JPS63270317A - 酸化物超電導体 - Google Patents
酸化物超電導体Info
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- JPS63270317A JPS63270317A JP62103061A JP10306187A JPS63270317A JP S63270317 A JPS63270317 A JP S63270317A JP 62103061 A JP62103061 A JP 62103061A JP 10306187 A JP10306187 A JP 10306187A JP S63270317 A JPS63270317 A JP S63270317A
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- JP
- Japan
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- oxide superconductor
- rare earth
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- earth element
- perovskite
- Prior art date
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- Pending
Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N60/00—Superconducting devices
- H10N60/80—Constructional details
- H10N60/85—Superconducting active materials
- H10N60/855—Ceramic materials
- H10N60/857—Ceramic materials comprising copper oxide
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の目的］
（産業上の利用分野）
本発明は酸化物超電導体に係り、特に臨界温度の高い酸
化物超電導体に関する。
化物超電導体に関する。
（従来の技術）
近年、Ｂａ−Ｌａ−Ｃｕ−０系の層状ペロブスカイト型
酸化物が高い臨界温度を有する可能性のあることが発表
されて以来、各所で酸化物超電導体の研究が行なわれて
いる（Ｚ、Ｐｈｙｓ、Ｂ Ｃｏｎｄｅｎｓｅｄ Ｍａｔ
ｔｅｒ ６４゜１８９−１９３（１９８Ｂ） 、その中
でもＹ−Ｂａ−Ｃｕ−０系に代表される酸素欠陥を有す
る欠陥ペロブスカイト型（ＡＢ ＣＯ型）の酸化物超
電導体は、Ｔｃ２３７−δ が９０に以上と液体窒素以上の高い温度を示すため非常
に有望な材料である（Ｐｈｙｓ、Ｒｅｖ、Ｌｏｔｔ、ｖ
ｏｌ、５８Ｎｏ、９．ｐ９０８−９１０）。
酸化物が高い臨界温度を有する可能性のあることが発表
されて以来、各所で酸化物超電導体の研究が行なわれて
いる（Ｚ、Ｐｈｙｓ、Ｂ Ｃｏｎｄｅｎｓｅｄ Ｍａｔ
ｔｅｒ ６４゜１８９−１９３（１９８Ｂ） 、その中
でもＹ−Ｂａ−Ｃｕ−０系に代表される酸素欠陥を有す
る欠陥ペロブスカイト型（ＡＢ ＣＯ型）の酸化物超
電導体は、Ｔｃ２３７−δ が９０に以上と液体窒素以上の高い温度を示すため非常
に有望な材料である（Ｐｈｙｓ、Ｒｅｖ、Ｌｏｔｔ、ｖ
ｏｌ、５８Ｎｏ、９．ｐ９０８−９１０）。
（発明が解決しようとする問題点）
この様にペロブスカイト型の酸化物超電導体は前述の如
く非常に有望な材料であるが、理論上は常温近傍まで臨
界温度を亮めることができるとも言われており、臨界温
度の上昇に対する要求は強い。
く非常に有望な材料であるが、理論上は常温近傍まで臨
界温度を亮めることができるとも言われており、臨界温
度の上昇に対する要求は強い。
本発明はこの様な問題点を解決するためになされたもの
であり、臨界温度の高い酸化物超電導体を得ることを目
的としてなされたものである。
であり、臨界温度の高い酸化物超電導体を得ることを目
的としてなされたものである。
［発明の構成］
（問題点を解決するための手段及び作用）本発明は、希
土類元素を含有しペロブスカイト型構造を有する酸化物
超電導体において、希土類元素の一部をＡＩＩ、Ｉｎ及
びＧａの少なくとも一種で置換したことを特徴とする酸
化物超電導体である。ここでいう希土類元素を含有しペ
ロブスカイト型構造を有する酸化物超電導体は超電導状
態を実現しできればよ（、ＡＢａ Ｃｕ Ｏ系（Ａ
はＹ、Ｙｂ、Ｈｏ、Ｄｙ、Ｅｕ、Ｅｒ、ＴｍルＵ）等の
欠陥ペロブスカイト型、５ｒ−Ｌａ−Ｃｕ−Ｑ系等の層
状ペロブスカイト型等の広義にペロブスカイト構造を有
する酸化物とする。また希土類元素も広義の定義とし、
Ｓｅ、Ｙ及びランタン系を含むものとする。代表的な系
としてＹ−Ｂａ−Ｃｕ−０系のほかに、５ｃ−Ｂａ−Ｃ
ｕ−０系、Ｓ「−Ｌａ−Ｃｕ−０系、さらにＳｒをＢａ
、Ｃａで置換した系等が挙げられる。
土類元素を含有しペロブスカイト型構造を有する酸化物
超電導体において、希土類元素の一部をＡＩＩ、Ｉｎ及
びＧａの少なくとも一種で置換したことを特徴とする酸
化物超電導体である。ここでいう希土類元素を含有しペ
ロブスカイト型構造を有する酸化物超電導体は超電導状
態を実現しできればよ（、ＡＢａ Ｃｕ Ｏ系（Ａ
はＹ、Ｙｂ、Ｈｏ、Ｄｙ、Ｅｕ、Ｅｒ、ＴｍルＵ）等の
欠陥ペロブスカイト型、５ｒ−Ｌａ−Ｃｕ−Ｑ系等の層
状ペロブスカイト型等の広義にペロブスカイト構造を有
する酸化物とする。また希土類元素も広義の定義とし、
Ｓｅ、Ｙ及びランタン系を含むものとする。代表的な系
としてＹ−Ｂａ−Ｃｕ−０系のほかに、５ｃ−Ｂａ−Ｃ
ｕ−０系、Ｓ「−Ｌａ−Ｃｕ−０系、さらにＳｒをＢａ
、Ｃａで置換した系等が挙げられる。
この様なＡｌ１．Ｉｎ、Ｇａの置換により、臨界温度の
上昇、焼結性の向上、臨界電流の向上の効果を得ること
ができる。Ａｌ１．Ｉｎ及びＧａの少なくとも一種の置
換は少量でその効果を発揮するが、実用上は０．０１ｍ
ｏ１％以上の添加が好ましい。置換量は超電導特性を低
下させない程度の範囲で適宜設定可能であるが、あまり
多量の置換は超電導特性を低下してしまうため、８０ａ
＋ｏ１％以下程度が実用的である。量の添加は超電導特
性を低下してしまうため実用上は２０重量％以、下程度
の添加含有量が好ましい。
上昇、焼結性の向上、臨界電流の向上の効果を得ること
ができる。Ａｌ１．Ｉｎ及びＧａの少なくとも一種の置
換は少量でその効果を発揮するが、実用上は０．０１ｍ
ｏ１％以上の添加が好ましい。置換量は超電導特性を低
下させない程度の範囲で適宜設定可能であるが、あまり
多量の置換は超電導特性を低下してしまうため、８０ａ
＋ｏ１％以下程度が実用的である。量の添加は超電導特
性を低下してしまうため実用上は２０重量％以、下程度
の添加含有量が好ましい。
本発明酸化物超電導体は、例えば以下に示す製造方法に
より得ることができる。
より得ることができる。
Ｙ、Ｂａ、Ｃｕ、Ａｌ１．Ｇａ、Ｉｎ等のペロブスカイ
ト型酸化物超電導体の構成元素とを十分混合する。Ｙ
Ｏ、Ｂ ａ Ｏ、Ｃｕ Ｏ、Ａ ｆｌ ２０ ｓ等の
酸化物を原料として用いることができる。また、これら
の酸化物のほかに、焼成後酸化物に転化する炭酸塩、硝
酸塩、水酸化物等の化合物を用いてもよい。ペロブスカ
イト型酸化物超電導体を構成する元素は、基本的に化学
量論比の組成となるように混合するが、多少製造条件等
との関係等でずれていても構わない。例えばＹ−Ｂａ−
Ｃｕ−０系ではＹ１ａ＋ｏｌに対しＢａ２ｍｏｌ、Ｃｕ
３ＩＩｏｌが標準組成であるが、実用上は、Ｙｏ、８〜
１．４ｍｏｌ、 Ｂ ａｌ、５〜３．Ｏｍｏｌ、 Ｃｕ
２．０〜４．Ｏｍｏｌ程度のずれは問題ない。
ト型酸化物超電導体の構成元素とを十分混合する。Ｙ
Ｏ、Ｂ ａ Ｏ、Ｃｕ Ｏ、Ａ ｆｌ ２０ ｓ等の
酸化物を原料として用いることができる。また、これら
の酸化物のほかに、焼成後酸化物に転化する炭酸塩、硝
酸塩、水酸化物等の化合物を用いてもよい。ペロブスカ
イト型酸化物超電導体を構成する元素は、基本的に化学
量論比の組成となるように混合するが、多少製造条件等
との関係等でずれていても構わない。例えばＹ−Ｂａ−
Ｃｕ−０系ではＹ１ａ＋ｏｌに対しＢａ２ｍｏｌ、Ｃｕ
３ＩＩｏｌが標準組成であるが、実用上は、Ｙｏ、８〜
１．４ｍｏｌ、 Ｂ ａｌ、５〜３．Ｏｍｏｌ、 Ｃｕ
２．０〜４．Ｏｍｏｌ程度のずれは問題ない。
前述の原料を混合した後、仮焼・粉砕し所望の形状に成
形した後、焼成する。仮焼は必ずしも必要ではない。焼
成・仮焼は十分な酸素が供給できるような酸素含有雰囲
気で行なうことが好ましい。
形した後、焼成する。仮焼は必ずしも必要ではない。焼
成・仮焼は十分な酸素が供給できるような酸素含有雰囲
気で行なうことが好ましい。
（実施例）
以下に本発明の詳細な説明する。
実施例−１
Ｙ Ｉｎ Ｃｕ Ｏの組成比となるよ０．９
０．１ ３ ７−δ うにＹ Ｏ、Ｂａｄ、Ｃｕｂ、Ｉｎ２Ｏ３を＋分混合
した後９００℃で仮焼した後、粉砕した。この混合原料
を９００℃、４８Ｈ１大気中の条件で焼成した。
０．１ ３ ７−δ うにＹ Ｏ、Ｂａｄ、Ｃｕｂ、Ｉｎ２Ｏ３を＋分混合
した後９００℃で仮焼した後、粉砕した。この混合原料
を９００℃、４８Ｈ１大気中の条件で焼成した。
得られた酸化物超電導体は密度９９％であり、超電導特
性を調べたところ、臨界温度はＴＣｏｎ１２０ Ｋ、
Ｔｃ −１００Ｋ、 Ｊ ｃ≧２０００ Ａ ／
ｃｄと非ｏｆｆ’ 常に優れたものであった。
性を調べたところ、臨界温度はＴＣｏｎ１２０ Ｋ、
Ｔｃ −１００Ｋ、 Ｊ ｃ≧２０００ Ａ ／
ｃｄと非ｏｆｆ’ 常に優れたものであった。
実施例−２
ＹＧａ２Ｃｕ３Ｏ７−δの組成比となるよ０．９ ０
．１ ３ ７−δ うにＹ Ｏ、ＢａＯ９２Ｃｕ３Ｏ７−δ２Ｇａ２０３を
＋分混合した後上記実施例−１と同様に焼成した。
．１ ３ ７−δ うにＹ Ｏ、ＢａＯ９２Ｃｕ３Ｏ７−δ２Ｇａ２０３を
＋分混合した後上記実施例−１と同様に焼成した。
得られた酸化物超電導体は密度が９９％であり、臨界温
度はＴｃ −１２０Ｋ、 Ｔｃ ＝１００ Ｋ
。
度はＴｃ −１２０Ｋ、 Ｔｃ ＝１００ Ｋ
。
ｏｎ ｏｆｔ’
Ｊｃα２５００ Ａ ／ ｃｊと非常に優れたものであ
った。
った。
実施例−３
ＹＡｊｌ ２Ｃｕ３Ｏ７−δの組成比となるよ０．
９ ０．１ ３ ７−δうにＹ Ｏ、Ｂａｄ、Ｃｕｂ、Ａｌ２Ｏ２
を＋分混合した後上記実施例−１と同様に焼成した。
９ ０．１ ３ ７−δうにＹ Ｏ、Ｂａｄ、Ｃｕｂ、Ａｌ２Ｏ２
を＋分混合した後上記実施例−１と同様に焼成した。
得られた酸化物超電導体は密度が９９％であり、臨界温
度はＴｃ −１２０Ｋ、 Ｔｃ ＝１００ Ｋ
。
度はＴｃ −１２０Ｋ、 Ｔｃ ＝１００ Ｋ
。
ｏｎ ｏ「ｒ
Ｊ ｃ−２８００＾／ｃ−と非常に優れたものであった
。
。
［発明の効果］
以上説明したように本発明によれば、臨界温度及び臨界
電流密度の高いＹ−Ｂａ−Ｃｕ−０系等のペロブスカイ
ト型の酸化物超電導体を得ることができる。
電流密度の高いＹ−Ｂａ−Ｃｕ−０系等のペロブスカイ
ト型の酸化物超電導体を得ることができる。
従って、工業上寄与すること大である。
Claims (5)
- （１）希土類元素を含有しペロブスカイト型構造を有す
る酸化物超電導体において、希土類元素の一部をＡｌ、
Ｉｎ及びＧａの少なくとも一種で置換したことを特徴と
する酸化物超電導体。 - （２）ＡＢａ＿２Ｃｕ＿３Ｏ＿７＿−＿δ系の酸化物超
電導体（Ａは希土類元素）のＡの一部をＡｌ、Ｉｎ及び
Ｇａの少なくとも一種で置換したことをことを特徴とす
る特許請求の範囲第１項記載の酸化物超電導体。 - （３）Ａｌ、Ｉｎ及びＧａの少なくとも一種で置換する
量が８０ｍｏｌ％以下であることを特徴とする特許請求
の範囲第１項記載の酸化物超電導体。 - （４）置換量が０．０１ｍｏｌ％〜８０ｍｏｌ％である
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の酸化物超
電導体。 - （５）希土類元素はＹであることを特徴とする特許請求
の範囲第１項記載の酸化物超電導体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62103061A JPS63270317A (ja) | 1987-04-28 | 1987-04-28 | 酸化物超電導体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62103061A JPS63270317A (ja) | 1987-04-28 | 1987-04-28 | 酸化物超電導体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63270317A true JPS63270317A (ja) | 1988-11-08 |
Family
ID=14344159
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62103061A Pending JPS63270317A (ja) | 1987-04-28 | 1987-04-28 | 酸化物超電導体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63270317A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6442354A (en) * | 1987-08-10 | 1989-02-14 | Semiconductor Energy Lab | Oxide superconducting material |
| JPH02273974A (ja) * | 1989-04-17 | 1990-11-08 | Hitachi Ltd | 超電導三端子素子 |
| JPH02292876A (ja) * | 1989-05-08 | 1990-12-04 | Hitachi Ltd | 酸化物超電導トランジスタ装置の製造方法 |
| JPH0393624A (ja) * | 1989-09-04 | 1991-04-18 | Hitachi Ltd | Ｉｎ―Ｂａ―Ｙ及び／又はＣａ―Ｃｕ―Ｏ系超電導物質 |
-
1987
- 1987-04-28 JP JP62103061A patent/JPS63270317A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6442354A (en) * | 1987-08-10 | 1989-02-14 | Semiconductor Energy Lab | Oxide superconducting material |
| JPH02273974A (ja) * | 1989-04-17 | 1990-11-08 | Hitachi Ltd | 超電導三端子素子 |
| JPH02292876A (ja) * | 1989-05-08 | 1990-12-04 | Hitachi Ltd | 酸化物超電導トランジスタ装置の製造方法 |
| JPH0393624A (ja) * | 1989-09-04 | 1991-04-18 | Hitachi Ltd | Ｉｎ―Ｂａ―Ｙ及び／又はＣａ―Ｃｕ―Ｏ系超電導物質 |
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