JPS63277556A - 超伝導酸化物焼結体の製造方法 - Google Patents
超伝導酸化物焼結体の製造方法Info
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- JPS63277556A JPS63277556A JP62113335A JP11333587A JPS63277556A JP S63277556 A JPS63277556 A JP S63277556A JP 62113335 A JP62113335 A JP 62113335A JP 11333587 A JP11333587 A JP 11333587A JP S63277556 A JPS63277556 A JP S63277556A
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E40/00—Technologies for an efficient electrical power generation, transmission or distribution
- Y02E40/60—Superconducting electric elements or equipment; Power systems integrating superconducting elements or equipment
Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は一般式ＢａＪＣｕ３０ｔ−８（ただし、ＲはＹ
。
。
Ｇｄ、 Ｔｂ、 Ｄｙ、 Ｈｏ、またはＥｒ、 Ｘ ＝
０．０〜０．９を表わす。以下同じ）で示される化学組
成を持つ超伝導酸化物焼結体の製造方法に関する。
０．０〜０．９を表わす。以下同じ）で示される化学組
成を持つ超伝導酸化物焼結体の製造方法に関する。
従来技術
一般式ＢａｔＲＣｕ３０７−ｘで示される化合物は、超
伝導体として知られており、この超伝導体はＴｃ≧９０
にと言う高温度の転移点を有するが、Ｔｅ付近で導入で
きる電流密度、即ち臨界電流密度（Ｉｃ）はさほど大き
くなく、中には１〜２Ａ／ｅ１ｍ”以下のものもある。
伝導体として知られており、この超伝導体はＴｃ≧９０
にと言う高温度の転移点を有するが、Ｔｅ付近で導入で
きる電流密度、即ち臨界電流密度（Ｉｃ）はさほど大き
くなく、中には１〜２Ａ／ｅ１ｍ”以下のものもある。
このＩｃを向上させると利用範囲は拡大される。
従って、より高いＴｃとより大きなＩｃを持つ材料にす
ることが重要な課題である。
ることが重要な課題である。
発明の目的
本発明は前記課題を解決すべくなされたもので、その目
的は高いＴｃを持ち、かつ大きなＩｃを同時に持つ超伝
導体の製造方法を提供するにある。
的は高いＴｃを持ち、かつ大きなＩｃを同時に持つ超伝
導体の製造方法を提供するにある。
発明の構成
本発明者らは前記目的を達成すべく鋭意研究の結果、一
般式ＢａＪＣｕｓＯｔ−ｘで示される原料粉末（以下Ｒ
はＹを代表として記載する）であるＢａＣ０３またはＢ
ａＯ、ｙｚｏ３． ＣｕＯを組成割合に混合し、これを
１気圧の酸素気流中で８５０〜９００℃で加熱して前記
一般式組成の酸化物組成物とする。この組成物は斜方晶
系相でａ＝３．８８、ｂ＝３．８２、Ｃ＝１１．６９人
程度の格子定数を存す。
般式ＢａＪＣｕｓＯｔ−ｘで示される原料粉末（以下Ｒ
はＹを代表として記載する）であるＢａＣ０３またはＢ
ａＯ、ｙｚｏ３． ＣｕＯを組成割合に混合し、これを
１気圧の酸素気流中で８５０〜９００℃で加熱して前記
一般式組成の酸化物組成物とする。この組成物は斜方晶
系相でａ＝３．８８、ｂ＝３．８２、Ｃ＝１１．６９人
程度の格子定数を存す。
この組成物を成形し、これをアルミするつぼ中のＣｕＯ
とＹｚ（ｈ、 Ａｈ０３ 、 ＭｇＯの１種または２種
以上との混合粉末からなるつめ粉中に埋込み、１気圧以
上の酸素ガス中で７００〜９３０℃で加熱すると、高い
Ｔｃを持ち、大きなＩｃを持つ超伝導体が得られること
を究明し得た。この知見に基づいて本発明を完成した。
とＹｚ（ｈ、 Ａｈ０３ 、 ＭｇＯの１種または２種
以上との混合粉末からなるつめ粉中に埋込み、１気圧以
上の酸素ガス中で７００〜９３０℃で加熱すると、高い
Ｔｃを持ち、大きなＩｃを持つ超伝導体が得られること
を究明し得た。この知見に基づいて本発明を完成した。
本発明の要旨は
ＢａＪＣｕＪｔ−ｘ （ただしＲはＹ、 Ｇｄ、 Ｔ
ｂ、 Ｄｙ、 Ｈｏ。
ｂ、 Ｄｙ、 Ｈｏ。
またはＥｒ、、Ｘ ＝０．０〜０．９を表わす）で示さ
れる該組成酸化物成形体を、ＣｕＯとＹｚ（ｈ＋ Ａｈ
（ｈ８ＭｇＯの１種または２種以上との混合粉末中に埋
め込み、７００〜９３０℃で１気圧以上の酸素雰囲気中
で焼成することを特徴とする超伝導酸化物焼結体の製造
法、にある。
れる該組成酸化物成形体を、ＣｕＯとＹｚ（ｈ＋ Ａｈ
（ｈ８ＭｇＯの１種または２種以上との混合粉末中に埋
め込み、７００〜９３０℃で１気圧以上の酸素雰囲気中
で焼成することを特徴とする超伝導酸化物焼結体の製造
法、にある。
焼結温度が７００℃より低いと焼結反応が完了せず得ら
れる焼結体のＩｃは低く 、９３０℃を超えると一 液相、出現し易くなる。従って、焼結温度は７００〜９
３０℃、好ましくは７００〜９００℃である。
れる焼結体のＩｃは低く 、９３０℃を超えると一 液相、出現し易くなる。従って、焼結温度は７００〜９
３０℃、好ましくは７００〜９００℃である。
酸素ガス圧は１気圧でもよいが、高くする方がＩｃを大
きくするので好ましい。
きくするので好ましい。
つめ粉のＣｕＯとＹ２Ｏ３，Ａｌ２Ｏ３、ＭｇＯ（以下
総称して希釈剤と言う）との混合割合は、希釈剤の割合
が５〜７５重世％、好ましくは１０〜７５重量％である
ことがよい。５重量％より少ないとＣｕＯ同志が焼結し
易く導電性が不規則となり、表面の一部分にＣｕＯが過
剰に入りＴｃを低下させる。７５重量％を超えるとつめ
粉を使用しない場合と比べ効果の差違が小さくなる。
総称して希釈剤と言う）との混合割合は、希釈剤の割合
が５〜７５重世％、好ましくは１０〜７５重量％である
ことがよい。５重量％より少ないとＣｕＯ同志が焼結し
易く導電性が不規則となり、表面の一部分にＣｕＯが過
剰に入りＴｃを低下させる。７５重量％を超えるとつめ
粉を使用しない場合と比べ効果の差違が小さくなる。
このつめ粉を使用して焼成すると、成形体からＣｕＯの
脱離がなく、効果的にＢａｚＲＣｕｚＯｙ−ｘ中のＸ量
即ち酸素欠陥量を少なくし得られる。
脱離がなく、効果的にＢａｚＲＣｕｚＯｙ−ｘ中のＸ量
即ち酸素欠陥量を少なくし得られる。
実施例１゜
ＢａｚＹＣＩＪ＋０６． ｓの組成になるように、Ｂａ
Ｃ０１，ＹｚＯ：＋。
Ｃ０１，ＹｚＯ：＋。
ＣｕＯ粉末を秤量混合した。この混合物を１気圧の酸素
ガスを０．５１ｔ ／ｗｉｎの流量で流した９００℃の
炉中に入れ、２４時間処理した。これを炉中から取り出
し、約１２．７ｍｍ径、厚さ２ｎの成形体を作り、これ
をアルミするつぼ中に入れたＡｌｔｏｓ ６６重量％。
ガスを０．５１ｔ ／ｗｉｎの流量で流した９００℃の
炉中に入れ、２４時間処理した。これを炉中から取り出
し、約１２．７ｍｍ径、厚さ２ｎの成形体を作り、これ
をアルミするつぼ中に入れたＡｌｔｏｓ ６６重量％。
ＣｕＯ３４重量％からなるつめ粉中に埋め込み、上記と
同じ条件で２７時間焼成した。得られた焼結体を直流４
端子法で抵抗測定を行ったところ、Ｔｃ （ｅ）（完全
に抵抗が零となる温度）が９２に％Ｉｃ≧７４Ａ／ｃｍ
”であった。
同じ条件で２７時間焼成した。得られた焼結体を直流４
端子法で抵抗測定を行ったところ、Ｔｃ （ｅ）（完全
に抵抗が零となる温度）が９２に％Ｉｃ≧７４Ａ／ｃｍ
”であった。
実施例２゜
Ｂａ、ＹＣｕｓＯｈ、 ｓ組成になるようにした混合粉
末を実施例１と同じ条件で反応時間のみを４８時間とし
て生成物を得た。この生成物の成形体を実施例１と同様
にして同じつめ粉中、同条件で３９時間焼成した。得ら
れた焼結体はＴｃ（ｅ）＝９１Ｋ 、 Ｉｃ≧１３ＯＡ
／Ｃ１１”であった。なお、Ｙ！０３に代えＧｄ、 Ｔ
ｂ、 Ｄｙ、 Ｈｏ＋Ｅｒを使用した場合も同様にＩｃ
を向上させることができる。
末を実施例１と同じ条件で反応時間のみを４８時間とし
て生成物を得た。この生成物の成形体を実施例１と同様
にして同じつめ粉中、同条件で３９時間焼成した。得ら
れた焼結体はＴｃ（ｅ）＝９１Ｋ 、 Ｉｃ≧１３ＯＡ
／Ｃ１１”であった。なお、Ｙ！０３に代えＧｄ、 Ｔ
ｂ、 Ｄｙ、 Ｈｏ＋Ｅｒを使用した場合も同様にＩｃ
を向上させることができる。
実施例３゜
実施例２と同様にして得た生成物の成形体を１８時間（
実施例２と同条件）焼成し、さらに４気圧の酸素中９０
０℃で２４時間焼成した。得られた焼成体はＴｃ（ｅ）
＝８３Ｋ 、 Ｉｃ≧１９３Ａ／ｃａ”であった。使
用したつめ粉は実施例１と同じ物であった。
実施例２と同条件）焼成し、さらに４気圧の酸素中９０
０℃で２４時間焼成した。得られた焼成体はＴｃ（ｅ）
＝８３Ｋ 、 Ｉｃ≧１９３Ａ／ｃａ”であった。使
用したつめ粉は実施例１と同じ物であった。
実施例４゜
実施例２と同様にして得られた生成物の成形体を焼成条
件を変えた場合の結果は次の通りであった。
件を変えた場合の結果は次の通りであった。
７００ ４２ １ ＡｈＯｓ ７０ ９３
２０９００ ４２ １ Ａｈ０３ １０
８２ ３２９００ ４２ １ Ａｌｔｏ３５０
９２ ８２９００ ４０ １ ｙｚｏ、１５
０ ９０ ６５９００ ４１ １ ＭｇＯ５０
８７６２９００３５１ＡｈＯｚ、Ｍｇ０ ６０ ８６
５８９５０ ２ １ Ａ１ｚＯ３ｓｏ ５
２ −比較例１゜ 実施例２で得られた生成物を成形体を、つめ粉を使用せ
ず、１気圧酸素気流中で４７時間焼成した。
２０９００ ４２ １ Ａｈ０３ １０
８２ ３２９００ ４２ １ Ａｌｔｏ３５０
９２ ８２９００ ４０ １ ｙｚｏ、１５
０ ９０ ６５９００ ４１ １ ＭｇＯ５０
８７６２９００３５１ＡｈＯｚ、Ｍｇ０ ６０ ８６
５８９５０ ２ １ Ａ１ｚＯ３ｓｏ ５
２ −比較例１゜ 実施例２で得られた生成物を成形体を、つめ粉を使用せ
ず、１気圧酸素気流中で４７時間焼成した。
得られた焼成体はｋ（ｅ）＝８２Ｋ 、 Ｉｃ＝７．２
Ａ／ｃｍ”であった。
Ａ／ｃｍ”であった。
発明の効果
本発明の方法によると、ＣｕＯとＹｚＯ＋、 Ａｌｚ（
ｈ 。
ｈ 。
？１ｇＯの１種または２種以上との混合粉末からなるつ
め物中に一般式ＢａＪＣｕ３０ｔ−８成形体を埋込み、
酸素ガス中で焼成することにより、高いＴｃを持ち、き
わたった臨界電流密度（Ｉｃ）の向上させたものが得ら
れる優れた効果を有する。
め物中に一般式ＢａＪＣｕ３０ｔ−８成形体を埋込み、
酸素ガス中で焼成することにより、高いＴｃを持ち、き
わたった臨界電流密度（Ｉｃ）の向上させたものが得ら
れる優れた効果を有する。
Claims (1)
- Ｂａ＿２ＲＣｕ＿３Ｏ＿７＿−＿ｘ（ただしＲはＹ、Ｇ
ｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、またはＥｒ、Ｘ＝０．０〜０．
９を表わす）で示される該組成酸化物成形体を、ＣｕＯ
とＹ＿２Ｏ＿３、Ａｌ＿２Ｏ＿３、ＭｇＯの１種または
２種以上との混合粉末中に埋込み、７００〜９３０℃で
１気圧以上の酸素雰囲気中で焼成することを特徴とする
超伝導酸化物焼結体の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62113335A JPS63277556A (ja) | 1987-05-08 | 1987-05-08 | 超伝導酸化物焼結体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62113335A JPS63277556A (ja) | 1987-05-08 | 1987-05-08 | 超伝導酸化物焼結体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63277556A true JPS63277556A (ja) | 1988-11-15 |
| JPH0574545B2 JPH0574545B2 (ja) | 1993-10-18 |
Family
ID=14609634
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62113335A Granted JPS63277556A (ja) | 1987-05-08 | 1987-05-08 | 超伝導酸化物焼結体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63277556A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63307115A (ja) * | 1987-06-08 | 1988-12-14 | Agency Of Ind Science & Technol | 酸化物超伝導体の製造方法 |
-
1987
- 1987-05-08 JP JP62113335A patent/JPS63277556A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63307115A (ja) * | 1987-06-08 | 1988-12-14 | Agency Of Ind Science & Technol | 酸化物超伝導体の製造方法 |
| JPH0453817B2 (ja) * | 1987-06-08 | 1992-08-27 | Kogyo Gijutsuin |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0574545B2 (ja) | 1993-10-18 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |