０’の幅は９μｍづつとしている。記録ヘッド１
００の下側の磁気回路１４０は再生ヘッド１２０の上部
のシールドと兼用する構造としている。記録ヘッドの２
つのギヤツブ部１１０，１１０’間は上部磁気回路１５
０には切り欠き部１６０を入れ両サブトラックを記録す
るギャップ１１０，１１０’ を分離している。この幅
は１４μｍとしている。記録ヘッド１００にはコイル１
７０があり、これは本来特開昭５５−８４０１９にある
如くスパイラルを形成しているが本図では切断面を示し
ている。コイルに反転する電流を流して磁気回路１４０
，１５０に磁束を発生させギャップ部１１０．１１０’
からのもれ磁界によりサブトラックを記録するが切り
欠き部１６０は等測的なギャップが大きく、記録するに
十分なもれ磁界の発生はなく、この部分でディスク上の
データを消去したり、新たに記録することはない。
記録ヘッドの部１１０，１１０’の中心と再生ヘッドの
片チャンネルの実効トラックの領域１３０゜１３０′は
それぞれのトラック幅の中心が一致するように構成され
ている。
片チャンネルの実効トラックの領域１３０゜１３０′は
それぞれのトラック幅の中心が一致するように構成され
ている。
再生ヘッド１２０は差動のシャントバイアス型ＭＲヘッ
ドを用いバイアス幅１８０に分流する電流によって発生
する磁界によりＭＲ膜１９０にバイアス磁界を印加する
。中間端子８０のＭＲ膜と接する電極部分９０の幅は１
６μｍとしてあり、ＭＲ膜の幅１９０の７μｍに対して
十分広くとってあり、差動構成のＭＲヘッドが実現でき
ている。
ドを用いバイアス幅１８０に分流する電流によって発生
する磁界によりＭＲ膜１９０にバイアス磁界を印加する
。中間端子８０のＭＲ膜と接する電極部分９０の幅は１
６μｍとしてあり、ＭＲ膜の幅１９０の７μｍに対して
十分広くとってあり、差動構成のＭＲヘッドが実現でき
ている。
ＭＲヘッドは実効感度幅（１３０，１３０’の幅の和）
は１８μｍとなっている。
は１８μｍとなっている。
従来技術を用いて記録ヘッドをトラック幅２２μｍの単
一のギャップとして、差動ＭＲヘッドを構成すると少な
くとも、中間端子の電極幅１゛６μｍは感度がなくなる
ため、ＭＲヘッドの実効感度幅は６μｍに減少してしま
い、十分な再生は不可能である。
一のギャップとして、差動ＭＲヘッドを構成すると少な
くとも、中間端子の電極幅１゛６μｍは感度がなくなる
ため、ＭＲヘッドの実効感度幅は６μｍに減少してしま
い、十分な再生は不可能である。
以上の実施例では磁気ディスク装置の磁気ヘッドに適用
した例について述べたが、フロッピー装置や磁気テープ
装置用ヘッドとしても同様の効果があることは明らかで
ある。
した例について述べたが、フロッピー装置や磁気テープ
装置用ヘッドとしても同様の効果があることは明らかで
ある。
さらに本実施例ではシャントバイアスＭＲヘッドについ
て述べたが、他の差動構成がとれるＭＲヘッドについて
はバイアス方法に依らず同様の効果があることは明らか
である。
て述べたが、他の差動構成がとれるＭＲヘッドについて
はバイアス方法に依らず同様の効果があることは明らか
である。
また、本実施例では、記録ヘッドと再生ヘッドを一体と
した磁気ヘッドについて述べたが、全く独立したヘッド
としても良いことは明らかである。
した磁気ヘッドについて述べたが、全く独立したヘッド
としても良いことは明らかである。
以上本発明を実施することにより、狭トラツクの磁気ヘ
ッドとして、特にその再生ヘッドとして差動型ＭＲヘッ
ドが可能となる。その結果、線型性の良い再生信号が得
られる。
ッドとして、特にその再生ヘッドとして差動型ＭＲヘッ
ドが可能となる。その結果、線型性の良い再生信号が得
られる。
第１図は本発明の一実施例を説明するための斜視図、第
２図は、ＭＲヘッドの構造を説明するための斜視図、第
３図は、本発明で使用する記録媒体上のトラックの位置
関係および再生用ＭＲヘッドの平面構造との関係を示す
ための図である。 １０・・・ＭＲ膜、２０・・・バイアス膜、３０．３１
・・・引出し端子、８０・・・中間端子、９０・・・中
間端子の電極部分、１００・・・記録ヘッド、１１０，
１１０’・・・記録ギャップ、１２０・・・ＭＲヘッド
、１３０゜１３０′・・・ＭＲヘッドの実効トラック、
１８０・・・、 、ン 茅 １ 図 ７８０ ンＸントル斐 茅 ２図 茅 ３ 図
２図は、ＭＲヘッドの構造を説明するための斜視図、第
３図は、本発明で使用する記録媒体上のトラックの位置
関係および再生用ＭＲヘッドの平面構造との関係を示す
ための図である。 １０・・・ＭＲ膜、２０・・・バイアス膜、３０．３１
・・・引出し端子、８０・・・中間端子、９０・・・中
間端子の電極部分、１００・・・記録ヘッド、１１０，
１１０’・・・記録ギャップ、１２０・・・ＭＲヘッド
、１３０゜１３０′・・・ＭＲヘッドの実効トラック、
１８０・・・、 、ン 茅 １ 図 ７８０ ンＸントル斐 茅 ２図 茅 ３ 図
Claims (1)
- １、１トラック幅を２以上のサブトラックに分割し、該
サブトラックをトラック幅方向に分離し、該サブトラッ
ク間には隣接トラックのサブトラックが１以上記録され
るような記録を行い、再生ヘッドは差動型磁気抵抗効果
型磁気ヘッド用い、サブトラックの間隔を該差動型磁気
抵抗効果型磁気ヘッドの中間粒子の幅とすることを特徴
とする複合磁気ヘッド装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11463987A JP2510576B2 (ja) | 1987-05-13 | 1987-05-13 | 複合磁気ヘツド装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11463987A JP2510576B2 (ja) | 1987-05-13 | 1987-05-13 | 複合磁気ヘツド装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63281210A true JPS63281210A (ja) | 1988-11-17 |
| JP2510576B2 JP2510576B2 (ja) | 1996-06-26 |
Family
ID=14642844
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11463987A Expired - Lifetime JP2510576B2 (ja) | 1987-05-13 | 1987-05-13 | 複合磁気ヘツド装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2510576B2 (ja) |
-
1987
- 1987-05-13 JP JP11463987A patent/JP2510576B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2510576B2 (ja) | 1996-06-26 |
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