JPS63279535A - 炭窒化ニオブフイ−ルドエミツタ−の製造方法 - Google Patents
炭窒化ニオブフイ−ルドエミツタ−の製造方法Info
- Publication number
- JPS63279535A JPS63279535A JP62113334A JP11333487A JPS63279535A JP S63279535 A JPS63279535 A JP S63279535A JP 62113334 A JP62113334 A JP 62113334A JP 11333487 A JP11333487 A JP 11333487A JP S63279535 A JPS63279535 A JP S63279535A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- emitter
- gas
- high vacuum
- under
- single crystal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000010955 niobium Substances 0.000 title claims abstract description 10
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 9
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 9
- JMANVNJQNLATNU-UHFFFAOYSA-N oxalonitrile Chemical compound N#CC#N JMANVNJQNLATNU-UHFFFAOYSA-N 0.000 title abstract 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims abstract description 19
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 10
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims abstract description 10
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 8
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 claims abstract description 7
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 claims abstract description 7
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 claims abstract description 7
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 claims description 10
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 2
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001427 coherent effect Effects 0.000 description 1
- 238000000609 electron-beam lithography Methods 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- MTPVUVINMAGMJL-UHFFFAOYSA-N trimethyl(1,1,2,2,2-pentafluoroethyl)silane Chemical compound C[Si](C)(C)C(F)(F)C(F)(F)F MTPVUVINMAGMJL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は高安定電流特性を示す炭窒化ニオブフィールド
エミッターの製造方法に関する。フィールドエミッター
は高輝度、可干渉性点光源として使用され、例えば低加
速走査電子顕微鏡１分析電子顕微鏡、電子線描画装置の
電子源として重要である。
エミッターの製造方法に関する。フィールドエミッター
は高輝度、可干渉性点光源として使用され、例えば低加
速走査電子顕微鏡１分析電子顕微鏡、電子線描画装置の
電子源として重要である。
従来技術
従来、フィールドエミッターとしてはＷ金属が実用化さ
れているが、このフィールドエミッター°は電流の安定
性に問題があり、時間と共に大幅に減衰すると共に電流
変動も大きいので、広い応用を疎外している。
れているが、このフィールドエミッター°は電流の安定
性に問題があり、時間と共に大幅に減衰すると共に電流
変動も大きいので、広い応用を疎外している。
また、炭化チタン単結晶からなるフィールドエミッター
も知られている。しかし、このフィールドエミッターか
らの放射電子は、チップ先端近傍から放射状に放出され
、いくつかの電子ビーム塊に分かれる問題点がある。
も知られている。しかし、このフィールドエミッターか
らの放射電子は、チップ先端近傍から放射状に放出され
、いくつかの電子ビーム塊に分かれる問題点がある。
発明の目的
本発明は従来のフィールドエミッターの欠点のない電流
安定性がよく、高輝度で電子放射特性の優れたフィール
ドエミッターの製造方法を従供するにある。
安定性がよく、高輝度で電子放射特性の優れたフィール
ドエミッターの製造方法を従供するにある。
発明の構成
本発明はさきに従来のフィールドエミッターの欠点を解
消すべく、炭窒化チタン単結晶エミッターを９００〜１
４００℃の下で、Ｍ素ガス、炭化水素ガス及び１１□Ｓ
またはＳを含んだガスの単独もしくは組合せによる熱処
理を施した後、超高真空下で１０’ Ｖ／ｃｍ以上の強
電界を印加することにより、高安定電流特性を示すフィ
ールドエミッターを得ることを開発した。（特願昭６０
−２１９８３３号、同６０−２１９８３４号、同６０−
２１９８３５号）更に研究を続けた結果、炭窒化ニオブ
（ＮｂＣｘＮｙ。
消すべく、炭窒化チタン単結晶エミッターを９００〜１
４００℃の下で、Ｍ素ガス、炭化水素ガス及び１１□Ｓ
またはＳを含んだガスの単独もしくは組合せによる熱処
理を施した後、超高真空下で１０’ Ｖ／ｃｍ以上の強
電界を印加することにより、高安定電流特性を示すフィ
ールドエミッターを得ることを開発した。（特願昭６０
−２１９８３３号、同６０−２１９８３４号、同６０−
２１９８３５号）更に研究を続けた結果、炭窒化ニオブ
（ＮｂＣｘＮｙ。
ただし０．７≦Ｘ 十Ｙ≦１）単結晶からエミッター（
以下ＮｂＣＮエミッターと略記する）を作製し、その表
面を１０００〜１２００℃の下で前記と同様なガスによ
る熱処理を施した後、超高真空下で１０” Ｖ／ｃｍ以
上の強電界を印加すると、エミッションパターンが変化
し、通常の超高真空（１×１Ｑ−１０Ｔｏｒｒ）におい
ても安定な電流特性を示すフィールドエミッターが得ら
れることを究明し得た。この知見に基いて本発明を完成
した。
以下ＮｂＣＮエミッターと略記する）を作製し、その表
面を１０００〜１２００℃の下で前記と同様なガスによ
る熱処理を施した後、超高真空下で１０” Ｖ／ｃｍ以
上の強電界を印加すると、エミッションパターンが変化
し、通常の超高真空（１×１Ｑ−１０Ｔｏｒｒ）におい
ても安定な電流特性を示すフィールドエミッターが得ら
れることを究明し得た。この知見に基いて本発明を完成
した。
本発明の要旨は、
炭窒化ニオブ単結晶エミッターを、１０００〜１２００
℃の下で、酸素ガスによる表面処理、炭化水素ガスによ
る表面処理及び１（ＺＳまたはＳを含んだガスによる表
面処理の単独もしくは２種の組合せ処理を施した後、超
高真空下で１０’ Ｖ／ｃｍ以上の強電界を印加するこ
とを特徴とする炭窒化ニオブエミッターの製造方法にあ
る。
℃の下で、酸素ガスによる表面処理、炭化水素ガスによ
る表面処理及び１（ＺＳまたはＳを含んだガスによる表
面処理の単独もしくは２種の組合せ処理を施した後、超
高真空下で１０’ Ｖ／ｃｍ以上の強電界を印加するこ
とを特徴とする炭窒化ニオブエミッターの製造方法にあ
る。
本発明において使用するＮｂＣＮエミッターは、例えば
ＮｂＣＮ単結晶捧から切りだした０、２ Ｘｏ、２ Ｘ
３龍の直方体の先端を電解研磨法により約０．１ μ
ｍの先端径とし、このエミッターを超高真空中で１５０
０〜１６００℃でフラッシュ加熱する。この加熱により
清浄表面とすると共にチップ先端を（１００）（１１１
）面で覆われた形状のものとする。例えばエミッター軸
を＜ １１０ ＞方位とするエミッターの場合はチップ
形状は第１図に示すような多面体形状になる。このＮｂ
ＣＮ＜１１０ ＞エミッターからのエミッションパター
ンは第２図に示す通りである。
ＮｂＣＮ単結晶捧から切りだした０、２ Ｘｏ、２ Ｘ
３龍の直方体の先端を電解研磨法により約０．１ μ
ｍの先端径とし、このエミッターを超高真空中で１５０
０〜１６００℃でフラッシュ加熱する。この加熱により
清浄表面とすると共にチップ先端を（１００）（１１１
）面で覆われた形状のものとする。例えばエミッター軸
を＜ １１０ ＞方位とするエミッターの場合はチップ
形状は第１図に示すような多面体形状になる。このＮｂ
ＣＮ＜１１０ ＞エミッターからのエミッションパター
ンは第２図に示す通りである。
なお、斜線部分は電子ビームのあたった部分を示す。こ
のエミッションパターンは電解強度の大きい局所部分か
らの電子放射で説明できる。
のエミッションパターンは電解強度の大きい局所部分か
らの電子放射で説明できる。
このような清浄表面を持ったＮｂｃＮ＜１１０＞チップ
を酸素、炭化水素あるいは１１□ＳまたはＳを含んだガ
ス中で、例えば、Ｉ Ｘ １０−”ＴｏｒｒＯ下で１０
００〜１２００℃の範囲で加熱する。加熱時間は０．５
Ｌ （Ｌ＝１０−ｈＴｏｒｒｘ １ ｓｅｃ ）以上
になるように選ぶ。加熱温度が１０００℃未満、及び１
２００℃を超えると、以下に述べるような表面処理効果
を得ることができない・炭化水素ガスとしてＣＪ４．
Ｃ１１４等が挙げられ・Ｓを含んだガスとしてはＩｈＳ
、 ＣＳｚが挙げられる。このような熱処理後、超高
真空下で１０”Ｖ／ｃ＋＋＋以上の電界を印加する。こ
れによりエミッションパターンは第３図のように変化す
ると共に放射電流の安定化がおこる。
を酸素、炭化水素あるいは１１□ＳまたはＳを含んだガ
ス中で、例えば、Ｉ Ｘ １０−”ＴｏｒｒＯ下で１０
００〜１２００℃の範囲で加熱する。加熱時間は０．５
Ｌ （Ｌ＝１０−ｈＴｏｒｒｘ １ ｓｅｃ ）以上
になるように選ぶ。加熱温度が１０００℃未満、及び１
２００℃を超えると、以下に述べるような表面処理効果
を得ることができない・炭化水素ガスとしてＣＪ４．
Ｃ１１４等が挙げられ・Ｓを含んだガスとしてはＩｈＳ
、 ＣＳｚが挙げられる。このような熱処理後、超高
真空下で１０”Ｖ／ｃ＋＋＋以上の電界を印加する。こ
れによりエミッションパターンは第３図のように変化す
ると共に放射電流の安定化がおこる。
電流安定性は短時間ノイズが±０．２％以下、ドリフト
は±０．２％／ｈｒ以下と極めてよい。特に１ｘ ｉｏ
−’°Ｔｏｒｒの通常の超高真空下においても第４図に
示すように安定な電子放射特性を示す。
は±０．２％／ｈｒ以下と極めてよい。特に１ｘ ｉｏ
−’°Ｔｏｒｒの通常の超高真空下においても第４図に
示すように安定な電子放射特性を示す。
なお、電流安定性はチップの方位には無関係で、表面処
理のみによりその効果をあられす。
理のみによりその効果をあられす。
実施例１゜
先端径０．１ μｍのＮｂＣｏ、 ｑｓＮｏ、 ０１
＜ １１０＞エミッターを超高真空下（１×１Ｑ−１０
Ｔｏｒｒ）にセットし、１５５０℃にフラッシュ加熱し
て清浄表面を得た。
＜ １１０＞エミッターを超高真空下（１×１Ｑ−１０
Ｔｏｒｒ）にセットし、１５５０℃にフラッシュ加熱し
て清浄表面を得た。
この系に酸素ガスを導入し、Ｉ Ｘ １Ｏ−ｈＴｏｒｒ
の真空度にした後、１０００℃で１０秒間加熱（１０Ｌ
の露出量）した。その後、ｌＸｌ０−’°Ｔｏｒｒの超
高真空下で１０” Ｖ／ａｍ以上の電界を印加してエミ
ッションパターンを第２図から第３図に変化させた。得
られたフィールドエミッターの電流雑音はｌＸｌ０−”
Ｔｏｒｒの真空度で±０．２％以下、ドリフトは０．２
％／ｈｒ以下で、その電子放射特性は第４図ａの通りで
あった。
の真空度にした後、１０００℃で１０秒間加熱（１０Ｌ
の露出量）した。その後、ｌＸｌ０−’°Ｔｏｒｒの超
高真空下で１０” Ｖ／ａｍ以上の電界を印加してエミ
ッションパターンを第２図から第３図に変化させた。得
られたフィールドエミッターの電流雑音はｌＸｌ０−”
Ｔｏｒｒの真空度で±０．２％以下、ドリフトは０．２
％／ｈｒ以下で、その電子放射特性は第４図ａの通りで
あった。
実施例２゜
実施例１．における酸素ガスに代えてＣｚＨａ（他の炭
化水素ガスでもよい）を使用し、１０００℃で１×１０
−’ＴｏｒｒＯ下で１００秒間（１００Ｌの露出量）加
熱した。以下実施例１と同様にしてフィールドエミッタ
ーを得た。得られたフィールドエミッターの特性は実施
例１と同様であった。
化水素ガスでもよい）を使用し、１０００℃で１×１０
−’ＴｏｒｒＯ下で１００秒間（１００Ｌの露出量）加
熱した。以下実施例１と同様にしてフィールドエミッタ
ーを得た。得られたフィールドエミッターの特性は実施
例１と同様であった。
実施例３゜
実施例２と同様にしてＣｚＨａ処理（１００Ｌ）を行っ
た後、再度超高真空に排気した後、酸素ガスを導入し、
Ｉ Ｘ １Ｏ−ｈＴｏｒｒの下で２０秒間加熱（２０Ｌ
の露出量）シた。以下実施例１と同様にしてフィールド
エミッターを得た。得られたフィールドエミッターの電
子放射特性は第４図すの通りであった。
た後、再度超高真空に排気した後、酸素ガスを導入し、
Ｉ Ｘ １Ｏ−ｈＴｏｒｒの下で２０秒間加熱（２０Ｌ
の露出量）シた。以下実施例１と同様にしてフィールド
エミッターを得た。得られたフィールドエミッターの電
子放射特性は第４図すの通りであった。
実施例４゜
実施例１における酸素ガスに代えてＨａｓを使用しＩ
Ｘ １Ｏ−６Ｔｏｒｒの下で１０００℃で１０秒間加熱
（１０Ｌの露出量）した。その後、１ ×ＩＱ−１０Ｔ
ｏｒｒの超高真空下で１０’ Ｖ／ｃｍ以上の電界を印
加してエミッションパターンを第２図から第３図に変化
させた。
Ｘ １Ｏ−６Ｔｏｒｒの下で１０００℃で１０秒間加熱
（１０Ｌの露出量）した。その後、１ ×ＩＱ−１０Ｔ
ｏｒｒの超高真空下で１０’ Ｖ／ｃｍ以上の電界を印
加してエミッションパターンを第２図から第３図に変化
させた。
得られたフィールドエミッターの電流雑音は１×１０−
” Ｔｏｒｒ真空度の下で±０．２％以下、ドリフトは
±０．２％／ｈｒ以下で、その電子放射特性は第４図ａ
の通りであった。
” Ｔｏｒｒ真空度の下で±０．２％以下、ドリフトは
±０．２％／ｈｒ以下で、その電子放射特性は第４図ａ
の通りであった。
実施例５゜
実施例４の方法でＨ２Ｓで表面処理した後、この系に０
２ガスを導入し、Ｉ Ｘ １０− ｈＴｏｒｒの真空度
にした後、１０００℃で２０秒間加熱（２０Ｌの露出量
）した。
２ガスを導入し、Ｉ Ｘ １０− ｈＴｏｒｒの真空度
にした後、１０００℃で２０秒間加熱（２０Ｌの露出量
）した。
その後実施例４と同様に１０” Ｖ／ｃｍ以上の電界を
印加してエミッションパターンを第２図から第３図に変
化させた。得られたフィールドエミッターの電流雑音は
１ ×１Ｑ−１（ｌ Ｔｏｒｒの下で±０．２％以下。
印加してエミッションパターンを第２図から第３図に変
化させた。得られたフィールドエミッターの電流雑音は
１ ×１Ｑ−１（ｌ Ｔｏｒｒの下で±０．２％以下。
ドリフトは±０．２％／ｈｒ以下であり、その電子放射
特性は第４図すの通りであった。
特性は第４図すの通りであった。
実施例６゜
実施例５における０２に代えてＣ２１１４を使用し、１
０００℃で１００秒間加熱（１００Ｌの露出量）した。
０００℃で１００秒間加熱（１００Ｌの露出量）した。
以下実施例５と同様にしてフィールドエミッターを得た
。得られたフィールドエミッターの特性は実施例５と同
様であった。
。得られたフィールドエミッターの特性は実施例５と同
様であった。
実施例７゜
実施例６におけるＣ２Ｈ，ガスにより処理した後、再度
超高真空に排気した後、０□を導入し、ｌ×１０− ’
Ｔｏｒｒの真空下にし、１０００℃で２０秒間加熱した
。
超高真空に排気した後、０□を導入し、ｌ×１０− ’
Ｔｏｒｒの真空下にし、１０００℃で２０秒間加熱した
。
以下実施例４と同様にしてフィールドエミッターを得た
。得られたフィールドエミッターの特性は実施例４と同
様なものであった。
。得られたフィールドエミッターの特性は実施例４と同
様なものであった。
発明の効果
本発明の方法によると、ＮｂＣＮ単結晶から高安定性を
示すフィールドエミッターを容易に製造することができ
、特に１ ×１Ｑ−１１１Ｔｏｒｒの超高真空下でも、
電流雑音±０．２％以下、ドリフト±０．２％／ｈｒ以
下で、電子放射特性の優れたものが得られる効果を有す
る。
示すフィールドエミッターを容易に製造することができ
、特に１ ×１Ｑ−１１１Ｔｏｒｒの超高真空下でも、
電流雑音±０．２％以下、ドリフト±０．２％／ｈｒ以
下で、電子放射特性の優れたものが得られる効果を有す
る。
第１図はＮｂＣｏ、 ｑｓＮｏ、 ｏ＋ ＜ １１０
＞フィールドエミッターの１５５０℃フラッシュ加熱後
のチップ先端形状、第２図は１５５０℃のフラッシュ加
熱後の清浄表面からのエミッションパターン、第３図は
本発明の方法で得られたフィールドエミッターのエミッ
ションパターン、第４図は本発明の方法で得られたフィ
ールドエミッターの全放射電流の経時変化を示し、ａは
）１２Ｓガス、酸素ガス、のみにより表面処理した場合
、ｂはＣｔＨ４またはｌＩｇｓで処理した後、さらに、
酸素ガスで表面処理した場合を示す（真空度１ ×１Ｑ
−１０Ｔｏｒｒの場合である。）。 第 ７ 図
＞フィールドエミッターの１５５０℃フラッシュ加熱後
のチップ先端形状、第２図は１５５０℃のフラッシュ加
熱後の清浄表面からのエミッションパターン、第３図は
本発明の方法で得られたフィールドエミッターのエミッ
ションパターン、第４図は本発明の方法で得られたフィ
ールドエミッターの全放射電流の経時変化を示し、ａは
）１２Ｓガス、酸素ガス、のみにより表面処理した場合
、ｂはＣｔＨ４またはｌＩｇｓで処理した後、さらに、
酸素ガスで表面処理した場合を示す（真空度１ ×１Ｑ
−１０Ｔｏｒｒの場合である。）。 第 ７ 図
Claims (1)
- 炭窒化ニオブ単結晶エミッターを、１０００〜１２００
℃の下で、酸素ガスによる表面処理、炭化水素ガスによ
る表面処理及びＨ＿２ＳまたはＳを含んだガスによる表
面処理の単独もしくは２種の組合せ処理を施した後、超
高真空下で１０＾８Ｖ／ｃｍ以上の強電界を印加するこ
とを特徴とする炭窒化ニオブエミッターの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62113334A JPS63279535A (ja) | 1987-05-08 | 1987-05-08 | 炭窒化ニオブフイ−ルドエミツタ−の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62113334A JPS63279535A (ja) | 1987-05-08 | 1987-05-08 | 炭窒化ニオブフイ−ルドエミツタ−の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63279535A true JPS63279535A (ja) | 1988-11-16 |
Family
ID=14609607
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62113334A Pending JPS63279535A (ja) | 1987-05-08 | 1987-05-08 | 炭窒化ニオブフイ−ルドエミツタ−の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63279535A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001519076A (ja) * | 1997-04-02 | 2001-10-16 | イー・アイ・デユポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー | 金属−酸素−炭素電界エミッタ |
| US6348761B1 (en) | 1993-12-28 | 2002-02-19 | Canon Kabushiki Kaisha | Electron beam apparatus and image-forming apparatus |
| US20080217555A1 (en) * | 2003-10-16 | 2008-09-11 | Ward Billy W | Systems and methods for a gas field ionization source |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS559775B2 (ja) * | 1973-05-30 | 1980-03-12 | ||
| JPS6091528A (ja) * | 1983-10-25 | 1985-05-22 | Natl Inst For Res In Inorg Mater | 遷移金属化合物からなるフイ−ルド・エミツタ− |
| JPS6280937A (ja) * | 1985-10-02 | 1987-04-14 | Natl Inst For Res In Inorg Mater | 高性能フイ−ルドエミツタ−の製造方法 |
| JPS6280938A (ja) * | 1985-10-02 | 1987-04-14 | Natl Inst For Res In Inorg Mater | チタン化合物フイ−ルドエミツタ−の製造方法 |
| JPS6280936A (ja) * | 1985-10-02 | 1987-04-14 | Natl Inst For Res In Inorg Mater | フイ−ルドエミツタ−の製造方法 |
-
1987
- 1987-05-08 JP JP62113334A patent/JPS63279535A/ja active Pending
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS559775B2 (ja) * | 1973-05-30 | 1980-03-12 | ||
| JPS6091528A (ja) * | 1983-10-25 | 1985-05-22 | Natl Inst For Res In Inorg Mater | 遷移金属化合物からなるフイ−ルド・エミツタ− |
| JPS6280937A (ja) * | 1985-10-02 | 1987-04-14 | Natl Inst For Res In Inorg Mater | 高性能フイ−ルドエミツタ−の製造方法 |
| JPS6280938A (ja) * | 1985-10-02 | 1987-04-14 | Natl Inst For Res In Inorg Mater | チタン化合物フイ−ルドエミツタ−の製造方法 |
| JPS6280936A (ja) * | 1985-10-02 | 1987-04-14 | Natl Inst For Res In Inorg Mater | フイ−ルドエミツタ−の製造方法 |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6348761B1 (en) | 1993-12-28 | 2002-02-19 | Canon Kabushiki Kaisha | Electron beam apparatus and image-forming apparatus |
| US6459207B1 (en) | 1993-12-28 | 2002-10-01 | Canon Kabushiki Kaisha | Electron beam apparatus and image-forming apparatus |
| US6555957B1 (en) | 1993-12-28 | 2003-04-29 | Canon Kabushiki Kaisha | Electron beam apparatus and image-forming apparatus |
| JP2001519076A (ja) * | 1997-04-02 | 2001-10-16 | イー・アイ・デユポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー | 金属−酸素−炭素電界エミッタ |
| US20080217555A1 (en) * | 2003-10-16 | 2008-09-11 | Ward Billy W | Systems and methods for a gas field ionization source |
| US9159527B2 (en) * | 2003-10-16 | 2015-10-13 | Carl Zeiss Microscopy, Llc | Systems and methods for a gas field ionization source |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3380313B2 (ja) | ダイヤモンド電界効果トランジスタ | |
| JPS585496B2 (ja) | 安定な熱電界放出陰極を再生可能に製造する方法 | |
| JPS63279535A (ja) | 炭窒化ニオブフイ−ルドエミツタ−の製造方法 | |
| JP2851727B2 (ja) | 放電灯用電極 | |
| US6447851B1 (en) | Field emission from bias-grown diamond thin films in a microwave plasma | |
| US20080116446A1 (en) | Electron Emission Element and Electron Emission Element Fabrication Method | |
| JPH0311054B2 (ja) | ||
| JPS6280938A (ja) | チタン化合物フイ−ルドエミツタ−の製造方法 | |
| JPS61190830A (ja) | チタンオキシカーバイドエミッターの製造方法 | |
| JPH01209634A (ja) | 炭窒化ニオブフィールドエミッターの作製方法 | |
| JPS6280936A (ja) | フイ−ルドエミツタ−の製造方法 | |
| JPS6229032A (ja) | 高安定フイ−ルドエミツタ−の製造方法 | |
| JPH03735B2 (ja) | ||
| JPH0441452B2 (ja) | ||
| JPS61153918A (ja) | 高安定電子放射特性を示すフイ−ルドエミツタ−の製造方法 | |
| JP2739966B2 (ja) | 熱電界放射電子源の製造方法 | |
| JPH03274642A (ja) | 高輝度Ｌ↓ａＢ↓６陰極 | |
| JPS6280937A (ja) | 高性能フイ−ルドエミツタ−の製造方法 | |
| JPS58209844A (ja) | 電界電離型イオン源 | |
| JPS6472533A (en) | Manufacture of single crystal semiconductor substrate | |
| JPH0461724A (ja) | 炭化ニオブフィールドエミッターの作製方法 | |
| JPS5659422A (en) | Field emissive cathode | |
| JPS5971242A (ja) | 高安定高輝度電子ビ−ムの発生法 | |
| JPH0433096B2 (ja) | ||
| JPH03280471A (ja) | 半導体装置の製造方法 |