JPS63281002A

JPS63281002A - 物体表面状態アクセスシステム

Info

Publication number: JPS63281002A
Application number: JP11465387A
Authority: JP
Inventors: Takashi Yamaguchi; 高司山口; Kenji Mori; 健次森; Hirotake Hirai; 洋武平井
Original assignee: Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd
Priority date: 1987-05-13
Filing date: 1987-05-13
Publication date: 1988-11-17
Anticipated expiration: 2011-02-14
Also published as: JPH0814481B2

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔産業上の利用分野〕本発明は物体表面状態アクセスシステムに係り、特に原
子オーダの分解能でしかも広い領域をアクセスするのに
好適な物体表面状態アクセスシステムに関する。

〔従来の技術〕

対象物体とプローブ間に流れる微小電流を検出すること
によってその対象物体の表面状態を測定する装置は、試
料とプローブ間距離によって、トポゲラファイナ及び走
査形トンネル電流顕微鏡（ＳＴＭ）と呼ばれている。こ
のうちＳＴＭは分解能が高く原子オーダの表面観察が可
能である。

ＳＴＭについては、例えば米国特許第４３４３９９３号
や、サーフェス　サイエンス１２６（１９８３年）第２
３６頁から２４４頁（Ｓｕｒｆａｃｅ　５ｃｉｅｎｃｅ
　１２６（１９８３）ｐｐ、２３６−２４４）、サーフ
ェス　サイエンス１５２／１５３　（１９８５年）第１
７頁から２６頁（Ｓｕｒｆａｃｅ　５ｃｉａｎｃａ　１
５２　／　１５３（１９８５）ｐｐ、１７−２６）にお
いて論じられている。

〔発明が解決しようとする問題点〕

上記従来技術は、対象物体を固定させ、プローブの微動
機構で対象物体面を走査しているため測定範囲が小さく
、ＭＢＥ装置等によって生成された膜の欠陥等の検査を
目的とした場合は、測定範囲が限定されるため、十分に
生成膜の評価ができないという問題点がある。

また、上記従来技術を情報記憶装置として応用しようと
した場合も、走査範囲が微小であるため記憶容量が不十
分になるという問題がある。

そこで１本発明の目的は、原子オーダの分解能で広い領
域の物体表面状態をアクセスできるシステムを提供する
ことである。

【問題点を解決するための手段〕

上記目的は、対象物体またはプローブ微動機構のいずれ
か一方を、対象物体の直交３方向に移動可能でストロー
クが長く、シかも高精度な位置決め制御手段を具備した
ＸＹＺ粗動機構（ステージ）上に搭載し、そして本ステ
ージにより試料面とプローブの相対位置決めを行った後
、プローブにより微動走査を行って表面状態のアクセス
を行い、さらに、プローブ微動機構の制御手段は、前記
ステージを固定させた状態でプローブの走査により対象
物体の表面状態の情報を得るための手段（観察モード）
と、ステージによりプローブと対象物体の相対的位置を
対象物体面方向に移動させたとき、プローブが対象物体
の同一位置を保持したまま追従するための制御手段（移
動モード）を具備することによって達成される。

〔作用〕

微動機構によるプローブの移動範囲より広い領域にわた
って対象物体の表面状態にアクセスする必要がある場合
、プローブ位置制御とＸＹＺステージ位置制御を連動し
なければならない、そのため、プローブが対象物体面上
のある位置においてその移動範囲内を走査して測定した
後、対象物体面に垂直方向のプローブ位置を固定する。

同時に、プローブの面内方向移動用制御手段が、プロー
ブに流れる微小電流が一定となるように位置決めできる
ように切換える。

次に、対象物体またはプローブを搭載しているＸＹＺス
テージを移動させる。このとき、プローブは対象物体に
追従して移動し、プローブの移動範囲内の測定走査開始
点に戻る。ステージの移動を終させ、固定したので、再
び、プローブの垂直方向の位置制御手段を復帰させる。

以後は、同様にこの状態で対象物体面上を走査させ、測
定する。

又、ステージが移動するとき、その案内精度により試料
が上下方向に移動することがあり、この場合はプローブ
の垂直方向の制御が必要となる。

そこで、プローブを対象物体に追従させるとき、プロー
ブを微小領域内に高速に走査させて表面状態を測定し、
この形状を認識しつつプローブを試料の移動に追従させ
る必要がある。

又、対象物体及びプローブの運動精度が非常によい場合
は、移動前と移動後の位置決め近傍の状態データを記憶
させ、試料とプローブに同一目標信号を加えて移動させ
た後１両者の相対位置ずれを状態データを比較すること
により補正し、移動前と同じ位置関係にプローブを位置
決めする方法が有効である。

〔実施例〕

以下、本発明の一実施例を第１図及び第２図により説明
する。第１図は本実施例の平面図であり、第２図は正面
図である１図より、１は粗動機構（ステージ）のうちＹ
軸アクチュエータ、２はＹ軸ロッド、３はＸ軸方向とＹ
軸方向の干渉を避けるためのロッド、４は対象物体取付
台、５はトップテーブル、６はＸ軸アクチュエータ、７
はＸ軸ロッド、８はＸテーブル、９はベース、１ｏはＸ
軸ミラー、１１はＹ軸ミラー、１２はくさび形Ｚ軸駆動
機構、１３はＺ軸アクチュエータ、１４はＹテーブル、
１５はＹ軸すベリ案内機構、１６は微動機構、１７はプ
ローブ（探針）、１８は架台、１９はローラである。こ
こで第１図では微動機構１６、探針１７．架台１８は図
示していない、以下、第１図に開示されたｘＹステージ
型の位置決め装置の動作について説明する。被測定物で
ある試料は試料取付台４に搭載される。そしてＸ軸方向
に位置決めを行うときはＸ軸アクチュエータ６が推力を
発生し、Ｘ軸ロッド７を介してＸテーブル８を駆動する
。ここでＸ軸アクチュエータはリニアモータでも回転形
モータにボールねじ等の伝達手段を付加したものでもよ
い、Ｘテーブルの移動量は、トップテーブル５に取り付
けられたＸ軸ミラー１０とレーザ測長系等の精密位置検
出手段（図示せず）により検出され、Ｘ軸アクチュエー
タ６へ操作量を入力する制御回路（図示せず）にフィー
ドバックされる。対象物体をＹ軸方向に位置決めする場
合も同様に、Ｙ軸アクチュエータ１の発生する推力がＹ
軸ロッド２に伝わり、Ｘ軸の移動と干渉しないように、
ロッド３をはさむように配電されたローラ１９及びロッ
ド３を介してｙテーブル１４を駆動する。Ｙテーブルの
移動量は。

Ｙ軸ミラー１１及びレーザ測長系（図示せず）により検
出され、Ｙ軸制御回路（図示せず）にフィードバックさ
れる。ここでＹテーブルは、Ｘテーブル８上に設けられ
たルーロンなどの摺動子をもつすベリ案内機構１５によ
り運動方向がガイドされる。１５ａ、１５ｂはピッチン
グの抑制に、１５ｃはヨーイングの抑制に用いられる。

又、対象物体は、Ｚ軸アクチュエータ１３により、くさ
び形Ｚ軸駆動機構１２を移動させ、トップテーブル５を
上下させることにより、鉛直方向の位置決めを行う。

以上のような３軸方向の移動可能なＸＹステージ上に対
象物体を搭載することにより、試料を微動機構の移動範
囲内の一点に位置決めすることができる。

なお、本実施例に開示したＸＹｚステージは、案内機構
として、ころがり案内機構、静圧浮上案内機構、磁気浮
上案内機構等を具備してもよい。

又、アクチュエータの配置として、各軸のアクチュエー
タを各々の被駆動テーブルの下側に直接に取りつける構
造としてもよい、又、各テーブルの位置検出手段として
は、本実施例のレーザ測長以外にも、リニアスケール、
エンコーダ等の検出器を用いてもよい。

一方、微動機構１６は架台１８に取りつけられ、微動機
構先端に取りつけられたプローブ１７を対象物体上にオ
ングストロームオーダで位置決めする。第３図は、微動
機構１６を詳細に示したものであり、２１はＸ軸微動用
変位素子（たとえばＰＺＴなどの圧電素子あるいは電歪
素子）、２２はｙ軸微動用変位素子、２３は２軸微動用
変位素子、２４はＸ軸継手、２５はＸ軸継手、２６は２
軸継手、２７はブロック、２８は微動機構ベースである
。プローブ１７は、各軸毎に設けられた変位素子により
継手を介して駆動される。

第４図は、本装置のＸＹｚステージの制御手段の一実施
例をブロック線図で表現したものであり、３１は目標値
発生回路、３２は比較回路、３３は安定化補償回路、３
４はアクチュエータ駆動用アンプ、３５はアクチュエー
タ、３６はテーブル、３７は位置検出器である１本ブロ
ック線図は、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸各制御手段に共通である
。目標値発生回路３１の出力と、位置検出器３７により
検出されたテーブル３６の位置が比較回路３２により比
較され、得られた偏差が安定化補償回路３３により安定
化された後、アンプ３４によって増幅されアクチュエー
タ３５へ入力される。アクチュエータ３５では入力され
た値に従って推力を発生し、テーブル３６を駆動して位
置決めする。

第５図は本装置の微動機構の制御手段の第１の実施例を
ブロック線図で表現したものであり、４１はＸ軸（又は
Ｘ軸）目標値発生回路である。４２は切換回路であり、
４２ａは１ｍモード時、４２ｂは移動モード時の回路端
子を示す。４３はＸ軸（Ｘ軸）微動用変位素子駆動アン
プ、４４はＸ軸（Ｘ軸）微動用変位素子、４５はプロー
ブ、４６は２細目標値発生回路、４７は比較回路、４８
は積分器、４９はホールド回路、５０は切換回路で５０
ａは観察モード時、５０ｂは移動モード時回路端子、５
１は２軸微動用変位素子駆動アンプ、５２は２軸微動用
変位素子、５３はプローブ試料量微小電流検出回路、５
４は増幅器、５５は追従制御回路である。

本実施例では、対象物体を固定されて、プローブを走査
することによって試料の表面観察を行う場合を観察モー
ドとし、試料をｘＹステージにより移動させて、プロー
ブを微動機構移動範囲内走査原点に移動させてる場合を
移動モードとする。

観察モードでは、プローブ対象物体間の微小電流が一定
になるようにＺ軸微動用変位素子への印加電圧を制御し
つつ、Ｘ軸又はｙ軸方向へプローブを走査する。２細目
標値発生回路４６と、プローブ試料間の微小電流を検出
器５３により検出し増幅器５４により増幅された信号と
が比較回路４７によって比較され、積分器４８によって
積分されたのち、観察モード回路端子５０ａを介して２
軸微動用変位素子駆動アンプ５１で増幅され、Ｚ細微動
用変位素子５２を駆動する。一方、Ｘ軸（又はＸ軸）目
標値発生回路４１から発生した目標値は観察モード回路
端子４２ａを介してＸ軸（Ｘ軸）微動用変位素子駆動ア
ンプ４３で増幅され、Ｘ軸（Ｘ軸）微動用変位素子を駆
動する。そして、プローブはＸ軸（Ｘ軸）方向に走査さ
れる。

このとき、対象物体の表面状態によりプローブ対象物体
間の距離が変化し、微小電流が変化する。

このとき、ｚ４１１ｔｓ動用変位素子は微小電流が一定
となるように制御されているため、変位素子への印加電
圧を測定することにより、対象物体の表面状態が観察で
き、Ｘ軸及びｙ軸方向に走査することにより対象物体の
３次元的な表面状態の情報が得られる。

また、対象物体表面の状態が比較的滑らかである場合に
は、Ｚ軸微動用変位素子への印加電圧を一定にして（す
なわち、プローブ対象物体間の平均ギャップを一定にし
て、）Ｘ軸及びｙ軸方向に走査し、プローブ対象物体間
の微小電流を検出することにより対象物体の表面状態の
情報を得ることができる。

ちなみに、シリコン結晶（Ｓｉ　（１１１）７ｘ７構造
）の原子間隔は４人（オングストローム）程度であり、
これらの原子配列状態を高分解能で観察するためには、
プローブの走査範囲すなわち微動機構のストロークは一
例では１０００人（０，１μｍ）程度が限度である。こ
の場合、たとえば１２ビツトの分解能は０．２４人　と
なる。したがって、微動機構のフルストロークの走査に
よって最大−０，１μｍ四方程度の観察が１回で可能で
ある。

他方、移動モードは、微動機構の走査範囲でカバーしき
れない広い領域（たとえば数μｍ〜数ｍ数カ四方観察す
る必要がある場合に、微動機構の走査範囲を次々に接続
させて広い領域を走査するために用いる。この走査領域
の接続方法について、第６図を用いて説明する。

第６図は、対象物体７０の表面の領域を示した図で、Ａ
は微動機構が最初に走査する領域、Ｂは領域Ａに接続し
て次に走査する領域を示す、さらに、次々に領域の接続
を行うが、これらの表示は省略しである。また、領域Ｃ
はＸＹステージのストロークがカバーする領域を示す。

まず、最初の微小領域Ａの走査を、たとえば、０→Ｐ→
Ｑ−４Ｒ→・・・・・・→Ｓの順に行い、観察画像を作
成する０次に、領域Ａの中で１次に走査しようとする隣
接領域Ｂ（本実施例ではＸ方向にずらした領域）の走査
開始点０′に、微動機構によってプローグを移動させる
０次に、上記実施例では。

ステージをＸのマイナス（−）方向に微動機構のストロ
ークの範囲内で移動させるが、この際、プローブが対象
物体の同じ位置を保持するように、微動機構を制御する
。

前記第１の実施例においては、プローブを隣接領域Ｂの
走査開始点Ｏ′に移動させてプローブ対象物体間の微小
電流が一定となつｉΣ段階で、ホールド回路４９により
Ｚ軸微動用変位素子５２への印加電圧をホールドする。

同時にＸ軸及びｙ＠駆動回路を移動モードに切換え、微
小電流が一定（すなわちプローブ対象物体間の距離が一
定）となるようにｘ＠及びｙ軸微動用変位素子を駆動制
御する。

第７図は、第１の実施例において、ｘＹステージの動き
にプローブ１７を追従させる原理を表わした図であり、
第８図は上記の第１の実施例の動作をフローチャートに
表わしたものである。第７図において７０はＸＹステー
ジ上に固定された対象物体の表面を拡大して表示したも
のであり、破線は試料表面がステージの移動によって（
−ΔＸ）だけ移動した状態を表わす。第７図において、
領域Ｂの走査開始点０′におけるプローブと対象物体の
ギャップをｈｏとすると、ステージが（−八Ｘ）移動し
た後のギャップは（ｈｏ＋Δｈ）となる、このとき、プ
ローブが平面内で移動すべき方向を決めるために、追従
制御回路５５ではプローブを平面内で微小振動（振動幅
ΔＷ）させ、微小電流の変化の方向から対象物体表面の
凹凸の傾斜を判定する。その結果を元に、プローブの移
動方向を決定する。、たとえば、第７図において、ギャ
ップがΔｈだけ増えたため、それを減少させる方向すな
わち（−Ｘ）方向にプローブを移動させ、ギャップがｈ
ｏになるまで補正を続ければよい。

このことにより、対象物体をＸＹステージによって移動
させても、プローブは対象物体内のある１点に追従した
ままであり、再び走査モードに切換えて走査したとき、
以前の走査データと連続的につながるデータが得られ、
故に広い領域の対象物体の表面状態が観察できる。

また、第９図は、本装置の微動機構の追従モードにおけ
る第２の実施例の制御系ブロック線図、第１０図はその
動作をフローチャートに表わしたものである。第９図に
おいて、６１は基準表面データ発生回路、６２は比較回
路、６３はつき合わせ回路、６４はＸ軸（Ｙ軸）アンプ
、６５はＸ軸（Ｙ軸）変位素子、６６はプローブ、６７
は微小範囲走査信号発生回路、６８は表面形状検出回路
。

６９はｘＹステージによる試料移動量である。又、鉛直
方向の変位素子は、試料とプローブ間に発生する微小電
流を一定に保つように制御され、表面形状に従った変位
素子の変位を表面形状検出回路６８に入力することによ
り表面形状データが得られる０次に、水平面内の変位素
子の制御方式であるが、微小範囲走査信号発生回路６７
によって発生した信号はアンプ６４を通って変位素子６
５を駆動し、プローブ６６をある設定された微小範囲を
高速に走査させ、表面形状検出回路６８により対象物体
表面の形状データが得られる。基準表面データ発生回路
６１には、第６図における領域Ｂの走査開始点Ｏ′付近
の対象物体表面データがストアされている。ここでＸＹ
ステージにより対象物体が移動すると、本制御系にとっ
てはこの試料移動量６９は外乱となる。そのため、高速
走査されで得られている表面形状データが基準データと
ずれを生じる。比較回路６２でこのずれ量を求め、アン
プ６４．変位素子６５を通してプローブ６６を移動させ
ることにより、プローブは試料のある位置に追従させる
ことができる。

また、第１１図は本装置の追従モード時の制御方式の第
３の実施例の制御系ブロック線図、第１２図はその動作
を表わすフローチャートである。

本実施例では、追従モード時ではＸＹステージとプロー
ブ微動機構に同一の信号（所要移動量１１ｏ）を入力す
る。入力信号は、各々のアンプ、モータを経て、ステー
ジ、プローブを同じ距離だけ駆動する。ところが、実際
には、ステージの位置決め分解能が微動機構に比べて不
十分（たとえば、非常に良い場合でも０．０１μｍ程度
）であるため、ステージの移動量とプローブの移動量は
一致しない、そこで、移動後に１位置決め近傍の表面形
状を検出し、基準データと比較することによりプローブ
の位置を補正する。このことによりステージを移動させ
てもプローブは同一位置を保ったまま移動でき、対象物
体の広い範囲の表面形状を測定することができる。

また、前記実施例はすべて、対象物体をＸＹＺステージ
側に搭載し、プローブを含む微動機構を固定した例であ
るが、ＸＹＺ３軸の粗動機能を、対象物体側あるいはプ
ローブ微動機構側にいかように分担させても１本発明が
適用できることはいうまでもない、たとえば、プローブ
を含む微動機構をｘＹＺステージに搭載し、対象物体を
固定した構成をとってもよい、あるいは、プローブ微動
機構側にはＺ軸組動機能だけを含め、対象物体をＸＹ粗
動ステージに搭載し゛た構成をとってもよい。

また、上記実施例では主に、対象物体の表面状態（とく
に形状）のＩＩを用途する場合について説明を行ったが
、対象物体表面の状態を利用した情報記憶装置を用途と
した場合にも、本発明が適用できることはもちろんであ
る。対象物体表面への情報記憶の方法のいつくかの例を
第１３図に示す、第１３図において（１）は物理的また
は化学的手段によって対象物体７０の表面へ極微小くぼ
みまたは極微小突起を設ける方法、（ｚ）は超微粒子７
１を吸着させる方法、（３）は薄膜７２の仕事関数の差
を利用する方法である。なお、１７はプローブを示す、
上記のような方法で記録された情報は、前述のようにプ
ローブ対象物体間の微小電流測定により検出できる。こ
の方法によれば極めて高密度の記憶ができ、しかも本発
明の適用によって広い領域を利用できるので、極めて大
容量の記憶装置の実現が期待できる。

〔発明の効果〕

以上のように１本発明によれば、対象物体またはプロー
ブ微動機構のいずれか一方を比較的ストロークの長いｘ
ＹＺステージに搭載し、本ステージにより対象物体面と
プローブの相対位置決めを行った後、プローブの微動走
査で表面観察を行うことにより、広い領域にわたって表
面観察ができる。又、本発明によれば、微動機構の移動
範囲を連続的につなげる制御方式を具備しているため、
被測定物を広い領域にわたって連続的に表面ＷＡ祭がで
きるという効果を有する。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例の装置の上面図、第２図は側
面図、第３図は本発明の微動機構の詳細図、第４図は本
発明のｘＹＺステージの制御ブロック図、第５図は本発
明の第１の実施例の制御ブロック図、第６図は対象物体
表面の領域を示した図、第７図は対象物体表面とプロー
ブを示した図。第８図は第１の実施例の制御方式を表わすフローチャー
ト、第９図は第２の実施例の制御ブロック図、第１０図
は第２の実施例の制御方式を表わすフローチャート、第
１１図は第３の実施例の制御ブロック図、第１２図は第
３°の実施例の制御方式を表わすフローチャート、第１
３図は情報記報方法の例である。１・・・ｙ軸アクチュエータ、２・・・ｙ軸ロッド、３
・・・ロッド、４・・・対象物体取付台、５・・・トッ
プテーブル、６・・・Ｘ軸アクチュエータ、７・・・Ｘ
軸ロッド、８・・・Ｘテーブル、９・・・ベース、１０
・・・Ｘ軸ミラー。１１・・・ｙ軸ミラー、１２・・・くさび形Ｚ軸駆動機
構。１３・・・２軸アクチユエータ、１４・・・ｙテーブル
。１５・・・ｙ軸すべり案内機構、１６・・・微動機構、
１７・・・プローブ、１８・・・架台、１９・・・ロー
ラ、２１・・・Ｘ細微動用変位素子、２２・・・ｙ細微
動用変位素子、２３・・・２軸微動用変位素子、２４・
・・Ｘ軸継手、２５・・・ｙ軸継手、２６・・・２軸組
手、２７・・・ブロック、２８・・・微動機構ベース、
３１・・・目標値発生回路、３２・・・比較回路、３３
・・・安定化補償回路、３４・・・アクチュエータ駆動
用アンプ、３５・・。アクチュエータ、３６・・・テーブル、３７・・・位置
検出器、４１・・・Ｘ軸（ｙ軸）目標値発生回路、４２
・・・切換回路、４３・・・Ｘ軸（ｙ軸）微動用変位素
子駆動アンプ、４４・・・Ｘ軸（ｙ軸）微動用変位素子
、４５・・・プローブ、４６・・・２細目標値発生回路
。４７・・・比較回路、４８・・・積分器、４９・・・ホ
ールド回路、５０・・・切換回路、５１・・・２軸微動
用変位素子駆動アンプ、５２・・・２軸微動用変位素子
、５３・・・プローブ対象物体間微小電流検出回路、５
４・・・増幅器、５５・・・追従制御回路、６１・・・
基準表面データ発生回路、６２・・・比較回路、６３・
・・つき合わせ回路、６４・・・Ｘ軸（ｙ軸）アンプ、
６５・・・Ｘ軸（ｙ軸）変位素子、６６・・・プローブ
、６７・・・微小範囲走査信号発生回路、６８・・・表
面形状検出回路。６９・・・対象物体移動量、７０・・・対象物体、７１
・・・超微粒子、７２・・・薄膜。

Claims

【特許請求の範囲】１、直交する３軸方向の微小範囲にプローブを動かすプ
ローブ微動機構及びその制御手段と、前記プローブに電
圧を印加し対象物体に近接させた際に流れる微小電流を
検出する検出手段と、前記プローブ微動機構及び該対象
物体の間の相対位置を直交３軸方向に比較的長いストロ
ークで位置決めするＸＹＺ粗動機構及びその制御手段と
を備えた物体表面状態アクセスシステムにおいて、粗動
機構を固定した状態で微動機構によつてプローブを対象
物体表面に沿つた２方向（ｘｙ方向）に走査すると同時
に前記プローブに流れる電流を検出するか、あるいは対
象物体に垂直方向（ｚ方向）に対象物体表面の凹凸にな
らつてプローブを微動制御することによつて対象物体表
面状態の情報を得る観察モード制御手段と、粗動機構を
ＸまたはＹ方向に微動機構のストローク内で移動させる
と同時にプローブが対象物体面の同一位置を保持するよ
うに微動機構を粗動機構の動きに追従制御させる移動モ
ード制御手段とを備えたことを特徴とする物体表面状態
アクセスシステム。２、特許請求の範囲第１項において、移動モード制御手
段は、微動機構による微小領域Ａの走査終了後、微小領
域Ａと次に走査する微小領域Ｂとの重複する領域にプロ
ーブを移動し、Ｚ軸微動変位素子への印加電圧をホール
ドするとともに、プローブ試料間の微小電流が一定とな
るようにプローブのｘｙ位置を微動機構で制御しながら
粗動機構の動きにプローブを追従させることを特徴とす
る物体表面状態アクセスシステム。３、特許請求の範囲第１項において、移動モード制御手
段は、微動機構による微小領域Ａの走査終了後、微小領
域Ａと次に走査する微小領域Ｂとの重複する領域にプロ
ーブを移動し、次の走査開始点付近を微動機構で走査し
た結果得た基準表面状態データと粗動機構の動作中に微
動機構の走査により得た表面状態データとの比較により
プローブのずれ量を求め微動機構で補正制御をしながら
、粗動機構の動きにプローブを追従させることを特徴と
する物体表面状態アクセスシステム。４、特許請求の範囲第１項において、移動モード制御手
段は、微動機構による微小領域Ａの走査終了後、微小領
域Ａと次に走査する微小領域Ｂとの重複する領域にプロ
ーブを移動し、次の走査開始点付近を微動機構で走査し
て基準表面状態データを得、さらに微動機構と粗動機構
を所要移動量だけ移動させた後、微動機構で走査して得
た表面状態データと前記基準表面状態データとの比較に
よりプローブのずれ量を求め微動機構で位置補正をする
ことを特徴とする物体表面状態アクセスシステム。