JPS63277048A - 磁束伝達回路 - Google Patents

磁束伝達回路

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JPS63277048A
JPS63277048A JP62074887A JP7488787A JPS63277048A JP S63277048 A JPS63277048 A JP S63277048A JP 62074887 A JP62074887 A JP 62074887A JP 7488787 A JP7488787 A JP 7488787A JP S63277048 A JPS63277048 A JP S63277048A
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Yukiko Ogura
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、強い磁場変化の存在する環境下での比較的微
弱な磁束の測定を行うのに好適な磁束伝遠回路に関し、
例えば、核磁気共鳴(以下、rNMR」という)信号を
、5QUID磁束計を用いて高感度に検出する場合に適
用できる。
〔従来の技術〕
公知の原理による5QUID磁気計では、被測定磁束を
磁束計部分まで伝達する手段として、超伝導を利用した
磁束伝達回路を備えているものが知られている。
また、上述のNMR装置に5QUID磁束計を用いた装
置として、アプライド・フィジックス・レター誌第47
巻第6号(1985年)第637〜639頁(Appl
P hys、 L ett、vol、47(6) 、1
985.pp、637−639)において論じられてい
る装置においては、周知の方法で静磁場中の対象物体に
NMRを励起する電磁波を印加し、発生した対象物体か
らのN M R信号を、液体ヘリウム中に浸漬された受
信コイルと共振キャパシタから成る高選択度のLC共振
回路で受信し、5QUID磁束計により検出している。
〔発明が解決しようとする問題点〕
上述のNMR装置に5QUID磁束計を用いた装置では
、コンデンサの損失による固定抵抗が共振回路にあるた
め、ここから熱雑音が発生し、S/Nが制限されるとい
う問題があった。これを除去するためには、共振回路を
用いず、超伝導の磁束伝達回路を介してNMR信号を5
QUID磁束計に直接導入することが考えられるが、こ
の方法では、磁束伝達回路にNMR装置の強い静磁場に
応じた遮蔽電流が流れるため、検出精度が劣化するとい
う問題が生ずる。
また、NMRイメージング装置では、更に、信号検出の
前に傾斜磁場が印加され、これによって発生する誘導電
流も検出精度劣化の原因になる。
なお、上記静磁場、傾斜磁場はともに信号検出中は時間
変化しないため、以下の説明においては、この静磁場と
傾斜磁場の和を「直流磁場」ということにする、この直
流磁場は、信号検出中は時間変化しないが、その前後で
は矩形的に変化する。
本発明は上記事情に鑑みてなされたもので、その目的と
するところは、従来の磁束伝達回路における上述の如き
問題を解消し、強い磁場変化の存在する環境下でも、微
弱な磁束を伝達することが可能な磁束伝達回路を提供す
ることにある。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明の上記目的は、信号検出中には時間的に変化しな
い直流磁場に重畳する交流磁束信号を伝達する磁束伝達
回路において、前記交流磁束信号を受信する受信コイル
と、受信信号を磁束計に入力する入力コイルとを有する
超伝導閉ループの一部を、可変抵抗で置換し、該可変抵
抗の抵抗値が前記直流磁場の変化に同調して変化する如
く構成したことを特徴とする磁束伝達回路によって達成
される。
〔作用〕
例えば、前記NMRイメージング装置においては、傾斜
磁場の印加と、微弱な交流磁束信号の検出が繰り返され
る。そこで、磁束伝達回路に設けた可変抵抗は、傾斜磁
場が増減する直前には高抵抗状態となって誘導電流を速
やかに減衰させ、検出したい交流磁束信号が出力される
直前には、低抵抗状態となって熱雑音を発生させないよ
うに動作する必要がある。
前述の如く構成された本発明に係わる磁束伝達回路を前
記NMRイメージング装置に適用した場合、一般に、受
信コイルは、直流磁場による磁束Φ日と、角周波数ωの
交流磁束信号Φ。(t)sinωtとを受信する。ここ
で、Φ8)Φ。(1)であり、また、傾斜磁場の印加と
交流磁束信号発生には、一定時間t0の間隔がある。
受信コイルと入力コイルのインダクタンスの和をLとす
ると、直流磁場がかかると発生する電流値はI=Φ、/
Lである。このとき、前記可変抵抗を高抵抗Rの状態に
すれば、上述の電流は時定数τ=L/Rで減衰する。こ
こで、Rはto>τとなるように十分大きくとることが
できる。
次に、磁束信号を検出するときは、前記可変抵抗は低抵
抗rにする。この電流の時定数はL/rで与えられるが
、熱雑音は rに比例するため、信号が測定時間内で減
衰せず、かつ、熱雑音が十分小さくなるように、設定す
る。上記rは小さい程良いが、rを零(超伝導)にする
と、前述の如く直流磁場による遮蔽電流が流れるため、
零にはとれない。
以上のようにして、直流磁場による電流が検出精度の劣
化をもたらさず、かつ、検出時の熱雑音の小さい磁束伝
達回路を実現できる。
従来の共振回路を用いる方式では、コンデンサの容量を
C2選択度をQ。とすると、角周波数ωのまた、抵抗R
による熱雑音電圧は、kをボルツマン定数、Tを温度、
Bを信号帯域とするとき、v、=4−である。ここで、
信号磁束による誘導電圧と直列損失による熱雑音電圧は
、ともに同じたけ増幅されて出力されるから、従来法の
S/Nを(S/N)。とすると。
(S/N)。= V in/ ET下−1である。一方
、本発明に係わる磁束伝達回路においては、低抵抗をr
とし、S/Nを(S/N)。とおいて、 (S / N )n = V in/σ1n/下である
。従って、本発明におけるS/Nの改善率は、 となる。
先の論文では、ω= 200 X 10−’ (rad
/5ealのときr、、=0.2[Ω]であるため、r
 =0.2X’IO−’(Ω〕程度にとれば、S/Nは
3桁向上できる。この抵抗値は、受信コイル、入力コイ
ルのインダクタンスの和りに比べて十分小さく、時定数
τ=L/rは検出時間に比べて十分な長さになって、信
号電流は減衰しない。rとしては、更に小さい値をとる
ことができるため、本発明によるS/N改善率は更に大
きくなる。また、信号周波数を小さくして検出を行えば
、信号量は減るものの、S/Nの改善率は更に顕著にな
る。
〔実施例〕
以下、本発明の実施例を図面に基づいて詳細に説明する
第1図は本発明の一実施例である、5QUID磁束計に
よるNMR信号検出回路の構成を示す図である。図にお
いて、1はNMR信号を受信する受信コイル、2は受信
したNMR信号を5QUID磁束計に入力する入力コイ
ル、3は可変抵抗を示しており、上記1〜3で一本の閉
ループを形成し、磁束伝達回路を構成している。また、
4は5QUID磁束計であり、上記入力コイル2と磁気
的に結合している。
磁束伝達回路は可変抵抗部具外は、超伝導材料で作成す
る。従って、5QUID磁束計を含め。
一点鎖線部内は液体ヘリウムに浸漬する。
また、外来雑音を減少させるため、破線内の受信コイル
以外の磁束伝達回路と5QUIDを磁気シールドで覆う
、可変抵抗の種類に応じて、必要ならば、後述する如く
トリガ信号を導入する。
上記可変抵抗3の具体的構成例を第2図に示した。図に
おいて、5は臨界磁場以上の磁場をかけると常伝導、臨
界磁場以下の磁場では超伝導となり、可変抵抗として動
作する超伝導線、6は該超伝導線5に磁場を印加して抵
抗状態にする動作コイル、7は該動作コイル6に電流を
流し、磁場を発生させる開閉器、10は上記超伝導線5
に直列に設置される。抵抗値の極めて小さい固定抵抗で
ある。ここで、上記超伝導線5を構成する材料は、後述
する如く、受信コイル1に比べて臨界磁場の低いものを
用いる。
上記開閉器7が開いていれば、抵抗値は固定抵抗の分だ
けで極めて小さいが、開閉器7を閉じ、上記動作コイル
6に電流を流して、その臨界磁場よりも高い磁場をかけ
ると、超伝導が破れて高抵抗状態となる。このように、
開閉器7の開閉によって抵抗値を増減することができる
また、上述の可変抵抗3として動作する超伝導線は、常
伝導になったときの抵抗値を大きくするため、コイル状
にするのが良い、この場合、ここに発生するインダクタ
ンスを最小限に押さえるため、第3図に示す如く、互い
に逆向きに巻いた二つのコイルを接続した形にすると良
い。
以下、本実施例の動作を説明する。第4図は第1図、第
2図に示した回路を用いてNMR信号を検出する際のタ
イムシーケンスである。横軸は時間軸であり、縦軸は、
上から、受信コイルに印加される直流磁場、可変抵抗の
抵抗値、NMR信号および磁束伝達回路に流れる電流で
ある。
受信コイルに鎖交する直流磁場が増減するとき(tat
tbttaおよびtd)には、可変抵抗が高抵抗状態に
なるように設定すると、磁束伝達回路に流れる電流値は
急速に減衰する。一方、NMR信号が発生しているとき
は、低抵抗状態に設定し熱雑音が低い状態になっている
。従って、磁束伝達回路に流れる電流のうち、第4図に
Sで示される部分だけを信号として読出せば、直流磁場
による直流電流が信号電流に重畳せず、また、高抵抗に
よる熱雑音が信号電流に重畳することもなく、高いS 
/ NでNMR信号を検出できる効果がある。
また、第2図に示した動作コイル6の代りに。
ヒータを用い、超伝導線5をその超伝導転移温度以上に
加熱しても同様の効果が得られる。この場合、可変抵抗
として動作する超伝導線は、他の部分と比べて転移温度
の最も低い超伝導材料を用いると操作が容易になる。な
お、この場合にも、上記超伝導線を、第3図に示す如く
、互いに逆向きに巻いた二つのコイルを接続した形にす
ると良いことは言うまでもない。
可変抵抗3は、第6図に示す如く、ジョセフソン接合部
8を超伝導線内に幾つか設けて、コイル9により任意の
一定磁場を印加するように構成することも可能である。
ジョセフソン接合部を持つ超伝導線は、第7図に示す如
き電流−電圧特性を有することが知られている。すなわ
ち、電流量を零から増加させて行くと、一定電流値J0
を越えるまでは超伝導線として動作するが、電流値が上
記J0を越えると抵抗体となる。逆に、上記50以上の
電流値から電流を減らして行く場合は、電流値がほぼ零
になるまで抵抗体のままである。
上記J0を臨界電流と言うが、この値はジョセフソン接
合部に磁場をかけるとその大きさに応じて下降する。そ
こで、第6図に示すコイル9に適当な電流を流し、臨界
電流ζして傾斜磁場による誘導電流と信号電流の最大値
との中間の値を設定する。傾斜磁場による誘導電流が流
れるとジョセフソン接合部は抵抗状態となり、この抵抗
のために電流が減衰して零になると超伝導状態に戻る。
第6図に示した実施例において、ジョセフソン接合部を
複数個直列に設置しているのは、ジョセフソン接合1個
当りの抵抗値が低いため、抵抗状態になったときの全抵
抗値を増すためであり、必要な抵抗値を得るに十分な個
数を設置する0本実施例では、先に示した実施例の効果
に加えて、可変抵抗に対する、外部からの制御が不要に
なるという効果がある。上記実施例のタイムシーケンス
を第5図に示した0図の横軸は時間軸であり、縦軸は、
上から、受信コイルに鎖交する直流磁場。
自動的に発生する(可変抵抗の)抵抗値、磁束伝達回路
に流れる電流である。
なお、上記各実施例においては、磁束計としてdc−3
QUIDを想定して説明したが、本発明はこれに限定さ
れるべきものではなく、rf−8QUIDまたは5QU
ID以外の磁束計を用いても同様の効果を達成できるこ
とは言うまでもない。
〔発明の効果〕
以上述′べた如く、本発明によれば、信号検出中には時
間的に変化しない直流磁場に重畳する交流磁束信号を伝
達する磁束伝達回路において、前記交流磁束信号を受信
する受信コイルと、受信信号を磁束計に入力する入力コ
イルとを有する超伝導閉ループの一部を、可変抵抗で置
換し、該可変抵抗の抵抗値が前記直流磁場の変化に同調
して変化する如く構成したので、強い磁場変化の存在す
る環境下でも、微弱な磁束を伝達することが可能な磁束
伝達回路を実現できるという顕著な効果を奏するもので
ある。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例である5QUID磁束計によ
るNMR信号検出回路の構成を示す図、第2図は可変抵
抗の具体的構成例を示す図、第3図は第2図の詳細な構
成例を示す図、第4図、第5図はそれぞれ第2図、第6
図に示した回路を用いてNMR信号を検出する際のタイ
ムチャート、第6図は可変抵抗としてジョセフソン接合
を用いた実施例を示す図、第7図はジョセフソン接合を
有する超伝導線の「電流−電圧」特性を示すグラフであ
る。 1:受信コイル、2:入力コイル、3:可変抵抗、4 
: 5QUID磁束計、5:超伝導線、6:動作コイル
、7:開閉器、8:ジョセフソン接合部、9:コイル、
10:固定抵抗。 第   2  図 第   4   図 第   5   図 第   6   図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、信号検出中には時間的に変化しない磁場に重畳する
    交流磁束信号を伝達する磁束伝達回路において、前記交
    流磁束信号を受信する受信コイルと、受信信号を磁束計
    に入力する入力コイルとを有する超伝導閉ループの一部
    を、可変抵抗で置換し、該可変抵抗の抵抗値が前記磁場
    の変化に同調して変化する如く構成したことを特徴とす
    る磁束伝達回路。 2、前記可変抵抗として、ジョセフソン接合を用いるこ
    とを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の磁束伝達回
    路。 3、前記可変抵抗を超伝導材料で構成し、その部分の温
    度を変化させることにより、超伝導−常伝導転移を起こ
    す如く構成したことを特徴とする特許請求の範囲第1項
    記載の磁束伝達回路。 4、前記可変抵抗を、前記磁束伝達回路中の他の部分を
    構成する超伝導材料より低い転移温度を有する超伝導材
    料で構成したことを特徴とする特許請求の範囲第3項記
    載の磁束伝達回路。 5、前記可変抵抗を超伝導材料で構成し、その部分の磁
    場を変化させることにより、超伝導−常伝導転移を起こ
    す如く構成したことを特徴とする特許請求の範囲第1項
    記載の磁束伝達回路。 6、前記可変抵抗を、前記磁束伝達回路中の他の部分を
    構成する超伝導材料より低い臨界磁場強度を有する超伝
    導材料で構成したことを特徴とする特許請求の範囲第5
    項記載の磁束伝達回路。 7、前記可変抵抗を構成する超伝導線を、互いに逆向き
    に巻いた二つのコイルを接続した形状としたことを特徴
    とする特許請求の範囲第3項または第5項記載の磁束伝
    達回路。
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