JPS63280259A - 電子写真像形成部材 - Google Patents
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/14—Inert intermediate or cover layers for charge-receiving layers
- G03G5/142—Inert intermediate layers
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は一般に電子写真に関し、さらに詳細には、電子
写真像形成部材および該像形成部材の使用方法に関する
。
写真像形成部材および該像形成部材の使用方法に関する
。
電子写真技術においては、伝導性層上に光導電性絶縁層
を含む電子写真プレートを先ず上記光導電性絶縁性層の
表面を均一に静帯電させることによって像形成させる。
を含む電子写真プレートを先ず上記光導電性絶縁性層の
表面を均一に静帯電させることによって像形成させる。
次いで、プレートを光のような活性化電磁線照射パター
ンに露光せしめ、非照射領域中に静電潜像を残しながら
光導電性絶縁層の照射領域中の電荷を選択的に消散させ
る。続いて、この静電潜像を光導電性絶縁層の表面上に
微分割検電トナー粒子を付着させることにより現像して
可視像を形成させる。得られた可視トナー像は紙のよう
な適当な受は入れ部材に転写できる。
ンに露光せしめ、非照射領域中に静電潜像を残しながら
光導電性絶縁層の照射領域中の電荷を選択的に消散させ
る。続いて、この静電潜像を光導電性絶縁層の表面上に
微分割検電トナー粒子を付着させることにより現像して
可視像を形成させる。得られた可視トナー像は紙のよう
な適当な受は入れ部材に転写できる。
この像形成工程は再使用可能な光導電性絶縁層により多
数回繰返すことができる。
数回繰返すことができる。
より進歩したものとして、高速の電子写真複写器、複製
器およびプリンターが開発され、検品質の劣下が長期の
サイクル操作中に生じていた。さらに、極めて高速で操
作する複雑な高性能の複写装置には感光体の狭い操作限
界を含む厳しい要求が存在する。例えば、多くの新式光
導電性像形成部材において見い出される多くの層は高度
に可撓性であり、隣接層に良好に接着し、狭い操作限界
内で予期通りの電気特性を示して多数回のサイクル操作
に亘って優れたトナー像を与えなければならない。電子
写真像形成装置においてベルトとして用いている1つの
タイプの多層型感光体は基体、伝導性層、ブロッキング
層、接着性層、電荷励起層、および電荷移送層を含んで
いる。この感光体はまた抗カール裏打ち層およびオーバ
ーコーテイング層も含み得る。優れたトナー像が多層型
ベルト感光体によって得ることができるけれども、多数
層が多層型ベルト感光体の融通性を制限していることが
判っている。例えば、極めて限られたスペースに合せた
感光体ベルト装置用に小直径の支持ロールを用いるコン
パクトな像形成装置においては長操作寿命の可撓性感光
体に対する要求が極めて大きい。小直径支持ロールはま
たコピー紙のビーム強度を用いてトナー像の転写後感光
体ベルトからコピー紙を自動的に取り出す簡単な信鯨性
のあるコピー紙はぎ取り装置にとっても極めて望ましい
ものである。残念なことに、例えば、約0.75インチ
(19m)直径以下の小直径ロールは機械的性能基準の
限界値を特発的な感光体ベルト材料の欠損が多層型ベル
ト感光体の常習的事故となるようなレベルまで引き上げ
ている。即ち、多層型ベルト感光体を用いる進歩した像
形成装置においては、クランキング(ひび割れ)が小直
径ロール上でサイクル操作中の1種以上の重要な層にお
いて発生している。サイクル操作中電荷移送層中に発生
したクランクはコ・ピー品質に悪影響を与える写し出し
欠陥として現われていた。常習的な感光体のクランキン
グは感光体の融通性に重大な影響を有し、自動電子写真
複写機、複製機およびプリンターにおいてその実用価値
を低減している。
器およびプリンターが開発され、検品質の劣下が長期の
サイクル操作中に生じていた。さらに、極めて高速で操
作する複雑な高性能の複写装置には感光体の狭い操作限
界を含む厳しい要求が存在する。例えば、多くの新式光
導電性像形成部材において見い出される多くの層は高度
に可撓性であり、隣接層に良好に接着し、狭い操作限界
内で予期通りの電気特性を示して多数回のサイクル操作
に亘って優れたトナー像を与えなければならない。電子
写真像形成装置においてベルトとして用いている1つの
タイプの多層型感光体は基体、伝導性層、ブロッキング
層、接着性層、電荷励起層、および電荷移送層を含んで
いる。この感光体はまた抗カール裏打ち層およびオーバ
ーコーテイング層も含み得る。優れたトナー像が多層型
ベルト感光体によって得ることができるけれども、多数
層が多層型ベルト感光体の融通性を制限していることが
判っている。例えば、極めて限られたスペースに合せた
感光体ベルト装置用に小直径の支持ロールを用いるコン
パクトな像形成装置においては長操作寿命の可撓性感光
体に対する要求が極めて大きい。小直径支持ロールはま
たコピー紙のビーム強度を用いてトナー像の転写後感光
体ベルトからコピー紙を自動的に取り出す簡単な信鯨性
のあるコピー紙はぎ取り装置にとっても極めて望ましい
ものである。残念なことに、例えば、約0.75インチ
(19m)直径以下の小直径ロールは機械的性能基準の
限界値を特発的な感光体ベルト材料の欠損が多層型ベル
ト感光体の常習的事故となるようなレベルまで引き上げ
ている。即ち、多層型ベルト感光体を用いる進歩した像
形成装置においては、クランキング(ひび割れ)が小直
径ロール上でサイクル操作中の1種以上の重要な層にお
いて発生している。サイクル操作中電荷移送層中に発生
したクランクはコ・ピー品質に悪影響を与える写し出し
欠陥として現われていた。常習的な感光体のクランキン
グは感光体の融通性に重大な影響を有し、自動電子写真
複写機、複製機およびプリンターにおいてその実用価値
を低減している。
さらに、多層型ベルト感光体の継目は小直径支持ロール
上での長時間のサイクル操作中はがれがちである。継目
のはがれはベルトをブレードクリーニング装置を用いる
電子写真像形成装置で用いるときに一層悪化する。さら
に、ベルトのはがれは広いウェブからベルト感光体を作
製するためのウェブ切断操作中にも生じる。伝導性層、
ブロッキング層、接着層、電荷励起層、および/または
電荷移送層のような各種ベルト層におけるはがれを減少
させるための材料の改善は容易に行なえない。なぜなら
ば、新しい材料は残留電圧、背景、暗減衰、可撓性等の
ベルトの電気的、機械的および他の性質全体に悪影響を
及ぼし得るからである。
上での長時間のサイクル操作中はがれがちである。継目
のはがれはベルトをブレードクリーニング装置を用いる
電子写真像形成装置で用いるときに一層悪化する。さら
に、ベルトのはがれは広いウェブからベルト感光体を作
製するためのウェブ切断操作中にも生じる。伝導性層、
ブロッキング層、接着層、電荷励起層、および/または
電荷移送層のような各種ベルト層におけるはがれを減少
させるための材料の改善は容易に行なえない。なぜなら
ば、新しい材料は残留電圧、背景、暗減衰、可撓性等の
ベルトの電気的、機械的および他の性質全体に悪影響を
及ぼし得るからである。
さらにまた、多層型感光体の移送層の電気的サイクル安
定性は液体現像装置で数千回サイクル操作したとき不安
定であることが判っている。液体現像剤のキャリヤー液
は電荷移送層中に存在するジアミンのような活性小分子
を浸出する傾向にありそれによって感光体の電気的性質
を変化させる。
定性は液体現像装置で数千回サイクル操作したとき不安
定であることが判っている。液体現像剤のキャリヤー液
は電荷移送層中に存在するジアミンのような活性小分子
を浸出する傾向にありそれによって感光体の電気的性質
を変化させる。
活性小分子の浸出はベルトが不使用期間中ベルト支持ロ
ール上に溜るとき溶媒/応力クラッキングに対する移送
層の感受性を増大させる。ある種のキャリヤー液はまた
移送層中のジアミン化合物のような活性小分子の結晶化
を、特に高濃度のジアミン化合物が移送層バインダー中
に存在する場合に促進させる。活性小分子の結晶化は感
光体の電気的および機械的性質を劣下させる。
ール上に溜るとき溶媒/応力クラッキングに対する移送
層の感受性を増大させる。ある種のキャリヤー液はまた
移送層中のジアミン化合物のような活性小分子の結晶化
を、特に高濃度のジアミン化合物が移送層バインダー中
に存在する場合に促進させる。活性小分子の結晶化は感
光体の電気的および機械的性質を劣下させる。
小分子ジアミン化合物を含有する感光体は当該技術にお
いて周知である。同様に、ポリエステル接着層を用いる
感光体も公知である。
いて周知である。同様に、ポリエステル接着層を用いる
感光体も公知である。
1.986年4月22日付でリン等に付与された米国特
許第4.584.253号には、ブロッキング層(例え
ば、シロキサンとヒドロキシプロピルセルロースとのフ
ィルム)と電荷励起層との間にポリエステルPE−10
0、デュポン49.000樹脂および他の樹脂のような
フィルム形成性ポリマーを含む接着層を有する多層型像
形成部材を包含する種々の電子写真像形成部材が開示さ
れている(例えば、第8欄31〜41行および第17欄
8〜18行参照)。この接着層は約0.1ミクロン(1
,000オングストローム)〜約5ミクロン(50,0
00オングストローム)の厚さををする。
許第4.584.253号には、ブロッキング層(例え
ば、シロキサンとヒドロキシプロピルセルロースとのフ
ィルム)と電荷励起層との間にポリエステルPE−10
0、デュポン49.000樹脂および他の樹脂のような
フィルム形成性ポリマーを含む接着層を有する多層型像
形成部材を包含する種々の電子写真像形成部材が開示さ
れている(例えば、第8欄31〜41行および第17欄
8〜18行参照)。この接着層は約0.1ミクロン(1
,000オングストローム)〜約5ミクロン(50,0
00オングストローム)の厚さををする。
1979年4月12日付にて゛アンダーリン等に付与さ
れた米国特許第4.150.987号には、例えば、ア
ルミニウム処理マイラー支持体、該アルミニウム層上の
ポリエステル接着層(PE−200、PE−222、P
E−207、VPE−5545、PE−307および4
9000のような)、電荷励起層、およびヒドラゾン電
荷移送層とを含む多層型像形成部材を包含する種々の電
子写真像形成部材が開示されている。ポリエステル接着
層は10重量%固形分を含む溶液として適用されている
。
れた米国特許第4.150.987号には、例えば、ア
ルミニウム処理マイラー支持体、該アルミニウム層上の
ポリエステル接着層(PE−200、PE−222、P
E−207、VPE−5545、PE−307および4
9000のような)、電荷励起層、およびヒドラゾン電
荷移送層とを含む多層型像形成部材を包含する種々の電
子写真像形成部材が開示されている。ポリエステル接着
層は10重量%固形分を含む溶液として適用されている
。
1983年4月26日付にてチャンに付与された米国特
許第4.381.337号には、電導性層、電荷励起層
および電荷移送層とを含み、約60℃より大きいTgを
有するポリエステルと約30℃より小さいTgを有する
ポリエステルとの混合物を上記電導性支持体上の接着層
中にまた上記電荷移送層中に用いている多層型像形成部
材を包含する種々の電子写真像形成部材が開示されてい
る。バイチルPE−200,バイチルPE−100SP
H−307およびPE−5571Aを含む数多くの具体
的なポリエステル樹脂が第2欄と第3欄にまたがるバラ
グラフに列挙されている。
許第4.381.337号には、電導性層、電荷励起層
および電荷移送層とを含み、約60℃より大きいTgを
有するポリエステルと約30℃より小さいTgを有する
ポリエステルとの混合物を上記電導性支持体上の接着層
中にまた上記電荷移送層中に用いている多層型像形成部
材を包含する種々の電子写真像形成部材が開示されてい
る。バイチルPE−200,バイチルPE−100SP
H−307およびPE−5571Aを含む数多くの具体
的なポリエステル樹脂が第2欄と第3欄にまたがるバラ
グラフに列挙されている。
1979年11月6日付にてベルウィッチ等に付与され
た米国特許第4.173,472号には、電導性層と光
導電性層との間にポリエステル中間層を有する多層型像
形成部材を包含する種々の電子写真像形成部材が開示さ
れている(例えば、第2欄34行および第3f5N2行
参照)。このポリエステルは少なくとも1種の芳香族ジ
カルボン酸と少なくとも1種のジオールとから誘導し得
る。少なくとも1種の芳香族カルボン酸はイソフタル酸
であり得1、ジオールは枝分れ鎖アルキレンジオールで
あり得る。上記ポリエステルは2種の異なる酸または2
種の異なるジオールの混合物からも誘導し得る。バリヤ
一層を上記電導性層と中間層の間に使用し得る(例えば
、第7欄20〜41行参照)。
た米国特許第4.173,472号には、電導性層と光
導電性層との間にポリエステル中間層を有する多層型像
形成部材を包含する種々の電子写真像形成部材が開示さ
れている(例えば、第2欄34行および第3f5N2行
参照)。このポリエステルは少なくとも1種の芳香族ジ
カルボン酸と少なくとも1種のジオールとから誘導し得
る。少なくとも1種の芳香族カルボン酸はイソフタル酸
であり得1、ジオールは枝分れ鎖アルキレンジオールで
あり得る。上記ポリエステルは2種の異なる酸または2
種の異なるジオールの混合物からも誘導し得る。バリヤ
一層を上記電導性層と中間層の間に使用し得る(例えば
、第7欄20〜41行参照)。
中間層は典型的には約0.1〜約0.5ミクロン(1,
000〜5000オングストローム)の乾燥厚さを有す
る。実施例6においては、テレフタル酸、イソフタル酸
およびエチレングリコールのコポリエステルを感光体中
の中間層として用いている。
000〜5000オングストローム)の乾燥厚さを有す
る。実施例6においては、テレフタル酸、イソフタル酸
およびエチレングリコールのコポリエステルを感光体中
の中間層として用いている。
1986年5月13日付にてジョネスに付与された米国
特許第4.588.667号には、基体、チタン金属°
層、シロキサンブロッキング層、接着層、電荷励起バイ
ンダ一層、および電荷移送層とを有する多層型像形成部
材を包含する種々のオーバーコーテイング型電子写真像
形成部材が開示されている。ブロッキング層と励起体層
の間の中間層はポリエステルを含み得約0.1ミクロン
(1,000オングストローム)〜約5ミクロン(50
,000オングストローム)の乾燥厚さを有している。
特許第4.588.667号には、基体、チタン金属°
層、シロキサンブロッキング層、接着層、電荷励起バイ
ンダ一層、および電荷移送層とを有する多層型像形成部
材を包含する種々のオーバーコーテイング型電子写真像
形成部材が開示されている。ブロッキング層と励起体層
の間の中間層はポリエステルを含み得約0.1ミクロン
(1,000オングストローム)〜約5ミクロン(50
,000オングストローム)の乾燥厚さを有している。
厚さ約0.05ミクロン(500オングストローム)を
有するポリエステルデュポン49000中間層が実施例
において記載されている。移送層は約25〜約76重量
%のジアミン移送物質を含有し得る。
有するポリエステルデュポン49000中間層が実施例
において記載されている。移送層は約25〜約76重量
%のジアミン移送物質を含有し得る。
1984年8月7日付にてトイスチャーに付与された米
国特許第4,464.450号には、基体、金属層、金
属酸化物層、シロキサンブロッキング層、任意構成成分
としての中間層、電荷励起バインダ一層、および電荷移
送層とを有する多層型像形成部材を包含する種々のオー
バーコーテイング型電子写真像形成部材が開示されてい
る。ブロッキング層と励起体層との間の中間層はポリエ
ステルを含み得約0.1ミクロン(1000オングスト
ローム)〜約5ミクロン(50,000オングストロー
ム)の乾燥厚を有している。約0.05ミクロン(50
0オングストローム)の厚さを有するポリエステルデュ
ポン49000中間層がいくつかの実施例に記載されて
いる。移送層は約25〜約75重量%のジアミン移送物
質を含み得る。
国特許第4,464.450号には、基体、金属層、金
属酸化物層、シロキサンブロッキング層、任意構成成分
としての中間層、電荷励起バインダ一層、および電荷移
送層とを有する多層型像形成部材を包含する種々のオー
バーコーテイング型電子写真像形成部材が開示されてい
る。ブロッキング層と励起体層との間の中間層はポリエ
ステルを含み得約0.1ミクロン(1000オングスト
ローム)〜約5ミクロン(50,000オングストロー
ム)の乾燥厚を有している。約0.05ミクロン(50
0オングストローム)の厚さを有するポリエステルデュ
ポン49000中間層がいくつかの実施例に記載されて
いる。移送層は約25〜約75重量%のジアミン移送物
質を含み得る。
1985年1月8日付にてミャカワ等に付与された米国
特許第4.492.746号には、PVK中に分散させ
たポリエステルを含有し電導性基体に対する接着性を増
大させてなる像形成部材を包含する種々の電子写真像形
成部材が開示されている0種々のポリエステルとPVK
の接着性は表1−4に示されている(第9および第10
欄参照)。
特許第4.492.746号には、PVK中に分散させ
たポリエステルを含有し電導性基体に対する接着性を増
大させてなる像形成部材を包含する種々の電子写真像形
成部材が開示されている0種々のポリエステルとPVK
の接着性は表1−4に示されている(第9および第10
欄参照)。
1986年1月21日付にてシャンクに付与された米国
特許第4,565.760号には、基体と正孔移送層と
の間に、PE−100のようなポリエステルと電荷注入
性材料とを含む正孔注入電極層を有する多層型像形成部
材を包含する種々のオーバーコーテイング型電子写真像
形成部材が開示されている。この正孔注入電極層は約1
〜約20ミクロン(10000〜200.000オング
ストローム)の厚さを有している。例えば、10〜75
重量%のジアミン移送物質を含む正孔移送材料と例えば
、ポリビニルカルバゾール中の三方晶セレンを含む励起
層も開示されている。また、例えば、PE200のよう
なポリエステルおよびポリメチルメタクリレートを含み
得るオーバーコーテイング用のプライマーも開示されて
いる。
特許第4,565.760号には、基体と正孔移送層と
の間に、PE−100のようなポリエステルと電荷注入
性材料とを含む正孔注入電極層を有する多層型像形成部
材を包含する種々のオーバーコーテイング型電子写真像
形成部材が開示されている。この正孔注入電極層は約1
〜約20ミクロン(10000〜200.000オング
ストローム)の厚さを有している。例えば、10〜75
重量%のジアミン移送物質を含む正孔移送材料と例えば
、ポリビニルカルバゾール中の三方晶セレンを含む励起
層も開示されている。また、例えば、PE200のよう
なポリエステルおよびポリメチルメタクリレートを含み
得るオーバーコーテイング用のプライマーも開示されて
いる。
1984年12月18日付にてホーガンに付与された米
国特許第4.489.148号には、基体と正孔移送層
の間に、ポリエステル等のフィルム形成性ポリマーを含
む接着層を有する多層型像形成部材を包含する種々の電
子写真像形成部材が開示されている。デュポン4900
0ポリエステル樹脂を含有する接着層が実施例に詳細に
記載されている。
国特許第4.489.148号には、基体と正孔移送層
の間に、ポリエステル等のフィルム形成性ポリマーを含
む接着層を有する多層型像形成部材を包含する種々の電
子写真像形成部材が開示されている。デュポン4900
0ポリエステル樹脂を含有する接着層が実施例に詳細に
記載されている。
典型的には、この接着層は約0.3ミクロン(3,00
0オングストローム)以下の厚さを有する。約0.05
μm (500オングストローム)の厚さを有する接
着層は第1O欄の1〜17行と45〜48行および実施
例■〜χνIに記載されている。例えば、10〜75重
量%のジアミン移送物質を含有する正孔移送材料も開示
されている。
0オングストローム)以下の厚さを有する。約0.05
μm (500オングストローム)の厚さを有する接
着層は第1O欄の1〜17行と45〜48行および実施
例■〜χνIに記載されている。例えば、10〜75重
量%のジアミン移送物質を含有する正孔移送材料も開示
されている。
1986年4月15日付にてトイスチャー等に付与され
た米国特許第4.582.772号には、基体;インジ
ウム−錫酸化物、カドミウム−錫酸化物、酸化錫、酸化
チタン、窒化チタン、ケイ化チタンおよびこれらの混合
物よるなる群より選ばれた透過性半導体層;光励起層;
および例えば、電気活性ジアミン物質を含む電荷移送層
とを含む電子写真像形成部材が開示されている。0.1
ミクロン(1,000オングストローム)の厚さを有す
る接着層が使用され得る。接着層はE、1.デュポン社
からの49000ポリエステルを含み得る。例えば、1
0〜75重量%のジアミン移送物質を含む正孔移送層も
開示されている。
た米国特許第4.582.772号には、基体;インジ
ウム−錫酸化物、カドミウム−錫酸化物、酸化錫、酸化
チタン、窒化チタン、ケイ化チタンおよびこれらの混合
物よるなる群より選ばれた透過性半導体層;光励起層;
および例えば、電気活性ジアミン物質を含む電荷移送層
とを含む電子写真像形成部材が開示されている。0.1
ミクロン(1,000オングストローム)の厚さを有す
る接着層が使用され得る。接着層はE、1.デュポン社
からの49000ポリエステルを含み得る。例えば、1
0〜75重量%のジアミン移送物質を含む正孔移送層も
開示されている。
1983年3月29日付にてチューに付与された米国特
許第4,378.418号には、基体、正孔注入層、組
合せたあるいは別々の正孔移送層と励起層、および任意
構成成分としての絶縁性樹脂オーバーコーテイング層(
ポリエステル、ポリエチレンテレフタレート等のフィル
ム形成性ポリマーを含む)を有する多層型像形成部材を
包含する種々の電子写真像形成部材が開示されている。
許第4,378.418号には、基体、正孔注入層、組
合せたあるいは別々の正孔移送層と励起層、および任意
構成成分としての絶縁性樹脂オーバーコーテイング層(
ポリエステル、ポリエチレンテレフタレート等のフィル
ム形成性ポリマーを含む)を有する多層型像形成部材を
包含する種々の電子写真像形成部材が開示されている。
例えば、10〜75重量%のジアミン移送物質を含有す
る正孔移送材料も開示されている。
る正孔移送材料も開示されている。
か(して、はがれ、クランキングおよび成分浸出に対す
る改良された抵抗性を有する多層型ベルト感光体が求め
られている。
る改良された抵抗性を有する多層型ベルト感光体が求め
られている。
従って、本発明の目的は上述の欠点を克服する改良され
た感光性部材を提供することである。
た感光性部材を提供することである。
本発明の別の目的は切断およびサイクル操作中にはがれ
に対する大きい抵抗性を示す改良された電子写真像形成
部材を提供することである。
に対する大きい抵抗性を示す改良された電子写真像形成
部材を提供することである。
本発明のさらに別の目的は液体現像中に成分浸出に対し
て改良された抵抗性を有する光導電性像形成部材を提供
することである。
て改良された抵抗性を有する光導電性像形成部材を提供
することである。
本発明のさらに別の目的はサイクル操作中継目一体性を
維持する電子写真像形成部材を提供することである。
維持する電子写真像形成部材を提供することである。
上記および他の目的は、本発明によれば、電導性表面を
有する可撓性基体;アミノシラン反応生成物を含む正孔
ブロッキング層;次式:1OC−(ジ酸−ジオール〕−
0H (式中、上記ジ酸はテレフタル酸、イソフタル酸および
これらの混合物からなる群より選ばれ、上記ジオールは
エチレングリコールを含み、ジ酸対ジオールのモル比は
l:1であり、nは約175〜約350の間の数である
) を有する少なくとも1種のコポリエステル樹脂から本質
的になり、該コポリエステルのTgが約り0℃〜約80
℃であり、また上記アミノシランが該コポリエステル樹
脂の−cooH’hよび−OH末端基と上記シアンのア
ミノ基との反応生成物である厚さ約200〜約900オ
ングストロームを有する接着層;フィルム形成性高分子
成分を含む電荷励起層;およびジアミン正孔移送層とを
含み、該正孔移送層が上記電荷励起層が光励起正孔を励
起し注入するスペクトル領域では実質的に非吸収性であ
るが上記電荷励起層からの光励起正孔の注入を支持しか
つこれら正孔を上記電荷移送層を通して移送することが
できるところの可撓性電子写真像形成部材を提供するこ
とによって達成される。
有する可撓性基体;アミノシラン反応生成物を含む正孔
ブロッキング層;次式:1OC−(ジ酸−ジオール〕−
0H (式中、上記ジ酸はテレフタル酸、イソフタル酸および
これらの混合物からなる群より選ばれ、上記ジオールは
エチレングリコールを含み、ジ酸対ジオールのモル比は
l:1であり、nは約175〜約350の間の数である
) を有する少なくとも1種のコポリエステル樹脂から本質
的になり、該コポリエステルのTgが約り0℃〜約80
℃であり、また上記アミノシランが該コポリエステル樹
脂の−cooH’hよび−OH末端基と上記シアンのア
ミノ基との反応生成物である厚さ約200〜約900オ
ングストロームを有する接着層;フィルム形成性高分子
成分を含む電荷励起層;およびジアミン正孔移送層とを
含み、該正孔移送層が上記電荷励起層が光励起正孔を励
起し注入するスペクトル領域では実質的に非吸収性であ
るが上記電荷励起層からの光励起正孔の注入を支持しか
つこれら正孔を上記電荷移送層を通して移送することが
できるところの可撓性電子写真像形成部材を提供するこ
とによって達成される。
本発明の光導電性像形成部材は電導性表面を有する基体
を用意し、この電導性層上に電荷プ凸ツキング層を適用
し、本発明の接着層を適用し、該ブロッキング層上に電
荷励起バインダ一層を適用しさらにジアミン電荷移送層
を上記電荷励起層上に適用することによって作製し得る
。
を用意し、この電導性層上に電荷プ凸ツキング層を適用
し、本発明の接着層を適用し、該ブロッキング層上に電
荷励起バインダ一層を適用しさらにジアミン電荷移送層
を上記電荷励起層上に適用することによって作製し得る
。
基体は不透明または実質的に透明であり得、所定の機械
的特性を有する多くの適当な物質からなり得る。従って
、この基体は無機または有機化合物のような電気的に非
伝導性または伝導性の材料の層を含み得る。電気的に非
伝導性の材料としては、ポリエステル、ポリカーボネー
ト、ポリアミド、ポリウレタン等を包含する本目的に公
知の種々の樹脂を使用できる。電気絶縁性または電導性
基体は可撓性であるべきであり、多くの種々の形状、例
えばプレート、スクロール、エンドレス可撓性ベルト等
の任意の形状を有し得る。好ましいのは、基体はエンド
レス可撓性ベルトの形状であり、E、1.デュポンデネ
モアス社より入手できるマイラー(Mylar )とし
であるいはIC1社から入手できるメリネックス(Me
linex )として公知の市販の二軸配向ポリエステ
ルを含む。
的特性を有する多くの適当な物質からなり得る。従って
、この基体は無機または有機化合物のような電気的に非
伝導性または伝導性の材料の層を含み得る。電気的に非
伝導性の材料としては、ポリエステル、ポリカーボネー
ト、ポリアミド、ポリウレタン等を包含する本目的に公
知の種々の樹脂を使用できる。電気絶縁性または電導性
基体は可撓性であるべきであり、多くの種々の形状、例
えばプレート、スクロール、エンドレス可撓性ベルト等
の任意の形状を有し得る。好ましいのは、基体はエンド
レス可撓性ベルトの形状であり、E、1.デュポンデネ
モアス社より入手できるマイラー(Mylar )とし
であるいはIC1社から入手できるメリネックス(Me
linex )として公知の市販の二軸配向ポリエステ
ルを含む。
基体層の厚さは経済性を含む多(のファクターによる、
即ち、可撓性ベルト用のこの層は、最終光導電性装置に
悪影響を与えない限り、例えば、200μm以上の実質
的厚さあるいは50μm以下の最小厚さを有し得る。1
つの可撓性ベルトの態様においては、この層の厚さは小
直径ロール例えば12mm直径ロールの周りを回転させ
る場合の最適可撓性および最小伸展のために約65〜約
150μm好ましくは約75〜約125μmの範囲にあ
る。基体層の表面は好ましくはコーティング前にクリー
ニングして付着コーティングの接着性を向上させる。ク
リーニングは基体層表面をプラズマ放電、イオンボンバ
ード等に露出することによって行い得る。
即ち、可撓性ベルト用のこの層は、最終光導電性装置に
悪影響を与えない限り、例えば、200μm以上の実質
的厚さあるいは50μm以下の最小厚さを有し得る。1
つの可撓性ベルトの態様においては、この層の厚さは小
直径ロール例えば12mm直径ロールの周りを回転させ
る場合の最適可撓性および最小伸展のために約65〜約
150μm好ましくは約75〜約125μmの範囲にあ
る。基体層の表面は好ましくはコーティング前にクリー
ニングして付着コーティングの接着性を向上させる。ク
リーニングは基体層表面をプラズマ放電、イオンボンバ
ード等に露出することによって行い得る。
伝導性層は光導電性部材に所望される光透過性および可
撓性により実質的に広範囲に亘って厚さに右いて変化し
得る。従って、可撓性感光性像形成装置を所望するとき
には、伝導性層の厚さは電導性、可撓性および光透過性
の最適組合せのために約20〜約750オングストロー
ム単位、より好ましくは約50〜約200オングストロ
ーム単位であり得る。伝導性層は電導性金属層であり得
、また、例えば、基体上に任意の適当なコーティング方
法、例えば、真空蒸着法によって形成し得る。
撓性により実質的に広範囲に亘って厚さに右いて変化し
得る。従って、可撓性感光性像形成装置を所望するとき
には、伝導性層の厚さは電導性、可撓性および光透過性
の最適組合せのために約20〜約750オングストロー
ム単位、より好ましくは約50〜約200オングストロ
ーム単位であり得る。伝導性層は電導性金属層であり得
、また、例えば、基体上に任意の適当なコーティング方
法、例えば、真空蒸着法によって形成し得る。
典型的な金属にはアルミニウム、ジルコニウム、ニオブ
、クンタノペバナジウムとハフニウム、チタン、ニッケ
ル、ステンレススチール、クロム、タングステン、モリ
ブデン等がある。典型的な真空蒸着法にはスパッタリン
グ、磁電管スパッタリング、RFスパッタリング等があ
る。基体上への金属の磁電管スパッタリングは通常タイ
プのスパッタリングモジニールにより真空条件下アルゴ
ン、ネオンまたは窒素のような不活性雰囲気下で高純度
金属ターゲットを用いて実施することができる。
、クンタノペバナジウムとハフニウム、チタン、ニッケ
ル、ステンレススチール、クロム、タングステン、モリ
ブデン等がある。典型的な真空蒸着法にはスパッタリン
グ、磁電管スパッタリング、RFスパッタリング等があ
る。基体上への金属の磁電管スパッタリングは通常タイ
プのスパッタリングモジニールにより真空条件下アルゴ
ン、ネオンまたは窒素のような不活性雰囲気下で高純度
金属ターゲットを用いて実施することができる。
真空条件は特に臨界的なものではない。一般には、連続
金属膜は適当な基体、例えば、B、I、デュポンデネモ
アス社より入手できるマイラーのようなポリエステルウ
ェブ基体上に磁電管スパッタリングによって得ることが
できる。真空蒸着条件は所望の金属層を得るためにはす
べて変り得ることを理解すべきである。ウェルッヒ31
02ターボモレキニラーポンプ(Welch 3102
TurbomolecularPump)上の変形マ
テリアルズリサーチコーポレーションモデル8620ス
パツタリングモジユール(Materials Re5
earch Corporation Model 8
620Sputtering Module )のよう
な典型的なRFスパッタリング装置は米国特許第3.9
26.762号に記載されており、その記載はすべて参
考として本明細書に引用する。該米国特許はまたチタン
からなり得る基体上に三方晶セレンの薄層をスパッタリ
ングすることも開示している。スパッタリングによる金
属蒸着の他の方法には真空チャンバー中での平坦磁電管
カソードの使用がある。金属ターゲットプレートを平坦
磁電管カソード上に置きコーティングすべき基体を金属
ターゲットプレート上を移送させ得る。カソードおよび
ターゲットプレートは基体移動通路のバッチに垂直にか
つ好ましくは水平に位置させて基体の幅を横切るターゲ
ット物質の蒸着が均一な厚さを有するようにする。必要
ならば、複数のターゲットおよび平坦磁電管カソードを
用いて生産量、適用範囲を増大させあるいは層組成を変
化させ得る。一般的には、真空チャンバーは密閉し、周
囲雰囲気は約5X10−’−sHgに減圧する。この段
階に続いて直ちにチャンバー全体をアルゴンで約I X
10−’mn+Hgの部分圧でフラッシングして残留
壁ガス不純物の殆んどを除去する。約I X 10−’
+amHgのアルゴン雰囲気をスパッタリング領域の真
空チャンバー内に導入する。次いで、電力を平坦磁電管
に適用し、約3〜約8m/分での基体の入れ換えを開始
する。
金属膜は適当な基体、例えば、B、I、デュポンデネモ
アス社より入手できるマイラーのようなポリエステルウ
ェブ基体上に磁電管スパッタリングによって得ることが
できる。真空蒸着条件は所望の金属層を得るためにはす
べて変り得ることを理解すべきである。ウェルッヒ31
02ターボモレキニラーポンプ(Welch 3102
TurbomolecularPump)上の変形マ
テリアルズリサーチコーポレーションモデル8620ス
パツタリングモジユール(Materials Re5
earch Corporation Model 8
620Sputtering Module )のよう
な典型的なRFスパッタリング装置は米国特許第3.9
26.762号に記載されており、その記載はすべて参
考として本明細書に引用する。該米国特許はまたチタン
からなり得る基体上に三方晶セレンの薄層をスパッタリ
ングすることも開示している。スパッタリングによる金
属蒸着の他の方法には真空チャンバー中での平坦磁電管
カソードの使用がある。金属ターゲットプレートを平坦
磁電管カソード上に置きコーティングすべき基体を金属
ターゲットプレート上を移送させ得る。カソードおよび
ターゲットプレートは基体移動通路のバッチに垂直にか
つ好ましくは水平に位置させて基体の幅を横切るターゲ
ット物質の蒸着が均一な厚さを有するようにする。必要
ならば、複数のターゲットおよび平坦磁電管カソードを
用いて生産量、適用範囲を増大させあるいは層組成を変
化させ得る。一般的には、真空チャンバーは密閉し、周
囲雰囲気は約5X10−’−sHgに減圧する。この段
階に続いて直ちにチャンバー全体をアルゴンで約I X
10−’mn+Hgの部分圧でフラッシングして残留
壁ガス不純物の殆んどを除去する。約I X 10−’
+amHgのアルゴン雰囲気をスパッタリング領域の真
空チャンバー内に導入する。次いで、電力を平坦磁電管
に適用し、約3〜約8m/分での基体の入れ換えを開始
する。
必要に応じ、適当な金属の合金を蒸着させ得る。
典型的な金属合金にはジルコニウム、ニオブ、タンタル
、バナジウムとハフニウム、チタン、ニッケル、ステン
レススチール、クロム、タングステン、モリブデン、お
よびこれらの混合物のような2種以上の金属を含み得る
。これらの合金はターゲットとして使用して蒸着金属の
混合物を含む層を蒸着させ得る。ターゲットは合金組合
せを得ることが難しい場合には金属粉末のプレス加工混
合物から製造し得る。金属粉末の使用組合せを検査し、
秤量し、十分に混合し、圧縮してスパッタリングターゲ
ットを調製する。伝導性層は、複数の金属層を含み得る
。複数層はすべて真空蒸着させてもよくあるいはキャス
ティングによるような異なる方法で製造した厚層上に薄
層を真空蒸着することもできる。金属層を形成するのに
用いた方法にかかわらず、金属酸化物の薄層が空気への
露出時に殆んどの金属の外表面上に形成する。即ち、金
属層をオーバーコーテイングする他の層を“連続”層と
して特徴付したときには、これらの上層連続層は、実際
には、酸化性金属層の外表面上に形成している薄い金属
酸化物層と接触しているものとする。一般的には、後の
消去露出のために、少なくとも約15%の光透過性の伝
導性層が望ましい。伝導性層を金属に限定する必要はな
い。伝導性層の他の例には約4000〜約7000オン
グストロームの波長を有する光の透明層としての伝導性
インジウム−酸化錫のような物質の組合せ、または不透
明伝導性層としてのプラスチックバインダー中に分散さ
せた伝導性カーボンブラックであり得る。
、バナジウムとハフニウム、チタン、ニッケル、ステン
レススチール、クロム、タングステン、モリブデン、お
よびこれらの混合物のような2種以上の金属を含み得る
。これらの合金はターゲットとして使用して蒸着金属の
混合物を含む層を蒸着させ得る。ターゲットは合金組合
せを得ることが難しい場合には金属粉末のプレス加工混
合物から製造し得る。金属粉末の使用組合せを検査し、
秤量し、十分に混合し、圧縮してスパッタリングターゲ
ットを調製する。伝導性層は、複数の金属層を含み得る
。複数層はすべて真空蒸着させてもよくあるいはキャス
ティングによるような異なる方法で製造した厚層上に薄
層を真空蒸着することもできる。金属層を形成するのに
用いた方法にかかわらず、金属酸化物の薄層が空気への
露出時に殆んどの金属の外表面上に形成する。即ち、金
属層をオーバーコーテイングする他の層を“連続”層と
して特徴付したときには、これらの上層連続層は、実際
には、酸化性金属層の外表面上に形成している薄い金属
酸化物層と接触しているものとする。一般的には、後の
消去露出のために、少なくとも約15%の光透過性の伝
導性層が望ましい。伝導性層を金属に限定する必要はな
い。伝導性層の他の例には約4000〜約7000オン
グストロームの波長を有する光の透明層としての伝導性
インジウム−酸化錫のような物質の組合せ、または不透
明伝導性層としてのプラスチックバインダー中に分散さ
せた伝導性カーボンブラックであり得る。
平坦磁電管は商業的に入手可能であり、カルホルニア州
すンモノテオのインダストリアルバキュームエンジニア
リング社、西独および米国のレイボルトーハーラース社
、およびイギリスのジェネラルエンジニアリング社のよ
うな企業によって製造されている。磁電管は一般に約5
00ボルト、120アンペアで操作し流出水温度を約4
3℃以下に限定するのに十分な速度で循環させる水によ
って冷却する。基体上に金属層を蒸着させるための磁電
管スパッタリングの使用は、例えば、メツケル等に付与
された米国特許第4.322.276号に記載されてお
り、該米国特許の記載はすべて参考として本明細書に引
用する。低速複写機中の電子写真像形成部材用の伝導性
層の典型的な電導性は約102〜103オーム/平方で
ある。
すンモノテオのインダストリアルバキュームエンジニア
リング社、西独および米国のレイボルトーハーラース社
、およびイギリスのジェネラルエンジニアリング社のよ
うな企業によって製造されている。磁電管は一般に約5
00ボルト、120アンペアで操作し流出水温度を約4
3℃以下に限定するのに十分な速度で循環させる水によ
って冷却する。基体上に金属層を蒸着させるための磁電
管スパッタリングの使用は、例えば、メツケル等に付与
された米国特許第4.322.276号に記載されてお
り、該米国特許の記載はすべて参考として本明細書に引
用する。低速複写機中の電子写真像形成部材用の伝導性
層の典型的な電導性は約102〜103オーム/平方で
ある。
金属層を付着させた後、正孔ブロッキング層を適用する
。一般に、正帯電型感光体の電子ブロッキング層は感光
体の像形成表面からの正孔を伝導性層に向けて浸透せし
める。隣接光電導性層とその下の伝導層との間で正孔に
対する電子バリヤーを形成することのできる任意の適当
な正孔ブロッキング層を使用することができる。正孔ブ
ロッキング層は有機または無機物であり得、任意の適当
な方法で付着させ得る。例えば、正孔ブロッキング層が
溶媒に可溶である場合には、溶液として適用でき、その
後、溶媒は乾燥によるような任意の適当な方法によって
除去できる。典型的なブロッキング層にはオルガノ金属
塩を含有するポリビニルビチラール、オルガノシラン、
エポキシ樹脂、ポリエステル、ポリアミド、ポリウレタ
ン、ビロキシリンビニリデンクロライド樹脂、シリコー
ン樹脂、フルオロカーボン樹脂等がある。他のブロッキ
ング層材料には、米国特許第4.29L110号、第4
.338.387号、第4.286.033号および第
4,291.110号に開示されているような窒素含有
シロキサンまたは窒素含有チタン化合物、例えば、トリ
メトキシシリルプロピレンジアミン、加水分解トリメト
キシシルリルブロビルエチレンジアミン、N−β−(ア
ミノエチル)T−アミノ−プロピルトリメトキシシラン
、イソプロピル4−アミノベンゼンスルホニルチタネー
ト、ジ(ドデシルベンゼンスルホニル)チタネート、イ
ソプロビルジ(4−アミノベンゾイル)イソステアロイ
ルチタネート、イソプロピルトリ(N−エチルアミノ−
エチルアミノ)チタネート、イソプロとルトリアンスラ
ニルチタネート、イソプロピルトリ (N、N−ジメチ
ル−エチルアミノ)チタネート、チタニウム−4−アミ
ノベンゼンスルホネートオキシアセテート、チタニウム
−4−アミノベンゾエートイソステアレートオキシアセ
テート、 (HJ(C1h)n) CHsSt(OCHりい (γ
−アミノブチル)メチルジェトキシシラン、および (HJ(CHz)+) CH25i(OCRs)x、(
γ−アミノプロピル)メチルジェトキシシランがある。
。一般に、正帯電型感光体の電子ブロッキング層は感光
体の像形成表面からの正孔を伝導性層に向けて浸透せし
める。隣接光電導性層とその下の伝導層との間で正孔に
対する電子バリヤーを形成することのできる任意の適当
な正孔ブロッキング層を使用することができる。正孔ブ
ロッキング層は有機または無機物であり得、任意の適当
な方法で付着させ得る。例えば、正孔ブロッキング層が
溶媒に可溶である場合には、溶液として適用でき、その
後、溶媒は乾燥によるような任意の適当な方法によって
除去できる。典型的なブロッキング層にはオルガノ金属
塩を含有するポリビニルビチラール、オルガノシラン、
エポキシ樹脂、ポリエステル、ポリアミド、ポリウレタ
ン、ビロキシリンビニリデンクロライド樹脂、シリコー
ン樹脂、フルオロカーボン樹脂等がある。他のブロッキ
ング層材料には、米国特許第4.29L110号、第4
.338.387号、第4.286.033号および第
4,291.110号に開示されているような窒素含有
シロキサンまたは窒素含有チタン化合物、例えば、トリ
メトキシシリルプロピレンジアミン、加水分解トリメト
キシシルリルブロビルエチレンジアミン、N−β−(ア
ミノエチル)T−アミノ−プロピルトリメトキシシラン
、イソプロピル4−アミノベンゼンスルホニルチタネー
ト、ジ(ドデシルベンゼンスルホニル)チタネート、イ
ソプロビルジ(4−アミノベンゾイル)イソステアロイ
ルチタネート、イソプロピルトリ(N−エチルアミノ−
エチルアミノ)チタネート、イソプロとルトリアンスラ
ニルチタネート、イソプロピルトリ (N、N−ジメチ
ル−エチルアミノ)チタネート、チタニウム−4−アミ
ノベンゼンスルホネートオキシアセテート、チタニウム
−4−アミノベンゾエートイソステアレートオキシアセ
テート、 (HJ(C1h)n) CHsSt(OCHりい (γ
−アミノブチル)メチルジェトキシシラン、および (HJ(CHz)+) CH25i(OCRs)x、(
γ−アミノプロピル)メチルジェトキシシランがある。
米国特許第4.338.387号、第4.286.03
3号および第4.291,110号の記載はすべて参考
として本明細書に引用する。好ましいブロッキング層は
加水分解シランと金属基平面層の酸化表面との反応生成
物を含む。酸化表面は蒸着後空気に露出したとき殆んど
の金属基平面の外表面上で固有的に形成する。
3号および第4.291,110号の記載はすべて参考
として本明細書に引用する。好ましいブロッキング層は
加水分解シランと金属基平面層の酸化表面との反応生成
物を含む。酸化表面は蒸着後空気に露出したとき殆んど
の金属基平面の外表面上で固有的に形成する。
この組合せは低RHで電気的安定性を改善する加水分解
シランは一般式: を有するかまたはこれらの混合物である。式中、R+は
1〜20個の炭素原子を有するアルキリデン基であり、
Rx、RsおよびR?は、個々に、H11〜3個の炭素
原子を含有する低級アルキル基およびフェニル基からな
る群から選ばれ、Xは酸または酸塩のアニオンであり、
nは1.2.3または4であり、yは1.2.3または
4である。
シランは一般式: を有するかまたはこれらの混合物である。式中、R+は
1〜20個の炭素原子を有するアルキリデン基であり、
Rx、RsおよびR?は、個々に、H11〜3個の炭素
原子を含有する低級アルキル基およびフェニル基からな
る群から選ばれ、Xは酸または酸塩のアニオンであり、
nは1.2.3または4であり、yは1.2.3または
4である。
像形成部材は金属伝導性アノード層の金属酸化物層上に
pH約4〜約lOの加水分解シラン水溶液のコーティン
グを付着させ、反応生成物層を乾燥してシロキサンフィ
ルムを形成させ、本発明の接着層を適用し、その後光励
起層およげ正孔移送層のような電気作動層をシロキサン
フィルムに適用することによって作製する。
pH約4〜約lOの加水分解シラン水溶液のコーティン
グを付着させ、反応生成物層を乾燥してシロキサンフィ
ルムを形成させ、本発明の接着層を適用し、その後光励
起層およげ正孔移送層のような電気作動層をシロキサン
フィルムに適用することによって作製する。
加水分解シランは一般構造式:
(式中、R9は1〜20個の炭素原子を含有するアルキ
リデン基であり、R2およびR3は、個々に、H11〜
3個の炭素原子を有する低級アルキル基、フェニル基お
よびポリ (エチレン)アミノまたはエチレンジアミン
基から成る群より選ばれ、Ra、RsおよびR4は、個
々に、1〜4個の炭素原子を有する低級アルキル基から
なる群より選ばれる) を有するシランを加水分解することによって調製する。
リデン基であり、R2およびR3は、個々に、H11〜
3個の炭素原子を有する低級アルキル基、フェニル基お
よびポリ (エチレン)アミノまたはエチレンジアミン
基から成る群より選ばれ、Ra、RsおよびR4は、個
々に、1〜4個の炭素原子を有する低級アルキル基から
なる群より選ばれる) を有するシランを加水分解することによって調製する。
典型的な加水分解性シランには3−アミノプロピルトリ
エトキシシラン、(N、N−ジメチル3−アミノ)プロ
ピルトリエトキシシラン、N。
エトキシシラン、(N、N−ジメチル3−アミノ)プロ
ピルトリエトキシシラン、N。
N−ジメチルアミノフェニルトリエトキシシラン、N−
フェニルアミノプロピルトリメトキシシラン、トリメト
キシシリルプロピルジエチレントリアミンおよびこれら
の混合物がある R1を長鎖に延長するときには、化合物は安定性が小さ
くなる。R8が約3〜約6個の炭素原子を含むシランが
その分子がより安定であり、より可撓性でありまたより
小さい張力下にあるので好ましい。最適の結果はR1が
3個の炭素原子を有するときに得られる。満足できる結
果はR2とR3がアルキル基であるときに得られる。最
適の平滑で均一な膜はR1とR1が水素である加水分解
シランによって形成される。シランの満足できる加水分
解はR,、R,およびR6が1〜4個の炭素原子を含む
アルキル基であるときに行い得る。アルキル基が4個の
炭素原子より多いときは、加水分解は実施できない程に
遅くなる。しかしながら、2個の炭素原子を含有するア
ルキル基を有するシランの加水分解は最良の結果を得る
ので好ましい。
フェニルアミノプロピルトリメトキシシラン、トリメト
キシシリルプロピルジエチレントリアミンおよびこれら
の混合物がある R1を長鎖に延長するときには、化合物は安定性が小さ
くなる。R8が約3〜約6個の炭素原子を含むシランが
その分子がより安定であり、より可撓性でありまたより
小さい張力下にあるので好ましい。最適の結果はR1が
3個の炭素原子を有するときに得られる。満足できる結
果はR2とR3がアルキル基であるときに得られる。最
適の平滑で均一な膜はR1とR1が水素である加水分解
シランによって形成される。シランの満足できる加水分
解はR,、R,およびR6が1〜4個の炭素原子を含む
アルキル基であるときに行い得る。アルキル基が4個の
炭素原子より多いときは、加水分解は実施できない程に
遅くなる。しかしながら、2個の炭素原子を含有するア
ルキル基を有するシランの加水分解は最良の結果を得る
ので好ましい。
上述のアミノシランの加水分解中に、アルコキシ基はヒ
ドロキシ基で置換される。加水分解が続くとき、加水分
解シランは次の中間一般式を有する: 乾燥後に、加水分解シランから形成されたシロキサン反
応生成物膜はnが6に等しいかそれ以上である大きい分
子を含有する。加水分解シランの反応生成物は線状、部
分架橋、ダイマー、トリマー等であり得る。
ドロキシ基で置換される。加水分解が続くとき、加水分
解シランは次の中間一般式を有する: 乾燥後に、加水分解シランから形成されたシロキサン反
応生成物膜はnが6に等しいかそれ以上である大きい分
子を含有する。加水分解シランの反応生成物は線状、部
分架橋、ダイマー、トリマー等であり得る。
加水分解シラン溶液はケイ素原子に結合したアルコキシ
基を加水分解するのに十分な水を加えて溶液を調製する
ことによって調製できる。不十分な水は通常加水分解シ
ランに望ましくないゲルを生ゼしめるであろう。一般的
には、稀溶液が薄コーティングを得るのに好ましい、満
足できる反応生成物膜は溶液総重量基準で約0.1〜約
1.5重量%のシランを含有する溶液龜よって達成でき
る。
基を加水分解するのに十分な水を加えて溶液を調製する
ことによって調製できる。不十分な水は通常加水分解シ
ランに望ましくないゲルを生ゼしめるであろう。一般的
には、稀溶液が薄コーティングを得るのに好ましい、満
足できる反応生成物膜は溶液総重量基準で約0.1〜約
1.5重量%のシランを含有する溶液龜よって達成でき
る。
溶液総重量基準で約0.05〜約0.2重量%のシラン
を含有する溶液が均一な反応生成物層を形成する安定溶
液として好ましい、加水分解シラン溶液のptlは注意
深く調整して最適の電気的安定性を得ることが重要であ
る。約4〜約10の間のpHが好ましい。厚い反応生成
物層は約10より大きいpHの溶液では形成することが
難しい。さらにまた、反応生成物膜の可撓性も約10よ
り大きいpnを有する溶液を用いるときは悪影響を受け
る。さらに、約10より大きいあるいは約4より小さい
pHを有する加水分解シラン溶液は最終感光体製品の貯
蔵中アルミニウム含有層のような金属伝導性層をひどく
腐食しがちである。最適反応生成物層は約7〜約8のp
Hを有する加水分解シランによって達成される。何故な
らば、得られる処理感光体のサイクルアンプ及びサイク
ルダウン特性の抑制が最大であるからである。ある許容
し得るサイクルダウンは約4より小さいpHを有する加
水分解アミノシラン溶液によっても観察されている。
を含有する溶液が均一な反応生成物層を形成する安定溶
液として好ましい、加水分解シラン溶液のptlは注意
深く調整して最適の電気的安定性を得ることが重要であ
る。約4〜約10の間のpHが好ましい。厚い反応生成
物層は約10より大きいpHの溶液では形成することが
難しい。さらにまた、反応生成物膜の可撓性も約10よ
り大きいpnを有する溶液を用いるときは悪影響を受け
る。さらに、約10より大きいあるいは約4より小さい
pHを有する加水分解シラン溶液は最終感光体製品の貯
蔵中アルミニウム含有層のような金属伝導性層をひどく
腐食しがちである。最適反応生成物層は約7〜約8のp
Hを有する加水分解シランによって達成される。何故な
らば、得られる処理感光体のサイクルアンプ及びサイク
ルダウン特性の抑制が最大であるからである。ある許容
し得るサイクルダウンは約4より小さいpHを有する加
水分解アミノシラン溶液によっても観察されている。
加水分解シラン溶液のpfl調整は任意の適当な有機ま
たは無機の酸または酸塩によって行い得る。
たは無機の酸または酸塩によって行い得る。
典型的な有機および無機の酸および酸塩には酢酸、クエ
ン酸、ギ酸、沃化水素、リン酸、塩化アンモニウム、ヒ
ドロフルオロケイ酸、ブロモクレゾールグリーン、ブロ
モフェノールブルー、p−トルエンスルホン酸等がある
。
ン酸、ギ酸、沃化水素、リン酸、塩化アンモニウム、ヒ
ドロフルオロケイ酸、ブロモクレゾールグリーン、ブロ
モフェノールブルー、p−トルエンスルホン酸等がある
。
必要ならば、加水分解シラン水溶液は水以外の極性溶媒
のような添加物を含んで金属伝導性アノード層の金属酸
化物層の湿潤性の改良を促進させることもできる。改良
された湿潤性は加水分解シランと金属酸化物層間の反応
の均一性を大にする。
のような添加物を含んで金属伝導性アノード層の金属酸
化物層の湿潤性の改良を促進させることもできる。改良
された湿潤性は加水分解シランと金属酸化物層間の反応
の均一性を大にする。
任意の適当な極性溶媒を使用できる。典型的な極性溶媒
にはメタノール、エタノール、イソプロパツール、テト
ラヒドロフラン、メチルセルソルブ、エチルセルソルブ
、エトキシエタノール、酢酸エチル、エチルホルメート
およびこれらの混合物である。最適の湿潤は極性溶媒添
加物としてのエタノールによって得られる。一般に、加
水分解シラン溶液に加える極性溶媒の量は溶液の総重量
基準で約95%より小である。
にはメタノール、エタノール、イソプロパツール、テト
ラヒドロフラン、メチルセルソルブ、エチルセルソルブ
、エトキシエタノール、酢酸エチル、エチルホルメート
およびこれらの混合物である。最適の湿潤は極性溶媒添
加物としてのエタノールによって得られる。一般に、加
水分解シラン溶液に加える極性溶媒の量は溶液の総重量
基準で約95%より小である。
任意の適当な方法を用いて加水分解シラン溶液を金属伝
導性アノード層の金属酸化物層に適用することができる
。典型的な適用方法にはスプレー法、ティップコーティ
ング法、ロールコーティング法、ワイヤー巻き棒コーテ
ィング法等がある。
導性アノード層の金属酸化物層に適用することができる
。典型的な適用方法にはスプレー法、ティップコーティ
ング法、ロールコーティング法、ワイヤー巻き棒コーテ
ィング法等がある。
加水分解シラン水溶液は金属酸化物層への適用前に調製
することが好ましいけれども、シランを直接金属酸化物
層に適用し、付着させたシランコーティングを水蒸気で
処理してその場でシランを加水分解して金属酸化物層表
面上に上述のpH範囲の加水分解シラン溶液を調製して
もよい。水蒸気はスチームまたは湿潤空気の形であり得
る。一般的には、満足できる結果は加水分解シランと金
属酸化物との反応生成物が約20〜約2.000オング
ストロームの厚さを有する層を形成するときに得ること
ができる。反応生成物層がそれより薄くなるときには、
サイクル操作の不安定性が増大し始める。反応生成物層
の厚さが増大するときには、反応生成物層は非伝導性と
なり残留電荷が電子の捕捉のために増大しがちであり、
厚目の反応生成物膜はもろくなりやすい。もろいコーテ
ィングは、勿論、可撓性感光体用に特に高速高容量複写
機およびプリンターにおいて適していない。
することが好ましいけれども、シランを直接金属酸化物
層に適用し、付着させたシランコーティングを水蒸気で
処理してその場でシランを加水分解して金属酸化物層表
面上に上述のpH範囲の加水分解シラン溶液を調製して
もよい。水蒸気はスチームまたは湿潤空気の形であり得
る。一般的には、満足できる結果は加水分解シランと金
属酸化物との反応生成物が約20〜約2.000オング
ストロームの厚さを有する層を形成するときに得ること
ができる。反応生成物層がそれより薄くなるときには、
サイクル操作の不安定性が増大し始める。反応生成物層
の厚さが増大するときには、反応生成物層は非伝導性と
なり残留電荷が電子の捕捉のために増大しがちであり、
厚目の反応生成物膜はもろくなりやすい。もろいコーテ
ィングは、勿論、可撓性感光体用に特に高速高容量複写
機およびプリンターにおいて適していない。
金属酸化物層上の加水分解シランの乾燥または硬化はお
よそ室温よりも高い温度で行ってより均一な電気的性質
、加水分解シランのシロキサンへのより完全な転化およ
びより少ない未反応シラノールを有する反応生成物を得
るべきである。一般に、約り00℃〜約150℃の反応
温度が電気化学特性の最大安定のために好ましい。使用
温度はある程度使用する特定の金属酸化物層に依存しま
た基体の温度感受性によって制限される。最適の電気化
学安定性を有する反応生成物層−は反応を約135℃の
温度で行ったときに得られる。反応温度はオープン、強
制送風炉、放射加熱ランプ等のような任意の適当な方法
によって維持し得る。
よそ室温よりも高い温度で行ってより均一な電気的性質
、加水分解シランのシロキサンへのより完全な転化およ
びより少ない未反応シラノールを有する反応生成物を得
るべきである。一般に、約り00℃〜約150℃の反応
温度が電気化学特性の最大安定のために好ましい。使用
温度はある程度使用する特定の金属酸化物層に依存しま
た基体の温度感受性によって制限される。最適の電気化
学安定性を有する反応生成物層−は反応を約135℃の
温度で行ったときに得られる。反応温度はオープン、強
制送風炉、放射加熱ランプ等のような任意の適当な方法
によって維持し得る。
反応時間は使用する反応温度による。即ち、短い反応時
間は高反応温度を用いたとき必要である。
間は高反応温度を用いたとき必要である。
一般に、反応時間の増大は加水分解シランの架橋度を増
大させる。満足できる結果は約0.5〜約45分の反応
時間により昇温下で達成される。実際的には、十分な架
橋は、水溶液のptiが約4〜約10に維持されている
限り、反応生成物層を乾燥させる時間によって達成され
る。
大させる。満足できる結果は約0.5〜約45分の反応
時間により昇温下で達成される。実際的には、十分な架
橋は、水溶液のptiが約4〜約10に維持されている
限り、反応生成物層を乾燥させる時間によって達成され
る。
反応は大気圧または真空下を包含する任意の適当な圧力
下で行い得る。反応を大気圧以下で行うとき必要な熱エ
ネルギーは小さい。
下で行い得る。反応を大気圧以下で行うとき必要な熱エ
ネルギーは小さい。
十分な縮合または架橋が起って装置環境内で安定な電気
化学特性を有するシロキサン反応生成物膜を形成してい
るかどうかは単にシロキサン反応生成物膜を水、トルエ
ン、テトラヒドロフラン、塩化メチレンまたはシクロヘ
キサンで洗浄し洗浄したシロキサン反応生成物膜を試験
して約1 、000〜約1.200 al−’の5t−
O−波長バンドの赤外吸収を比較することによって容易
に測定できる。
化学特性を有するシロキサン反応生成物膜を形成してい
るかどうかは単にシロキサン反応生成物膜を水、トルエ
ン、テトラヒドロフラン、塩化メチレンまたはシクロヘ
キサンで洗浄し洗浄したシロキサン反応生成物膜を試験
して約1 、000〜約1.200 al−’の5t−
O−波長バンドの赤外吸収を比較することによって容易
に測定できる。
5i−0−波長バンドを見ることができる場合には、反
応度は十分である、即ち、バンド中のピークが1つの赤
外吸収試験から次の試験において消失しないならば、十
分な縮合および架橋が生じている。部分重合反応生成物
が同じ分子にシロキサンとシラノール部位を含んでいる
ものと信じている。“部分重合”なる表現は完全重合が
通常は最も厳しい乾燥または硬化条件においてさえも達
成されないために用いている。加水分解シランは金属酸
化物層の孔中の金属水酸化物分子と反応しているようで
ある。このシランコーティングはり、−A。
応度は十分である、即ち、バンド中のピークが1つの赤
外吸収試験から次の試験において消失しないならば、十
分な縮合および架橋が生じている。部分重合反応生成物
が同じ分子にシロキサンとシラノール部位を含んでいる
ものと信じている。“部分重合”なる表現は完全重合が
通常は最も厳しい乾燥または硬化条件においてさえも達
成されないために用いている。加水分解シランは金属酸
化物層の孔中の金属水酸化物分子と反応しているようで
ある。このシランコーティングはり、−A。
トイスチャー等の米国特許第4.464.450号に記
載されており、該米国特許の記載はすべて本明細書に引
用する。
載されており、該米国特許の記載はすべて本明細書に引
用する。
ブロッキング層は連続性でありまた約0.5μmより小
さい厚さを有すべきである。何故ならば、それより大き
い厚さは望ましくない高残留電圧をもたらし得るからで
ある。約0.005〜約0.3μ論(50〜3000オ
ングストローム)のブロッキング層が露光段階後の電荷
中和を容易にし最適電気性能が得られるので好ましい。
さい厚さを有すべきである。何故ならば、それより大き
い厚さは望ましくない高残留電圧をもたらし得るからで
ある。約0.005〜約0.3μ論(50〜3000オ
ングストローム)のブロッキング層が露光段階後の電荷
中和を容易にし最適電気性能が得られるので好ましい。
約0.03μm〜約0.06μmの厚さが最適の電気的
挙動のためにジルコニウム酸化物層にとって好ましい、
最適の結果はシロキサンブロッキング層によって得られ
る。ブロッキング層はスプレー法、ディップコーティン
グ法、引伸し棒コーティング法、グラビアコーティング
法、シルクスクリーニング法、エアナイフコーティング
法、リバースロールコーティング法、真空蒸看法、化学
処理法等の任意の適当な通常方法によって適用できる。
挙動のためにジルコニウム酸化物層にとって好ましい、
最適の結果はシロキサンブロッキング層によって得られ
る。ブロッキング層はスプレー法、ディップコーティン
グ法、引伸し棒コーティング法、グラビアコーティング
法、シルクスクリーニング法、エアナイフコーティング
法、リバースロールコーティング法、真空蒸看法、化学
処理法等の任意の適当な通常方法によって適用できる。
1層を得るためには、ブロッキング層は稀溶液の形で適
用するのが好ましく、溶媒はコーティングの適用後真空
、加熱等によるような通常の方法によって除去する。
用するのが好ましく、溶媒はコーティングの適用後真空
、加熱等によるような通常の方法によって除去する。
一般に、約0.05:100〜約0.5:100のブロ
ッキング層物質と溶媒の重量比がスプレーコーティング
において満足できる。
ッキング層物質と溶媒の重量比がスプレーコーティング
において満足できる。
接着層は正孔ブロッキング層に適用する。ポリエステル
樹脂を含有する接着層は従来技術において開示されてい
る。デュポン49,000(デュボンデネモアス社より
入手できる)として公知の1つの従来技術ポリエステル
樹脂接着層は4種のジ酸とエチレングリコールの線状飽
和コポリエステル反応生成物である。この線状飽和コポ
リエステルの分子構造は次式: HOC−(ジ酸−ジオール)a−OH で示され、該コポリエステル中のジ酸対エチレングリコ
ールのモル比は1:1である。ジ酸はテレフタル酸、イ
ソフタル酸、アジピン酸およびアゼライン酸である。テ
レフタル酸対イソフタル酸対アジピン酸:アゼライン酸
のモル比は4=4:1:1である。これらの酸およびエ
チレングリコールの分子構造は次のとおりである。
樹脂を含有する接着層は従来技術において開示されてい
る。デュポン49,000(デュボンデネモアス社より
入手できる)として公知の1つの従来技術ポリエステル
樹脂接着層は4種のジ酸とエチレングリコールの線状飽
和コポリエステル反応生成物である。この線状飽和コポ
リエステルの分子構造は次式: HOC−(ジ酸−ジオール)a−OH で示され、該コポリエステル中のジ酸対エチレングリコ
ールのモル比は1:1である。ジ酸はテレフタル酸、イ
ソフタル酸、アジピン酸およびアゼライン酸である。テ
レフタル酸対イソフタル酸対アジピン酸:アゼライン酸
のモル比は4=4:1:1である。これらの酸およびエ
チレングリコールの分子構造は次のとおりである。
デュポン49.000線状飽和コポリエステルは上述し
た比でのエチレングリコールと4種のランダムに配列し
たジ酸の交互モノマ一単位からなり、約70.000の
重量平均分子量と約32℃のTgを有する。デュポン4
9,000線状飽和コポリ工ステル接着層中のアルキレ
ン基含有ジ酸の存在は小直径ロール上を移動中の多層型
感光体のはがれに貢献しているものと信じている。
た比でのエチレングリコールと4種のランダムに配列し
たジ酸の交互モノマ一単位からなり、約70.000の
重量平均分子量と約32℃のTgを有する。デュポン4
9,000線状飽和コポリ工ステル接着層中のアルキレ
ン基含有ジ酸の存在は小直径ロール上を移動中の多層型
感光体のはがれに貢献しているものと信じている。
本発明のポリエステル接着層は次の構造式:HOC−(
ジ酸−ジオール〕7 (式中、ジ酸はテレフタル酸、イソフタル酸およびこれ
らの混合物から選ばれ、ジオールはエチレングリコール
、2,2−ジメチルプロパンおよびこれらの混合物から
なる群より選ばれ、nは約175〜約350の数である
)を有するコポリエステル樹脂を接着層の総重量基準で
少なくとも約90重量%以上を含み、このコポリエステ
ル樹脂のTgは約り0℃〜約80℃である。上記構造を
有する典型的なポリエステル樹脂には、例えば、バイチ
ル(Vitel) PE 100、バイチルPE−2
00、バイチルPE−2000゜およびバイチルPE−
222があり、いずれもグツドイヤータイヤアンドラバ
ー社より入手できる。
ジ酸−ジオール〕7 (式中、ジ酸はテレフタル酸、イソフタル酸およびこれ
らの混合物から選ばれ、ジオールはエチレングリコール
、2,2−ジメチルプロパンおよびこれらの混合物から
なる群より選ばれ、nは約175〜約350の数である
)を有するコポリエステル樹脂を接着層の総重量基準で
少なくとも約90重量%以上を含み、このコポリエステ
ル樹脂のTgは約り0℃〜約80℃である。上記構造を
有する典型的なポリエステル樹脂には、例えば、バイチ
ル(Vitel) PE 100、バイチルPE−2
00、バイチルPE−2000゜およびバイチルPE−
222があり、いずれもグツドイヤータイヤアンドラバ
ー社より入手できる。
このポリエステル樹脂を含む接着層をブロッキング層に
適用する。本発明の接着層は連続であるべきで、好まし
くは約200〜約900μm好ましくは約400〜約7
00μmの厚さを有する。約200オングストロームよ
り小さい厚さでは、励起層とブロッキング層間の接着が
乏しく、感光体ベルトがロールまたは曲り滑りプレート
のような小直径支持体上を移動するときはがれが生じる
。
適用する。本発明の接着層は連続であるべきで、好まし
くは約200〜約900μm好ましくは約400〜約7
00μmの厚さを有する。約200オングストロームよ
り小さい厚さでは、励起層とブロッキング層間の接着が
乏しく、感光体ベルトがロールまたは曲り滑りプレート
のような小直径支持体上を移動するときはがれが生じる
。
本発明の接着層の厚さが約900オングストロームより
大きいときには、過度の残留電荷蓄積が長時間のサイク
ル操作中に見られる。任意の適当な溶媒または溶媒混合
物を用いて上記ポリエステルのコーティング溶液を調製
できる。典型的な溶媒には、テトラヒドロフラン、トル
エン、塩化メチレン、シクロヘキサン等、およびこれら
の混合物がある。一般に、グラビアコーティング法によ
り約900オングストロームまたはそれ以下の連続接着
層厚を得るためには、固形分濃度がポリエステルと溶媒
とのコーティング混合物の総重量基準で約2〜約5重量
%でなることが必要である。しかしながら、任意の他の
適当な通常の方法を用いて混合しその後本発明の接着層
コーティング混合物を電荷ブロッキング層に適用するこ
ともできる。
大きいときには、過度の残留電荷蓄積が長時間のサイク
ル操作中に見られる。任意の適当な溶媒または溶媒混合
物を用いて上記ポリエステルのコーティング溶液を調製
できる。典型的な溶媒には、テトラヒドロフラン、トル
エン、塩化メチレン、シクロヘキサン等、およびこれら
の混合物がある。一般に、グラビアコーティング法によ
り約900オングストロームまたはそれ以下の連続接着
層厚を得るためには、固形分濃度がポリエステルと溶媒
とのコーティング混合物の総重量基準で約2〜約5重量
%でなることが必要である。しかしながら、任意の他の
適当な通常の方法を用いて混合しその後本発明の接着層
コーティング混合物を電荷ブロッキング層に適用するこ
ともできる。
典型的な適用法にはスプレー法、ディップコーティング
法、ロールコーティング法、ワイヤー巻き棒コーティン
グ法等がある。適用したコーティングの乾燥はオーブン
乾燥、赤外線照射乾燥、空転等の任意の適当な技術によ
って行い得る。
法、ロールコーティング法、ワイヤー巻き棒コーティン
グ法等がある。適用したコーティングの乾燥はオーブン
乾燥、赤外線照射乾燥、空転等の任意の適当な技術によ
って行い得る。
本発明の接着層は、接着層の総重量基準で、少なくとも
約90重量%の本発明のコポリエステル樹脂を含み、小
直径ロール(例えば、19寵)上での感光体ベルトの移
送およびブレードクリーニングを含む使用のための適切
な接着強度を達成する。
約90重量%の本発明のコポリエステル樹脂を含み、小
直径ロール(例えば、19寵)上での感光体ベルトの移
送およびブレードクリーニングを含む使用のための適切
な接着強度を達成する。
本発明の接着層に用いるポリエステル樹脂の1゛つの例
はバイチルPE−100としてグツドイヤータイヤアン
ドラバー社より入手できるコポリエステルである。この
ポリエステル樹脂は2種のジ酸とエチレングリコールと
の線状飽和コポリエステルである。この線状飽和ポリエ
ステルの分子構造は次式: で示され、このコポリエステル中のジ酸対エチレングリ
コールの比は1:1である。ジ酸はテレフタル酸とイソ
フタル酸である。テレフタル酸とイソフタル酸の比は3
:2である。これら酸とエチレングリコールの分子構造
は前述、したとおりである、バイチルPE100線状飽
和コポリエステルは上記比のエチレングリコールと2種
のランダム配列のジ酸の交互モノマ一単位からなり、約
50.000の分子量と約71℃のTgを有する。
はバイチルPE−100としてグツドイヤータイヤアン
ドラバー社より入手できるコポリエステルである。この
ポリエステル樹脂は2種のジ酸とエチレングリコールと
の線状飽和コポリエステルである。この線状飽和ポリエ
ステルの分子構造は次式: で示され、このコポリエステル中のジ酸対エチレングリ
コールの比は1:1である。ジ酸はテレフタル酸とイソ
フタル酸である。テレフタル酸とイソフタル酸の比は3
:2である。これら酸とエチレングリコールの分子構造
は前述、したとおりである、バイチルPE100線状飽
和コポリエステルは上記比のエチレングリコールと2種
のランダム配列のジ酸の交互モノマ一単位からなり、約
50.000の分子量と約71℃のTgを有する。
本発明のもう1つのポリエステル樹脂接着層はバイチル
PE−200としてグツドイヤータイヤアンドラバー社
より入手できる。このポリエステル樹脂は2種のジ酸と
2種のジオールの線状飽和ポリエステルである。この線
状飽和コポリエステルの分子構造は次式; で示され、該コポリエステル中のジ酸とエチレングリコ
ールの比は1:1である。ジ酸はテレフタル酸とイソフ
タル酸である。テレフタル酸対イソフタル酸の比は1.
2:1である。これらの酸およびエチレングリコールの
分子構造は前述したとおりである。2種のジオールはエ
チレングリコールと2.2−ジメチルプロパンジオール
である。エチレングリコール対ジメチルプロパンジオー
ルの比はt、a3:tである。エチレングリコールの分
子構造は前述したとおりであり、ジメチルプロパンジオ
ールの分子構造は次のとおりである:グッドイヤーPE
−200線状飽和コポリエステルは上述した比での2種
のジ酸と2種のジオールのランダム交互モノマ一単位か
らなり約45000の分子量と約67℃のTgからなる
。
PE−200としてグツドイヤータイヤアンドラバー社
より入手できる。このポリエステル樹脂は2種のジ酸と
2種のジオールの線状飽和ポリエステルである。この線
状飽和コポリエステルの分子構造は次式; で示され、該コポリエステル中のジ酸とエチレングリコ
ールの比は1:1である。ジ酸はテレフタル酸とイソフ
タル酸である。テレフタル酸対イソフタル酸の比は1.
2:1である。これらの酸およびエチレングリコールの
分子構造は前述したとおりである。2種のジオールはエ
チレングリコールと2.2−ジメチルプロパンジオール
である。エチレングリコール対ジメチルプロパンジオー
ルの比はt、a3:tである。エチレングリコールの分
子構造は前述したとおりであり、ジメチルプロパンジオ
ールの分子構造は次のとおりである:グッドイヤーPE
−200線状飽和コポリエステルは上述した比での2種
のジ酸と2種のジオールのランダム交互モノマ一単位か
らなり約45000の分子量と約67℃のTgからなる
。
本発明のポリエステル樹脂が誘導されるジ酸はテレフタ
ル酸とイソフタル酸のみである。本発明のポリエステル
樹脂が誘導されるジオールにはエチレングリコールがあ
る。2,2−ジメチルプロパンジオールのような他のグ
リコールもまたエチレングリコールと組合せて用いて本
発明のポリエステル樹脂を調製できる。上記接着層ポリ
エステルとアミノシロキサンブロッキング層の結合は酸
−塩基界面結合の形成により誘導されさ1らに強力な親
ヌクレオ反応(nucleophilic 1nter
action)により補強されて極めて耐久性のある感
光体を形成しているものと信じている。
ル酸とイソフタル酸のみである。本発明のポリエステル
樹脂が誘導されるジオールにはエチレングリコールがあ
る。2,2−ジメチルプロパンジオールのような他のグ
リコールもまたエチレングリコールと組合せて用いて本
発明のポリエステル樹脂を調製できる。上記接着層ポリ
エステルとアミノシロキサンブロッキング層の結合は酸
−塩基界面結合の形成により誘導されさ1らに強力な親
ヌクレオ反応(nucleophilic 1nter
action)により補強されて極めて耐久性のある感
光体を形成しているものと信じている。
ある場合においては、ブロッキング層と隣接の励起層の
間の中間層が接着性を改良するためあるいは電気的バリ
ヤ一層として機能するために望まれる。そのような層を
用いる場合には、それらの層は好ましくは約0.04〜
約5ミクロンの乾燥厚さを有する。典型的な接着層には
ポリエステル、ポリビニルブチラール、ポリビニルピロ
リドン、ポリウレタン、ポリカーボネート、ポリメチル
メタクリレート、およびこれらの混合物等のフィルム形
成性ポ°リマーがある。
間の中間層が接着性を改良するためあるいは電気的バリ
ヤ一層として機能するために望まれる。そのような層を
用いる場合には、それらの層は好ましくは約0.04〜
約5ミクロンの乾燥厚さを有する。典型的な接着層には
ポリエステル、ポリビニルブチラール、ポリビニルピロ
リドン、ポリウレタン、ポリカーボネート、ポリメチル
メタクリレート、およびこれらの混合物等のフィルム形
成性ポ°リマーがある。
任意の適当な光励起層をブロッキング層または中間層に
適用でき、次いでこれに前述したような連続正孔移送層
をオーバーコーテイングできる。
適用でき、次いでこれに前述したような連続正孔移送層
をオーバーコーテイングできる。
光励起層の例にはフィルム形成性バインダー中に分散さ
せた、無定形セレン、三方晶セレン、およびセレン−テ
ルル、セレン−テルル−ひ素、セレン−ひ素およびこれ
らの混合物からなる群より選ばれたセレン合金のような
無機光導電性粒子;および米国特許第3.357.98
9号に記載されているX形無金属フタロシアニン、バナ
ジルフタロシアニンおよび銅フタロシアニンのような金
属フタロシアニンのような種々のフタロシアニン類;商
品名モナストラルレッド、モナストラルバイオレットお
よびモナストラルレッドYとしてデュポン社より入手で
きるキナクリドン類;ジブロモおよびアントロン顔料の
商品名であるバットオレンジ1およびバットオレンジ3
;ベンズイミダゾールペリーレン;米国特許第3.44
2.781号に記載されている置換2,4−ジアミノ−
トリアジン頻;商品名インドファーストダブルスカーレ
ット、インドファーストバイオレットレーキB1インド
ファーストブリリアントスカーレットおよびインドファ
ーストオレンジとしてアライドケミカル社より入手でき
る多核芳香族キノン類等の有機光導電性粒子がある。セ
レン、セレン合金、ベンズイミダゾールペリーレンおよ
びこれらの混合物等は連続した均質系の光励起層として
形成できる。ベンズイミダゾールペリーレン化合物は周
知であり、例えば、米国特許第4.587.189号に
記載されており、その記載はすべて参考として本明細書
に引用する。複数の光励起層化合物は光導電性層が光励
起層の性質を増減させる場合に使用できる。このタイプ
の形状の例は米国特許第4.415.639号に記載さ
れており、その記載はすべて参考として本明細書に引用
する。当該技術において公知の他の適当な光励起材料も
必要ならば使用できる。バナジルフタロシアニン、無金
属フタロシアニン、ベンズイミダゾールペリーレン、無
定形セレン、三方晶セレン、セレン−テルル、セレン−
テルル−ひ素、セレン−ひ素等のようなセレン合金、お
よびこれらの混合物のような光導電性材料を含む粒子ま
たは層を含む電荷励起をバインダ一層はその白色光に対
する感光性故に特に好ましい。バナジルフタロシアニン
、無金属フタロシアニンおよびテルル合金はまたこれら
の物質が赤外線に対して感光性であるという追加の利点
を与える点でも好ましいものである。
せた、無定形セレン、三方晶セレン、およびセレン−テ
ルル、セレン−テルル−ひ素、セレン−ひ素およびこれ
らの混合物からなる群より選ばれたセレン合金のような
無機光導電性粒子;および米国特許第3.357.98
9号に記載されているX形無金属フタロシアニン、バナ
ジルフタロシアニンおよび銅フタロシアニンのような金
属フタロシアニンのような種々のフタロシアニン類;商
品名モナストラルレッド、モナストラルバイオレットお
よびモナストラルレッドYとしてデュポン社より入手で
きるキナクリドン類;ジブロモおよびアントロン顔料の
商品名であるバットオレンジ1およびバットオレンジ3
;ベンズイミダゾールペリーレン;米国特許第3.44
2.781号に記載されている置換2,4−ジアミノ−
トリアジン頻;商品名インドファーストダブルスカーレ
ット、インドファーストバイオレットレーキB1インド
ファーストブリリアントスカーレットおよびインドファ
ーストオレンジとしてアライドケミカル社より入手でき
る多核芳香族キノン類等の有機光導電性粒子がある。セ
レン、セレン合金、ベンズイミダゾールペリーレンおよ
びこれらの混合物等は連続した均質系の光励起層として
形成できる。ベンズイミダゾールペリーレン化合物は周
知であり、例えば、米国特許第4.587.189号に
記載されており、その記載はすべて参考として本明細書
に引用する。複数の光励起層化合物は光導電性層が光励
起層の性質を増減させる場合に使用できる。このタイプ
の形状の例は米国特許第4.415.639号に記載さ
れており、その記載はすべて参考として本明細書に引用
する。当該技術において公知の他の適当な光励起材料も
必要ならば使用できる。バナジルフタロシアニン、無金
属フタロシアニン、ベンズイミダゾールペリーレン、無
定形セレン、三方晶セレン、セレン−テルル、セレン−
テルル−ひ素、セレン−ひ素等のようなセレン合金、お
よびこれらの混合物のような光導電性材料を含む粒子ま
たは層を含む電荷励起をバインダ一層はその白色光に対
する感光性故に特に好ましい。バナジルフタロシアニン
、無金属フタロシアニンおよびテルル合金はまたこれら
の物質が赤外線に対して感光性であるという追加の利点
を与える点でも好ましいものである。
多くの不活性樹脂物質を、例えば、米国特許第3.12
1.006号に記載されているものを包含する光励起バ
インダ一層に使用できる。該米国特許の記載はすべて参
考として本明細書に引用する。典型的な有機樹脂バイン
ダーにはポリカーボネート、ポリエステル、ポリアミド
、ポリウレタン、ポリスチレン、ポリアリールエーテル
、ボリアリールスルホン、ポリブタジェン、ポリスルホ
ン、ポリエーテルスルホン、ポリエチレン、ポリプロピ
レン、ポリイミド、ポリメチルペンテン、ポリフェニレ
ンスルファイド、ポリ酢酸ビニル、ポリシロキサン、ポ
リアクリレート、ポリビニルアセクール、ポリアミド、
ポリイミド、アミノ樹脂、フェニレンオキサイド樹脂、
テレフタル酸樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポ
リスチレン−アクリロニトリルコポリマー、ポリ塩化ビ
ニル、塩化ビニル−酢酸ビニルコポリマー、アクリレー
トコポリマー、アルキッド樹脂、セルロース系フィルム
形成体、ポリ (アミド−イミド)、スチレン−ブタジ
ェンコポリマー、塩化ビニリデン−塩化ビニルコポリマ
ー、酢酸ビニル−塩化ビニリデンコポリマー、スチレン
”−アルキッド樹脂等のような熱可塑性または熱硬化性
樹脂がある。
1.006号に記載されているものを包含する光励起バ
インダ一層に使用できる。該米国特許の記載はすべて参
考として本明細書に引用する。典型的な有機樹脂バイン
ダーにはポリカーボネート、ポリエステル、ポリアミド
、ポリウレタン、ポリスチレン、ポリアリールエーテル
、ボリアリールスルホン、ポリブタジェン、ポリスルホ
ン、ポリエーテルスルホン、ポリエチレン、ポリプロピ
レン、ポリイミド、ポリメチルペンテン、ポリフェニレ
ンスルファイド、ポリ酢酸ビニル、ポリシロキサン、ポ
リアクリレート、ポリビニルアセクール、ポリアミド、
ポリイミド、アミノ樹脂、フェニレンオキサイド樹脂、
テレフタル酸樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポ
リスチレン−アクリロニトリルコポリマー、ポリ塩化ビ
ニル、塩化ビニル−酢酸ビニルコポリマー、アクリレー
トコポリマー、アルキッド樹脂、セルロース系フィルム
形成体、ポリ (アミド−イミド)、スチレン−ブタジ
ェンコポリマー、塩化ビニリデン−塩化ビニルコポリマ
ー、酢酸ビニル−塩化ビニリデンコポリマー、スチレン
”−アルキッド樹脂等のような熱可塑性または熱硬化性
樹脂がある。
光励起バインダ一層中のポリマーの存在は本発明の接着
層中のコポリエステル樹脂の鎖とのポリマー鎖相互浸透
に貢献しそれによって小直径ロール上を移動中のはがれ
に対する抵抗性を向上させているものと信じている。
層中のコポリエステル樹脂の鎖とのポリマー鎖相互浸透
に貢献しそれによって小直径ロール上を移動中のはがれ
に対する抵抗性を向上させているものと信じている。
光励起顔料化合物または顔料は樹脂バインダー組成物中
に種々の量で存在するが、一般的には約5〜約90容量
%の光励起顔料を約10〜約95容量%の樹脂バインダ
ー中に分散させる。好ましいのは、約20〜約30容量
%の光励起顔料を約70〜約80容量%の樹脂バインダ
ー組成物中に分散させる。1つの実施態様においては、
約8容量%の光励起顔料を約92容量%の樹脂バインダ
ー組成物中に分散させる。
に種々の量で存在するが、一般的には約5〜約90容量
%の光励起顔料を約10〜約95容量%の樹脂バインダ
ー中に分散させる。好ましいのは、約20〜約30容量
%の光励起顔料を約70〜約80容量%の樹脂バインダ
ー組成物中に分散させる。1つの実施態様においては、
約8容量%の光励起顔料を約92容量%の樹脂バインダ
ー組成物中に分散させる。
光導電性化合物および/または顔料と樹脂バインダー物
質とを含有する光励起層は一般には約0.1〜約50μ
mの厚さ範囲にあり、好ましくは約0.3〜約3μmの
厚さを有する。光励起層厚はバインダー含有量に関連し
ている。高バインダー分組成物は一般に光励起のために
は厚目の層を必要とする。上記範囲外の厚さは本発明の
目的が達成される限りにおいて使用できる。
質とを含有する光励起層は一般には約0.1〜約50μ
mの厚さ範囲にあり、好ましくは約0.3〜約3μmの
厚さを有する。光励起層厚はバインダー含有量に関連し
ている。高バインダー分組成物は一般に光励起のために
は厚目の層を必要とする。上記範囲外の厚さは本発明の
目的が達成される限りにおいて使用できる。
活性電荷移送層は三方晶セレンバインダ一層からの光励
起正孔および電子の注入を支持し、これら正孔または電
子を有機層を通して移送せしめて表面電荷を選択的に放
電させることのできる任意の適当な透明有機ポリマーま
たは非高分子材料を含み得る。この活性電荷移送層は正
孔または電子を移送するように作用するだけでなく、光
導電性層を摩耗および化学浸蝕から保護し従って感光体
像形成部材の操作寿命を延長する。電荷移送層はゼログ
ラフィーで使用できる光波長例えば4000〜8000
オングストロームに露光したときもし必要ならばわずか
な放電性を示す。従って、電荷移送層は光導電体を使用
する領域での照射に対して実質的に透明である。即ち、
活性電荷移送層は励起層からの光励起正孔の注入を支持
する実質的に非光導電性の材料である。活性移送層は該
活性層を通して露光を行うときに通常透明であり照射光
の殆んどが有効な光励起のために下層の電荷キャリヤー
励起層によって利用されるようにする。
起正孔および電子の注入を支持し、これら正孔または電
子を有機層を通して移送せしめて表面電荷を選択的に放
電させることのできる任意の適当な透明有機ポリマーま
たは非高分子材料を含み得る。この活性電荷移送層は正
孔または電子を移送するように作用するだけでなく、光
導電性層を摩耗および化学浸蝕から保護し従って感光体
像形成部材の操作寿命を延長する。電荷移送層はゼログ
ラフィーで使用できる光波長例えば4000〜8000
オングストロームに露光したときもし必要ならばわずか
な放電性を示す。従って、電荷移送層は光導電体を使用
する領域での照射に対して実質的に透明である。即ち、
活性電荷移送層は励起層からの光励起正孔の注入を支持
する実質的に非光導電性の材料である。活性移送層は該
活性層を通して露光を行うときに通常透明であり照射光
の殆んどが有効な光励起のために下層の電荷キャリヤー
励起層によって利用されるようにする。
透明基体と共に使用するときには、像形成的露光は基体
を通して行い、すべての光が基体を通過する。この場合
、活性移送材料は使用波長領域において透過性である必
要はない。本発明における励起層と組合せた電荷移送層
は該移送層上の静電荷が照射なしでは伝導されない程度
に絶縁体である材料である。
を通して行い、すべての光が基体を通過する。この場合
、活性移送材料は使用波長領域において透過性である必
要はない。本発明における励起層と組合せた電荷移送層
は該移送層上の静電荷が照射なしでは伝導されない程度
に絶縁体である材料である。
活性化電荷移送層は電気的に不活性な高分子物中に分散
させた添加剤として使用できる活性化化合物を含有して
これらの物質を電気的に活性化し得る。これらの化合物
は励起層からの光励起正孔の注入を支持できずまた、こ
れら正孔の移送を行うことのできない高分子物質に添加
し得る。これにより電気的に不活性な高分子材料を励起
層からの光励起正孔の注入を支持しかつこれら正孔の活
性層を通しての移送を可能にして活性層上の表面電荷を
放電できる材料に転換するであろう。
させた添加剤として使用できる活性化化合物を含有して
これらの物質を電気的に活性化し得る。これらの化合物
は励起層からの光励起正孔の注入を支持できずまた、こ
れら正孔の移送を行うことのできない高分子物質に添加
し得る。これにより電気的に不活性な高分子材料を励起
層からの光励起正孔の注入を支持しかつこれら正孔の活
性層を通しての移送を可能にして活性層上の表面電荷を
放電できる材料に転換するであろう。
本発明の多層光導電体の2つの電気作動層の1つに用い
る特に好ましい移送層は約25〜約75重景%の少なく
とも1種の電荷移送用芳香族アミン化合物、および約7
5〜約25重量%の高分子フィルム形成性樹脂(上記芳
香族アミンが可溶性である)とを含む。
る特に好ましい移送層は約25〜約75重景%の少なく
とも1種の電荷移送用芳香族アミン化合物、および約7
5〜約25重量%の高分子フィルム形成性樹脂(上記芳
香族アミンが可溶性である)とを含む。
電荷移送層形成性混合物は好ましくは一般式:(式中、
R,およびR2は置換または未置換のフェニル基、ナフ
チル基およびポリフェニル基よりなる群より選ばれた芳
香族基であり1、R3は置換または未置換のアリール基
、1〜18個の炭素原子を含有するアルキル基および3
〜18個の炭素原子を有する脂環式化合物からなる群よ
り選ばれる) を有する1種以上の化合物の芳香族アミン化合物を含む
。上記の各置換基はN Ox基、CN基等のような遊離
形の電子回収性基(electron withdra
w−ing groups)であるべきである。上記構
造式によって示される典型的な芳香族アミン化合物には
次のものがある。
R,およびR2は置換または未置換のフェニル基、ナフ
チル基およびポリフェニル基よりなる群より選ばれた芳
香族基であり1、R3は置換または未置換のアリール基
、1〜18個の炭素原子を含有するアルキル基および3
〜18個の炭素原子を有する脂環式化合物からなる群よ
り選ばれる) を有する1種以上の化合物の芳香族アミン化合物を含む
。上記の各置換基はN Ox基、CN基等のような遊離
形の電子回収性基(electron withdra
w−ing groups)であるべきである。上記構
造式によって示される典型的な芳香族アミン化合物には
次のものがある。
1、次のようなトリフェニルアミン:
2、 次のようなビスおよびポリアリールアミン:3、
次のようなビスアリールアミンエーテル:4、次のよ
うなビスアルキル−アリールアミン:好ましい芳香族ア
ミン化合物は次の一般的を有する: (式中、R8およびR2は前記で定義したとおりであり
、R4は置換または未置換のビフェニル基、ジフェニル
エーテル基、1〜18個の炭素原子を有するアルキル基
および3〜12個の炭素原子を有する脂環式基からなる
群より選ばれる) 各置換基はNo2基、CN基等のような遊離形の電子回
収性基であるべきである。
次のようなビスアリールアミンエーテル:4、次のよ
うなビスアルキル−アリールアミン:好ましい芳香族ア
ミン化合物は次の一般的を有する: (式中、R8およびR2は前記で定義したとおりであり
、R4は置換または未置換のビフェニル基、ジフェニル
エーテル基、1〜18個の炭素原子を有するアルキル基
および3〜12個の炭素原子を有する脂環式基からなる
群より選ばれる) 各置換基はNo2基、CN基等のような遊離形の電子回
収性基であるべきである。
電荷励起層の光励起正孔の注入を支持しかつこれらの正
孔を電荷移送層を通して移送することのできる電荷移送
層用の上述の式で示される電荷移送用芳香族アミンの例
には、不活性樹脂バインダー中に分散させたトリフェニ
ルメタン、ビス(4−ジエチルアミン−2−メチルフェ
ニル)フェニルメタン、4’−4’−ビス(ジエチルア
ミノ)−2’、2’−ジメチルトリフェニルメタン、N
。
孔を電荷移送層を通して移送することのできる電荷移送
層用の上述の式で示される電荷移送用芳香族アミンの例
には、不活性樹脂バインダー中に分散させたトリフェニ
ルメタン、ビス(4−ジエチルアミン−2−メチルフェ
ニル)フェニルメタン、4’−4’−ビス(ジエチルア
ミノ)−2’、2’−ジメチルトリフェニルメタン、N
。
N′−ビス(アルキルフェニル)−[:1.1’−ビフ
ェニル)−4,4’−ジアミン(式中、アルキルは、例
えば、メチル、エチル、プロピル、N−ブチル等である
)、N、N’−ジフェニル−N。
ェニル)−4,4’−ジアミン(式中、アルキルは、例
えば、メチル、エチル、プロピル、N−ブチル等である
)、N、N’−ジフェニル−N。
N′−ビス(クロロフェニル)−(1,1’−ビフェニ
ル)−4,4’−ジアミン、N、N’−ジフェニル−N
、N’−ビス(3’−メチルフェニル)−(1,1’−
ビフェニル)−4,4’−ジアミン等である。
ル)−4,4’−ジアミン、N、N’−ジフェニル−N
、N’−ビス(3’−メチルフェニル)−(1,1’−
ビフェニル)−4,4’−ジアミン等である。
塩化メチレンまたは他の適当な溶媒に可溶な任意の適当
な不活性樹脂バインダーが本発明において使用できる。
な不活性樹脂バインダーが本発明において使用できる。
塩化メチレンに可溶性の典型的な不活性樹脂バインダー
にはポリカーボネート樹脂、ポリビニルカルバゾール、
ポリエステル、ボリアリレート、ポリアクリレート、ポ
リエーテル、ポリスルホン等がある。分子量は約20,
000〜約1.500.OOOで変化し得る。
にはポリカーボネート樹脂、ポリビニルカルバゾール、
ポリエステル、ボリアリレート、ポリアクリレート、ポ
リエーテル、ポリスルホン等がある。分子量は約20,
000〜約1.500.OOOで変化し得る。
好ましい電気的に不活性な樹脂材料は分子量約20.0
00〜約120,000好ましくは約so、oo。
00〜約120,000好ましくは約so、oo。
〜約100.000を有するポリカーボネート樹脂であ
る。電気的に不活性な樹脂材料として最も好ましい材料
はジェネラルエレクトリック社よりレフサン(Lexa
n) 145として入手できる分子量約35000〜
約40.000を有するポリ(4,4’−ジプロピリデ
ンージフェニルレンカーポネート);ジェネラルエレク
トリック社からレフサン141として入手できる分子量
約40.000〜約45,000を有するポリ (4,
4’−イソプロピリデン−ジフェニレンカーボネート)
;バイエル社からマクロロン(Makrolon)とし
て入手できる約50.000〜約100.000の分子
量を有するポリカーボネート樹脂;およびモーベイケミ
カル社よりメルロン(Merlon)として入手できる
分子量約20,000〜約50.000を有するポリカ
ーボネート樹脂がある。塩化メチレン溶媒は成分すべて
を適切に溶解しまたその低沸点により電荷移送層コーテ
ィング混合物の1つの望ましい成分である。
る。電気的に不活性な樹脂材料として最も好ましい材料
はジェネラルエレクトリック社よりレフサン(Lexa
n) 145として入手できる分子量約35000〜
約40.000を有するポリ(4,4’−ジプロピリデ
ンージフェニルレンカーポネート);ジェネラルエレク
トリック社からレフサン141として入手できる分子量
約40.000〜約45,000を有するポリ (4,
4’−イソプロピリデン−ジフェニレンカーボネート)
;バイエル社からマクロロン(Makrolon)とし
て入手できる約50.000〜約100.000の分子
量を有するポリカーボネート樹脂;およびモーベイケミ
カル社よりメルロン(Merlon)として入手できる
分子量約20,000〜約50.000を有するポリカ
ーボネート樹脂がある。塩化メチレン溶媒は成分すべて
を適切に溶解しまたその低沸点により電荷移送層コーテ
ィング混合物の1つの望ましい成分である。
少なくとも2つの電気作動層を有する感光性部材の例に
は、米国特許第4,265,990号、第4、233.
384号、第4.306.008号、第4.299.8
97号および第4.439,507号に記載されている
電荷励起体層とジアミン含有移送層を含む部材が包含さ
れる。
は、米国特許第4,265,990号、第4、233.
384号、第4.306.008号、第4.299.8
97号および第4.439,507号に記載されている
電荷励起体層とジアミン含有移送層を含む部材が包含さ
れる。
これら米国特許の記載はすべて参考として本明細書に引
用する。
用する。
特に好ましい多層型光導電体は光導電性物質のバインダ
一層を含む電荷励起層と約20.000〜約120.0
00の分子量を有し約25〜約75重量%の次の一般式
を有する1種以上の化合物を分散させたポリカーボネー
ト樹脂材料の連続正孔移送層とを含む: (式中、Xは1〜4個の炭素原子を含有するアルキル基
および塩素からなる群より選ばれる) 光導電性層は正孔の励起および正孔の注入能力を示し、
正孔移送層は光導電性層が光励起正孔を励起し注入する
スペクトル領域で実質的に非吸収性であるが光導電性層
からの光励起正孔の注入を支持しこれらの正孔を該正孔
移送層を通して移送することのできるものである。
一層を含む電荷励起層と約20.000〜約120.0
00の分子量を有し約25〜約75重量%の次の一般式
を有する1種以上の化合物を分散させたポリカーボネー
ト樹脂材料の連続正孔移送層とを含む: (式中、Xは1〜4個の炭素原子を含有するアルキル基
および塩素からなる群より選ばれる) 光導電性層は正孔の励起および正孔の注入能力を示し、
正孔移送層は光導電性層が光励起正孔を励起し注入する
スペクトル領域で実質的に非吸収性であるが光導電性層
からの光励起正孔の注入を支持しこれらの正孔を該正孔
移送層を通して移送することのできるものである。
任意の適当な通常の方法を電荷移送層コーティング混合
物を混合しその後電荷励起層に適用するのに使用するこ
とができる。典型的な適用方法にはスプレー法、ディッ
プコーティング法、ロールコーティング法、ワイヤー巻
き棒コーティング法等がある。適用したコーティングの
乾燥はオーブン乾燥、赤外線照射乾燥、空軸等の任意の
適当な通常の方法によって行い得る。一般的に、移送層
の厚さは約5〜約100μmであるがこの範囲外の厚さ
もまた使用できる。
物を混合しその後電荷励起層に適用するのに使用するこ
とができる。典型的な適用方法にはスプレー法、ディッ
プコーティング法、ロールコーティング法、ワイヤー巻
き棒コーティング法等がある。適用したコーティングの
乾燥はオーブン乾燥、赤外線照射乾燥、空軸等の任意の
適当な通常の方法によって行い得る。一般的に、移送層
の厚さは約5〜約100μmであるがこの範囲外の厚さ
もまた使用できる。
一般に、正孔移送層の厚さは約5〜約100μmである
が、この範囲外の厚さもまた使用できる。
が、この範囲外の厚さもまた使用できる。
正孔移送層はその上の静電荷が静電潜像の形成と残留を
防げるに十分な速度での照射の不存在下では伝導しない
程度に絶縁体であるべきである。一般には、正孔移送層
対電荷励起層の厚さの比は約2:1〜200:1であり
、ある場合には400:1程大きい。
防げるに十分な速度での照射の不存在下では伝導しない
程度に絶縁体であるべきである。一般には、正孔移送層
対電荷励起層の厚さの比は約2:1〜200:1であり
、ある場合には400:1程大きい。
例えば、フィルム形成性バインダー中に分散させた伝導
性粉子を含む通常の基ストリップ(ground 5t
rips)のような他の層も感光体の端部にジルコニウ
ム層、ブロッキング層、接着層または電荷励起層に接触
させて適用させ得る。
性粉子を含む通常の基ストリップ(ground 5t
rips)のような他の層も感光体の端部にジルコニウ
ム層、ブロッキング層、接着層または電荷励起層に接触
させて適用させ得る。
必要ならば、オーバーコーテイング層も摩耗に対する抵
抗性を改良するのに使用することができる。ある場合に
おいては、裏打ちコーティングを感光体の反対面に施し
て平坦さおよび/または耐摩耗性を付与させ得る。これ
らのオーバーコーテイングまたは裏打ちコーティング層
は電気絶縁性またはわずかに半導性である有機ポリマー
または無機ポリマーを含み得る。
抗性を改良するのに使用することができる。ある場合に
おいては、裏打ちコーティングを感光体の反対面に施し
て平坦さおよび/または耐摩耗性を付与させ得る。これ
らのオーバーコーテイングまたは裏打ちコーティング層
は電気絶縁性またはわずかに半導性である有機ポリマー
または無機ポリマーを含み得る。
以下、本発明の方法および装置は添付図面を参照するこ
とによってより完全に理解されるであろう。
とによってより完全に理解されるであろう。
第1図においては、抗カール性裏打ちコーティングl、
支持基体2、伝導性基平面3、アミノシラン正孔ブロッ
キング層4、接着層5、電荷励起層6および電荷移送層
7とを有する感光体が例示されている。
支持基体2、伝導性基平面3、アミノシラン正孔ブロッ
キング層4、接着層5、電荷励起層6および電荷移送層
7とを有する感光体が例示されている。
本発明の電子写真部材は活性化電磁線に像形成的に露光
する前に負帯電を用いる任意の適当な通常の電子写真像
形成法において使用できる。電子写真部材の像形成表面
を負電荷で均一に帯電し活性化電磁線に像形成的に露光
させた場合、通常の正または逆転現像法を用いて本発明
の電子写真像形成部材の像形成表面上にマーキング材料
像を形成できる。即ち、適当な電気バイアスを適用し適
当な極性の電荷を有するトナーを用いることによって、
本発明の電子写真部材の像形成表面上の負帯電領域また
は放電領域にトナー像を形成できる。
する前に負帯電を用いる任意の適当な通常の電子写真像
形成法において使用できる。電子写真部材の像形成表面
を負電荷で均一に帯電し活性化電磁線に像形成的に露光
させた場合、通常の正または逆転現像法を用いて本発明
の電子写真像形成部材の像形成表面上にマーキング材料
像を形成できる。即ち、適当な電気バイアスを適用し適
当な極性の電荷を有するトナーを用いることによって、
本発明の電子写真部材の像形成表面上の負帯電領域また
は放電領域にトナー像を形成できる。
さらに詳細には、正現像法においては、正帯電トナー粒
子が像形成表面の負帯電静電領域に引き付けられ、逆転
現像法においては、負帯電トナー粒子が像形成表面の放
電領域に引き付けられる。
子が像形成表面の負帯電静電領域に引き付けられ、逆転
現像法においては、負帯電トナー粒子が像形成表面の放
電領域に引き付けられる。
本発明の電子写真部材は切断およびサイクル操作中のは
がれに対する大きい抵抗性、サイクル操作中の液体現像
中の成分浸出に対する改良された抵抗性およびサイクル
操作中の高継目一体性とを示す。
がれに対する大きい抵抗性、サイクル操作中の液体現像
中の成分浸出に対する改良された抵抗性およびサイクル
操作中の高継目一体性とを示す。
以下、本発明を特定の好ましい実施態様に関連して詳細
に説明するが、これらの実施例は単に例示を目的とする
ものであり、本発明をこれら実施例に示した材料、条件
、プロセスパラメーター等に限定するものではないこと
を理解されたい。すべての部およびパーセントは特に断
わらない限り重量による。
に説明するが、これらの実施例は単に例示を目的とする
ものであり、本発明をこれら実施例に示した材料、条件
、プロセスパラメーター等に限定するものではないこと
を理解されたい。すべての部およびパーセントは特に断
わらない限り重量による。
実施例1
ポリエステル膜を約200オングストロームの厚さを有
するチタン層で真空コーティングした。
するチタン層で真空コーティングした。
チタン層の露出表面を周囲雰囲気で酸素にさらすことに
よって酸化させた。シロキサン正孔ブロッキング層を3
−アミノプロピルトリエトキシシランの0.22%(0
,001モル)溶液をグラビアアプリケーターにより上
記アルミニウム層の酸化表面に適用することによって調
製した。付着コーティングを強制送風炉中で135℃で
乾燥させて450オングストロームの厚さを有する層を
形成した。ポリエステル樹脂(II!、1.デュポンデ
ネモアス社より入手できる)のコーティングをグラビア
アプリケーターにより上記シロキーサンコーティングベ
ースに適用した。ポリエステル樹脂コーテインクを乾燥
させて約0.05μmの厚さを有する膜を形成させた。
よって酸化させた。シロキサン正孔ブロッキング層を3
−アミノプロピルトリエトキシシランの0.22%(0
,001モル)溶液をグラビアアプリケーターにより上
記アルミニウム層の酸化表面に適用することによって調
製した。付着コーティングを強制送風炉中で135℃で
乾燥させて450オングストロームの厚さを有する層を
形成した。ポリエステル樹脂(II!、1.デュポンデ
ネモアス社より入手できる)のコーティングをグラビア
アプリケーターにより上記シロキーサンコーティングベ
ースに適用した。ポリエステル樹脂コーテインクを乾燥
させて約0.05μmの厚さを有する膜を形成させた。
テトラヒドロフランとトルエンのl:1容量混合物中の
粒度約0.05〜0.2μmを有するナトリウムドーピ
ング三方晶セレン3重量%、ポリビニルカルバゾール6
.8重量%およびN、N’−ジフェニル−N、N’−ビ
ス(3−メチルフェニル)−(1,1’−ビフェニル〕
−4゜4′ジアミン2.4重量%のスラリーコーティン
グ溶液を上記ポリエステルコーティング上に押出しコー
ティングして26μmの湿潤厚さを有する層を形成した
。コーティングした部材を強制送風炉中で135℃で乾
燥させて2.5μmの厚さを有する層を形成させた。こ
のコーティングしたウェブをバイエル社より入手できる
分子量約50,000〜約100,000を有するポリ
カーボネート樹脂中に6種の異なるN、N’−ジフェニ
ル−N、N’−ビス(3−メチルフェニル)−(1,1
’−ビフェニル)−4,4’−ジアミン含有量を有する
移送層のコーティング行うために6種のロフトに分割し
た。6種の電電移送層は上記の60フトの電荷励起層上
に分子量約50.000〜約100,000を有するポ
リカーボネート樹脂(マクロロン、バイエル社より入手
可能)とN、N’−ジフェニル−N、N’−ビス(3−
メチルフェニル)−(1゜1′−ビフェニル)−4,4
’−ジアミンの塩化メチレン中に溶解した溶液を、最終
的には、60ツトの乾燥移送層においてそれぞれ50.
40.30.20.10および5重量%含有量のN、N
’−ジフェニル−N、N’−ビス(3−メチルフェニル
)−(1,1’−ビフェニル)−4,4’−ジアミンを
与えるように適用することによって形成させた。各移送
層は励起体上にバードアプリケーターによりコーティン
グし約135℃の温度で乾燥して正孔移送材料の24μ
m厚の乾燥層を形成させた。抗カール性裏打ちコーティ
ングも適用した。
粒度約0.05〜0.2μmを有するナトリウムドーピ
ング三方晶セレン3重量%、ポリビニルカルバゾール6
.8重量%およびN、N’−ジフェニル−N、N’−ビ
ス(3−メチルフェニル)−(1,1’−ビフェニル〕
−4゜4′ジアミン2.4重量%のスラリーコーティン
グ溶液を上記ポリエステルコーティング上に押出しコー
ティングして26μmの湿潤厚さを有する層を形成した
。コーティングした部材を強制送風炉中で135℃で乾
燥させて2.5μmの厚さを有する層を形成させた。こ
のコーティングしたウェブをバイエル社より入手できる
分子量約50,000〜約100,000を有するポリ
カーボネート樹脂中に6種の異なるN、N’−ジフェニ
ル−N、N’−ビス(3−メチルフェニル)−(1,1
’−ビフェニル)−4,4’−ジアミン含有量を有する
移送層のコーティング行うために6種のロフトに分割し
た。6種の電電移送層は上記の60フトの電荷励起層上
に分子量約50.000〜約100,000を有するポ
リカーボネート樹脂(マクロロン、バイエル社より入手
可能)とN、N’−ジフェニル−N、N’−ビス(3−
メチルフェニル)−(1゜1′−ビフェニル)−4,4
’−ジアミンの塩化メチレン中に溶解した溶液を、最終
的には、60ツトの乾燥移送層においてそれぞれ50.
40.30.20.10および5重量%含有量のN、N
’−ジフェニル−N、N’−ビス(3−メチルフェニル
)−(1,1’−ビフェニル)−4,4’−ジアミンを
与えるように適用することによって形成させた。各移送
層は励起体上にバードアプリケーターによりコーティン
グし約135℃の温度で乾燥して正孔移送材料の24μ
m厚の乾燥層を形成させた。抗カール性裏打ちコーティ
ングも適用した。
実施例2
実施例1で記載したようにして作製した60ツトからの
各サンプル感光体を0.8インチ(約20.3■)直径
ロールの周りに巻き付は約3週間鉱油で浸した不織布と
接触させた。表面クランキングが50%、40%および
30%含有量のN、N’−ジフヱニルーN、N’−ビス
(3−メシルフェニル)−(1,1’−ビフェニル)−
4,4’−ジアミンを含有するサンプルにおいて見られ
たが、20%、10%および5%含有量のサンプルにお
いては表面クランキングはなかった。
各サンプル感光体を0.8インチ(約20.3■)直径
ロールの周りに巻き付は約3週間鉱油で浸した不織布と
接触させた。表面クランキングが50%、40%および
30%含有量のN、N’−ジフヱニルーN、N’−ビス
(3−メシルフェニル)−(1,1’−ビフェニル)−
4,4’−ジアミンを含有するサンプルにおいて見られ
たが、20%、10%および5%含有量のサンプルにお
いては表面クランキングはなかった。
実施例3
実施例で記載したようにして作製した各60フトのサン
プル感光体を直径約3.25インチ(8,3cm)を有
する円筒状アルミニウムドラムを含み該ドラムの周りに
取り付けたコロトロン、消去ランプおよびプローブを有
する静電複写スキャンナー試験装置中で試験した。各感
光体サンプルはドラムに貼り付けた。ドラムは3.43
インチ/秒(8,7cm/秒)の−足表面速度で駆動し
た。各感光体を帯電前に一夜暗中に保持した。各々を次
いで負コロナ帯電させ一800ボルトの現像電位とした
。
プル感光体を直径約3.25インチ(8,3cm)を有
する円筒状アルミニウムドラムを含み該ドラムの周りに
取り付けたコロトロン、消去ランプおよびプローブを有
する静電複写スキャンナー試験装置中で試験した。各感
光体サンプルはドラムに貼り付けた。ドラムは3.43
インチ/秒(8,7cm/秒)の−足表面速度で駆動し
た。各感光体を帯電前に一夜暗中に保持した。各々を次
いで負コロナ帯電させ一800ボルトの現像電位とした
。
コロトロンはモノロエコロナトロール(MonroeC
oronatrol )によって制御した。その後、各
感光体を約250エルグ/dの光に露光することによっ
て放電(消去)した。次いで、各感光体を100像形成
サイクルの等価寿命試験に供した。表面電位E0および
残留電位Elを100サイクル後各感光体において測定
し電場強度およびボルト/ミクロンに関してプロットし
た(第2図参照)。測定は感光体およびコロトロンに隣
接したプローブにより帯電0.3秒後に行った。プロー
ブはグースリー610Bエレクトロメーターに接続させ
、その出力をヒユーレットバラカードレコーダーモデル
7402Aに伝達させた。第2図に示すように、30%
N、N’−ジフェニルーN、N’−ビス(3−メチルフ
ェニル)−(1,1’−ビフェニル)−4,4’−ジア
ミン含有量の感光体は理想電気特性からEoおよびER
においてわずかな(ただし、測定可能な)劣下を示した
。しかしながら、40〜50%含有量のN、N’−ジフ
ェニル−N、N’−ビス(3−メチルフェニル)=(1
,1’−ビフェニル)−4,4’−ジアミンを含む感光
体においては電気特性に有意の差異は見られなかった。
oronatrol )によって制御した。その後、各
感光体を約250エルグ/dの光に露光することによっ
て放電(消去)した。次いで、各感光体を100像形成
サイクルの等価寿命試験に供した。表面電位E0および
残留電位Elを100サイクル後各感光体において測定
し電場強度およびボルト/ミクロンに関してプロットし
た(第2図参照)。測定は感光体およびコロトロンに隣
接したプローブにより帯電0.3秒後に行った。プロー
ブはグースリー610Bエレクトロメーターに接続させ
、その出力をヒユーレットバラカードレコーダーモデル
7402Aに伝達させた。第2図に示すように、30%
N、N’−ジフェニルーN、N’−ビス(3−メチルフ
ェニル)−(1,1’−ビフェニル)−4,4’−ジア
ミン含有量の感光体は理想電気特性からEoおよびER
においてわずかな(ただし、測定可能な)劣下を示した
。しかしながら、40〜50%含有量のN、N’−ジフ
ェニル−N、N’−ビス(3−メチルフェニル)=(1
,1’−ビフェニル)−4,4’−ジアミンを含む感光
体においては電気特性に有意の差異は見られなかった。
実施例4
実施例1で記載したようにして作製した各60ツトのサ
ンプル感光体を、該サンプル〔9,5インチ(24,1
cm)直径のアルミニウム円筒体に貼り付けた〕を30
インチ/秒(7,62aa/秒)の一定速度で駆動させ
る静電複写スキャンナー装置中で試験した。コロトロン
、露出光、消去光およびプローブは各取付は感光体サン
プルの周りに取り付けた。各プローブの相対的位置は以
下の第1表に示す。
ンプル感光体を、該サンプル〔9,5インチ(24,1
cm)直径のアルミニウム円筒体に貼り付けた〕を30
インチ/秒(7,62aa/秒)の一定速度で駆動させ
る静電複写スキャンナー装置中で試験した。コロトロン
、露出光、消去光およびプローブは各取付は感光体サン
プルの周りに取り付けた。各プローブの相対的位置は以
下の第1表に示す。
第1表
プローブ1 22.50 47.9鶴 3.17
fl露 光 56.25 118.8 測
定せずプローブ2 78.75 166.8
3.17鶴プローブ3 168.75 356.0
3.171mプローブ4 236.25 489.0
3.17鶴消 去 258.75 54
8.0 125 nプローブ5 303.7
5 642.9 3.17fl各感光体は帯電前に
15分間暗中に保持した。
fl露 光 56.25 118.8 測
定せずプローブ2 78.75 166.8
3.17鶴プローブ3 168.75 356.0
3.171mプローブ4 236.25 489.0
3.17鶴消 去 258.75 54
8.0 125 nプローブ5 303.7
5 642.9 3.17fl各感光体は帯電前に
15分間暗中に保持した。
次いで各々を暗中で負コロナ帯電して一900ボルトの
現像電位とした。(ただし、10%ジアミン含有感光体
においてはそれより高く帯電させた)。
現像電位とした。(ただし、10%ジアミン含有感光体
においてはそれより高く帯電させた)。
その後、各感光体を光強度約3.8エルグ/cdの光を
用いて試験像に像形成的に露光した。得られた負帯電静
電潜像を約200エルグ/−の光に露光することによっ
て放電(消去)させた。各感光体の光誘起放電特性(P
IDC)をプロットした(第3図〜第7図参照)。各図
において行った測定値を以下の各人に示す。
用いて試験像に像形成的に露光した。得られた負帯電静
電潜像を約200エルグ/−の光に露光することによっ
て放電(消去)させた。各感光体の光誘起放電特性(P
IDC)をプロットした(第3図〜第7図参照)。各図
において行った測定値を以下の各人に示す。
第2表
10%ジアミン(第3図参照)
A 134 400−750 −3.
148 173 〃−4,44C21
2〃−5.69 D 251 〃−6.96E
290 〃−8,13F
329 ” −9,410368”
−10,68 H407” −11,97 1446” −13,20 J 485 ” −14,
50K 524 ” −1
5,79L 563 〃−16.4
4第3表 20%ジアミン(第4図参照) A 134 400−750 −3.
138 173 −4.4
2C212−5,64 D 251 −6.90E
290 〃−8,03F
329 −9.29G
368 −10.52H407〃
−11.79 I 446 −13.0
7J 485 〃−14,35
K 524 〃−15.61L
563 〃−16,77第4表 30%ジアミン(第5図参照) A 134 400−750 −3.
118 173 −4.39
C212〃−5.61 D 251 〃−6.86E
290 〃−7.99F
329 〃−9,24G 3
68 〃−1.0.4’7H407’
−11,73 I446 〃−13,02 J 485 〃−14,31K
524 〃−15,54L
563 〃−16.1第5表 40%ジアミン(第6図参照) A 134 400−750 −3.
14B173 ・ −4・44C212
〃−5.67 D 251 〃−6.92B
290 〃−8,05F 3
29 〃−9,31G 368
〃−10,55H407〃−11,82 1446〃−13,10 J 485 〃−14,38K
524 ” −15,66
L 563 〃−16.83第6表 50%ジアミン(第7図参照) A 134 400−750 −3
.14B 173 〃−4,4
3C212−−5,66 D 251 〃−6.922
290 #−8.06F
329 〃−9,31G
368 〃−10,55H407〃−11
,81 1446−−13,09 J 485 〃−14,38K
524 〃−15.64L
563 ” −16,
275%サンプルの測定は実験困難により省略した。
148 173 〃−4,44C21
2〃−5.69 D 251 〃−6.96E
290 〃−8,13F
329 ” −9,410368”
−10,68 H407” −11,97 1446” −13,20 J 485 ” −14,
50K 524 ” −1
5,79L 563 〃−16.4
4第3表 20%ジアミン(第4図参照) A 134 400−750 −3.
138 173 −4.4
2C212−5,64 D 251 −6.90E
290 〃−8,03F
329 −9.29G
368 −10.52H407〃
−11.79 I 446 −13.0
7J 485 〃−14,35
K 524 〃−15.61L
563 〃−16,77第4表 30%ジアミン(第5図参照) A 134 400−750 −3.
118 173 −4.39
C212〃−5.61 D 251 〃−6.86E
290 〃−7.99F
329 〃−9,24G 3
68 〃−1.0.4’7H407’
−11,73 I446 〃−13,02 J 485 〃−14,31K
524 〃−15,54L
563 〃−16.1第5表 40%ジアミン(第6図参照) A 134 400−750 −3.
14B173 ・ −4・44C212
〃−5.67 D 251 〃−6.92B
290 〃−8,05F 3
29 〃−9,31G 368
〃−10,55H407〃−11,82 1446〃−13,10 J 485 〃−14,38K
524 ” −15,66
L 563 〃−16.83第6表 50%ジアミン(第7図参照) A 134 400−750 −3
.14B 173 〃−4,4
3C212−−5,66 D 251 〃−6.922
290 #−8.06F
329 〃−9,31G
368 〃−10,55H407〃−11
,81 1446−−13,09 J 485 〃−14,38K
524 〃−15.64L
563 ” −16,
275%サンプルの測定は実験困難により省略した。
PIDC測定は30重量%含有量のN、N’−ジフェニ
ル−N、N’−ビス(3−メチルフェニル)−(1,1
’−ビフェニル)−4,4’−ジアミンはコントロール
(対照)から背影電位において検知し得る増加を示し、
一方40および50重量%含有量を有する感光体の測定
した背景電位値は同じであワた。実施例3および4で得
られた結果は30重1%含有量のN、N’−ジフェニル
−N。
ル−N、N’−ビス(3−メチルフェニル)−(1,1
’−ビフェニル)−4,4’−ジアミンはコントロール
(対照)から背影電位において検知し得る増加を示し、
一方40および50重量%含有量を有する感光体の測定
した背景電位値は同じであワた。実施例3および4で得
られた結果は30重1%含有量のN、N’−ジフェニル
−N。
N′−ビス(3−メチルフェニル)−(1,1’−ビフ
ェニル)−4,4’−ジアミンがコントロールから残留
電位における検知可能な増大を示し、これが高品質静電
複写用に不適切なものとしているが、35重量%含有量
のN、N’−ジフェニル−N、N’−ビス(3−メチル
フェニル)−(1゜1′−ビフェニル)−4,4’−ジ
アミンは約lO〜15ボルトより小さい残留電位を必要
とする高品質静電複写用に限界的に適するものと考える
ことができた。
ェニル)−4,4’−ジアミンがコントロールから残留
電位における検知可能な増大を示し、これが高品質静電
複写用に不適切なものとしているが、35重量%含有量
のN、N’−ジフェニル−N、N’−ビス(3−メチル
フェニル)−(1゜1′−ビフェニル)−4,4’−ジ
アミンは約lO〜15ボルトより小さい残留電位を必要
とする高品質静電複写用に限界的に適するものと考える
ことができた。
実施例5
サンプル移送層をテフロン表面上に注型コーティングす
ることによって作製し、得られたフィルムをインストロ
ンメカニカルテスティングディバス(In5tron
Mechanical Testing Device
)により機械的性質について試験し移送層の引っ張り
モジュラスと破壊伸度を測定し、またディファレンシャ
ルスキャンニングカロリメーターを用いて移送層のTg
を測定した。N、N’−ジフェニル−N、N’−ビス(
3−メチルフェニル) −(1゜1′−ビフェニル)−
4,4’−ジアミンの種々の%含有量に対する機械的性
質の相関を第7表に示す。
ることによって作製し、得られたフィルムをインストロ
ンメカニカルテスティングディバス(In5tron
Mechanical Testing Device
)により機械的性質について試験し移送層の引っ張り
モジュラスと破壊伸度を測定し、またディファレンシャ
ルスキャンニングカロリメーターを用いて移送層のTg
を測定した。N、N’−ジフェニル−N、N’−ビス(
3−メチルフェニル) −(1゜1′−ビフェニル)−
4,4’−ジアミンの種々の%含有量に対する機械的性
質の相関を第7表に示す。
第7表
移送層中のジアミン含有量による機械的性質10010
1.8 x 10’ 158 146
90/10 2.4 x 10’ 137
6580/20 2.5 x 10’
11−8 1670/30 2.8 x 10
’ 104 1160/40 2.9X
10’ 90 750150 3、Ox
10’ 81 4.5第7表に示すとおり
、電荷移送層の破壊伸度はN、N’−ジフェニル−N、
N’−ビス(3−メチルフェニル)−(1,1’−ビフ
ェニル〕−4゜4′−ジアミン含有量が50%から40
%に減少するにつれ4.5%から7%に増大した。この
ことは1.6倍の改善を示す。
1.8 x 10’ 158 146
90/10 2.4 x 10’ 137
6580/20 2.5 x 10’
11−8 1670/30 2.8 x 10
’ 104 1160/40 2.9X
10’ 90 750150 3、Ox
10’ 81 4.5第7表に示すとおり
、電荷移送層の破壊伸度はN、N’−ジフェニル−N、
N’−ビス(3−メチルフェニル)−(1,1’−ビフ
ェニル〕−4゜4′−ジアミン含有量が50%から40
%に減少するにつれ4.5%から7%に増大した。この
ことは1.6倍の改善を示す。
実施例6
感光体を実施例1に記載したようにして作製したが、6
種の電荷移送層を6種の異なるロフトの電荷移送層上に
分子量約50.000〜約100.000を有するポリ
カーボネート樹脂(マクロロン、バイエル社より入手可
能)とN、N’−ジフェニル−N、N’−ビス(3−メ
チルフェニル)−(1゜1′−ビフェニル)−4,4’
−ジアミンの塩化メチレンに溶解した溶液の6種の異な
る混合物を最終的に50.40,30.20.10およ
び0重量%のN、N’−ジフェニル−N、N’−ビス(
3−メチルフェニル)−(1,1’−ビフェニル)−4
,4’−ジアミン含有量(それぞれ、60フトの乾燥移
送層において)を与えるように適用することによって形
成させた。これらの感光体をインストロンメカニカルテ
スティングディバイスを用いて各感光体を引き伸すこと
によって電荷移送層クランキング伸度について試験した
。移送層の破壊伸度は移送層中のN、N’−ジフェニル
−N、N’−ビス(3−メチルフェニル)−(1゜1′
−ビフェニル)−4,4’−ジアミンが50%から40
%に減少するにつれ4.5%から7%に増大した。この
ことは1.6倍の改善を示す。さらに、40重量%のN
、N’−ジフェニル−N、N’−ビス(3−メチルフェ
ニル)−(1,1’−ビフェニル)−4,4’−ジアミ
ンを含有する感光体ベルトの0.75インチ(19+n
)および1.0インチ(25,4m)の直径を有する各
ロール上でのサイクル操作は50重量%N、N’−ジフ
ェニルーN、N’−ビス(3−メチルフェニル)−(1
゜1′−ビフェニル)−4,4’−ジアミンを含有する
感光体ベルトで見られたよりも約2倍のクランキング向
上を示した。
種の電荷移送層を6種の異なるロフトの電荷移送層上に
分子量約50.000〜約100.000を有するポリ
カーボネート樹脂(マクロロン、バイエル社より入手可
能)とN、N’−ジフェニル−N、N’−ビス(3−メ
チルフェニル)−(1゜1′−ビフェニル)−4,4’
−ジアミンの塩化メチレンに溶解した溶液の6種の異な
る混合物を最終的に50.40,30.20.10およ
び0重量%のN、N’−ジフェニル−N、N’−ビス(
3−メチルフェニル)−(1,1’−ビフェニル)−4
,4’−ジアミン含有量(それぞれ、60フトの乾燥移
送層において)を与えるように適用することによって形
成させた。これらの感光体をインストロンメカニカルテ
スティングディバイスを用いて各感光体を引き伸すこと
によって電荷移送層クランキング伸度について試験した
。移送層の破壊伸度は移送層中のN、N’−ジフェニル
−N、N’−ビス(3−メチルフェニル)−(1゜1′
−ビフェニル)−4,4’−ジアミンが50%から40
%に減少するにつれ4.5%から7%に増大した。この
ことは1.6倍の改善を示す。さらに、40重量%のN
、N’−ジフェニル−N、N’−ビス(3−メチルフェ
ニル)−(1,1’−ビフェニル)−4,4’−ジアミ
ンを含有する感光体ベルトの0.75インチ(19+n
)および1.0インチ(25,4m)の直径を有する各
ロール上でのサイクル操作は50重量%N、N’−ジフ
ェニルーN、N’−ビス(3−メチルフェニル)−(1
゜1′−ビフェニル)−4,4’−ジアミンを含有する
感光体ベルトで見られたよりも約2倍のクランキング向
上を示した。
実施例7
感光体を実施例1に記載したようにして作製したが、電
荷移送層を押出コーティングし、2種の異なる接着層を
2種のロフトの各アミノシロキサン層上に形成させた。
荷移送層を押出コーティングし、2種の異なる接着層を
2種のロフトの各アミノシロキサン層上に形成させた。
乾燥接着層の1つは500オングストローム厚を有する
49000ポリエステルを含んでおり、他の乾燥接着層
は厚さ500オングストロームを有するバイチルPE−
100ポリエステル樹脂(グツドイヤータイヤアンドラ
バー社より入手可能)を含んでいた。各電荷移送層は約
50重量%のN、N’−ジフェニル−N。
49000ポリエステルを含んでおり、他の乾燥接着層
は厚さ500オングストロームを有するバイチルPE−
100ポリエステル樹脂(グツドイヤータイヤアンドラ
バー社より入手可能)を含んでいた。各電荷移送層は約
50重量%のN、N’−ジフェニル−N。
N′−ビス(3−メチルフェニル)−(1,1’−ビフ
ェニル)−4,4’−ジアミンを含んでいた。これらの
感光体ベルトをコロナ帯電、光露光、磁性ブラシ現像、
静電転写およびブレードクリーニングを用いる静電複写
像形成装置内で直径191を有するロール上でサイクル
操作することによって継目はがれに対する抵抗性につい
て試験した。
ェニル)−4,4’−ジアミンを含んでいた。これらの
感光体ベルトをコロナ帯電、光露光、磁性ブラシ現像、
静電転写およびブレードクリーニングを用いる静電複写
像形成装置内で直径191を有するロール上でサイクル
操作することによって継目はがれに対する抵抗性につい
て試験した。
デュポン49000接着層を有する感光体の継目は3.
000像形成サイクル後に分離したのに対し、PE−1
00接着層を有する感光体は50,000サイクルで強
固な継目を有していた。
000像形成サイクル後に分離したのに対し、PE−1
00接着層を有する感光体は50,000サイクルで強
固な継目を有していた。
実施例8
8枚のポリエステルフィルムをそれぞれ約200オング
ストロームの厚さを有するチタン層でコーティングした
。各ポリエステルフィルム上のチタン層の露出表面は周
囲雰囲気の酸素にさらすことによ゛って酸化させた。シ
ロキサン正孔ブロッキング層を3−アミノプロピルトリ
エトキシシランの0.22%(0,0旧モル)溶液を各
ポリエステルフィルム上のアルミニウム層の酸化表面に
グラビアアプリケーターでもって適用することにより調
製した。付着コーティングを強制送風炉中で135℃で
乾燥させて各ポリエステルフィルム上に450オングス
トロームの厚さを有する層を形成させた。
ストロームの厚さを有するチタン層でコーティングした
。各ポリエステルフィルム上のチタン層の露出表面は周
囲雰囲気の酸素にさらすことによ゛って酸化させた。シ
ロキサン正孔ブロッキング層を3−アミノプロピルトリ
エトキシシランの0.22%(0,0旧モル)溶液を各
ポリエステルフィルム上のアルミニウム層の酸化表面に
グラビアアプリケーターでもって適用することにより調
製した。付着コーティングを強制送風炉中で135℃で
乾燥させて各ポリエステルフィルム上に450オングス
トロームの厚さを有する層を形成させた。
ポリエステル樹脂(バイチルPE−)00、グツドイヤ
ータイヤアンドラバー社より入手可能)のコーティング
をグラビアアプリケーターにより上記各ポリエステルフ
ィルム上のシロキサンコーティングベースに適用した。
ータイヤアンドラバー社より入手可能)のコーティング
をグラビアアプリケーターにより上記各ポリエステルフ
ィルム上のシロキサンコーティングベースに適用した。
乾燥後のコーティングポリエステル膜の厚さは8枚のポ
リエステルフィルム毎に異なり約200オングストロー
ム〜約900オングストロームの範囲であった。粒度約
0.05〜0.2μmを有するナトリウムドーピング三
方晶セレン3重量%、ポリビニルカルバゾール約6.8
重量%およびN、N’−ジフェニル−N、N’−ビス(
3−メチルフェニル)−(1,1’−ビフェニル)−4
,4’−ジアミン2.4重量%のテトラヒドロフランと
トルエンのl:1容量混合物中スラリーコーティング溶
液を各ポリエステルコーティング上に押出コーティング
して26μmの湿潤厚さを有する層を形成させた。コー
ティングした部材を強制送風炉中で135℃で乾燥させ
て2.3μmの厚さを有する層を形成させた。これらの
コーティングウェブを、各々、バイエル社より入手でき
る分子量約so、ooo〜約100,000を有するポ
リカーボネート樹脂中にN、N’−ジフェニル−N、N
’−ビス(3−メチルフェニル)−(1,1’−ビフェ
ニル)−4,4’−ジアミンを含有する移送層でコーテ
ィングした。各ウェブ上の電荷移送層は上記電荷励起層
上に塩化メチレン中に溶解したバイエル社から入手でき
る分子量約so、ooo〜約100,000を有するマ
クロロン、ポリカーボネート樹脂とN、N’−ジフェニ
ル−N、N’−ビス(3−メチルフェニル)−(1,1
’−ビフェニル)−4,4’−ジアミンの溶液を、最終
的に、乾燥移送層中に50重量%含有量のN、N’−ジ
フェニル−N、N’−ビス(3−メチルフェニル)−(
1,1’−ビフェニル)−4,4’−ジアミンを与える
ように適用することによって形成させた。移送層は上記
励起層上に押出コーティングし約135℃で乾燥させて
各ウェブ上に正孔移送層の24μm厚の乾燥層を形成さ
せた0次いで、各感光体を切断し溶接して連続ベルトを
形成させた。この方法をもう1つのポリエステルフィル
ムで繰返したが、乾燥厚さ約400オングストロームを
有するポリエステル樹脂i、1.デュポンネモアス社よ
り入手できる)のコーティングをバイチルPE−100
の代りに用いてコントロールサンプルを調製した。これ
らの感光体サンプルをインストロンメカニカルテスティ
ングデバイスを用いて180°はがれ測定によりはがれ
強度について試験した。はがれ強度試験の結果は第8図
に示す。曲線Aは接着層中にバイチルPE−100を含
む感光体を示し、点Bは接着層中に49000ポリエス
テルを含む感光体を示す。第8図に示した結果はPE−
100層が49.000コントロールよりも1.9倍大
きいはがれ強度を生じていることを示している。はがれ
強度はバイチルPE−100厚の増大とともに増大し7
25オングストロームの厚さで18g/amの一定値に
達した。ポリエステル接着層厚さについての観察された
はがれ強度依存性ははがれ分離中のポリエステルフィル
ムでのエネルギー消散に一部基づくものであるが、それ
にもかかわらず、はがれ強度に対するこの貢献は30μ
mより薄い接着層にとっては極めて小さく無視できるも
のと予想される。しかも、約500オングストロームの
バイチルPE−100接着層厚を有する本実施例で記載
したようにして作製したベルトにおいては、コロナ帯電
、光露光、磁性ブラシ現像、静電転写およびブレードク
リーニングを用いる静電複写像形成装置内での19m直
径ロール上(180°巻き付け)での65時間サイクル
操作後、継目のはがれは観察されなかった。
リエステルフィルム毎に異なり約200オングストロー
ム〜約900オングストロームの範囲であった。粒度約
0.05〜0.2μmを有するナトリウムドーピング三
方晶セレン3重量%、ポリビニルカルバゾール約6.8
重量%およびN、N’−ジフェニル−N、N’−ビス(
3−メチルフェニル)−(1,1’−ビフェニル)−4
,4’−ジアミン2.4重量%のテトラヒドロフランと
トルエンのl:1容量混合物中スラリーコーティング溶
液を各ポリエステルコーティング上に押出コーティング
して26μmの湿潤厚さを有する層を形成させた。コー
ティングした部材を強制送風炉中で135℃で乾燥させ
て2.3μmの厚さを有する層を形成させた。これらの
コーティングウェブを、各々、バイエル社より入手でき
る分子量約so、ooo〜約100,000を有するポ
リカーボネート樹脂中にN、N’−ジフェニル−N、N
’−ビス(3−メチルフェニル)−(1,1’−ビフェ
ニル)−4,4’−ジアミンを含有する移送層でコーテ
ィングした。各ウェブ上の電荷移送層は上記電荷励起層
上に塩化メチレン中に溶解したバイエル社から入手でき
る分子量約so、ooo〜約100,000を有するマ
クロロン、ポリカーボネート樹脂とN、N’−ジフェニ
ル−N、N’−ビス(3−メチルフェニル)−(1,1
’−ビフェニル)−4,4’−ジアミンの溶液を、最終
的に、乾燥移送層中に50重量%含有量のN、N’−ジ
フェニル−N、N’−ビス(3−メチルフェニル)−(
1,1’−ビフェニル)−4,4’−ジアミンを与える
ように適用することによって形成させた。移送層は上記
励起層上に押出コーティングし約135℃で乾燥させて
各ウェブ上に正孔移送層の24μm厚の乾燥層を形成さ
せた0次いで、各感光体を切断し溶接して連続ベルトを
形成させた。この方法をもう1つのポリエステルフィル
ムで繰返したが、乾燥厚さ約400オングストロームを
有するポリエステル樹脂i、1.デュポンネモアス社よ
り入手できる)のコーティングをバイチルPE−100
の代りに用いてコントロールサンプルを調製した。これ
らの感光体サンプルをインストロンメカニカルテスティ
ングデバイスを用いて180°はがれ測定によりはがれ
強度について試験した。はがれ強度試験の結果は第8図
に示す。曲線Aは接着層中にバイチルPE−100を含
む感光体を示し、点Bは接着層中に49000ポリエス
テルを含む感光体を示す。第8図に示した結果はPE−
100層が49.000コントロールよりも1.9倍大
きいはがれ強度を生じていることを示している。はがれ
強度はバイチルPE−100厚の増大とともに増大し7
25オングストロームの厚さで18g/amの一定値に
達した。ポリエステル接着層厚さについての観察された
はがれ強度依存性ははがれ分離中のポリエステルフィル
ムでのエネルギー消散に一部基づくものであるが、それ
にもかかわらず、はがれ強度に対するこの貢献は30μ
mより薄い接着層にとっては極めて小さく無視できるも
のと予想される。しかも、約500オングストロームの
バイチルPE−100接着層厚を有する本実施例で記載
したようにして作製したベルトにおいては、コロナ帯電
、光露光、磁性ブラシ現像、静電転写およびブレードク
リーニングを用いる静電複写像形成装置内での19m直
径ロール上(180°巻き付け)での65時間サイクル
操作後、継目のはがれは観察されなかった。
実施例9
実施例8に記載したようにして、約400オングストロ
ームのポリエステル樹脂(バイチルPE−100)接着
層厚さを有する感光体を作製し、この感光体サンプル(
直径9.5インチ= 24.1 aaを有するアルミニ
ウム円筒状に貼り付けた)を30インチ/秒(76,2
C11/秒)の一定速度で駆動させる実施例4で記載し
た静電複写スキャンナー装置で試験した。感光体は帯電
前に15分間暗中に保持した。次いで、暗中で負コロナ
帯電させ一900ボルトの現像電位とした。、その後、
感光体を試験像に光強度約3.8エルグ/cdの光を用
いて像形成的に露光した。得られた負帯電静電潜像を約
200エルグ/cdの光に露光することによって放電(
消去)させた。この感光体の電気的性質は実施例8で記
載したコントロールと同じコントロールと実質的に等価
である。
ームのポリエステル樹脂(バイチルPE−100)接着
層厚さを有する感光体を作製し、この感光体サンプル(
直径9.5インチ= 24.1 aaを有するアルミニ
ウム円筒状に貼り付けた)を30インチ/秒(76,2
C11/秒)の一定速度で駆動させる実施例4で記載し
た静電複写スキャンナー装置で試験した。感光体は帯電
前に15分間暗中に保持した。次いで、暗中で負コロナ
帯電させ一900ボルトの現像電位とした。、その後、
感光体を試験像に光強度約3.8エルグ/cdの光を用
いて像形成的に露光した。得られた負帯電静電潜像を約
200エルグ/cdの光に露光することによって放電(
消去)させた。この感光体の電気的性質は実施例8で記
載したコントロールと同じコントロールと実質的に等価
である。
実施例10
2つの感光体を実施例8で記載したようにして作製した
。1つは約421オングストロームの厚さを有するポリ
エステル接着層(バイチルPE−100)を含み、他方
は約400オングストロームの厚さを有するデュポン4
9000ポリ工ステル接着層を含み、他のすべての層は
同一であった。
。1つは約421オングストロームの厚さを有するポリ
エステル接着層(バイチルPE−100)を含み、他方
は約400オングストロームの厚さを有するデュポン4
9000ポリ工ステル接着層を含み、他のすべての層は
同一であった。
各々を各側面に沿って縦方向に細切し、セグメントに切
断し、溶接ベルトに形成した。各溶接ベルトをゼロック
ス1075装置からのベルト駆動モジュール中でサイク
ル操作した。49000ポリ工ステル接着層を有するベ
ルトは約500サイクルではがれたのに対し、バイチル
PE−100ポリエステル接着層を有するベルトは47
0.000サイクル以上でもはがれのきざしを示さなか
った。
断し、溶接ベルトに形成した。各溶接ベルトをゼロック
ス1075装置からのベルト駆動モジュール中でサイク
ル操作した。49000ポリ工ステル接着層を有するベ
ルトは約500サイクルではがれたのに対し、バイチル
PE−100ポリエステル接着層を有するベルトは47
0.000サイクル以上でもはがれのきざしを示さなか
った。
実施例11
6つの感光体を実施例1で記載したようにして作製した
が、各移送層は押出コーティングし、3つの感光体は移
送層中に50重量%のN、N’−ジフェニル−N、N’
−ビス(3−メチルフェニル)−(1,1’−ビフェニ
ル)−4,4’−ジアミンおよび接着層中に49000
ポリエステル樹脂を含み、3つの感光体は移送層中に4
0重量%のN、N’−ジフェニル−N、N’−ビス(3
−メチルフェニル)−(1,1’−ビフェニル〕−4,
4’−ジアミンおよび接着層中にバイチルPE−100
ポリエステル樹脂を含んでいた。各タイプの感光体の1
つを静電複写帯電、露光、現像、転写およびクリーニン
グの各装置を有する3種の異なる静電複写装置中でサイ
クル操作して継目はがれに対する抵抗性を試験した。各
装置は互いに次の点で異っていた。即ち、装置“A”は
19寵直径の感光体支持ロール(ストリッパーロール)
、9.5fi半径の曲りスキッドプレートおよび該支持
ロールとスキンドブレートの両方上の180°ベルト巻
き付けを有し、装置′″B”は90°ベルト巻き付けを
有する19fl直径感光体支持ロール(ストリッパーロ
ール)を有し、装置1C”は2本の19鶴直径感光体支
持ロールとこの両支持ロール上の180’ベルト巻き付
けを有していた。サイクル操作の結果は第8表のとおり
である。
が、各移送層は押出コーティングし、3つの感光体は移
送層中に50重量%のN、N’−ジフェニル−N、N’
−ビス(3−メチルフェニル)−(1,1’−ビフェニ
ル)−4,4’−ジアミンおよび接着層中に49000
ポリエステル樹脂を含み、3つの感光体は移送層中に4
0重量%のN、N’−ジフェニル−N、N’−ビス(3
−メチルフェニル)−(1,1’−ビフェニル〕−4,
4’−ジアミンおよび接着層中にバイチルPE−100
ポリエステル樹脂を含んでいた。各タイプの感光体の1
つを静電複写帯電、露光、現像、転写およびクリーニン
グの各装置を有する3種の異なる静電複写装置中でサイ
クル操作して継目はがれに対する抵抗性を試験した。各
装置は互いに次の点で異っていた。即ち、装置“A”は
19寵直径の感光体支持ロール(ストリッパーロール)
、9.5fi半径の曲りスキッドプレートおよび該支持
ロールとスキンドブレートの両方上の180°ベルト巻
き付けを有し、装置′″B”は90°ベルト巻き付けを
有する19fl直径感光体支持ロール(ストリッパーロ
ール)を有し、装置1C”は2本の19鶴直径感光体支
持ロールとこの両支持ロール上の180’ベルト巻き付
けを有していた。サイクル操作の結果は第8表のとおり
である。
第8表
ベルト継目はがれ
A 〜3.000サイクル > so、oooサイク
ルB 〜40.000サイクル > 150.000
サイクルC〜15000サイクル > 130.000
サイクル本発明を特定の好ましい実施態様に関連して説
明して来たけれども、本発明をこれらに限定するつもり
はなく、むしろ、当業者ならば本発明の精神および特許
請求の範囲内において多くの変形または修正をなし得る
ことは理解されるであろう。
ルB 〜40.000サイクル > 150.000
サイクルC〜15000サイクル > 130.000
サイクル本発明を特定の好ましい実施態様に関連して説
明して来たけれども、本発明をこれらに限定するつもり
はなく、むしろ、当業者ならば本発明の精神および特許
請求の範囲内において多くの変形または修正をなし得る
ことは理解されるであろう。
第1図は多層型感光体の略図である。
第2図は正孔移送層中のジアミン濃度に対してプロット
した表面電位E0と残留電位EI+(電場強度とボルト
/ミクロンとして)のグラフである。 第3図〜第7図は正孔移送層中に種々の濃度を有する各
感光体における露光に対してプロットした表面電位を示
すグラフである。 第8図は各感光体の接着層の厚さに対してプロットした
はがれ力のグラフである。 1・・・裏打ちコーティング、 2・・・支持基体、 3・・・伝導性基平面1 .4・・・正孔ブロッキング層、 5・・・接着層、 6・・・電荷励起層、 7・・・電荷移送層。 FIG、2 正孔移送層中の重量%ジアミ
ン露光(エルグ/cm2) FIG、 3 1G” 10−’ 1G’
10’ 10”露光(エルグ/
cm2) FIG、 4 露光(エルグ/cm2) 露光(エルグ/cm2) 10’ 10°’ 10・
101 10J露光(エルグ/c
m2) FIG、7 接着層厚さくオングストローム) FIG、8
した表面電位E0と残留電位EI+(電場強度とボルト
/ミクロンとして)のグラフである。 第3図〜第7図は正孔移送層中に種々の濃度を有する各
感光体における露光に対してプロットした表面電位を示
すグラフである。 第8図は各感光体の接着層の厚さに対してプロットした
はがれ力のグラフである。 1・・・裏打ちコーティング、 2・・・支持基体、 3・・・伝導性基平面1 .4・・・正孔ブロッキング層、 5・・・接着層、 6・・・電荷励起層、 7・・・電荷移送層。 FIG、2 正孔移送層中の重量%ジアミ
ン露光(エルグ/cm2) FIG、 3 1G” 10−’ 1G’
10’ 10”露光(エルグ/
cm2) FIG、 4 露光(エルグ/cm2) 露光(エルグ/cm2) 10’ 10°’ 10・
101 10J露光(エルグ/c
m2) FIG、7 接着層厚さくオングストローム) FIG、8
Claims (20)
- (1)電導性表面を有する可撓性基体;アミノシラン反
応生成物を含む正孔ブロッキング層;約200オングス
トローム〜約900オングストロームの厚さを有し少な
くとも1種のジ酸と少なくとも1種のジオールとの少な
くとも1種のコポリエステル樹脂反応生成物から本質的
になる接着層;フィルム形成性高分子成分を含む電荷励
起層;および正孔移送層を含み、該正孔移送層は上記電
荷励起層が光励起正孔を励起し注入するスペクトル領域
で実質的に非吸収性であるが上記電荷励起層からの光励
起正孔の注入を支持することができ、かつ上記電荷移送
層を通して正孔を移送することができ、上記コポリエス
テル樹脂は次の式: ▲数式、化学式、表等があります▼ (式中、上記ジ酸はテレフタル酸、イソフタル酸および
これらの混合物から選ばれ、上記ジオールはエチレング
リコールを含み、上記ジ酸対ジオールのモル比は約1:
1であり、nは約175〜約350の間の数である) を有し、上記コポリエステル樹脂のTgは約50℃〜約
80℃である可撓性電子写真像形成部材。 - (2)電導性表面を有する可撓性基体とブロッキング層
の組合せが約400オングストローム〜約700オング
ストロームの波長を有する光の少なくとも15%を透過
する請求項1記載の電子写真像形成部材。 - (3)電導性表面が金属薄層を含む請求項1記載の電子
写真像形成部材。 - (4)ブロッキング層がシロキサンを含み、該シロキサ
ンが構造式: ▲数式、化学式、表等があります▼ (式中、R_1は1〜20個の炭素原子を含有するアル
キリデン基であり、R_2およびR_3は個々にH、1
〜3個の炭素原子を含有する低級アルキル基、フェニル
基、ポリ(エチレン)アミノ基およびエチレンジアミン
基からなる群より選ばれる) を有する加水分解シランの反応生成物を含む請求項1記
載の電子写真像形成部材。 - (5)シロキサンを含むブロッキング層が約20〜約2
,000オングストロームの厚さを有する請求項4記載
の電子写真像形成部材。 - (6)電荷励起層がバナジルフタロシアニン、無金属フ
タロシアニン、ベンズイミダゾールペリーレン、無定形
セレン、三方晶セレン、並びにセレン−テルル、セレン
−テルル−ひ素、セレン−ひ素およびこれらの混合物か
らなる群より選ばれるセレン合金からなる群から選ばれ
る光導電性物質を含有する粒子または層を含む請求項1
記載の電子写真像形成部材。 - (7)正孔移送層が有機ポリマーと一般式:(式中、R
_1およびR_2は置換または未置換のフェニル基、ナ
フチル基およびポリフェニル基からなる群より選ばれる
芳香属基であり、R_3は置換または未置換のアリール
基、1〜18個の炭素原子を有するアルキル基および3
〜18個の炭素原子を有する脂環式化合物からなる群よ
り選ばれる) を有する芳香属アミン化合物とを含む請求項1記載の電
子写真像形成部材。 - (8)正孔移送層が分子量約20,000〜約120,
000を有するポリカーボネート樹脂物質およびこのポ
リカーボネートの総重量基準で約35〜約45重量%の
前記ジアミン化合物を含む請求項7記載の電子写真像形
成部材。 - (9)基体;該基体に連続する金属薄層;アミノシロキ
サンを含む正孔ブロッキング層、ただし該アミノシロキ
サンが構造式: ▲数式、化学式、表等があります▼ (式中、R_1は1〜20個の炭素原子を有するアルキ
リデン基であり、R_2およびR_3は、個々に、H、
1〜3個の炭素原子を有する低級アルキル基、フェニル
基、ポリ(エチレン)アミノ基およびエチレンジアミン
基からなる群より選ばれる) を有する加水分解シランの反応生成物を含む;少なくと
も1種のジ酸と少なくとも1種のジオールとの少なくと
も1種のコポリエステル樹脂反応生成物を含む接着層、
ただし該コポリエステル樹脂が式: ▲数式、化学式、表等があります▼ (式中、上記ジ酸はテレフタル酸、イソフタル酸および
これらの混合物からなる群より選ばれ、上記ジオールは
エチレングリコールを含み、ジ酸対ジオールのモル比は
1:1であり、nは約175〜約350の間の数である
)を有しかつ約50℃〜約80℃のTgを有する;フィ
ルム形成性樹脂バインダー中に分散させた光導電性粒子
を含む電荷励起層;および樹脂バインダーとジアミン化
合物とを含む正孔移送層を含む、負電荷を受け入るのに
適する像形成表面を有する可撓性電子写真像形成部材。 - (10)電荷励起層が三方晶セレンの粒子を含む請求項
9記載の電子写真像形成部材。 - (11)電荷励起層がバナジルフタロシアニンの粒子を
含む請求項9記載の電子写真像形成部材。 - (12)電荷励起層がベンズイミダゾールペリーレンの
粒子を含む請求項9記載の電子写真像形成部材。 - (13)電荷励起層がポリカーボネート樹脂物質と前記
ジアミン化合物との固溶体を含む層に連続し、前記ジア
ミン化合物が一般式: ▲数式、化学式、表等があります▼ (式中、Xは1〜4個の炭素原子を有するアルキル基お
よび塩素からなる群より選ばれる)を有する1種以上の
化合物からなる群より選ばれる請求項9記載の電子写真
像形成部材。 - (14)基体;該基体に連続する金属層;アミノシロキ
サンを含むブロッキング層、ただし該アミノシロキサン
が一般式: ▲数式、化学式、表等があります▼ (式中、R_1は1〜20個の炭素原子を含有するアル
キリデン基であり、R_2およびR_3は、個々に、H
、1〜3個の炭素原子を有する低級アルキル基、フェニ
ル基、ポリ(エチレン)アミノ基およびエチレンジアミ
ン基からなる群より選ばれる) を有する加水分解シランの反応生成物を含む;少なくと
も1種のジ酸と少なくとも1種のジオールとの少なくと
も1種のコポリエステル樹脂反応生成物を含む接着層、
だだし該コポリエステル樹脂が式: ▲数式、化学式、表等があります▼ (式中、上記酸はテレフタル酸、イソフタル酸およびこ
れらの混合物からなる群より選ばれ、上記ジオールはエ
チレングリコールを含み、ジ酸対ジオールのモル比は1
:1であり、nは約175〜約350の間の数である) を有し、かつ約50℃〜約80℃のTgを有する;フィ
ルム形成性樹脂バインダー中に分散させた光導電性粒子
を含む電荷励起層;およびポリカーボネート樹脂物質と
ジアミン化合物の固溶体を含む正孔移送層、ただし上記
ジアミン化合物が一般式: ▲数式、化学式、表等があります▼ (式中、Xは1〜4個の炭素原子を有するアルキル基お
よび塩素からなる群より選ばれる)を有する、を含む電
子写真像形成部材。 - (15)電荷励起層が約50〜約90容量%のフィルム
形成性バインダー中に分散させた約10〜約50重量%
の光導電性顔料を含む請求項14記載の電子写真像形成
部材。 - (16)接着層が約200〜約900オングストローム
の厚さを有する請求項15記載の電子写真像形成部材。 - (17)電荷励起層が約0.1μm〜約5μmの厚さを
有する請求項15記載の電子写真像形成部材。 - (18)正孔移送層が約5μm〜約100μmの厚さを
有する請求項15記載の電子写真像形成部材。 - (19)基体;該基体に連続する金属層;アミノシロキ
サンを含むブロッキング層、ただし該アミノシロキサン
が一般式: ▲数式、化学式、表等があります▼ (式中、R_1は1〜20個の炭素原子を含有するアル
キリデン基であり、R_2およびR_3は、個々に、H
、1〜3個の炭素原子を有する低級アルキル基、フェニ
ル基、ポリ(エチレン)アミノ基およびエチレンジアミ
ン基からなる群より選ばれる) を有する加水分解シランの反応生成物を含む;少なくと
も1種のジ酸と少なくとも1種のジオールとの少なくと
も1種のコポリエステル樹脂反応生成物を含む接着層、
ただしコポリエステル樹脂が式: ▲数式、化学式、表等があります▼ (式中、上記ジ酸はテレフタル酸、イソフタル酸および
これらの混合物からなる群より選ばれ、上記ジオールは
エチレングリコール、2,2−ジメチルプロパンおよび
これらの混合物からなる群より選ばれ、ジ酸対ジオール
のモル比は約1:1でなり、nは約175〜約350の
間の数である) を有し、かつ約50℃〜約80℃のTgを有する;フィ
ルム形成性バインダー中に分散させた光導電性粒子を含
む電荷励起層;およびポリカーボネート樹脂物質とジア
ミン化合物との固溶体を含む正孔移送層;ただし上記ジ
アミン化合物が一般式: ▲数式、化学式、表等があります▼ (式中、Xは1〜4個の炭素原子を有するアルキル基お
よび塩素からなる群より選ばれる)を有する、を含む可
撓性電子写真像形成ベルトを用意し;上記像形成ベルト
を均一に静電的に帯電させ;上記像形成ベルトを活性化
電磁線のパターンに露光させて上記パターンに相応する
静電潜像を形成し;上記像形成ベルト上に静電的に引き
付け可能なマーキング粒子を付着させて上記静電潜像に
相応するトナー像を形成し;上記トナー像を受け入れ部
材に転写し、上記像形成ベルトを約0.5〜約1インチ
(約1.27〜約2.54cm)の直径を有する少なく
とも1つのロールの周りに移送させ;そして上記帯電、
露光、付着、転写および移送の各工程を複数回繰返すこ
とを含む静電写真像形成部材。 - (20)電導性表面を有する可撓性基体を含む可撓性電
子写真像形成部材を用意し、アミノシロキサン反応生成
物を含む正孔ブロッキング層を適用し、少なくとも1種
の溶媒と約2〜約5重量%の少なくとも1種のジ酸と少
なくとも1種のジオールとの少なくとも1種のコポリエ
ステル樹脂反応生成物を含む接着層溶液を通用して約2
00〜約900オングストロームの厚さを有する乾燥層
を調製し、フィルム形成性高分子成分を含む電荷励起層
を適用し、正孔移送層を適用することを含み、上記正孔
移送層が上記電荷励起層が光励起正孔を励起し注入する
スペクトル領域で実質的に非吸収性であるが上記電荷励
起層からの光励起正孔の注入を支持することができかつ
これら正孔を上記電荷移送層を通して移送することがで
き、上記コポリエステル樹脂が次式: ▲数式、化学式、表等があります▼ (式中、上記ジ酸はテレフタル酸、イソフタル酸および
これらの混合物からなる群より選ばれ、上記ジオールは
エチレングリコールを含み、上記ジ酸対ジオールのモル
比は約1:1であり、nは約175〜約350の間の数
である) を有し、上記コポリエステル樹脂のTgが約50℃〜約
80℃である電子写真像形成部材の製造方法。
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