JPS63274773A - プラズマｃｖｄ装置 - Google Patents
プラズマｃｖｄ装置Info
- Publication number
- JPS63274773A JPS63274773A JP10997087A JP10997087A JPS63274773A JP S63274773 A JPS63274773 A JP S63274773A JP 10997087 A JP10997087 A JP 10997087A JP 10997087 A JP10997087 A JP 10997087A JP S63274773 A JPS63274773 A JP S63274773A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- heater
- window
- substrate
- electrode
- substrate holder
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 29
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 15
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract 3
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 abstract description 5
- 238000007689 inspection Methods 0.000 abstract description 4
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 abstract description 4
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 abstract description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 2
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明はアモルファスシリコン（ａ−３ｉ ）、窒化シ
リコン（ＳｉＮ）等の成膜に用いられるプラズマＣＶＤ
（ＰＣＶＤ）装置に関する。
リコン（ＳｉＮ）等の成膜に用いられるプラズマＣＶＤ
（ＰＣＶＤ）装置に関する。
（発明の概要〕
本発明はＰＣＶＤ装置の基板を従来より効率良く加熱す
るためのものである。
るためのものである。
（従来の技術〕
従来第２図のようにシーズヒーターを内含したヒートプ
レートによる加熱が行なわれていた。ヒートプレートは
ＳＵＳ製なので周囲に熱が伝導し、基板ホルダー以外の
部分を暖めることにエネルギーが使われることが多かっ
た。しかも、図から明らかなようにこの反応室内で最も
高温になるのは基板ではなくヒートプレートである。従
って温度によってはヒートプレート表面でガスの熱分解
反応が生こることがあった。またヒーターの断線等の故
障が生じた際、−たんヒートプレートを反応室から外さ
ねばならず手間がかかるという欠点があった。
レートによる加熱が行なわれていた。ヒートプレートは
ＳＵＳ製なので周囲に熱が伝導し、基板ホルダー以外の
部分を暖めることにエネルギーが使われることが多かっ
た。しかも、図から明らかなようにこの反応室内で最も
高温になるのは基板ではなくヒートプレートである。従
って温度によってはヒートプレート表面でガスの熱分解
反応が生こることがあった。またヒーターの断線等の故
障が生じた際、−たんヒートプレートを反応室から外さ
ねばならず手間がかかるという欠点があった。
本発明は従来のかかる問題点を解決するためになされた
ものであり、効率的に基板ホルダーを加熱し且つ保守点
検しやすいヒーターを有するＰＣｖｏ＊ｍを提供するこ
とを目的とする。
ものであり、効率的に基板ホルダーを加熱し且つ保守点
検しやすいヒーターを有するＰＣｖｏ＊ｍを提供するこ
とを目的とする。
前記問題点を解決するために本発明ではヒータ−を反応
室と別体とし、かつヒーターによる熱線を透過する窓を
基板ホルダーとヒーターの間に設けた。
室と別体とし、かつヒーターによる熱線を透過する窓を
基板ホルダーとヒーターの間に設けた。
（作用〕
本発明のような構造のＰＣＶＤ装置においてはヒーター
の熱線は効率良く基板ホルダーに吸収され、しかもガス
の熱分解反応が生じる危険はなくその上ヒーターの保守
点検は容易に行うことができる。
の熱線は効率良く基板ホルダーに吸収され、しかもガス
の熱分解反応が生じる危険はなくその上ヒーターの保守
点検は容易に行うことができる。
第１図に本発明のＰＣＶＤ装置の断面構造図を示す。１
は反応室で５ＵＳ３０４．５ｔＪＳ３１６等から成る。
は反応室で５ＵＳ３０４．５ｔＪＳ３１６等から成る。
２はＲＦ電極、３はアースシールドでともに５ＵＳ３０
４等から成る。４は基板ホルダーで５ＬＪＳ３０４等か
ら成り、紙面に垂直方向に移動できる。５は基板でガラ
ス、石英等から成る。６は窓で石英、ガラス等から成る
。７は窓６と反応室１を隔てるＯリングでＥＰＲ，パイ
トン等から成る。８はヒーターで赤外線ランプ等から成
り９は熱の反射板で鏡面の金属板等から成る。
４等から成る。４は基板ホルダーで５ＬＪＳ３０４等か
ら成り、紙面に垂直方向に移動できる。５は基板でガラ
ス、石英等から成る。６は窓で石英、ガラス等から成る
。７は窓６と反応室１を隔てるＯリングでＥＰＲ，パイ
トン等から成る。８はヒーターで赤外線ランプ等から成
り９は熱の反射板で鏡面の金属板等から成る。
第３図にヒーター８の放射率と窓６の透過率を示す。第
３図でわかるように、ヒーター８はほぼ４趨以下の波長
の、熱線を出す。一方窓６は、石英でできているとする
と３珈以下の波長の光は殆んど透過する。従ってヒータ
ー８は窓６を暖めることには殆んど使われず、ヒーター
８から出る熱線は、大部分は基板ホルダー４に到達し、
基板ホルダー４は熱伝導によって基板５を暖める。従っ
てヒーター８は基板ホルダー４以外を加熱する他にはほ
とんど使われない。またヒーター８に故障が生じた際は
反応室１の真空を破ることなく修理することができる。
３図でわかるように、ヒーター８はほぼ４趨以下の波長
の、熱線を出す。一方窓６は、石英でできているとする
と３珈以下の波長の光は殆んど透過する。従ってヒータ
ー８は窓６を暖めることには殆んど使われず、ヒーター
８から出る熱線は、大部分は基板ホルダー４に到達し、
基板ホルダー４は熱伝導によって基板５を暖める。従っ
てヒーター８は基板ホルダー４以外を加熱する他にはほ
とんど使われない。またヒーター８に故障が生じた際は
反応室１の真空を破ることなく修理することができる。
また、ヒーター８の熱は窓６より基板ホルダー４に吸収
される方が多く、反応室１の中で基板ホルダー１以外の
部分が基板ホルダー１以上の温度になることはありえな
い。従って基板ホルダー１の温度をある一定温度以下に
保てば、反応室１の中でガスが熱分解を起こすおそれは
ない。
される方が多く、反応室１の中で基板ホルダー１以外の
部分が基板ホルダー１以上の温度になることはありえな
い。従って基板ホルダー１の温度をある一定温度以下に
保てば、反応室１の中でガスが熱分解を起こすおそれは
ない。
以上で述べたように、本発明のＰＣＶＤ装置ｉではヒー
ターは効率良く基板を暖めしかも反応室内で最もＢ瀉に
なるのは基板ホルダー及び基板であってガスの熱分解反
応が生じるおそれはなく、且つヒーターの保守点検が容
易に行えるという効果がある。
ターは効率良く基板を暖めしかも反応室内で最もＢ瀉に
なるのは基板ホルダー及び基板であってガスの熱分解反
応が生じるおそれはなく、且つヒーターの保守点検が容
易に行えるという効果がある。
第１図は本発明のＰＣＶＤ装置の断面図、第２図は従来
のｐｃｖｏ装置の断面図、第３図はヒーターの放射率と
窓の透過率を示す説明図である。
のｐｃｖｏ装置の断面図、第３図はヒーターの放射率と
窓の透過率を示す説明図である。
Claims (1)
- 反応室と該反応室内に設けられたＲＦ電極と該ＲＦ電極
に相対して設けられた基板ホルダーと該基板ホルダーを
はさんで前記ＲＦ電極の反対側に設けられた窓と該窓に
対向して前記反応室の外側に設けられたヒーターとから
成るプラズマＣＶＤ装置において、前記窓の材料は前記
ヒーターの熱線を透過させるものであることを特徴とす
るプラズマＣＶＤ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10997087A JPS63274773A (ja) | 1987-05-06 | 1987-05-06 | プラズマｃｖｄ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10997087A JPS63274773A (ja) | 1987-05-06 | 1987-05-06 | プラズマｃｖｄ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63274773A true JPS63274773A (ja) | 1988-11-11 |
Family
ID=14523773
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10997087A Pending JPS63274773A (ja) | 1987-05-06 | 1987-05-06 | プラズマｃｖｄ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63274773A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100466307B1 (ko) * | 1997-10-25 | 2005-05-19 | 삼성전자주식회사 | 반도체소자제조장치및이를이용한디가스공정,식각공정및열처리공정 |
-
1987
- 1987-05-06 JP JP10997087A patent/JPS63274773A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100466307B1 (ko) * | 1997-10-25 | 2005-05-19 | 삼성전자주식회사 | 반도체소자제조장치및이를이용한디가스공정,식각공정및열처리공정 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TW493216B (en) | Rapid thermal processing (RIP) system with rotating substrate | |
| US4581248A (en) | Apparatus and method for laser-induced chemical vapor deposition | |
| AU572883B2 (en) | Chemical vapour deposition | |
| KR20190084249A (ko) | 적외선 히터 | |
| JPS63274773A (ja) | プラズマｃｖｄ装置 | |
| JP2555062B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
| KR101464207B1 (ko) | 평판 디스플레이 제조 장치 및 평판 디스플레이 제조에 사용되는 아이알 히터 | |
| JP5797413B2 (ja) | ヒータユニットおよび熱処理装置 | |
| JP2686498B2 (ja) | 半導体製造装置 | |
| JPH06168894A (ja) | 基板加熱装置 | |
| JPS63241921A (ja) | 分子線エピタキシ装置の基板加熱装置 | |
| JPH11295500A (ja) | 紫外線照射装置 | |
| JPS62118519A (ja) | 半導体基板加熱装置 | |
| US3597096A (en) | A cell for the spectroscopic evaluation of samples including a frustrated internal reflection plate | |
| JPS60116778A (ja) | 化学蒸着方法及び装置 | |
| JPH0853766A (ja) | 気相成長装置 | |
| JPH11223843A (ja) | 結晶保持装置 | |
| JPH05144557A (ja) | 加熱ヒータ | |
| GB2185494A (en) | Vapour phase deposition process | |
| JPH0521981B2 (ja) | ||
| JPH0739228Y2 (ja) | 光加熱処理装置 | |
| KR100462750B1 (ko) | 자외선 조사장치 | |
| JPS6237924A (ja) | 基板加熱用ヒ−タ及びそれを用いた基板加熱方法 | |
| JPH03173123A (ja) | 薄膜製造装置 | |
| JPS6267814A (ja) | ランプアニ−ル装置 |