JPS63279447A - 光磁気記録媒体作成装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の属する技術分野〕 本発明は、レーザー光などの光（ここで言う光とは上記
レーザー光を含む各種波長のエネルギー線のことである
。）によって情報の記録・再生・消去などを行う光学磁
気記録媒体の作製装置、とくにスパッタリング法による
光学磁気記録媒体の作製装置に関する。

〔従来技術の説明〕

近年、高密度・大容量のメモリとしてレーザー光を用い
た光メモリ素子の研究および開発が急ピンチで行われて
いる。中でも、光磁気記録は占き換えが可能な記録方法
として注目をあびており、該記録に用いられる光学的磁
気記録媒体は書き換えが可能な光メモリ素子として大い
に期待されている。

従来、このような光磁気記録に用いられる光学的磁気記
録媒体の光磁気記録層を構成する材料としては、ＭｎＢ
１系、ガーネット系、希土類−遷移金属アモルファス系
などが代表的なものとして知られている。ＭｎＢ１系は
、キューリ一温度が高いため、記録の際にパワーの大き
なレーザーを必要とし、また粒界ノイズが多いため、Ｓ
／Ｎ比の高い再生が実施できないという欠点があり、ガ
ーネット系では光の透過率が大きいため、記録の際にパ
ワーの大きなレーザーが必要となる欠点があった。その
中で、希土類−遷移金属アモルファス系はキューリー１
変が低く、また光の透過率も比較的小さいため、両者の
欠点を補うものとして！ｔｌＩ待されている。

上述のごとき光ＧＮ気記録層を作製する方法としては、
前便でしかも量産性が高い等の点からスパックリング法
による作製方法が用いられており、そのための装置も提
案されている。

第５図は、従来のスパッタリング法による光磁気記録媒
体の作製装置の典型的−例を模式的に示す断面略図であ
る。該図において、１は反応容器、２は基板３を装着し
た陽極、４はクーゲット５を装着した陰極であり、基板
３とターゲット５とが互いに対向するように設置されて
いる。

こうした従来のスパッタリング法による光磁気記録媒体
の作製装置の操作は次のようにして行われる。即ち、反
応容器ｌ内を排気手段（図示せず）を介して真空排気し
、次にスパッタリングガス、例えばアルゴンガスを反応
容器１内に導入する。

これと同時併行的に、例えば高周波を陽極２及び陰極４
間に印加し、プラズマ放電を発生せしめる。

かくして反応容器１内のアルゴンガスは励起されてＴａ
ｆＭし、アルゴンイオンとなって陰極であるターゲット
５に衝突し、該衝突によってはじき出されたターゲット
物質は基板３表面に到達し、該表面に付着して光磁気記
録薄膜を形成する。

ところで、上述のごとき従来の装置を用いて光磁気記録
媒体を作製する場合、基板上に形成される光磁気記録薄
膜の膜厚は、クーゲットと基板の面積比が大きくなるに
従って、基板の中心と外周部とで膜厚の差が生じ、膜厚
分布のバラツキとなる。該膜厚分布のバラツキは、反射
率のムラとなり、トラッキングやフォーカス信号の変動
となってあられれ、読み出し特性に大きな影響を与える
という問題がある。

こうした膜厚分布のムラは、一般にターゲットと基板の
大きさ、基板とターゲットとの距離、基板とターゲット
の偏心、成膜速度、基板の回転速度等によって決まるこ
とが知られており、これらの諸条件を制御することによ
り膜厚分布のムラを防止することが試みられてはいるも
のの、小面積から大面積の基板に対して、膜厚分布が常
に均一になるようにすることは困難であった。

現在、光磁気記録媒体は多様化してきており、各種幅広
い特性を有する光磁気記録媒体を作製するとともに、小
面積から大面積の光磁気記録媒体を定常的に量産化しう
る装置を開発するについて、形成される光磁気記録層の
膜厚及び膜質の均一化を図るという課題は、より一層重
大なものとなってきている。

〔発明の目的〕

本発明は、従来の希土類及び遷移金属を含有する非晶質
合金で構成される光磁気記録層を有する光磁気記録媒体
を作製する装置について、上述の諸問題を解決し、上述
の要求を満たす装置を提供することを目的とするもので
ある。

即ち、本発明の主たる目的は、形成される光磁気記録層
の膜厚、膜質及び緒特性の均一化を図るとともに、生産
性の向上、特に量産化を可能にして、同時に大面積化を
可能とするスパッタリング法による光磁気記録媒体の作
製装置を提供することにある。

また、本発明の別の目的は、装置構成が簡単で、種々の
特性を有する光磁気記録媒体を量産化しうるスパッタリ
ング法による光磁気記録媒体作製装置を提供することに
ある。

〔発明の構成及び効果〕

本発明者は、従来のスパッタリング法による光磁気記録
媒体作製装置についての諸問題を克服して、上述の目的
を達成すべく鋭意研究を重ねた結果、ターゲットと基板
との間に、外周部から中心部にかけて開口部の大きさが
密に変化している膜厚補正板を設けることにより、形成
される光６ｎ気記録ＦｕＪの膜厚分布を均一にしうると
いう知見を得た。

本発明は、該知見に基づいて、更に研究を重ねた結果完
成せしめたものであり、希土類、遷移金属を含有する非
晶質合金からなり基板に垂直に磁化容易軸を有する記録
層となる光磁気記録薄膜をスパッタリング法により作製
する光磁気記録媒体作製装置であって、反応空間内に対
向して設置されている基板とターゲットとの間に、外周
部から中心部にむけて開口部の大きさが密に変化してい
る膜厚補正板を設けたことを特徴とするものである。

以下、本発明の装置について図面を用いて詳しく説明す
るが、本発明はこれによって限定されるものではない。

第１図は、本発明の光磁気記録媒体作製装置の典型的な
実施例を模式的に示す構造略図である。

第１図において、前述の第２図で付したと同一の符号が
付しであるものは第２図と同一のものを示しており、■
は反応容器、２は基板３を装着した陽極であり、光磁気
記録薄膜の形成中、基体３を回転しうるようになってい
る。４はターゲット５を装着した陰極であり、基板３と
ターゲット５とが互いに対向するように設置されている
。６は膜厚分布を均一にするために設けられる膜厚補正
板であり、基板３とターゲット５の間で、しかも基板に
近い側に配置されている。該膜厚補正板６は、外周部か
ら中心部に向けて、開口径が＃５゜から＃４００に密に
変化する開口部を有するメツシュで形成されている。１
亥メツシユの才■さは基１反の大きさや基板上に形成さ
れる膜厚分布の緒特性によって、開口部の密度を変える
ことが望ましい。

第２図は、こうしたＨり厚補正板を模式的に示す図であ
る。

本発明の装置においては、ターゲット５がら飛来したタ
ーゲット物質は、上述の膜厚補正板６の開口部を通過し
て、基板３上に到達するが、膜厚補正板６に設けられた
開口部の大きさが外周部から中心部に向けて変化してい
るため、ターゲット物質の通過が制御されることによっ
て、基板３上に到達するターゲット物質が均一となり、
膜厚分布が均一な光磁気記録薄膜を形成することができ
゛る。

〔実施例〕

以下、本発明の装置を用いて光ｉｆｆ気記録媒体を作製
した実施例及び比較例を用いて本発明をより詳しく説明
するが、本発明はこれによって限定されるものではない
。

ス」ｌ建１ 第１図に示す装置において、光磁気記録薄膜を形成せし
める基板２とターゲット５の間の基板側に開口部が外周
部＃５０中心部＃４００と段階的に変化している直径１
２５ｍｍの膜厚補正板を配置し、真空容器内でプラズマ
放電により生起させたアルゴンイオンをターゲットに衝
突させ、該の衝突によりはじき出されたターゲット物質
を回転した基板直径φ３０ｏｍｌ上に作成したところ、
膜厚分布　　±１．２％以内 反射率分布　±１．０％以内 となり、均一性の優れた光磁気記録媒体を作製すること
ができた。

ル較班 実施例１と同条件で膜厚補正板を設置せず基板を回転さ
せ作成したところ、 膜厚分布　　±７％以内 反射率分布　±４％以内 となり、実施例１と比べると明らかに作成した光磁気記
録媒体の均一性が低いことがわがった。

尖践田又 実施例１の装置において外周部から内周部にかけて開口
部の面積が第３図に示すように変化している膜厚補正板
を基板とターゲットの間に設けて回転している基板直径
φ３００　龍の基板に作成したとこる、 膜厚分布　　±１．５％以内 反射率分布　±１．０％以内 となり、実施例１と同様均一性の優れた光磁気記録薄膜
を作製することができた。

去施炎主 実施例１と同様の装置においてターゲット形状が２００
■１×１５Ｑｍｓの角形ターゲットを設置し、Ｓ厚補正
板の開口部が外周部＃５ｏ中心部＃　３００と段階的に
変化している膜厚補正板（第４図参照）を設けて実施例
１と同条件で作成したところ、膜厚分布　　±１．２％
以内 反射率分布　±１．０％以内 となり均一性の優れた光磁気記録薄膜を作成することが
できた。

本実施例１〜３では基板とターゲットの間に膜厚補正板
を設は基板を回転させる作製装置について説明したが、
基板を回転させない光磁気記録薄膜作製装置においても
基板とターゲットの間に外周部から内周部にかけて開口
部が密に変化している膜厚補正板を設けることにより膜
ムラの均一な光磁気記録薄膜を作成することが可能であ
る。

ただしその場合、膜厚補正板の位置は基板が回転しない
ため基板側に設置すると膜厚補正板自身による膜ムラを
生じてしまうため設置位置はターゲット側に設置する。

以下変形例について詳細に説明する。

去膳五↓ 実施例１の装置において、開口部が外周部＃５゜中心部
＃４００と段階的に変化している膜厚補正板直径φ１３
０＋＊ｍをターゲット直径１２５ｆｉの高さ１５ｍ上に
設置し基板を回転せず実施例と同条件で作成したところ
、 膜厚分布　　±１．５％以内 反射率分布　±１．２％以内 となり、均一性の優れた光磁気記録媒体を作製すること
ができるようになった。

天財Ｉ引Σ 実施例１の’ＡＨにおいてターゲット形状２００ｍｍＸ
１５０ｍ−の角形ターゲットから高さ１５ｍ５上に外周
部＃５０中心部＃４００と段階的に変化している膜厚補
正板２２０■ｌＸ１７Ｑ＋ｎを設置し基板形状３００ｍ
■×２００■■上に実施例Ｉと同条件で作製したところ
表１のような結果となり、均一性の優れた光磁気記録薄
膜を作成することができた。

表　　　　　　１ 〔発明の効果の８Ｉ要〕 以上説明したように光磁気記録媒体作製装置において基
板とターゲットの間に外周部と内周部とで開口部の密度
を変えた膜厚補正板を設けることにより基板の面積がφ
３００ｍまでの大面積への作製が可能となった。又基板
の回転、ターゲットの形状に拘わらす膜厚補正板の外周
部と内周部の開口部の密度を変えることにより均一性の
優れた光磁気記録薄膜を作製することができるようにな
り、従来装置の問題点であるところの大面積の基板に対
しての膜厚分布のムラを解消することができるものであ
る。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の光磁気記録媒体作製装置の典型例を模
式的に示す構成略図であり、第２図は本発明の実施例１
の膜厚補正板の模式図、第３図は本発明の実施例２の膜
厚補正板の模式図、第４図は実施例３の膜厚補正板の模
式図である。第５図は従来のスパッタリング法よる作製
装置を示す模式図である。 図において、■・・・反応容器、２・・・陽極、３・・
・基板、４・・・陰極、５・・・ターゲット、６・・・
膜厚補正板。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 希土類及び遷移金属を含有する非晶質合金からなり基板
   面に垂直に磁化容易軸を有する記録層となる光磁気記録
   薄膜をスパッタリング法により作製する光磁気記録媒体
   作製装置であって、反応空間内に対向して設置されてい
   る基板とターゲットとの間に、外周部から中心部にむけ
   て開口部の大きさが密に変化している膜厚補正板を設け
   たことを特徴とするスパッタリングによる光磁気記録媒
   体作製装置。