JPH02124484A - 磁束伝達回路 - Google Patents
磁束伝達回路Info
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- JPH02124484A JPH02124484A JP63276249A JP27624988A JPH02124484A JP H02124484 A JPH02124484 A JP H02124484A JP 63276249 A JP63276249 A JP 63276249A JP 27624988 A JP27624988 A JP 27624988A JP H02124484 A JPH02124484 A JP H02124484A
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- G—PHYSICS
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- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
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- G01R33/035—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux using superconductive devices
- G01R33/0354—SQUIDS
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は特に核磁気共鳴信号を検出するＳＱＵＩＤ磁束
計に好適な磁束伝達回路に関する。
計に好適な磁束伝達回路に関する。
近年、ＮＭＲ（核磁気共鳴）装置、あるいはＭＲＩ（磁
気共鳴イメージング）装置の磁束検出器としてＳＱＵＩ
Ｄ磁束計の利用が試みられている。このうちＭＨＩ装置
に応用した例が特開昭６０−１４３７５２号に記載され
ている。
気共鳴イメージング）装置の磁束検出器としてＳＱＵＩ
Ｄ磁束計の利用が試みられている。このうちＭＨＩ装置
に応用した例が特開昭６０−１４３７５２号に記載され
ている。
上記従来技術では１発生したＭＨＩ信号を２次微分型の
磁束検出コイルで検出し、常伝導の伝達回路を経てＳＱ
ＵＩＤに導入している。
磁束検出コイルで検出し、常伝導の伝達回路を経てＳＱ
ＵＩＤに導入している。
また、この従来例で用いられているＳＱＵＩＤはｄａ−
８ＱＵＩＤと呼ばれるものであり、そのＶ−φ特性は第
８図に示す如く、φに関する周期関数となっているもの
である。ここで、ＶはＳＱＵＩＤの電圧であり、φは５
ＱｔＯＤに入力する磁束である。
８ＱＵＩＤと呼ばれるものであり、そのＶ−φ特性は第
８図に示す如く、φに関する周期関数となっているもの
である。ここで、ＶはＳＱＵＩＤの電圧であり、φは５
ＱｔＯＤに入力する磁束である。
この磁束と電圧の関係に線形性をもたせるために、上記
従来技術のＳＱＵＩＤ磁束計はＦＬＬ（フラ・ツクス・
ロックド・ループ）を用いている。
従来技術のＳＱＵＩＤ磁束計はＦＬＬ（フラ・ツクス・
ロックド・ループ）を用いている。
ＭＲＩやＮＭＲの磁束信号の強度は、理論的に数は被験
体あるいは試料にかかる静磁場の大きさに比例する。し
たがって信号強度を大きくして信号のＳ／Ｎを向上させ
るためには、静磁場を大きくして共鳴周波数を高くする
必要がある。しかし従来のＦＬＬを用いたＳＱＵＩＤ磁
束計ではＦＬＬの制限のためＬ ＯＯＫ Ｈｚを越える
高周波の磁束信号は検出できなかった。
体あるいは試料にかかる静磁場の大きさに比例する。し
たがって信号強度を大きくして信号のＳ／Ｎを向上させ
るためには、静磁場を大きくして共鳴周波数を高くする
必要がある。しかし従来のＦＬＬを用いたＳＱＵＩＤ磁
束計ではＦＬＬの制限のためＬ ＯＯＫ Ｈｚを越える
高周波の磁束信号は検出できなかった。
ＳＱＵＩＤ磁束計を高速で動作させる方法としてはＦＬ
Ｌループを用いず、ＳＱＵＩＤに入力する磁束量をφｏ
／２ 以下に制限し、第８図のＶ−φ特性の一つの直線
領域を用いて磁束を電圧に変換する方法が知られている
。
Ｌループを用いず、ＳＱＵＩＤに入力する磁束量をφｏ
／２ 以下に制限し、第８図のＶ−φ特性の一つの直線
領域を用いて磁束を電圧に変換する方法が知られている
。
この例としては、「アプライド・フィジックス・レター
誌第４７巻第６号（１９８５年）第ｆ；３７〜６３９頁
（Ａｐｐｌ、Ｐｈｙｓ、Ｌｇｔｔ、Ｖｏ Ｑ 、４７（
６）（１９８５） ｐ、６３７〜６３９ ） Ｊが挙げ
られる。この例では入力磁束をφｏ／２ 以下に制限す
るため、励起用高周波磁場の強度あるいは照射時間を変
化させていた。
誌第４７巻第６号（１９８５年）第ｆ；３７〜６３９頁
（Ａｐｐｌ、Ｐｈｙｓ、Ｌｇｔｔ、Ｖｏ Ｑ 、４７（
６）（１９８５） ｐ、６３７〜６３９ ） Ｊが挙げ
られる。この例では入力磁束をφｏ／２ 以下に制限す
るため、励起用高周波磁場の強度あるいは照射時間を変
化させていた。
第９図はこの例の装置における信号検出回路と励起回路
を示すものである。高周波発生部９０の出力は、ゲート
回路９１を通った後、増幅器９２で増幅され、送信コイ
ル９３を励振する。被検体９４は受信コイル９５の近傍
あるいはその内側に置かれている。受信コイル９６は送
信コイル９３に対しては受信コイル９５と同様の作用を
するが、極性が互いに反対になっているため、送信コイ
ルからの高周波は受信コイル９５と同９６とで相殺され
ることになり、これは同時に外乱雑跨に対してもそれを
除去する役目を有する。
を示すものである。高周波発生部９０の出力は、ゲート
回路９１を通った後、増幅器９２で増幅され、送信コイ
ル９３を励振する。被検体９４は受信コイル９５の近傍
あるいはその内側に置かれている。受信コイル９６は送
信コイル９３に対しては受信コイル９５と同様の作用を
するが、極性が互いに反対になっているため、送信コイ
ルからの高周波は受信コイル９５と同９６とで相殺され
ることになり、これは同時に外乱雑跨に対してもそれを
除去する役目を有する。
しかし、信号は受信コイル９５に対してのみ検出される
ので、相殺されることはなく、こうして検出された信号
は、ＳＱＵＩＤ５への人力コイル３に印加される。ＳＱ
ＵＩＤ５はバイアス電流源２０により駆動されているが
、人力コイル３に電流が流れ、ＳＱＵＩＤ５に鎖交する
磁束が変化すると、それに対してＳＱＵＩＤ５に電圧が
発生する。この電圧は検波後、先に挙げた第８図に示す
特性となる。
ので、相殺されることはなく、こうして検出された信号
は、ＳＱＵＩＤ５への人力コイル３に印加される。ＳＱ
ＵＩＤ５はバイアス電流源２０により駆動されているが
、人力コイル３に電流が流れ、ＳＱＵＩＤ５に鎖交する
磁束が変化すると、それに対してＳＱＵＩＤ５に電圧が
発生する。この電圧は検波後、先に挙げた第８図に示す
特性となる。
従来は、■−φ特性を一価関数に保つために。
上記高周波発生部９０の出力（強度）あるいは照射の幅
を変化させていたことは前述の通りである。
を変化させていたことは前述の通りである。
すなわち、信号Ｓの大きさは次式で与えられる。
二二で、Ｋは比例係数、γは核磁気回転比、Ｈｌは高周
波磁場の大きさ、τは照射時間を示しており、上式（１
）はτ／２パルスに対する信号を与える式である。従っ
て、上式よりＳを小さくするにはＨ１τ を小さくする
ことが必要であった。しかし、この方法では、信号のＳ
Ｎ比が低下するという問題がある。
波磁場の大きさ、τは照射時間を示しており、上式（１
）はτ／２パルスに対する信号を与える式である。従っ
て、上式よりＳを小さくするにはＨ１τ を小さくする
ことが必要であった。しかし、この方法では、信号のＳ
Ｎ比が低下するという問題がある。
本発明の目的は、磁束伝達効果の可変な磁束伝達回路に
よって５ＱＩＵＤに入力する磁束量を適当に調節するこ
とにある。これによって例えばＦＬＬを用いないＳＱＵ
ＩＤ磁束計でＮＭＲ信号を検出する場合、ＳＱＵＩＤの
Ｖ−φ特性を一価関数に保持したまま、最高のＳ／Ｎを
得ることができる。
よって５ＱＩＵＤに入力する磁束量を適当に調節するこ
とにある。これによって例えばＦＬＬを用いないＳＱＵ
ＩＤ磁束計でＮＭＲ信号を検出する場合、ＳＱＵＩＤの
Ｖ−φ特性を一価関数に保持したまま、最高のＳ／Ｎを
得ることができる。
本発明は上記目的を達成するために、信号磁束をＳＱＵ
ＩＤに導入する磁束伝達回路を超伝導とし、可変なイン
ダクタンス（インダクタンス調節用コイル）を直列また
は並列に付加したものである。
ＩＤに導入する磁束伝達回路を超伝導とし、可変なイン
ダクタンス（インダクタンス調節用コイル）を直列また
は並列に付加したものである。
超伝導の磁束伝達回路のインダクタンスは受信コイル（
ＬＰ ） 、伝送線（Ｌｆ）、ＳＱＵＩＤ入力コイル（
Ｌｌ ）に分布する。受信コイルに磁束φＰが鎖交した
場合、磁束伝達回路にはこの磁束を遮蔽する遮蔽電流 φＰ Ｉｓ＝ ・・・（２）Ｌ
ｐ ＋ Ｌ ｗ ＋ Ｌ Ｌ が流れる。ＳＱＵＩＤ入力コイルとＳＱＵＩＤリングの
相互インダクタンスをＭとすると、ＳＱＵＩＤリングに
入力する磁束量φ１と受信コイルに鎖交した磁束量φＰ
の比（φＩ／φＰ：磁束伝達効率）は φＩ／φＰ： Ｌ ｐ ＋ Ｌ ｗ ＋ Ｌ ｓ で表わされる。ここでそのインダクタンスが可変なイン
ダクタンス調節用コイルＬｖを磁束伝達回路に直列に付
加すると磁束伝達効率は φ１／φ、＝ ・・・（３）
Ｌ ｐ ＋ Ｌ ｗ ＋ Ｌ ＋ ＋ Ｌ ｖとなり、
Ｌｖを調節することにより、調節可能となる。ここでＬ
ｖは調節用に新たに設定したものでもよく（この場合は
ＬＶ ＞ｏ）またはＬｐ、Ｌ□Ｌ＋のいずれかを調節可
能にしたものでもよい。
ＬＰ ） 、伝送線（Ｌｆ）、ＳＱＵＩＤ入力コイル（
Ｌｌ ）に分布する。受信コイルに磁束φＰが鎖交した
場合、磁束伝達回路にはこの磁束を遮蔽する遮蔽電流 φＰ Ｉｓ＝ ・・・（２）Ｌ
ｐ ＋ Ｌ ｗ ＋ Ｌ Ｌ が流れる。ＳＱＵＩＤ入力コイルとＳＱＵＩＤリングの
相互インダクタンスをＭとすると、ＳＱＵＩＤリングに
入力する磁束量φ１と受信コイルに鎖交した磁束量φＰ
の比（φＩ／φＰ：磁束伝達効率）は φＩ／φＰ： Ｌ ｐ ＋ Ｌ ｗ ＋ Ｌ ｓ で表わされる。ここでそのインダクタンスが可変なイン
ダクタンス調節用コイルＬｖを磁束伝達回路に直列に付
加すると磁束伝達効率は φ１／φ、＝ ・・・（３）
Ｌ ｐ ＋ Ｌ ｗ ＋ Ｌ ＋ ＋ Ｌ ｖとなり、
Ｌｖを調節することにより、調節可能となる。ここでＬ
ｖは調節用に新たに設定したものでもよく（この場合は
ＬＶ ＞ｏ）またはＬｐ、Ｌ□Ｌ＋のいずれかを調節可
能にしたものでもよい。
（この場合はＬＶ≧０またはＬｖ＜Ｏ）またＬｖは磁束
伝達回路に並列に設定しても同様に磁束伝達効率を調節
できる。例えばＬｐに並列に設定すれば。
伝達回路に並列に設定しても同様に磁束伝達効率を調節
できる。例えばＬｐに並列に設定すれば。
Ｌ ｒ ＋ Ｌ ｖ
・・・（４）
となる。
以下、本発明による磁束伝達効率可変の磁束伝達で路の
実施例を説明する。
実施例を説明する。
第１図はインダクタンス調節用のコイルを直列に設定し
た実施例である。１は受信コイル、２は伝送線、３はＳ
ＱＵＩＤへの入力コイル、４は本発明によるインダクタ
ンス調節用コイルであり。
た実施例である。１は受信コイル、２は伝送線、３はＳ
ＱＵＩＤへの入力コイル、４は本発明によるインダクタ
ンス調節用コイルであり。
すべて超伝導体である。５はＳＱＵＩＤである。
伝送線２は外来雑音の影響を軽減するためより線とする
こともある。１０はインダクタンス調節用コイル４に接
近して設置された調節器である。この調節器は潤四線環
境と透磁率の異なる物質であり、これを上下することに
よりコイル４のインダクタンスを調節する。調節器１０
は超伝導体でもよく、この場合透磁率μ＝０のため効果
が大きい。
こともある。１０はインダクタンス調節用コイル４に接
近して設置された調節器である。この調節器は潤四線環
境と透磁率の異なる物質であり、これを上下することに
よりコイル４のインダクタンスを調節する。調節器１０
は超伝導体でもよく、この場合透磁率μ＝０のため効果
が大きい。
第２図は同様にインダクタンス調節用のコイルをＳＱＵ
ＩＤ入力コイルに４を列に設置した実施例である。イン
ダクタンス調節用コイルはＡＡ’ＢＢ’点から分岐して
並列接続してもよい。
ＩＤ入力コイルに４を列に設置した実施例である。イン
ダクタンス調節用コイルはＡＡ’ＢＢ’点から分岐して
並列接続してもよい。
第３図は受信コイル１にインダクタンス調節機能を持た
せた実施例である。調節器１０を上下することにより受
信コイル１のインダクタンスを増減することができる。
せた実施例である。調節器１０を上下することにより受
信コイル１のインダクタンスを増減することができる。
同様に伝送線２ 、ＳＱＵＩＤ入カコイル３にインダク
タンス調節機能を持たせることもできる。
タンス調節機能を持たせることもできる。
以上の実施例ではインダクタンスの調節を、周囲と透磁
率の異なる可動調節器によって行う方式を示した。以下
これと異なる方式でインダクタンスを調節する方式を示
す。
率の異なる可動調節器によって行う方式を示した。以下
これと異なる方式でインダクタンスを調節する方式を示
す。
第４図はインダクタンス調節用コイル４の周囲の雰囲気
を変えることによってそのインダクタンスを調節する実
施例である。４がインダクタンス調節用コイル、６がチ
ェンバー、７が送気器、８が排気器、９が各種のガスの
入ったガスボンベである。磁束伝達回路として室温動作
可能な高温超伝導体を用いれば、例えば雰囲気を空気か
らヘリウムガスに変えることによりインダクタンスの微
調節が可能となる。
を変えることによってそのインダクタンスを調節する実
施例である。４がインダクタンス調節用コイル、６がチ
ェンバー、７が送気器、８が排気器、９が各種のガスの
入ったガスボンベである。磁束伝達回路として室温動作
可能な高温超伝導体を用いれば、例えば雰囲気を空気か
らヘリウムガスに変えることによりインダクタンスの微
調節が可能となる。
本実施例のインダクタンス調節用コイルは、受信コイル
１、伝送線２．ＳＱＵＩＤ入カコイル３をそのまま用い
てもよく、また回路全体の雰囲気を変化させてもよい。
１、伝送線２．ＳＱＵＩＤ入カコイル３をそのまま用い
てもよく、また回路全体の雰囲気を変化させてもよい。
次にコイルの形状変化によってインダクタンスを調節す
る実施例を示す。
る実施例を示す。
第５図はインダクタンス調節用コイルの形状を変化させ
てそのインダクタンスを調節する実施例である。
てそのインダクタンスを調節する実施例である。
第６図は受信コイルの形状を変化させてそのインダクタ
ンスを調節する実施例である。１１は形状の調節器、１
２は調節用ビン、１３は調節用ロッドである。ロッド１
３を回転させるとピン１２が溝にそって移動し、楕円形
のコイル４の長軸と短軸の比を変化させる。これによっ
てそのインダクタンスを調節することができる。
ンスを調節する実施例である。１１は形状の調節器、１
２は調節用ビン、１３は調節用ロッドである。ロッド１
３を回転させるとピン１２が溝にそって移動し、楕円形
のコイル４の長軸と短軸の比を変化させる。これによっ
てそのインダクタンスを調節することができる。
受信コイルのほか、伝送線２やＳＱＵＩＤ入カコイル３
の形状を変化させても同様の効果が得られる。受信コイ
ル１やＳＱＵＩＤ入カコイル３の形状を変化させる場合
には形状調節器の材質として非磁性のものを用いる。ま
たこの場合はインダクタンスのみならず、その面積も変
化させることになる。
の形状を変化させても同様の効果が得られる。受信コイ
ル１やＳＱＵＩＤ入カコイル３の形状を変化させる場合
には形状調節器の材質として非磁性のものを用いる。ま
たこの場合はインダクタンスのみならず、その面積も変
化させることになる。
以上の実施例では受信コイル１．伝送線２゜ＳＱＵＩＤ
入カコイル３．インダクタンス調節用コイル４．ＤＱＵ
ＩＤ５はすべて超伝導体、あるいは超伝導デバイスであ
る。またインダクタンス調節器１０も必要に応じて超伝
導体を用いる。これらの超伝導体として液体窒素中、あ
るいは室温中で動作する高温超伝導体を用いてもよく、
この場合液体ヘリウム中で動作する超伝導体を用いる場
合に比べ操作が著しく容易になる。
入カコイル３．インダクタンス調節用コイル４．ＤＱＵ
ＩＤ５はすべて超伝導体、あるいは超伝導デバイスであ
る。またインダクタンス調節器１０も必要に応じて超伝
導体を用いる。これらの超伝導体として液体窒素中、あ
るいは室温中で動作する高温超伝導体を用いてもよく、
この場合液体ヘリウム中で動作する超伝導体を用いる場
合に比べ操作が著しく容易になる。
最後に本発明による磁束伝達回路を用いた５ＱυＩＱ磁
束計を検出器とするＭＲＩ装置の実施例を第７図に示す
。ＭＨＩ装置の本体は静磁場コイル５０．傾斜磁場コイ
ル６０．励振コイル７０及びこれらの制御系から成る。
束計を検出器とするＭＲＩ装置の実施例を第７図に示す
。ＭＨＩ装置の本体は静磁場コイル５０．傾斜磁場コイ
ル６０．励振コイル７０及びこれらの制御系から成る。
以下では特に５ＱυＩＱ磁束計を用いた検出器について
説明する。１は受信コイル、２は伝送線、３はＳＱＵＩ
Ｄ入カコイル、４はインダクタンス調節用コイル、１０
は超伝導の調節器、１４は調節器を上下させるロッドで
ある。また５はＳＱＵＩＤ、２０はＳＱＵＩＤ駆動用バ
イアス電流源、３０は増幅器、４０は位相検出器である
０本実施例では超伝導体は液体ヘリウム中で動作するも
のとじており、被験体を除く１００の内部は液体ヘリウ
ムに浸漬されている。また２００はＭＲＩｌｌｉ［本体
の強磁場を遮蔽する磁気シールドである。
説明する。１は受信コイル、２は伝送線、３はＳＱＵＩ
Ｄ入カコイル、４はインダクタンス調節用コイル、１０
は超伝導の調節器、１４は調節器を上下させるロッドで
ある。また５はＳＱＵＩＤ、２０はＳＱＵＩＤ駆動用バ
イアス電流源、３０は増幅器、４０は位相検出器である
０本実施例では超伝導体は液体ヘリウム中で動作するも
のとじており、被験体を除く１００の内部は液体ヘリウ
ムに浸漬されている。また２００はＭＲＩｌｌｉ［本体
の強磁場を遮蔽する磁気シールドである。
測定対象核種として水素の原子核をとった場合信号周波
数秒ＭＨＩの静磁場に比例し、ＩＴで４２ 、６ Ｍ
Ｈｚ である０例えば静磁場０．１ＴのＭＲＩ装置では
信号周波数は４．３ＭＨｚである。
数秒ＭＨＩの静磁場に比例し、ＩＴで４２ 、６ Ｍ
Ｈｚ である０例えば静磁場０．１ＴのＭＲＩ装置では
信号周波数は４．３ＭＨｚである。
本実施例、の５ＱυＩＱ磁束計はＦＬＬを持たないため
高速動作が可能であり、１０ＭＨｚ以上の信号磁束が検
出できる。
高速動作が可能であり、１０ＭＨｚ以上の信号磁束が検
出できる。
人体から発生したＭＨＩ信号磁束は受信コイル１に鎖交
する。この磁束は１，２，３．４から成る磁束伝達回路
の磁束伝達効率に応じて５ＱＩＪＩＤ ５に伝えられる
。この磁束伝達効率はインダクタンス調節用コイル４に
よって調節できる。したがってＭＨＩ信号磁束が最大と
なったとき、ＳＱＵＩＤにφｏ／２ の磁束が入力する
ように、調節器コイル４のインダクタンスを調節すれば
最大のＳ／ＮでＭＲＩ信号を検出できる。信号はＳＱＵ
ＩＤ５で電圧に変換した後、増幅器３０で増幅し、位相
検波器４０で検波する。
する。この磁束は１，２，３．４から成る磁束伝達回路
の磁束伝達効率に応じて５ＱＩＪＩＤ ５に伝えられる
。この磁束伝達効率はインダクタンス調節用コイル４に
よって調節できる。したがってＭＨＩ信号磁束が最大と
なったとき、ＳＱＵＩＤにφｏ／２ の磁束が入力する
ように、調節器コイル４のインダクタンスを調節すれば
最大のＳ／ＮでＭＲＩ信号を検出できる。信号はＳＱＵ
ＩＤ５で電圧に変換した後、増幅器３０で増幅し、位相
検波器４０で検波する。
本発明によれば高速動作可能なｄ ｃ−３ＱυＩＱ磁束
計において、ＳＱＵＩＤへの入力の大きさを調節する手
段を設けたので、前記Ｖ−φ特性を一価関数に保持した
まま、最高のＳ／Ｎ比を得ることができる。したがって
該５ＱυＩＱ磁束計をＮＭＲ装置、ＭＲＩ装置に応用す
ることにより核磁気共鳴信号の高感度検出が可能となる
。
計において、ＳＱＵＩＤへの入力の大きさを調節する手
段を設けたので、前記Ｖ−φ特性を一価関数に保持した
まま、最高のＳ／Ｎ比を得ることができる。したがって
該５ＱυＩＱ磁束計をＮＭＲ装置、ＭＲＩ装置に応用す
ることにより核磁気共鳴信号の高感度検出が可能となる
。
第１図から第６図は本発明の実施例の磁束伝達回路の模
式図、第７図は本発明を応用したＭＨＩ装置の構成を示
す模式図、第８図はｄｃ−３ＱυＩＱの磁束−電圧（Ｖ
−φ）特性図、第９図は従来装置を示す磁束伝達回路の
ブロック図である。 １・・・受信コイル、２・・・伝送線、３・・・ＳＱＵ
ＩＤ入力コイル、４・・・インダクタンス調節用コイル
、５・・・ＳＱＵＩＤ、６・・・チェンバ、７・・・送
気路、８・・・排気器、９・・・ガスボンベ、１０・・
・インダクタンス調節器、１１・・・形状によるインダ
クタンス調節器、１２・・・調節用ピン、１３・・・調
節用ロッド、１４・・・調節用ロッド、２０・・・ＳＱ
ＵＩＤ駆動用バイアス電流源、３０・・・増幅器、４０
・・・位相検波器、５０・・・静磁場用コイル、６０・
・・傾斜磁場用コイル、７０・・・励磁コイル、９０・
・・高周波発生部、９１・・・ゲート回路、９２・・・
励起回路側増幅器、９３・・・送信コイル、９４・・・
被酸体、９５・・・受信コイル、９６・・・受信コイル
（逆極性）、１．ＯＯ・・・液体ヘリウム浸漬領域、２
００・・・磁気シールド。 第 囚 第 の 第 囚 第 第 乎 図 寥 閃 φ／ψＯ Ｙ り 口
式図、第７図は本発明を応用したＭＨＩ装置の構成を示
す模式図、第８図はｄｃ−３ＱυＩＱの磁束−電圧（Ｖ
−φ）特性図、第９図は従来装置を示す磁束伝達回路の
ブロック図である。 １・・・受信コイル、２・・・伝送線、３・・・ＳＱＵ
ＩＤ入力コイル、４・・・インダクタンス調節用コイル
、５・・・ＳＱＵＩＤ、６・・・チェンバ、７・・・送
気路、８・・・排気器、９・・・ガスボンベ、１０・・
・インダクタンス調節器、１１・・・形状によるインダ
クタンス調節器、１２・・・調節用ピン、１３・・・調
節用ロッド、１４・・・調節用ロッド、２０・・・ＳＱ
ＵＩＤ駆動用バイアス電流源、３０・・・増幅器、４０
・・・位相検波器、５０・・・静磁場用コイル、６０・
・・傾斜磁場用コイル、７０・・・励磁コイル、９０・
・・高周波発生部、９１・・・ゲート回路、９２・・・
励起回路側増幅器、９３・・・送信コイル、９４・・・
被酸体、９５・・・受信コイル、９６・・・受信コイル
（逆極性）、１．ＯＯ・・・液体ヘリウム浸漬領域、２
００・・・磁気シールド。 第 囚 第 の 第 囚 第 第 乎 図 寥 閃 φ／ψＯ Ｙ り 口
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、超伝導の磁束伝達回路においてインダクタンスを調
節可能とし、磁束の伝達効率を可変としたことを特徴と
する磁束伝達回路。 ２、請求項第１項記載の磁束伝達回路において、インダ
クタンス調節用のコイルを設置したことを特徴とする磁
束伝達回路。 ３、請求項第１項記載の磁束伝達回路において、インダ
クタンスの調節が形状の調節によつてなされることを特
徴とする磁束伝達回路。 ４、請求項第１項記載の磁束伝達回路において、インダ
クタンスの調節が、周辺環境と異なる透磁率を持つ物質
との距離の調節でなされることを特徴とする磁束伝達回
路。 ５、請求項第１項記載の磁束伝達回路において、インダ
クタンスの調節が、超伝導体との距離の調節でなされる
ことを特徴とする磁束伝達回路。 ６、請求項第１項記載の磁束伝達回路において、インダ
クタンスの調節が、雰囲気の置換によつてなされること
を特徴とする磁束伝達回路。 ７、請求項第５項記載の調節用超伝導体が、窒素温度以
上で動作する高温超伝導体であることを特徴とする磁束
伝達回路。 ８、ＳＱＵＩＤによつて磁束信号を直接電圧に変換する
方式のＳＱＵＩＤ磁束計において、伝達効果を可変とす
る磁束伝達回路を用いて磁束量をＳＱＵＩＤへ伝達する
ことを特徴とする磁束計。 ９、請求項第１項記載の磁束伝達回路を用いたことを特
徴とするＳＱＵＩＤ磁束計。 １０、請求項第９項記載のＳＱＵＩＤ磁束を用いたＮＭ
Ｒ装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63276249A JPH02124484A (ja) | 1988-11-02 | 1988-11-02 | 磁束伝達回路 |
| US07/426,188 US5021739A (en) | 1988-11-02 | 1989-10-25 | Superconductor type radio frequency with adjustable inductance magnetic flux measuring circuit |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63276249A JPH02124484A (ja) | 1988-11-02 | 1988-11-02 | 磁束伝達回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02124484A true JPH02124484A (ja) | 1990-05-11 |
Family
ID=17566788
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63276249A Pending JPH02124484A (ja) | 1988-11-02 | 1988-11-02 | 磁束伝達回路 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5021739A (ja) |
| JP (1) | JPH02124484A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007121148A (ja) * | 2005-10-28 | 2007-05-17 | Hitachi Ltd | 核磁気共鳴装置用のｎｍｒプローブ |
| JP2012211813A (ja) * | 2011-03-31 | 2012-11-01 | Toyohashi Univ Of Technology | 超低磁場におけるｓｑｕｉｄ検出核磁気共鳴装置 |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3923069C3 (de) * | 1989-07-13 | 1996-11-21 | Bruker Medizintech | Verfahren und Vorrichtung zum Kalibrieren einer Hochfrequenz-Feldstärke in einem Meßraum eines Kernspintomographen |
| US5294884A (en) * | 1989-09-14 | 1994-03-15 | Research Development Corporation Of Japan | High sensitive and high response magnetometer by the use of low inductance superconducting loop including a negative inductance generating means |
| US5343147A (en) * | 1992-09-08 | 1994-08-30 | Quantum Magnetics, Inc. | Method and apparatus for using stochastic excitation and a superconducting quantum interference device (SAUID) to perform wideband frequency response measurements |
| US5729141A (en) * | 1996-03-19 | 1998-03-17 | Intermagnetics General Corporation | Split gradient coils for MRI system |
| US20020179830A1 (en) * | 2000-11-01 | 2002-12-05 | Pearson Robert M. | Halbach Dipole magnet shim system |
| US8970217B1 (en) | 2010-04-14 | 2015-03-03 | Hypres, Inc. | System and method for noise reduction in magnetic resonance imaging |
| US10375901B2 (en) | 2014-12-09 | 2019-08-13 | Mtd Products Inc | Blower/vacuum |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3528001A (en) * | 1967-11-09 | 1970-09-08 | United Aircraft Corp | Test cell for measuring the magnetic properties of cryogenic materials |
| US3965411A (en) * | 1974-01-21 | 1976-06-22 | Develco, Inc. | Gradient wound trim coil for trimming a primary pickup coil |
| JPS58169070A (ja) * | 1982-03-31 | 1983-10-05 | Yokogawa Hokushin Electric Corp | スクイツド磁束計 |
| JPS58174866A (ja) * | 1982-04-07 | 1983-10-13 | Yokogawa Hokushin Electric Corp | スクイッド磁束計 |
| JPS60143752A (ja) * | 1983-12-29 | 1985-07-30 | Yokogawa Hokushin Electric Corp | Νｍｒ画像診断装置 |
| DE3529815A1 (de) * | 1985-08-20 | 1987-02-26 | Siemens Ag | Messvorrichtung mit einem squid-magnetometer |
| JPS63235876A (ja) * | 1987-03-25 | 1988-09-30 | Hitachi Ltd | 高感度磁束計 |
| JP2569542B2 (ja) * | 1987-03-28 | 1997-01-08 | 株式会社日立製作所 | 磁束伝達回路 |
-
1988
- 1988-11-02 JP JP63276249A patent/JPH02124484A/ja active Pending
-
1989
- 1989-10-25 US US07/426,188 patent/US5021739A/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007121148A (ja) * | 2005-10-28 | 2007-05-17 | Hitachi Ltd | 核磁気共鳴装置用のｎｍｒプローブ |
| JP4673188B2 (ja) * | 2005-10-28 | 2011-04-20 | 株式会社日立製作所 | 核磁気共鳴装置用のｎｍｒプローブ |
| JP2012211813A (ja) * | 2011-03-31 | 2012-11-01 | Toyohashi Univ Of Technology | 超低磁場におけるｓｑｕｉｄ検出核磁気共鳴装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5021739A (en) | 1991-06-04 |
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