JPH0353154A - 超電導体判定方法及び装置 - Google Patents
超電導体判定方法及び装置Info
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- JPH0353154A JPH0353154A JP2181691A JP18169190A JPH0353154A JP H0353154 A JPH0353154 A JP H0353154A JP 2181691 A JP2181691 A JP 2181691A JP 18169190 A JP18169190 A JP 18169190A JP H0353154 A JPH0353154 A JP H0353154A
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R33/00—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
- G01R33/12—Measuring magnetic properties of articles or specimens of solids or fluids
- G01R33/1238—Measuring superconductive properties
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は超電導物質を特徴付ける装置及びその方法に関
するものである。特に本発明は、測定すべき物質に接触
させる必要がなく、粉末、３ｒＰＪ．、セラミック又は
単一結晶の形態のサンプルに使用するのに好適な超電導
移行部測定用の装置及び方法に関するものである。
するものである。特に本発明は、測定すべき物質に接触
させる必要がなく、粉末、３ｒＰＪ．、セラミック又は
単一結晶の形態のサンプルに使用するのに好適な超電導
移行部測定用の装置及び方法に関するものである。
Ｙ− Ｂａ − Ｃｕ − ０物質が比較的高温で超電
導性を呈することが最近発見されたことにより、新規の
超電導物質に対する探求が世界中で激しく開始された。
導性を呈することが最近発見されたことにより、新規の
超電導物質に対する探求が世界中で激しく開始された。
多数の物質が世界中の多数の実験室で日毎合威されて、
超電導性に対するテストが行われている．このような努
力を促進させるためには、見込みのない物質を迅速且つ
確実に除去する方法が必要である。超電導性を判定する
最も自明な手段は電気抵抗試験によるものである。しか
し、このような試験を行なうには試験する物質に電気的
に接触させる必要があり、これは特に物質が粉末状のも
のである場合に困難である。
超電導性に対するテストが行われている．このような努
力を促進させるためには、見込みのない物質を迅速且つ
確実に除去する方法が必要である。超電導性を判定する
最も自明な手段は電気抵抗試験によるものである。しか
し、このような試験を行なうには試験する物質に電気的
に接触させる必要があり、これは特に物質が粉末状のも
のである場合に困難である。
通常は磁束の除去、即ち磁束排除（マイスナー効果）の
非接触磁気試験法を採用して、物質が超電導体かどうか
を判定する。電気抵抗測定法とは異なり、磁気試験法で
は物質と接触させる必要がなく、粉末状の物質でも判定
することができる。
非接触磁気試験法を採用して、物質が超電導体かどうか
を判定する。電気抵抗測定法とは異なり、磁気試験法で
は物質と接触させる必要がなく、粉末状の物質でも判定
することができる。
しかし、多相物質、即ち超電導への複数の移行（遷移）
部を呈する物質の場合に、磁気試験法では全ての移行部
の存在が明らかにはならない。本発明はこのような超電
導移行部を検出するための安価な非接触形の装置を提供
する。
部を呈する物質の場合に、磁気試験法では全ての移行部
の存在が明らかにはならない。本発明はこのような超電
導移行部を検出するための安価な非接触形の装置を提供
する。
本発明は物質の超電導性に対する試験を迅速に行なう非
接触式の方法及びそのための簡単で、安価な装置に向け
られるものである。この方法によれば既存の磁気技法の
利点、即ち試験すべき物質に接触させる必要がないと云
う利点があり、このために粉末、薄膜サンプルのような
ものにも適用することができる。さらに本発明による装
置及び方法によれば、所定サンプルにおける超電導とな
る複数の移行部の存在についての情報も与えることがで
きる。この情報は後に、測定すべき物質を準備して、処
理し、不所望な低温での移行部の検出をなくして改良物
質を開発するのに用いることができる。
接触式の方法及びそのための簡単で、安価な装置に向け
られるものである。この方法によれば既存の磁気技法の
利点、即ち試験すべき物質に接触させる必要がないと云
う利点があり、このために粉末、薄膜サンプルのような
ものにも適用することができる。さらに本発明による装
置及び方法によれば、所定サンプルにおける超電導とな
る複数の移行部の存在についての情報も与えることがで
きる。この情報は後に、測定すべき物質を準備して、処
理し、不所望な低温での移行部の検出をなくして改良物
質を開発するのに用いることができる。
本発明の方法論及び装置はタイプＨの超電導物質が交番
磁界に応答して高調波成分を発生すると云う効果に基く
ものである。超電導物質は交番磁界に応答して第３高調
波を発生することが確かめられており、これについては
例えばジャーナルオブ アプライド フィジンクス（Ｊ
ｏｕｒｎａｌ ｏｆＡｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ）
５２．６７９８ （１９８１）における”Ｓｕｐｅｒ
ｃｏｎｄｕｃｔｉｎｇ Ｔｒａｎｓｉｔｉｏｎ ｏｆ
ＭｕｌｔｉｃｏｎｎｅｃｔｅｄＪｏｓｅｐｈｓｏｎ Ｎ
ｅｔ匈ｏｒｋ”に記載されている。本発明はこの効果を
利用して超電導移行部を測定する。
磁界に応答して高調波成分を発生すると云う効果に基く
ものである。超電導物質は交番磁界に応答して第３高調
波を発生することが確かめられており、これについては
例えばジャーナルオブ アプライド フィジンクス（Ｊ
ｏｕｒｎａｌ ｏｆＡｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ）
５２．６７９８ （１９８１）における”Ｓｕｐｅｒ
ｃｏｎｄｕｃｔｉｎｇ Ｔｒａｎｓｉｔｉｏｎ ｏｆ
ＭｕｌｔｉｃｏｎｎｅｃｔｅｄＪｏｓｅｐｈｓｏｎ Ｎ
ｅｔ匈ｏｒｋ”に記載されている。本発明はこの効果を
利用して超電導移行部を測定する。
本発明による装置では一対の平衡コイルと磁気的に共働
させる一次コイルによって比較的小さな正弦波磁界を発
生させ、前記平衡コイルの一方にテストすべきサンプル
を入れるようにする。
させる一次コイルによって比較的小さな正弦波磁界を発
生させ、前記平衡コイルの一方にテストすべきサンプル
を入れるようにする。
コイル対に誘起されるオフバランス電圧は温度の関数と
して観察される。例えば、サンプルが超電導となる移行
点以下の温度にある場合に、その温度が移行点に向って
上昇すると、サンプル物質の低い方の臨界磁界が減少し
て、或る点にてその磁界が駆動磁界以下となる。この点
で磁束線は物質に浸透し初め、正弦波磁界によって誘起
される磁化がヒステリシスループを辿るようになる。こ
の非直線磁気応答により、非正弦波電圧がサンプル保持
コイルの両端間に誘起されて、駆動周波数の高調波で電
圧戒分が発生される。原点に対して対照のヒステリシス
ルーブは奇数調波を発生させる。磁束線が物質に十分に
浸透すると、奇数調波が最大となる。これらの奇数調波
は温度が移行点を越して上昇するとなくなる。従って、
超電導の移行は交番磁気応答の調波成分におけるピーク
によって表明される。奇数調整或分のピークによって示
される超電導への移行部の存在を指示し、且つこれらの
移行部を計数するのに比較的簡単で、しかも安価な装置
を利用することができる。
して観察される。例えば、サンプルが超電導となる移行
点以下の温度にある場合に、その温度が移行点に向って
上昇すると、サンプル物質の低い方の臨界磁界が減少し
て、或る点にてその磁界が駆動磁界以下となる。この点
で磁束線は物質に浸透し初め、正弦波磁界によって誘起
される磁化がヒステリシスループを辿るようになる。こ
の非直線磁気応答により、非正弦波電圧がサンプル保持
コイルの両端間に誘起されて、駆動周波数の高調波で電
圧戒分が発生される。原点に対して対照のヒステリシス
ルーブは奇数調波を発生させる。磁束線が物質に十分に
浸透すると、奇数調波が最大となる。これらの奇数調波
は温度が移行点を越して上昇するとなくなる。従って、
超電導の移行は交番磁気応答の調波成分におけるピーク
によって表明される。奇数調整或分のピークによって示
される超電導への移行部の存在を指示し、且つこれらの
移行部を計数するのに比較的簡単で、しかも安価な装置
を利用することができる。
以下図面を参照して本発明を実施例につき説明するに、
第１図は単相超電導物質（焼結したＹ−Ｂａ−Ｃｕ−０
）製サンプルの磁化率Ｓと温度Ｔとの関係を示したグラ
フである。超電導物質の温度（ケルビン温度）をＸ軸に
沿ってプロットし、又磁化率をＹ軸に沿って任意の単位
でプロットしてある．この第１図から明らかなように、
超電導物質の磁化率は約８８°Ｋまでは本質的にゼロで
ある。
第１図は単相超電導物質（焼結したＹ−Ｂａ−Ｃｕ−０
）製サンプルの磁化率Ｓと温度Ｔとの関係を示したグラ
フである。超電導物質の温度（ケルビン温度）をＸ軸に
沿ってプロットし、又磁化率をＹ軸に沿って任意の単位
でプロットしてある．この第１図から明らかなように、
超電導物質の磁化率は約８８°Ｋまでは本質的にゼロで
ある。
その後、第１図の曲線のＩの部分にて磁化率は急激に負
となり、この温度（所３｝７Ｔｃ）で超電導性への移行
を示す。
となり、この温度（所３｝７Ｔｃ）で超電導性への移行
を示す。
第２図は第１図に示した単相超電導物質のサンプルを含
有している平衡コイル（後に説明する）の第３高超波或
分出力ＴＨの振幅を示したものである。これから明らか
なように、第３高調波出力の明確なピークが第１図にて
説明した移行部Ｉに相当する温度８８°Ｋにて生ずる。
有している平衡コイル（後に説明する）の第３高超波或
分出力ＴＨの振幅を示したものである。これから明らか
なように、第３高調波出力の明確なピークが第１図にて
説明した移行部Ｉに相当する温度８８°Ｋにて生ずる。
この一クは超電導への移行部が存在することを明らかに
示している。
示している。
第３図は理想的でない超電導物質の磁化率Ｓと温度Ｔと
の関係を示したグラフである。このグラフは第１図のも
のと同じ方法でプロットしたものである。この第３図か
ら明らかなように、この場合の超電環物質は点Ａ（９０
゜Ｋ）の個所に第１超電導移行部を有している。さらに
、この場合の磁化率曲線は低温個所でなめらかな曲線と
はならず、点Ｂ（８７″’Ｋ）の個所に第２移行部を、
又点Ｃ（７８゜Ｋ）の個所に第３移行部をそれぞれ有し
ている。
の関係を示したグラフである。このグラフは第１図のも
のと同じ方法でプロットしたものである。この第３図か
ら明らかなように、この場合の超電環物質は点Ａ（９０
゜Ｋ）の個所に第１超電導移行部を有している。さらに
、この場合の磁化率曲線は低温個所でなめらかな曲線と
はならず、点Ｂ（８７″’Ｋ）の個所に第２移行部を、
又点Ｃ（７８゜Ｋ）の個所に第３移行部をそれぞれ有し
ている。
これらの追加の移行部の存在を決定付ける正確な現象は
十分に理解されておらず、実際上このような追加の移行
部が１つ以上ある超電導物質は一般に良好な超電導体と
は見なされない。
十分に理解されておらず、実際上このような追加の移行
部が１つ以上ある超電導物質は一般に良好な超電導体と
は見なされない。
第３図に示すような磁化率特性を発生させるのに必要と
される機器は一般に入手し得るも、磁化率特性における
追加の移行部は容易に検出することができない．本発明
は、このような超電導移行部を確実に且つ廉価に検出す
る装置に向けられるものである． 第４図は第３図に示した理想的でない超電導吻質製のサ
ンプルを含有している平衡コイルの第３高調波成分出力
ＴＨの振幅を示したものである。これから明らかなよう
に、第３高調波出力の明確なピークが３つあり、又これ
らのピークが第３図にて言及した移行部Ａ，Ｂ，Ｃに対
応する温度９２６Ｋ，８７°Ｋ及び７８°Ｋにて生ずる
ことも判る。これらのピークは明確に現われ、超電導と
なる移行部を明示する。各ピークの大きさは１２０マイ
クロボルトのような予定した任意のしきい値電圧よりも
大きいため、このような各ピーク、従って超電導への移
行部はいずれもピーク検出器によって容易に検出するこ
とができる。本発明は第３高調波のピークを検出し、従
って超電導物質の存在及びその物質に内在する移行部の
数を示す比較的安価な回路に向けられるものである。
される機器は一般に入手し得るも、磁化率特性における
追加の移行部は容易に検出することができない．本発明
は、このような超電導移行部を確実に且つ廉価に検出す
る装置に向けられるものである． 第４図は第３図に示した理想的でない超電導吻質製のサ
ンプルを含有している平衡コイルの第３高調波成分出力
ＴＨの振幅を示したものである。これから明らかなよう
に、第３高調波出力の明確なピークが３つあり、又これ
らのピークが第３図にて言及した移行部Ａ，Ｂ，Ｃに対
応する温度９２６Ｋ，８７°Ｋ及び７８°Ｋにて生ずる
ことも判る。これらのピークは明確に現われ、超電導と
なる移行部を明示する。各ピークの大きさは１２０マイ
クロボルトのような予定した任意のしきい値電圧よりも
大きいため、このような各ピーク、従って超電導への移
行部はいずれもピーク検出器によって容易に検出するこ
とができる。本発明は第３高調波のピークを検出し、従
って超電導物質の存在及びその物質に内在する移行部の
数を示す比較的安価な回路に向けられるものである。
第５図は本発明の装置に用いられる入力コイルアセンブ
リを示す。この入力コイルアセンブリは直列に逆方向に
巻回した２つの同一構成の二次コイル２２Ａ， ２２Ｂ
を一次コイル２０で囲んで構或する。
リを示す。この入力コイルアセンブリは直列に逆方向に
巻回した２つの同一構成の二次コイル２２Ａ， ２２Ｂ
を一次コイル２０で囲んで構或する。
コイル内及びコイルの周辺の状況が同じであれば二次コ
イルから出力電圧は生じない。２０ｋＨｚ （又は他
の周波数）の正弦波電圧を一次コイル２ｏに印加し、測
定すべきサンプル物質を、基準コイルとして作用する他
の二次コイル２２Ｂを有している二次コイル２２Ａ内に
入れる。サンプルを超！導移行点を通り過ぎて冷却する
と、基準コイル２２Ｂに対してサンプルコイル２２Ａに
不平衡が生じて、サンプルコイル２２Ａに奇数高調波信
号を発生させる。
イルから出力電圧は生じない。２０ｋＨｚ （又は他
の周波数）の正弦波電圧を一次コイル２ｏに印加し、測
定すべきサンプル物質を、基準コイルとして作用する他
の二次コイル２２Ｂを有している二次コイル２２Ａ内に
入れる。サンプルを超！導移行点を通り過ぎて冷却する
と、基準コイル２２Ｂに対してサンプルコイル２２Ａに
不平衡が生じて、サンプルコイル２２Ａに奇数高調波信
号を発生させる。
第６図に示すように、サンプルコイル２２Ａの出力を前
置増幅器２４に供給して、これにてその出力を１００倍
程度に増幅する。ついで前置増幅器２４の出力を高城通
過フィルタ２６に供給して、２０ｋＨｚ以下の周波数を
減衰させて低周波雑音を最小にする。
置増幅器２４に供給して、これにてその出力を１００倍
程度に増幅する。ついで前置増幅器２４の出力を高城通
過フィルタ２６に供給して、２０ｋＨｚ以下の周波数を
減衰させて低周波雑音を最小にする。
高ｔｉｔ過フィルタ２６の出方は２０ｋＨｚのノッチフ
ィルタ２８に供給して、これにより２０ｋＨｚの基本信
号を減衰させ、高調波を通過させる。２０ｋＨｚのノッ
チフィルタ２８から取出される「高調波のみ」の信号を
連結増幅器３０． ３２に供給して、この信号を５００
倍程度に増幅する。
ィルタ２８に供給して、これにより２０ｋＨｚの基本信
号を減衰させ、高調波を通過させる。２０ｋＨｚのノッ
チフィルタ２８から取出される「高調波のみ」の信号を
連結増幅器３０． ３２に供給して、この信号を５００
倍程度に増幅する。
増幅器３２の出力を６０ｋＨｚのフエーズロツタループ
３４に供給する。このフエーズロックルーブは６０ｋＨ
ｚの検出器を形威する（６０ｋＨｚは２０ｋＨｚの駆動
信号の第１奇数調波である）。フェーズロックループ３
４への入力信号が例えば１００ｍＶ以上となる場合に、
このフェーズロックルーブは６０ｋＨｚの信号を自動追
跡する。このような５Ｑｋｔｌｚ検出器３４は６０ｋ！
｛ｚの信号の存在をイ責知して、その出力を高レベルか
ら接地レベルへと変化させ、発光ダイオード（ＬＥＤ）
３６を発光させて、移行部カウンタ３８を１ステップだ
け進める。移行部カウンタ３８の出力は検出した移行部
の数に暎ずる２進化１０進（ＢＣＤ）値である。
３４に供給する。このフエーズロックルーブは６０ｋＨ
ｚの検出器を形威する（６０ｋＨｚは２０ｋＨｚの駆動
信号の第１奇数調波である）。フェーズロックループ３
４への入力信号が例えば１００ｍＶ以上となる場合に、
このフェーズロックルーブは６０ｋＨｚの信号を自動追
跡する。このような５Ｑｋｔｌｚ検出器３４は６０ｋ！
｛ｚの信号の存在をイ責知して、その出力を高レベルか
ら接地レベルへと変化させ、発光ダイオード（ＬＥＤ）
３６を発光させて、移行部カウンタ３８を１ステップだ
け進める。移行部カウンタ３８の出力は検出した移行部
の数に暎ずる２進化１０進（ＢＣＤ）値である。
このＢＣ０ ４ＭをＢＣＤ − １０進デコーダ４０に
供給し、これにて復号化した１０進値を１０桁ＬＥＤバ
ーグラフディスプレイ４２に供給する。フェーズロツク
ルーブ３４に供給される入力レベルが１００ｍＶ以下に
降下する場合に、ＬεＤ３６は消えるが、バーグラフデ
ィスプレイ４２は遭遇した移行部の数を表示し続ける。
供給し、これにて復号化した１０進値を１０桁ＬＥＤバ
ーグラフディスプレイ４２に供給する。フェーズロツク
ルーブ３４に供給される入力レベルが１００ｍＶ以下に
降下する場合に、ＬεＤ３６は消えるが、バーグラフデ
ィスプレイ４２は遭遇した移行部の数を表示し続ける。
移行部カウンタが作動していても、リセット用の押しボ
タン４４を作動させてバーグラフディスプレイをゼロに
リセットすると、リセットＬＥＤ４６が点灯する。これ
により装置はニュートラル位置に戻り、他のサンプルの
検査に供する。
タン４４を作動させてバーグラフディスプレイをゼロに
リセットすると、リセットＬＥＤ４６が点灯する。これ
により装置はニュートラル位置に戻り、他のサンプルの
検査に供する。
第６図の回路に利用される実際の部品及び作動パラメー
タは臨界的なものではない。広範囲の駆動周波数を用い
ることができるので最初からコイルを２０ｋＨｚで駆動
させる必要はない。増幅器２４，３０． ３２は必要な
増幅度を呈する他の任意の増幅器と置換えることができ
る。１００ｎ＋Ｖのしきい値も、そのレベルが他の電気
部品の値及び駆動信号のレベルに依存するから臨界的で
はない。第３高調波の代りに第５、第７等の如き他の奇
数調波を用いることもできるが、第３高調波は通常最強
であるため、これは最も検出し易い。同様に、しきい値
検出器３４もフエーズロックループとする必要はなく、
多数の他のタイプの検出器とすることができる。最後に
移行部カウンタ３８及びディスプレイ４２も前述したも
のとは別のものとすることができる。
タは臨界的なものではない。広範囲の駆動周波数を用い
ることができるので最初からコイルを２０ｋＨｚで駆動
させる必要はない。増幅器２４，３０． ３２は必要な
増幅度を呈する他の任意の増幅器と置換えることができ
る。１００ｎ＋Ｖのしきい値も、そのレベルが他の電気
部品の値及び駆動信号のレベルに依存するから臨界的で
はない。第３高調波の代りに第５、第７等の如き他の奇
数調波を用いることもできるが、第３高調波は通常最強
であるため、これは最も検出し易い。同様に、しきい値
検出器３４もフエーズロックループとする必要はなく、
多数の他のタイプの検出器とすることができる。最後に
移行部カウンタ３８及びディスプレイ４２も前述したも
のとは別のものとすることができる。
要するに、本発明の装置はサンプルコイル２２Ａから得
られる第３高調波が予定しきい値以上となることを検出
すべく機能しさえずばれ良いのである．本発明は上述し
た例のみに限定されるものではなく、幾多の変更を加え
得ること勿論である。
られる第３高調波が予定しきい値以上となることを検出
すべく機能しさえずばれ良いのである．本発明は上述し
た例のみに限定されるものではなく、幾多の変更を加え
得ること勿論である。
第１図は単相超電導物質（焼結Ｙ− Ｂａ − Ｃｕ
−Ｏ）に対する磁化率Ｓと温度Ｔとの関係を示す特性図
； 第２図は単相超電導物質（焼結Ｙ− Ｂａ − Ｃｕ
−○）に誘起される交番電圧の第３高調波の振幅を温度
Ｔの関数として示す特性図； 第３図は多相超電導物質に対する磁化率Ｓと温度Ｔとの
関係を示す特性図； 第４図は多相超電導物質に誘起される交番電圧の第３高
調波の振幅を温度Ｔの関数として示す特性図； 第５図は入力コイルと、測定すべきサンプルを中に入れ
る平衡出力コイルとを概略的に示す線図；第６図はサン
プル物質の超電導移行部を判定するための回路の一例を
示すブロック図である。 ２０・・・一次コイル ２２Ａ・・・サンプル測定用コイル ２２Ｂ・・・基準コイル ２４・・・前置増幅器２
６・・・高城通過フィルタ ２８・・・ノンチフィルタ
３０． ３２・・・増幅器 ３４・・・フェーズロックルーブ（検出器）３６・・・
発光ダイオード ３８・・・移行部カウンタ４０・・
・デコーダ ４２・・・ディスプレイ４４・・
・リセットボタン ４６・・・リセットＬＥＤ１１ ０１ Ｎ 一一◆Ｔ｝ｌ（ＬＬＶ） 一〇 Ｃ） 一一一一 →Ｓ（山Ｕ．） １ｄ Ｇ１ １〜 →ＴＨ（ｕ．Ｖ．） １口 ０１ ６一 →Ｓ（ａ．ｕ．） ガヴア リフ リカ合衆国 ニューヨーク州 １０５１０ プライア
ークマナー スカーバーラ ロード ３４５リカ合衆国
ニューヨーク州 １０５１０マナー スカーバーラ
ロード ３４５プライアーク
−Ｏ）に対する磁化率Ｓと温度Ｔとの関係を示す特性図
； 第２図は単相超電導物質（焼結Ｙ− Ｂａ − Ｃｕ
−○）に誘起される交番電圧の第３高調波の振幅を温度
Ｔの関数として示す特性図； 第３図は多相超電導物質に対する磁化率Ｓと温度Ｔとの
関係を示す特性図； 第４図は多相超電導物質に誘起される交番電圧の第３高
調波の振幅を温度Ｔの関数として示す特性図； 第５図は入力コイルと、測定すべきサンプルを中に入れ
る平衡出力コイルとを概略的に示す線図；第６図はサン
プル物質の超電導移行部を判定するための回路の一例を
示すブロック図である。 ２０・・・一次コイル ２２Ａ・・・サンプル測定用コイル ２２Ｂ・・・基準コイル ２４・・・前置増幅器２
６・・・高城通過フィルタ ２８・・・ノンチフィルタ
３０． ３２・・・増幅器 ３４・・・フェーズロックルーブ（検出器）３６・・・
発光ダイオード ３８・・・移行部カウンタ４０・・
・デコーダ ４２・・・ディスプレイ４４・・
・リセットボタン ４６・・・リセットＬＥＤ１１ ０１ Ｎ 一一◆Ｔ｝ｌ（ＬＬＶ） 一〇 Ｃ） 一一一一 →Ｓ（山Ｕ．） １ｄ Ｇ１ １〜 →ＴＨ（ｕ．Ｖ．） １口 ０１ ６一 →Ｓ（ａ．ｕ．） ガヴア リフ リカ合衆国 ニューヨーク州 １０５１０ プライア
ークマナー スカーバーラ ロード ３４５リカ合衆国
ニューヨーク州 １０５１０マナー スカーバーラ
ロード ３４５プライアーク
Claims (11)
- １．サンプル物質が超電導体かどうかを判定する装置が
： テストすべきサンプル物質に交番磁界を誘 起させる手段と； テストすべきサンプル物質に誘起された磁 界の奇数調波成分を測定する手段と； 奇数調波の振幅が予定しきい値振幅以上と なったかどうかを判定する手段と； 奇数調波が前記しきい値振幅を越したこと を指示する手段と； とを具えていることを特徴とする超電導体判定装置。 - ２．前記サンプルの温度が変化する際に奇数調波の振幅
が予定しきい値振幅を越した回数を計数する手段も具え
ていることを特徴とする請求項１に記載の装置。 - ３．前記交番磁界を誘起させる手段を磁気コイルで構成
したことを特徴とする請求項１に記載の装置。 - ４．前記磁界の奇数調波成分を測定する手段を平衡コイ
ルで構成し、該平衡コイルの一方に測定すべきサンプル
を保持させ、前記平衡コイルの他方を基準コイルとした
ことを特徴とする請求項１に記載の装置。 - ５．前記奇数調整成分を第３高調波としたことを特徴と
する請求項１に記載の装置。 - ６．前記交番磁界の周波数を約２０ｋＨｚとしたことを
特徴とする請求項１に記載の装置。 - ７．サンプル物質が超電導体かどうかを判定する方法が
； サンプル物質の温度をその物質の臨界温度 （Ｔｃ）を通り過ぎて変化させる工程； テストすべきサンプルに交番磁界をかける 工程； テストすべきサンプルに誘起した磁界の奇 数調波成分を測定する工程； 奇数調波成分の振幅を予定振幅と比較して、奇数調波成
分の振幅が予定しきい値振幅を越えたかどうかを判定す
るための比較工程；及び 前記奇数調波が前記しきい値振幅を越した ことを指示する工程； を具えていることを特徴とする超電導体判定方法。 - ８．前記サンプルの温度が増大する際に奇数調波の振幅
が予定しきい値振幅を越した回数を計数する工程も具え
ていることを特徴とする請求項７に記載の方法。 - ９．テストすべきサンプルに交番磁界をかける前記工程
が、前記サンプルを磁気コイル内に入れる工程も含むこ
とを特徴とする請求項７に記載の方法。 - １０．前記測定する奇数調波成分を第３高調波とするこ
とを特徴とする請求項７に記載の方法。 - １１．前記交番磁界を２０ｋＨｚ程度とすることを特徴
とする請求項７に記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US380162 | 1989-07-14 | ||
| US07/380,162 US5004726A (en) | 1989-07-14 | 1989-07-14 | Apparatus and methodology for the non-contact testing of materials for superconductivity by detecting odd harmonics above a threshold |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0353154A true JPH0353154A (ja) | 1991-03-07 |
Family
ID=23500127
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2181691A Pending JPH0353154A (ja) | 1989-07-14 | 1990-07-11 | 超電導体判定方法及び装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5004726A (ja) |
| EP (1) | EP0408134A3 (ja) |
| JP (1) | JPH0353154A (ja) |
| CA (1) | CA2020930A1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005127940A (ja) * | 2003-10-27 | 2005-05-19 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 超伝導厚膜の臨界電流密度及び電流・電圧特性の測定方法、及び装置 |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5283524A (en) * | 1989-10-02 | 1994-02-01 | U.S. Philips Corporation | AC magnetic susceptometer with odd harmonic measurement for analyzing superconductive magnetic materials |
| US5280240A (en) * | 1989-10-02 | 1994-01-18 | North American Philips Corporation | Methodology using odd harmonic components of an induced magnetic field for analyzing superconducting magnetic materials and their properties |
| US5343147A (en) * | 1992-09-08 | 1994-08-30 | Quantum Magnetics, Inc. | Method and apparatus for using stochastic excitation and a superconducting quantum interference device (SAUID) to perform wideband frequency response measurements |
| FR3008190B1 (fr) * | 2013-07-08 | 2015-08-07 | Commissariat Energie Atomique | Procede et dispositif de mesure d'un champ magnetique au moyen d'excitations synchronisees |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SU777567A1 (ru) * | 1978-12-25 | 1980-11-07 | Институт физики металлов УНЦ АН СССР | Способ контрол механических свойств стали |
| SU819684A1 (ru) * | 1979-06-28 | 1981-04-07 | Предприятие П/Я В-2548 | Устройство дл неразрушающегоКОНТРОл фЕРРОМАгНиТНыХ издЕлий |
| JPS61194350A (ja) * | 1985-02-22 | 1986-08-28 | Otsutei:Kk | 磁気式金属識別装置 |
| JPS6267484A (ja) * | 1985-09-20 | 1987-03-27 | Asano Yukihiko | 金属選択検知方法及び装置 |
| US4851762A (en) * | 1988-08-31 | 1989-07-25 | The John Hopkins University | Novel technique using magnetic field dependent phase detection for detection of superconductivity |
-
1989
- 1989-07-14 US US07/380,162 patent/US5004726A/en not_active Expired - Fee Related
-
1990
- 1990-07-09 EP EP19900201834 patent/EP0408134A3/en not_active Withdrawn
- 1990-07-11 CA CA002020930A patent/CA2020930A1/en not_active Abandoned
- 1990-07-11 JP JP2181691A patent/JPH0353154A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005127940A (ja) * | 2003-10-27 | 2005-05-19 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 超伝導厚膜の臨界電流密度及び電流・電圧特性の測定方法、及び装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0408134A3 (en) | 1991-06-26 |
| US5004726A (en) | 1991-04-02 |
| EP0408134A2 (en) | 1991-01-16 |
| CA2020930A1 (en) | 1991-01-15 |
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