JPS63275164A - 固体撮像装置 - Google Patents
固体撮像装置Info
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- JPS63275164A JPS63275164A JP62111065A JP11106587A JPS63275164A JP S63275164 A JPS63275164 A JP S63275164A JP 62111065 A JP62111065 A JP 62111065A JP 11106587 A JP11106587 A JP 11106587A JP S63275164 A JPS63275164 A JP S63275164A
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- transmission lines
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- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 13
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- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/148—Charge coupled imagers
- H01L27/14831—Area CCD imagers
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
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- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明はビデオカメラ等に使用される固体撮像装置に関
するものである。
するものである。
従来の技術
近年、固体撮像素子の開発が進み性能の向上が図られ、
一体型ビデオカメラ等に撮像管から置き換えられるなど
広く実用化がすすんでいる。なか２７、−７ でもＣＣＤ型の固体撮像素子は高感度特性を有するため
、最も多く使用されている。以下、図面を参照しながら
、上述したような従来の固体撮像装置について説明する
。
一体型ビデオカメラ等に撮像管から置き換えられるなど
広く実用化がすすんでいる。なか２７、−７ でもＣＣＤ型の固体撮像素子は高感度特性を有するため
、最も多く使用されている。以下、図面を参照しながら
、上述したような従来の固体撮像装置について説明する
。
第２図は従来のインターライン型ＣＯＤ固体撮像装置の
受光部と転送部の概略図を示すものである。第２図にお
いて１は光電変換するフォトダイオード、２は信号電荷
を転送する転送部、３は転送を制御する電極、φ１〜φ
４は前記電極を４行置きに接続したパルス伝送線である
。
受光部と転送部の概略図を示すものである。第２図にお
いて１は光電変換するフォトダイオード、２は信号電荷
を転送する転送部、３は転送を制御する電極、φ１〜φ
４は前記電極を４行置きに接続したパルス伝送線である
。
以上のように構成された固体撮像装置について、以下そ
の動作を説明する。 ″ まずフォトダイオード１に蓄積された信号電荷は転送部
２に転送される。つぎに電極３に接続しであるパルス伝
送線φ１〜φ４にそれぞれ９０度の位相差をもって電圧
を印加することにより、信号電荷は順次転送される。
の動作を説明する。 ″ まずフォトダイオード１に蓄積された信号電荷は転送部
２に転送される。つぎに電極３に接続しであるパルス伝
送線φ１〜φ４にそれぞれ９０度の位相差をもって電圧
を印加することにより、信号電荷は順次転送される。
発明が解決しようとする問題点
しかしながら、上記のような構成では、電極３が製造面
、信頼性面等からポリシリコン材料が−３ ／、−７ 般に用いられておシ、その配線抵抗は、単位面積当多数
子オームと高抵抗である。電極３は１／２光学系に合致
したＣＣＤ撮像素子の場合このポリシリコン材料を２〜
３ミクロンメートル×６〜７ミリメードルのサイズにな
る。したがって大きな抵抗となるほか基板との静電容量
も無視できない。
、信頼性面等からポリシリコン材料が−３ ／、−７ 般に用いられておシ、その配線抵抗は、単位面積当多数
子オームと高抵抗である。電極３は１／２光学系に合致
したＣＣＤ撮像素子の場合このポリシリコン材料を２〜
３ミクロンメートル×６〜７ミリメードルのサイズにな
る。したがって大きな抵抗となるほか基板との静電容量
も無視できない。
実際には上記配線抵抗と静電容量は１００〜２ｏＯキロ
オームと３〜１０ピコフアラツドで、その時定数は、：
＝３００＋１秒になシパルス伝達特性を著しく劣化させ
、電荷転送部の高速電荷転送ができないという問題点を
有していた。
オームと３〜１０ピコフアラツドで、その時定数は、：
＝３００＋１秒になシパルス伝達特性を著しく劣化させ
、電荷転送部の高速電荷転送ができないという問題点を
有していた。
本発明は上記問題点に鑑み、現状の製造技術および信頼
度を維持しながら、パルス伝送線の時定数を大幅に減少
させることのできる固体撮像装置を提供するものである
。
度を維持しながら、パルス伝送線の時定数を大幅に減少
させることのできる固体撮像装置を提供するものである
。
問題点を解決するための手段
上記問題点を解決するために、本発明の固体撮像装置は
受光素子が２次元状に配列された受光部と前記受光部で
発生した信号電荷の転送を行なう転送部と前記転送部の
電極を転送方向に共通接続した低抵抗材料からなるパル
ス伝送線とを有して構成されている。
受光素子が２次元状に配列された受光部と前記受光部で
発生した信号電荷の転送を行なう転送部と前記転送部の
電極を転送方向に共通接続した低抵抗材料からなるパル
ス伝送線とを有して構成されている。
作 用
この構成によって、電極の近傍にパルス伝送線を配置す
ることができ、パルス伝達特性を著しく改善することが
できる。
ることができ、パルス伝達特性を著しく改善することが
できる。
実施例
以下、本発明の一実施例について、図面を参照しながら
説明する。
説明する。
第１図は本発明の一実施例における固体撮像装置の受光
部と転送部の概略図を示すものである。
部と転送部の概略図を示すものである。
第１図において、１は光電変換するフォトダイオード、
２は信号電荷を転送する転送部、３は転送を制御する電
極、４はパルス伝送線φ１〜φ４を４行おきに電極３と
接続するコンタクト部、φ１〜φ４はアルミ配線からな
るパルス伝送線である。
２は信号電荷を転送する転送部、３は転送を制御する電
極、４はパルス伝送線φ１〜φ４を４行おきに電極３と
接続するコンタクト部、φ１〜φ４はアルミ配線からな
るパルス伝送線である。
以上のように構成された固体撮像装置について、以下そ
の動作を説明する。丑ずフォトダイオード１に蓄積され
た信号電荷は転送部２に転送される。
の動作を説明する。丑ずフォトダイオード１に蓄積され
た信号電荷は転送部２に転送される。
つぎにパルス伝送線φ１〜φ４にそれぞれ９０度の５
へ−・ 位相差をもつパルスを印加する。そしてパルスはコンタ
クト部４によシ接続された電極３にそれぞれ伝達される
ことによＱ信号電荷は順次転送される。
へ−・ 位相差をもつパルスを印加する。そしてパルスはコンタ
クト部４によシ接続された電極３にそれぞれ伝達される
ことによＱ信号電荷は順次転送される。
以上のように本実施例によれば、パルス伝送線を転送部
の近傍で転送方向に共通接続することにより、パルス伝
達特性を大幅に改善することができる。
の近傍で転送方向に共通接続することにより、パルス伝
達特性を大幅に改善することができる。
なお、実施例では９０度の位相差をもつ・ぐルスを４行
おきに共通接続しである４相駆動ＣＯＤであるが、３相
駆動ＣＯＤでは１２０度位相差をもつパルスを３行おき
に接続し、２相駆動ＣＯＤでは１８０度の位相差をもつ
パルスを２行おきに接続すればよい。
おきに共通接続しである４相駆動ＣＯＤであるが、３相
駆動ＣＯＤでは１２０度位相差をもつパルスを３行おき
に接続し、２相駆動ＣＯＤでは１８０度の位相差をもつ
パルスを２行おきに接続すればよい。
また、実施例ではアルミ配線を用いているが低抵抗材料
であれば何でもよい。
であれば何でもよい。
さらに、実施例ではアルミ配線は転送部１列につき１本
づつ備えであるが、複数本配置してもよい。
づつ備えであるが、複数本配置してもよい。
また、実施例ではインターライン型ＣＯＤを用いている
が、フレームトランスフォア型ＣＯＤでもフレームイン
ターライン型ＣＯＤでも、ＣＯＤ転送を行なうものは同
様の効果が得られることは言うまでもない。
が、フレームトランスフォア型ＣＯＤでもフレームイン
ターライン型ＣＯＤでも、ＣＯＤ転送を行なうものは同
様の効果が得られることは言うまでもない。
発明の効果
以上のように本発明は、パルス伝送線を転送方向で転送
部近傍の電極に共通接続することにより、信頼性を低下
させることなく、・くルス伝達特性を大幅に改善できる
ことにより、電荷転送を高速で行なうことができ、その
実用的効果は大なるものがある。
部近傍の電極に共通接続することにより、信頼性を低下
させることなく、・くルス伝達特性を大幅に改善できる
ことにより、電荷転送を高速で行なうことができ、その
実用的効果は大なるものがある。
第１図は本発明の実施例における固体撮像装置の受光部
と転送部の概略図、第２図は従来の固体撮像装置の受光
部と転送部の概略図である。 １・・・・・・フォトダイオード、２・・・・・・転送
部、３・・・・・・電極、４・・・・・・コンタクト部
、φ１〜φ４・・・・・・パルス伝送線。
と転送部の概略図、第２図は従来の固体撮像装置の受光
部と転送部の概略図である。 １・・・・・・フォトダイオード、２・・・・・・転送
部、３・・・・・・電極、４・・・・・・コンタクト部
、φ１〜φ４・・・・・・パルス伝送線。
Claims (2)
- （１）受光素子が２次元状に配列された受光部と、前記
受光部で発生した信号電荷の転送を行なう転送部と、前
記転送部の電極を転送方向に共通接続したパルス伝送線
とを備えたことを特徴とする固体撮像装置。 - （２）パルス伝送線が低抵抗材料で構成されていること
を特徴とする特許請求の範囲第１項記載の固体撮像装置
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62111065A JPS63275164A (ja) | 1987-05-07 | 1987-05-07 | 固体撮像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62111065A JPS63275164A (ja) | 1987-05-07 | 1987-05-07 | 固体撮像装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63275164A true JPS63275164A (ja) | 1988-11-11 |
Family
ID=14551506
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62111065A Pending JPS63275164A (ja) | 1987-05-07 | 1987-05-07 | 固体撮像装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63275164A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5235426A (en) * | 1988-08-24 | 1993-08-10 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Solid state image sensing device having no field isolation layer |
| US5255099A (en) * | 1991-01-23 | 1993-10-19 | Nec Corporation | Solid state pickup device with strap line in vertical register |
| US5256890A (en) * | 1990-09-05 | 1993-10-26 | Sony Corporation | Non-interlacing charge coupled device of a frame interline transfer type |
| US5410349A (en) * | 1990-07-06 | 1995-04-25 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Solid-state image pick-up device of the charge-coupled device type synchronizing drive signals for a full-frame read-out |
-
1987
- 1987-05-07 JP JP62111065A patent/JPS63275164A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5235426A (en) * | 1988-08-24 | 1993-08-10 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Solid state image sensing device having no field isolation layer |
| US5410349A (en) * | 1990-07-06 | 1995-04-25 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Solid-state image pick-up device of the charge-coupled device type synchronizing drive signals for a full-frame read-out |
| US5894143A (en) * | 1990-07-06 | 1999-04-13 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Solid-state image pick-up device for the charge-coupled device type synchronizing drive signals for a full-frame read-out |
| US5256890A (en) * | 1990-09-05 | 1993-10-26 | Sony Corporation | Non-interlacing charge coupled device of a frame interline transfer type |
| US5255099A (en) * | 1991-01-23 | 1993-10-19 | Nec Corporation | Solid state pickup device with strap line in vertical register |
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