JPS63276035A - Ec素子用電極パタ−ンの製造方法 - Google Patents
Ec素子用電極パタ−ンの製造方法Info
- Publication number
- JPS63276035A JPS63276035A JP62111888A JP11188887A JPS63276035A JP S63276035 A JPS63276035 A JP S63276035A JP 62111888 A JP62111888 A JP 62111888A JP 11188887 A JP11188887 A JP 11188887A JP S63276035 A JPS63276035 A JP S63276035A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mask
- electrode
- isolation line
- layer
- bridge
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 7
- 238000002955 isolation Methods 0.000 claims abstract description 19
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 14
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims abstract description 6
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 claims abstract 3
- 238000000605 extraction Methods 0.000 claims description 17
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 8
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 abstract description 8
- 206010063836 Atrioventricular septal defect Diseases 0.000 description 16
- 238000001211 electron capture detection Methods 0.000 description 16
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 12
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 6
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000004040 coloring Methods 0.000 description 5
- 229910000906 Bronze Inorganic materials 0.000 description 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000010974 bronze Substances 0.000 description 4
- KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N copper tin Chemical compound [Cu].[Sn] KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 4
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 4
- 238000006722 reduction reaction Methods 0.000 description 4
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 4
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 3
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 3
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 2
- MRELNEQAGSRDBK-UHFFFAOYSA-N lanthanum(3+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[La+3].[La+3] MRELNEQAGSRDBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 description 2
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 2
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BWPVWIXXVIZIJM-UHFFFAOYSA-N [Sn]=O.[Ir]=O Chemical compound [Sn]=O.[Ir]=O BWPVWIXXVIZIJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DMFGNRRURHSENX-UHFFFAOYSA-N beryllium copper Chemical compound [Be].[Cu] DMFGNRRURHSENX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001423 beryllium ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005422 blasting Methods 0.000 description 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 1
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 238000002788 crimping Methods 0.000 description 1
- HTXDPTMKBJXEOW-UHFFFAOYSA-N dioxoiridium Chemical compound O=[Ir]=O HTXDPTMKBJXEOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002845 discoloration Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910000449 hafnium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N hafnium(4+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[Hf+4] WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M hydroxide Chemical compound [OH-] XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- -1 hydroxy ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000011900 installation process Methods 0.000 description 1
- 229910000457 iridium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L magnesium fluoride Chemical compound [F-].[F-].[Mg+2] ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001635 magnesium fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910000484 niobium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N niobium(5+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Nb+5].[Nb+5] URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N nonaoxidotritungsten Chemical compound O=[W]1(=O)O[W](=O)(=O)O[W](=O)(=O)O1 QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 238000007665 sagging Methods 0.000 description 1
- 239000000565 sealant Substances 0.000 description 1
- 239000005394 sealing glass Substances 0.000 description 1
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000011135 tin Substances 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001930 tungsten oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Electrochromic Elements, Electrophoresis, Or Variable Reflection Or Absorption Elements (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は、エレクトロクロミック(以下、「EC」と略
す)素子用電極パターンの製造方法に関するものである
。
す)素子用電極パターンの製造方法に関するものである
。
(従来の技術)
EC素子(以下、ECDと略す)は一般に平板状の基板
上に下部電極、EC物質層例えばWO2層及び上部電極
層の少なくとも3Nを順に積層した構造を有するもので
、上下両電極層の少なくとも一方を透明にしておき、電
圧(例えば1.5V程度の直流電圧)を印加すると、E
C層が還元反応又は酸化反応を起して着色するので、基
板に垂直な方向から見ていると、着色が視認される0着
色 ′に伴いECNを透過する光は光量が減少する。そ
して、今度は逆電圧を印加すると、ECIWが逆の反応
を起して消色する。
上に下部電極、EC物質層例えばWO2層及び上部電極
層の少なくとも3Nを順に積層した構造を有するもので
、上下両電極層の少なくとも一方を透明にしておき、電
圧(例えば1.5V程度の直流電圧)を印加すると、E
C層が還元反応又は酸化反応を起して着色するので、基
板に垂直な方向から見ていると、着色が視認される0着
色 ′に伴いECNを透過する光は光量が減少する。そ
して、今度は逆電圧を印加すると、ECIWが逆の反応
を起して消色する。
従って、ECDは表示装置や光量制御装置や反射率可変
ミラー(防眩ミラー)などに利用すべく研究が進められ
ている。自動車用防眩ミラーでは、例えば縦BcmX横
20cmの長方形をした基板上にはり同一の表示面積を
有するECDが形成される。
ミラー(防眩ミラー)などに利用すべく研究が進められ
ている。自動車用防眩ミラーでは、例えば縦BcmX横
20cmの長方形をした基板上にはり同一の表示面積を
有するECDが形成される。
ECDは、例えば5N構造でも全体で約1m以下という
薄いので、上下の電極取出し及び電荷を供給するための
外部配線との接続が難しく、上下両電極の取出し部を同
一基板上に設け、そこに外部配線を接続する0例えば特
開昭61−236530号公報及び第2図を参照された
い。
薄いので、上下の電極取出し及び電荷を供給するための
外部配線との接続が難しく、上下両電極の取出し部を同
一基板上に設け、そこに外部配線を接続する0例えば特
開昭61−236530号公報及び第2図を参照された
い。
この場合、第3A、3B図に示すように同一基板表面に
上部電極(A)の取出し部(F)と下部電−(B)が形
成される。当然に両者は絶縁ゾーン(1)を隔てて離隔
されている。尚、下部電極の取出し部(B、)は下部電
極の周辺部(第3B図のクロスハンチング部分)をその
まま使用する。
上部電極(A)の取出し部(F)と下部電−(B)が形
成される。当然に両者は絶縁ゾーン(1)を隔てて離隔
されている。尚、下部電極の取出し部(B、)は下部電
極の周辺部(第3B図のクロスハンチング部分)をその
まま使用する。
下部電極の取出し部(F)と下部電i (B)とからな
る電極パターンは、どのように製造するか、その製造方
法について説明すると、先の特開昭61−236530
号の実施例に説明されているように■一旦、基板全面に
電掻膜を装着した後、フォトエツチングにより下部電極
の取出し部(F)と下部電極(B)に分離するか、又は
■マスク蒸着により、いきなり両者を蒸着する方法があ
る。
る電極パターンは、どのように製造するか、その製造方
法について説明すると、先の特開昭61−236530
号の実施例に説明されているように■一旦、基板全面に
電掻膜を装着した後、フォトエツチングにより下部電極
の取出し部(F)と下部電極(B)に分離するか、又は
■マスク蒸着により、いきなり両者を蒸着する方法があ
る。
前者■は、工程数が多く、時間がかかり、生産性が悪い
、それに対して後者■は1工程で第3B図に示す如き電
極パターンが製造できるので生産性が高い。
、それに対して後者■は1工程で第3B図に示す如き電
極パターンが製造できるので生産性が高い。
後者■の場合、第4図に示す如きマスクが使用される。
このマスクは、りん青i同やステンレスの薄板(例えば
厚さ0.1 ml11)で作られ、取出し部(F)を形
成するための第1開口部と(1)と下部電極(B)を形
成するための第2開口部(2)とを有する。そして両開
口部の間には取出し部(F)と下部電極(B)とを離隔
する絶縁ゾーン(1)を形成する遮へい物としての隔離
線(3)がある。第4図のイメージでは、この隔離線(
3)は非常に幅が広く惑じられるが、実際には第5図の
イメージに近く、表示面積を太き(とりたい要求から、
幅は0.1〜2III11と狭いものである。
厚さ0.1 ml11)で作られ、取出し部(F)を形
成するための第1開口部と(1)と下部電極(B)を形
成するための第2開口部(2)とを有する。そして両開
口部の間には取出し部(F)と下部電極(B)とを離隔
する絶縁ゾーン(1)を形成する遮へい物としての隔離
線(3)がある。第4図のイメージでは、この隔離線(
3)は非常に幅が広く惑じられるが、実際には第5図の
イメージに近く、表示面積を太き(とりたい要求から、
幅は0.1〜2III11と狭いものである。
他方、表示面積は益々大きくなる傾向にあり、従って隔
離線(3)の長さは例えば20cm以上に達する。つま
り、隔離線(3)は幅が0.1〜2mm、長さが例えば
20c+m、厚さが例えば0.1 mmのような寸法を
有する。
離線(3)の長さは例えば20cm以上に達する。つま
り、隔離線(3)は幅が0.1〜2mm、長さが例えば
20c+m、厚さが例えば0.1 mmのような寸法を
有する。
(発明が解決しようとする問題点)
ところで、マスク蒸着は、第6図に示すように、基板(
S)表面にマスク(4)を密着させた上で表裏を逆にし
て上方に設置し、下方から薄着源物質(5)を加熱手段
(6)で加熱して蒸発させることにより行なう。
S)表面にマスク(4)を密着させた上で表裏を逆にし
て上方に設置し、下方から薄着源物質(5)を加熱手段
(6)で加熱して蒸発させることにより行なう。
従って、細くて長い隔離線(3)は両端がマスクの周辺
部に支えられているだけなので、自重で中心付近が垂れ
下り、そのため中心付近では基板(S)と隔離線(3)
との間に大きな隙間が生じてしまう。
部に支えられているだけなので、自重で中心付近が垂れ
下り、そのため中心付近では基板(S)と隔離線(3)
との間に大きな隙間が生じてしまう。
その結果、形成された取出し部(F)及び下部電極(B
)の絶縁ゾーン(1)に面する端線が不明瞭になり、場
合によっては短絡するという第1の問題点があった。
)の絶縁ゾーン(1)に面する端線が不明瞭になり、場
合によっては短絡するという第1の問題点があった。
この問題点はマスクの厚みを厚(しても解決されるが、
そうすると形成される電極パターンの周辺部の厚みが薄
くなり、結局表示面積が小さくなったり、周辺部の着消
色が遅くなるという新たな問題点を引き起こす。
そうすると形成される電極パターンの周辺部の厚みが薄
くなり、結局表示面積が小さくなったり、周辺部の着消
色が遅くなるという新たな問題点を引き起こす。
本発明の目的は、マスクを厚くすることなく、隔離線(
3)の垂れ下りを防止することにより、第1の問題点を
解決することにある。
3)の垂れ下りを防止することにより、第1の問題点を
解決することにある。
(問題点を解決するための手段)
本発明は、電極パターンをマスク蒸着により製造する際
に、第7図に示すようにマスクの隔離線(3)と第1開
口部(1)側の周辺部(7)との間に、隔離線(3)を
補強するための橋渡しく8)を設けたマスクを使用する
点に特徴がある。
に、第7図に示すようにマスクの隔離線(3)と第1開
口部(1)側の周辺部(7)との間に、隔離線(3)を
補強するための橋渡しく8)を設けたマスクを使用する
点に特徴がある。
(作 用)
橋渡しく8)を有するマスクを用いると、橋渡しく8)
が遮へい物として働くので当然に上部電極取出し部(F
)は、第1図に示すようにいくつかに分断されてしまう
。
が遮へい物として働くので当然に上部電極取出し部(F
)は、第1図に示すようにいくつかに分断されてしまう
。
しかしながら、この分断された取出し部(F)でも、例
えば第8A、8B図に示すような導電性クリンプ(H)
を、第9図、第10図に示すように装着し、このクリッ
プ(H)に第11図に示すように外部配線(LA)を接
続すれば、特に差し支えはない。
えば第8A、8B図に示すような導電性クリンプ(H)
を、第9図、第10図に示すように装着し、このクリッ
プ(H)に第11図に示すように外部配線(LA)を接
続すれば、特に差し支えはない。
導電性・クリンプ(H)は、バネ性を有する金属ででき
ていることが好ましく、また金属はハンダ付けも良好に
実施できるので好ましい。好ましいバネ性を有する金属
としては、リン青銅が挙げられるが、その外SUS、ベ
リリウム銅、ハガネなども使用される。金属クリップは
、少なくとも取出し部との接触面に、比較的軟らかい金
属例えばスズ、インジウム、ハンダ、それらの混合物、
その他の導電性材料で被覆されていてもよい。そのよう
なりリップは、取出し部との接触が最高となろう。なぜ
ならば、一般には金属表面は顕微鏡で見た場合微妙な凹
凸があり、単に圧接しただけでは取出し部との良好な接
触が最高とはならないからである。またリン青銅のクリ
ップにスズめっきすると、耐蝕性が向上する利点もある
。
ていることが好ましく、また金属はハンダ付けも良好に
実施できるので好ましい。好ましいバネ性を有する金属
としては、リン青銅が挙げられるが、その外SUS、ベ
リリウム銅、ハガネなども使用される。金属クリップは
、少なくとも取出し部との接触面に、比較的軟らかい金
属例えばスズ、インジウム、ハンダ、それらの混合物、
その他の導電性材料で被覆されていてもよい。そのよう
なりリップは、取出し部との接触が最高となろう。なぜ
ならば、一般には金属表面は顕微鏡で見た場合微妙な凹
凸があり、単に圧接しただけでは取出し部との良好な接
触が最高とはならないからである。またリン青銅のクリ
ップにスズめっきすると、耐蝕性が向上する利点もある
。
またクリップは、取出し部を基板に対し常に押さえつけ
ているので、仮に温水浸漬試験に供しても取出し部が基
板から剥がれる危険もない、ただ、クリップを取りつけ
るときに、取出し部を破損する恐れがあるので、取出し
部はそれ自身強靭なIToその他の酸化物系電極材料で
できていることが好ましい。もっとも、取り付は作業に
細心の注意を払えば、破損の恐れは解消される。
ているので、仮に温水浸漬試験に供しても取出し部が基
板から剥がれる危険もない、ただ、クリップを取りつけ
るときに、取出し部を破損する恐れがあるので、取出し
部はそれ自身強靭なIToその他の酸化物系電極材料で
できていることが好ましい。もっとも、取り付は作業に
細心の注意を払えば、破損の恐れは解消される。
導電性クリップは、ECDの周辺部の遮蔽材又は装飾材
を兼用していてもよい。特に基板側からECDを見るこ
とになる防眩ミラー(反射光量が電気的にコントロール
もの)の場合には、なるべく表示部の面積を大きくして
周辺部を細くすることが美観上好ましいので、兼用する
ことは有利である。
を兼用していてもよい。特に基板側からECDを見るこ
とになる防眩ミラー(反射光量が電気的にコントロール
もの)の場合には、なるべく表示部の面積を大きくして
周辺部を細くすることが美観上好ましいので、兼用する
ことは有利である。
クリップがハンダ付は可能な材料でできている場合には
、外部配線をクリップに接続するとき、ハンダ付けすれ
ばよいが、クリップが金属でできている場合には、ハン
ダ付けに変えて導電性接着 −剤、圧着又は圧締めに
より接続してもよい。
、外部配線をクリップに接続するとき、ハンダ付けすれ
ばよいが、クリップが金属でできている場合には、ハン
ダ付けに変えて導電性接着 −剤、圧着又は圧締めに
より接続してもよい。
外部配線のクリップへの接続時期は、接続がハンダ付け
の場合、ECDに取りつける前に行なうことが好ましい
。そうすれば、ECDがハンダ付けの熱を受けず、熱に
よる損傷の危険がなくなる。
の場合、ECDに取りつける前に行なうことが好ましい
。そうすれば、ECDがハンダ付けの熱を受けず、熱に
よる損傷の危険がなくなる。
外部配線とクリップとの接続部は、物理的、化学的に弱
いので、封止することが好ましい、この封止は、ECD
の封止と同時に行なうと、別の封止工程が不要になるの
で特に好ましい。
いので、封止することが好ましい、この封止は、ECD
の封止と同時に行なうと、別の封止工程が不要になるの
で特に好ましい。
一方、ECDの積層構造は、特にどれと限定されるもの
ではないが、個体型ECDの構造としては、例えば■電
極層/E Cli/イオン導電層/電極層のような4層
構造、■電極層/還元着色型EC層/イオン導電層/可
逆的電解酸化層ないし酸化着色型ECC層重電極層よう
な5層構造があげられる。 。
ではないが、個体型ECDの構造としては、例えば■電
極層/E Cli/イオン導電層/電極層のような4層
構造、■電極層/還元着色型EC層/イオン導電層/可
逆的電解酸化層ないし酸化着色型ECC層重電極層よう
な5層構造があげられる。 。
透明電極の材料としては、例えばSnO,、In!01
、ITOなどが使用される。このような電極層は、一般
には真空蒸着、イオンブレーティング、スパッタリング
などの真空薄膜形成技術で形成される。(還元着色性)
EC層としては一般にWO,、Mob、などが使用され
る。
、ITOなどが使用される。このような電極層は、一般
には真空蒸着、イオンブレーティング、スパッタリング
などの真空薄膜形成技術で形成される。(還元着色性)
EC層としては一般にWO,、Mob、などが使用され
る。
イオン導電層としては、例えば酸化ケイ素、酸化タンタ
ル、酸化チタン、酸化アルミニウム、酸化ニオブ、酸化
ジルコニウム、酸化ハフニウム、酸化ランタン、フッ化
マグネシウムなどが使用される。これらの物質薄膜は製
造方法により電子に対して絶縁体であるが、プロトン(
H゛)およびヒドロキシイオン(OH−)に対しては良
導体となる。EC層の着色消色反応にはカチオンが必要
とされ、H9イオンやLi0イオンをEC層その他に含
有させる必要がある。H゛イオン初めからイオンである
必要はなく、電圧が印加されたときにH゛イオン生じれ
ばよく、従ってH9イオンの代わりに水を含有させても
よい。この水は非常に少なくて十分であり、しばしば、
大気中から自然に侵入する水分でも着消色する。
ル、酸化チタン、酸化アルミニウム、酸化ニオブ、酸化
ジルコニウム、酸化ハフニウム、酸化ランタン、フッ化
マグネシウムなどが使用される。これらの物質薄膜は製
造方法により電子に対して絶縁体であるが、プロトン(
H゛)およびヒドロキシイオン(OH−)に対しては良
導体となる。EC層の着色消色反応にはカチオンが必要
とされ、H9イオンやLi0イオンをEC層その他に含
有させる必要がある。H゛イオン初めからイオンである
必要はなく、電圧が印加されたときにH゛イオン生じれ
ばよく、従ってH9イオンの代わりに水を含有させても
よい。この水は非常に少なくて十分であり、しばしば、
大気中から自然に侵入する水分でも着消色する。
EC層とイオン導電層とは、どちらを上にしても下にし
てもよい、さらにEC層に対して間にイオン導電層を挟
んで可逆的電解酸化層(ないし酸化着色型EC層)又は
触媒層を配設してもよい。
てもよい、さらにEC層に対して間にイオン導電層を挟
んで可逆的電解酸化層(ないし酸化着色型EC層)又は
触媒層を配設してもよい。
このような層としては、例えば酸化ないし水酸化イリジ
ウム、同じくニッケル、同じくクロム、同じくバナジウ
ム、同じくルテニウム、同じくロジウムなどがあげられ
る。これらの物質は、イオン導電層又は透明電極中に分
散されても良いし、それらを分散していてもよい。不透
明な電極層は、反射層と兼用していてもよく、例えば金
、銀、アルミ−ニウム、クロム、スズ、亜鉛、ニッケル
、ルテニウム、ロジウム、ステンレスなどの金属が使用
される。
ウム、同じくニッケル、同じくクロム、同じくバナジウ
ム、同じくルテニウム、同じくロジウムなどがあげられ
る。これらの物質は、イオン導電層又は透明電極中に分
散されても良いし、それらを分散していてもよい。不透
明な電極層は、反射層と兼用していてもよく、例えば金
、銀、アルミ−ニウム、クロム、スズ、亜鉛、ニッケル
、ルテニウム、ロジウム、ステンレスなどの金属が使用
される。
以下、本発明を実施例により詳細に説明する。
(1) まず、厚さ0.1国のりん青銅板を用意し、
この上に縦4mmX横20cmの第1開口部(1)とこ
れより1閣離して縦6cmX横20cmの第2開口部(
2)を開窓すべ(、作図した。
この上に縦4mmX横20cmの第1開口部(1)とこ
れより1閣離して縦6cmX横20cmの第2開口部(
2)を開窓すべ(、作図した。
次に幅1ffI11の隔離線(3)を補強すべく、長さ
3開間隔で幅1mmの橋渡しく8)を隔離線(3)とマ
スク周辺部(7)との間に作図した。
3開間隔で幅1mmの橋渡しく8)を隔離線(3)とマ
スク周辺部(7)との間に作図した。
そして、作図に従い開窓すべき部分をカントして第7図
に示すマスクを製作した。
に示すマスクを製作した。
(2)縦6.7 cta x横20.2cmX厚さ0.
15 cmのガラス基板を用意し、前記のマスクを表面
に密着させ、次いで第6図に示す如(、ITOをマスク
蒸着した。
15 cmのガラス基板を用意し、前記のマスクを表面
に密着させ、次いで第6図に示す如(、ITOをマスク
蒸着した。
これにより、第1図に示す如く、いくつかに分断された
上部電極取出し部(F)と、それと幅1値の絶縁ゾーン
を介して位置する下部電極(B)とからなる電極パター
ンが製造された。
上部電極取出し部(F)と、それと幅1値の絶縁ゾーン
を介して位置する下部電極(B)とからなる電極パター
ンが製造された。
取出し部(F)の絶縁ゾーンに面する端線及び下部電極
(B)のそれは共に明瞭で両者の短絡はなかった。
(B)のそれは共に明瞭で両者の短絡はなかった。
(3)次に酸化イリジウム−酸化スズ混合層(C)、酸
化タンタルi CD)及び酸化タングステン層(E)を
順に積層した。
化タンタルi CD)及び酸化タングステン層(E)を
順に積層した。
最後に上部電極(A)としてA1を蒸着し、この時AN
は既に基板(S)上に形成された取出し電極形成部(F
)と接触するようにする。そして予め、ハンダ導電性接
着剤又は圧着、圧締めにより外部配線(LA)、(L、
)を接続しである長尺のリン青銅クリップ(、H)を上
部電極層(A)の周辺部と下部電極層(B)の周辺部に
装着する。
は既に基板(S)上に形成された取出し電極形成部(F
)と接触するようにする。そして予め、ハンダ導電性接
着剤又は圧着、圧締めにより外部配線(LA)、(L、
)を接続しである長尺のリン青銅クリップ(、H)を上
部電極層(A)の周辺部と下部電極層(B)の周辺部に
装着する。
最後にエポキシ樹脂封止剤(R)で素子を封止すると共
に封止基板(G)を接着して封止を完了し、本実施例の
ECDを製作した。尚、導電性クリップの形状及び寸法
は封止基板(G)の位置決め及び素子周辺の非着色部の
マスキングができるように設定しである。
に封止基板(G)を接着して封止を完了し、本実施例の
ECDを製作した。尚、導電性クリップの形状及び寸法
は封止基板(G)の位置決め及び素子周辺の非着色部の
マスキングができるように設定しである。
このECDに、駆動電源(Su)から着色電圧(+1.
35V)を印加すると、基板(S)から入射させた波長
633n−の光(L)に対して、反射率が15%に減少
しく10秒後)、この反射率は電圧印加を止めてもしば
らく保たれた。今度は、消色電圧(−1,35V)を印
加すると、同じく反射率は65%に回復した(10秒後
)。
35V)を印加すると、基板(S)から入射させた波長
633n−の光(L)に対して、反射率が15%に減少
しく10秒後)、この反射率は電圧印加を止めてもしば
らく保たれた。今度は、消色電圧(−1,35V)を印
加すると、同じく反射率は65%に回復した(10秒後
)。
従って、本実施例0ECDは、自動車その他の防眩ミラ
ーとして有用で、後ろから接近する自動車の強いライト
がミラーに当たったとき、電圧を印加して反射率を落と
せば、ドライバーは眩しくな(なる。
ーとして有用で、後ろから接近する自動車の強いライト
がミラーに当たったとき、電圧を印加して反射率を落と
せば、ドライバーは眩しくな(なる。
(発明の効果)
以上の通り、本発明によれば、隔離線を補強したマスク
を使用して蒸着を行なうので、基板と隔離線との密着が
よ(、そのため取出し部(F)と下部電極(B)との間
の絶縁ゾーンが明瞭で両者が短絡する恐れがなくなる。
を使用して蒸着を行なうので、基板と隔離線との密着が
よ(、そのため取出し部(F)と下部電極(B)との間
の絶縁ゾーンが明瞭で両者が短絡する恐れがなくなる。
第1図は、本発明の実施例で製造した電極パターンの概
略平面図である。 第2図は、従来のECDの一例を示す概略縦断面図であ
る。但し、正確な寸法比を表わさない。 第3A図は、第2図のECDに使用された電極パターン
の概略縦面図である。 第3B図は、同概略平面図である。 第4図は第3A図の電極パターンをマスク蒸着する際に
使用されるマスクの概略平面図である。 第5図は、第4図のイメージを現実のものに近ずけた概
略平面図である。 第6図は、マスク蒸着の様子を側面方向から見て説明す
る説明図である。 第7図は、本発明の実施例で使用したマスクの概略平面
図である。 第8A図は、導電性クリップ(H)の概略斜視図であり
、 第8B図は、その概略縦面図である。 第9図は、クリップ(H)を電極取出し部(F)に装着
する様子を説明する説明図であり、第10図は、装着が
完了したECDの概略部分縦面図である。 第11図は、実施例で製造したECDの概略継面図であ
る。 〔主要部分の符号の説明〕 S ・・・・・・・・・ 基板 A ・・・・・・・・・ 上部電極 B ・・・・・・・・・ 下部電極 B1・・・・・・・・・ 下部電橋取出し部E ・・・
・・・・・・ 還元着色性EC層又はWO3[F ・・
・・・・・・・ 下部電極の取出し部H・・・・・・・
・・ 導電性クリップ■ ・・・・・・・・・ 絶縁ゾ
ーン G ・・・・・・・・・ 封止用ガラス板R・・・・・
・・・・ 封止材 L^、LIl・・・・・・ 外部配線 1・・・・・・第1開口部 2・・・・・・第2開口
部3・・・・・・隔離線 4・・・・・・マスク
7・・・・・・マスク周辺部 8・・・・・・橋渡し第
1図 第2図 第5図 第6図 第7図 第3A図 第88図 = 第9図 第10図
略平面図である。 第2図は、従来のECDの一例を示す概略縦断面図であ
る。但し、正確な寸法比を表わさない。 第3A図は、第2図のECDに使用された電極パターン
の概略縦面図である。 第3B図は、同概略平面図である。 第4図は第3A図の電極パターンをマスク蒸着する際に
使用されるマスクの概略平面図である。 第5図は、第4図のイメージを現実のものに近ずけた概
略平面図である。 第6図は、マスク蒸着の様子を側面方向から見て説明す
る説明図である。 第7図は、本発明の実施例で使用したマスクの概略平面
図である。 第8A図は、導電性クリップ(H)の概略斜視図であり
、 第8B図は、その概略縦面図である。 第9図は、クリップ(H)を電極取出し部(F)に装着
する様子を説明する説明図であり、第10図は、装着が
完了したECDの概略部分縦面図である。 第11図は、実施例で製造したECDの概略継面図であ
る。 〔主要部分の符号の説明〕 S ・・・・・・・・・ 基板 A ・・・・・・・・・ 上部電極 B ・・・・・・・・・ 下部電極 B1・・・・・・・・・ 下部電橋取出し部E ・・・
・・・・・・ 還元着色性EC層又はWO3[F ・・
・・・・・・・ 下部電極の取出し部H・・・・・・・
・・ 導電性クリップ■ ・・・・・・・・・ 絶縁ゾ
ーン G ・・・・・・・・・ 封止用ガラス板R・・・・・
・・・・ 封止材 L^、LIl・・・・・・ 外部配線 1・・・・・・第1開口部 2・・・・・・第2開口
部3・・・・・・隔離線 4・・・・・・マスク
7・・・・・・マスク周辺部 8・・・・・・橋渡し第
1図 第2図 第5図 第6図 第7図 第3A図 第88図 = 第9図 第10図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 同一基板表面上に、上部電極取出し部と、それと僅かに
離隔した下部電極からなる電極パターンを前記取出し部
を形成するための第1開口部と、前記下部電極を形成す
るための第2開口部を有する蒸着用マスクを用いて、マ
スク蒸着により製造する方法に於いて、 前記マスクとして、第1開口部と第2開口部とを隔てる
隔離線と第1開口部側マスク周辺部との間に、該隔離線
を補強するための橋渡しを設けたマスクを使用すること
を特徴とする方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62111888A JPS63276035A (ja) | 1987-05-08 | 1987-05-08 | Ec素子用電極パタ−ンの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62111888A JPS63276035A (ja) | 1987-05-08 | 1987-05-08 | Ec素子用電極パタ−ンの製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63276035A true JPS63276035A (ja) | 1988-11-14 |
Family
ID=14572660
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62111888A Pending JPS63276035A (ja) | 1987-05-08 | 1987-05-08 | Ec素子用電極パタ−ンの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63276035A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1995019588A3 (en) * | 1994-01-13 | 1995-09-21 | Isoclima Spa | Electrochromic edge isolation-interconnect system, process and device for its manufacture |
WO1999020080A1 (fr) * | 1997-10-15 | 1999-04-22 | Toray Industries, Inc. | Procede de fabrication d'un dispositif electroluminescent organique |
US6087772A (en) * | 1996-10-30 | 2000-07-11 | Nec Corporation | Organic electroluminecent display device suitable for a flat display and method of forming the same |
KR20030002947A (ko) * | 2001-07-03 | 2003-01-09 | 엘지전자 주식회사 | 풀칼라 유기 el 표시소자 및 제조방법 |
-
1987
- 1987-05-08 JP JP62111888A patent/JPS63276035A/ja active Pending
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1995019588A3 (en) * | 1994-01-13 | 1995-09-21 | Isoclima Spa | Electrochromic edge isolation-interconnect system, process and device for its manufacture |
US6087772A (en) * | 1996-10-30 | 2000-07-11 | Nec Corporation | Organic electroluminecent display device suitable for a flat display and method of forming the same |
US6302756B1 (en) | 1996-10-30 | 2001-10-16 | Nec Corporation | Organic electroluminecent display device suitable for a flat display and method of forming the same |
WO1999020080A1 (fr) * | 1997-10-15 | 1999-04-22 | Toray Industries, Inc. | Procede de fabrication d'un dispositif electroluminescent organique |
KR20030002947A (ko) * | 2001-07-03 | 2003-01-09 | 엘지전자 주식회사 | 풀칼라 유기 el 표시소자 및 제조방법 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US5066112A (en) | Perimeter coated, electro-optic mirror | |
KR20020070254A (ko) | 고체형 일렉트로크로믹 소자 및 그 소자를 이용한 미러장치 및 crt 디스플레이 | |
JPWO2003032068A1 (ja) | 全固体型エレクトロクロミック素子 | |
GB2347231A (en) | Electrochromic mirror resistant to dendrite formation | |
JPS63305326A (ja) | 自動車用ec防眩ミラ− | |
US6366391B1 (en) | Electrochrome cell | |
JPS63276035A (ja) | Ec素子用電極パタ−ンの製造方法 | |
JPH055536Y2 (ja) | ||
JP2510894Y2 (ja) | Sus製クリツプを有するec素子 | |
JP2632835B2 (ja) | スリット部を設けたクリップを有するエレクトロクロミック素子 | |
JPS6150120A (ja) | 防眩ミラ−の製造方法 | |
JPH0522919Y2 (ja) | ||
JP2600830B2 (ja) | 耐候性を増したエレクトロクロミック素子 | |
JP2701578B2 (ja) | 樹脂封止素子の製造方法 | |
JPH0820648B2 (ja) | 端面に取出し電極部を設けたec素子 | |
JPS62270925A (ja) | 金属製クリップを備えたエレクトロクロミック素子 | |
CN214540318U (zh) | 一种高反射率电致变色防眩目后视镜 | |
JP2936185B2 (ja) | エレクトロクロミック素子の製造方法 | |
JP2936186B2 (ja) | エレクトロクロミック素子の製造方法 | |
JP2722505B2 (ja) | 封止されたエレクトロクロミック素子の製造方法 | |
JPS63294537A (ja) | リ−ク電流を低減させたec素子 | |
JP2505006Y2 (ja) | エレクトロクロミック素子 | |
JPH0740977Y2 (ja) | 導電性クリップ端子を有するエレクトロクロミック素子 | |
JP2567786Y2 (ja) | エレクトロクロミック素子 | |
JPH01237527A (ja) | エレクトロクロミック素子における補助電極付基板 |