JPS63267759A - ビフエニルピリジン誘導体 - Google Patents
ビフエニルピリジン誘導体Info
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- JPS63267759A JPS63267759A JP10046487A JP10046487A JPS63267759A JP S63267759 A JPS63267759 A JP S63267759A JP 10046487 A JP10046487 A JP 10046487A JP 10046487 A JP10046487 A JP 10046487A JP S63267759 A JPS63267759 A JP S63267759A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野〕
本発明は、新規強誘電性液晶物質に関わり、詳しくは電
気光学的スイッチング要素として使用される強誘電性液
晶組成物を構成し得るビフェニルピリジン誘導体に閃す
る。
気光学的スイッチング要素として使用される強誘電性液
晶組成物を構成し得るビフェニルピリジン誘導体に閃す
る。
近年、強誘電性液晶は極めて高速な電気光学的スイッチ
ング特性およびメモリー性が得られるとされ、その実用
化のvt村が盛んである。
ング特性およびメモリー性が得られるとされ、その実用
化のvt村が盛んである。
一般に、液晶の強誘電性は、光学活性部位を存し且つそ
の分子長軸が層の垂線方向から傾斜した分子配列ををす
る一連のスメクチック液晶相において発現される。中で
もカイラルスメクチックC相(以下SmC”と略記する
)は比較的低電圧動作性で実用上優位とされる。
の分子長軸が層の垂線方向から傾斜した分子配列ををす
る一連のスメクチック液晶相において発現される。中で
もカイラルスメクチックC相(以下SmC”と略記する
)は比較的低電圧動作性で実用上優位とされる。
このような強誘電性液晶としてこれまでに、例えば岡野
、小林等によって編集〔液晶・基礎編、1)140.(
1985))されているようなシッフ系、アゾキシ系お
よびエステル系化合物、あるいは出口、蒸出、汞水等に
よって報告〔第11回液晶討論会講演予稿集、2N18
.2N19、(1985))されているフェニルピリミ
ジン系化合物等が提示されている。
、小林等によって編集〔液晶・基礎編、1)140.(
1985))されているようなシッフ系、アゾキシ系お
よびエステル系化合物、あるいは出口、蒸出、汞水等に
よって報告〔第11回液晶討論会講演予稿集、2N18
.2N19、(1985))されているフェニルピリミ
ジン系化合物等が提示されている。
これらの中で、シップ系およびアゾキシ系には従来より
耐湿性、耐光性等化学的安定性について欠点がti摘さ
れている。またエステル系は一般に高粘調であり高速応
答性に閃じて余り好ましくない、またフェニルピリミジ
/系は諸安定性に優れ且つ比較的低粘稠であり実用的で
あるが、そのSmC”を呈する温度領域が室温近傍もし
くはそれ以下に片寄るため、実用温度領域を補うために
は液晶温度特性が不充分である。従って、このような事
情からは一層高温領域でSmC@を呈し、諸安定性に優
れ且低粘調な強誘電性液晶化合物が望まれる。
耐湿性、耐光性等化学的安定性について欠点がti摘さ
れている。またエステル系は一般に高粘調であり高速応
答性に閃じて余り好ましくない、またフェニルピリミジ
/系は諸安定性に優れ且つ比較的低粘稠であり実用的で
あるが、そのSmC”を呈する温度領域が室温近傍もし
くはそれ以下に片寄るため、実用温度領域を補うために
は液晶温度特性が不充分である。従って、このような事
情からは一層高温領域でSmC@を呈し、諸安定性に優
れ且低粘調な強誘電性液晶化合物が望まれる。
そこで本発明はこのような要請に応じるべく、高温領域
にSmC@を呈し、安定且つ低粘調な化合物を提示する
ことを目的とした。
にSmC@を呈し、安定且つ低粘調な化合物を提示する
ことを目的とした。
(問題点を解決するための手段)
即ち、本発明は下記一般式(1)で表わされるビフェニ
ルピリジン誘導体である。
ルピリジン誘導体である。
(但し、式中R1は炭素数1〜14個の、R″は炭素数
2〜10個の夫々アルキル基を示し、nは1〜7の整数
を示し、本は不斉炭素を示す)一般式〔I〕で表わされ
る化合物は以下に例示する如く既存の強誘電性液晶化合
物に比べて極めて高温領域(約140〜170°C)に
於てSmC0を発現する。しかもその骨格内には熱、光
、湿気および電場等諸環境に対する不安定要素、および
化合物の高粘調化に寄与する強い極性基(−Coo+、
−CN等)は排除されており、顕著な安定性が並びに低
粘性を存する。さらに一般式〔I〕で表わされる化合物
は相互に或いは他の強誘電性液晶系との相互溶解性に優
れ、容易に強誘電性液晶組成物を構成し得る。
2〜10個の夫々アルキル基を示し、nは1〜7の整数
を示し、本は不斉炭素を示す)一般式〔I〕で表わされ
る化合物は以下に例示する如く既存の強誘電性液晶化合
物に比べて極めて高温領域(約140〜170°C)に
於てSmC0を発現する。しかもその骨格内には熱、光
、湿気および電場等諸環境に対する不安定要素、および
化合物の高粘調化に寄与する強い極性基(−Coo+、
−CN等)は排除されており、顕著な安定性が並びに低
粘性を存する。さらに一般式〔I〕で表わされる化合物
は相互に或いは他の強誘電性液晶系との相互溶解性に優
れ、容易に強誘電性液晶組成物を構成し得る。
一般式CI)で表わされる化合物は、例えば以下の反応
工程に従い裂取できる。
工程に従い裂取できる。
く反応工程〉
し1!3
(但し、式中R1は炭素数1〜14個の R1は炭素数
2〜10個の夫々アルキル基を示し、nは1〜7の整数
を示し、本は不斉炭素を示す、)工程の概略を以下に説
明する。
2〜10個の夫々アルキル基を示し、nは1〜7の整数
を示し、本は不斉炭素を示す、)工程の概略を以下に説
明する。
く工程l〉
4−ブロモ−4′−ヒドロキシビフェニル〔■〕をエタ
ノール中、水酸化カリウムの存在下、ヨウトメタンによ
りエーテル化せしめ4−ブロモー4′−メトキシビフェ
ニル(III)を得る。
ノール中、水酸化カリウムの存在下、ヨウトメタンによ
りエーテル化せしめ4−ブロモー4′−メトキシビフェ
ニル(III)を得る。
〈工程2〉
窒素気流下で、化合物(III)を乾燥ベンゼン中で有
機リチウム−ハロゲン交換反応せしめ4−リチオ−4′
メトキシビフエニル(IV)を得る。
機リチウム−ハロゲン交換反応せしめ4−リチオ−4′
メトキシビフエニル(IV)を得る。
く工程3−1〉
窒素気流下で、化合物(IV)を乾燥ジエチルエーテル
中で乾燥ピリジンと反応せしめ化合物中間体(V)を得
る。
中で乾燥ピリジンと反応せしめ化合物中間体(V)を得
る。
く工fi3−2>
窒素気流下で化合物中間体(V)を含む工程3−1の反
応液中にテトラヒドロフランおよび1−ブロモアルカン
を加え、反応せしめ化合物(VT)を得る。
応液中にテトラヒドロフランおよび1−ブロモアルカン
を加え、反応せしめ化合物(VT)を得る。
く工程3−3〉
化合物(Vl)を含む工程3−2の反応液に水を加え、
加水分解して4−(5−アルキルピリジン−2−イル)
−4’−メトキシビフェニル〔■〕を得る。
加水分解して4−(5−アルキルピリジン−2−イル)
−4’−メトキシビフェニル〔■〕を得る。
く工程4〉
化合物〔■〕を酢酸中で臭化水素酸と加熱、脱メチル反
応せしめ4−(5−アルキルピリジン−2−イル)−4
’−ヒドロキシビフェニル(■)を得る。
応せしめ4−(5−アルキルピリジン−2−イル)−4
’−ヒドロキシビフェニル(■)を得る。
〈工程5〉
化合物〔■〕をアルカリの存在下で光学活性なアルキル
トシレート、アルキルハライド等のエーテル化剤でエー
テル化せしめ係わる光学活性な4−(5−アルキルピリ
ジン−2−イル)−4’ −アルコキシビフェニル(I
)を得る。
トシレート、アルキルハライド等のエーテル化剤でエー
テル化せしめ係わる光学活性な4−(5−アルキルピリ
ジン−2−イル)−4’ −アルコキシビフェニル(I
)を得る。
次に化合物製造例を示す。
実施例1
4−(5−オクチルピリジン−2−イル)−4’−(S
−4−メチルノニルオキシ)ビフェニル製造 く工程1〉 4−ブロモ−4′−ヒドロキシビフェニル60g (0
,24mo J e s) 、ヨウトメタン68g(0
,48moles)、水酸化カリウA20g(0,29
mo 1 e s)およびエタノール500m1を採り
、4時間還流下に加熱した。反応後エタノールを留去し
、残留物をクロロホルム抽出し、3回水洗した後クロロ
ホルムを留去した。rA渣をアセトンとクロロホルムの
混合溶媒を用いて再結晶を行い4−ブロモー4′−メト
キシビフェニル50g(0,19moles)を得た゛
。
−4−メチルノニルオキシ)ビフェニル製造 く工程1〉 4−ブロモ−4′−ヒドロキシビフェニル60g (0
,24mo J e s) 、ヨウトメタン68g(0
,48moles)、水酸化カリウA20g(0,29
mo 1 e s)およびエタノール500m1を採り
、4時間還流下に加熱した。反応後エタノールを留去し
、残留物をクロロホルム抽出し、3回水洗した後クロロ
ホルムを留去した。rA渣をアセトンとクロロホルムの
混合溶媒を用いて再結晶を行い4−ブロモー4′−メト
キシビフェニル50g(0,19moles)を得た゛
。
〈工程2〉
窒素気流下で、4−ブロモ−4′−メトキシビフェニル
50g(0,19moles)を乾燥ベンゼン350m
1に溶解し、この撹拌下に15′Aローブチルリチウム
を含むヘキサン溶液100m1(n−ブチルリチウム0
.182moles)を30分かけて滴下し、その後2
時間撹拌を行なった。反応後析出した結晶を窒素加圧口
過により集め、減圧乾燥して4−リチオ−4′−メトキ
シビフェニルを得た。
50g(0,19moles)を乾燥ベンゼン350m
1に溶解し、この撹拌下に15′Aローブチルリチウム
を含むヘキサン溶液100m1(n−ブチルリチウム0
.182moles)を30分かけて滴下し、その後2
時間撹拌を行なった。反応後析出した結晶を窒素加圧口
過により集め、減圧乾燥して4−リチオ−4′−メトキ
シビフェニルを得た。
く工程3−1〉
窒素気流下で、この4−リチオ−4′−メトキシビフェ
ニルを乾燥ジエチルエーテル230m1に溶解し、この
5°C以下の冷却、撹拌下に乾燥ピリジン15m1 (
0,19moles)を30分かけて滴下し、その後3
時間撹拌を行なった。
ニルを乾燥ジエチルエーテル230m1に溶解し、この
5°C以下の冷却、撹拌下に乾燥ピリジン15m1 (
0,19moles)を30分かけて滴下し、その後3
時間撹拌を行なった。
く工程3−2〉
窒素気流下で、工程3−1の反応液を−5”C以下に冷
却し、この撹拌下にテトラヒドロフラン300m1を加
えた。次いで冷却・撹拌を維持し1−ブロモオクタン2
5g(0,13moles)/テトラヒトo7ラン20
0m1tB液を30分かけて滴下した。その後室温に戻
し30分間撹拌を行なった。
却し、この撹拌下にテトラヒドロフラン300m1を加
えた。次いで冷却・撹拌を維持し1−ブロモオクタン2
5g(0,13moles)/テトラヒトo7ラン20
0m1tB液を30分かけて滴下した。その後室温に戻
し30分間撹拌を行なった。
〈工程3−3〉
工fi3−2の反応液に水400m1を加え、しばらく
撹拌を行った。エーテル層を分離し、3回水洗した後エ
ーテルを留去した。残留物をクロロホルムを用いてシリ
カゲルカラム上で処理し、分離物をアセトンを用いて再
結晶を行い4−(5−オクチルピリジン−2−イル)−
4′−メトキシビフェニル3.2g (9mmlo f
es)く工程4〉 4−(5−オクチルピリジン−2−イル)−4′−メト
キシビフェニル3.2g (Ommo 1es)、48
%臭化水素酸13m1および酢酸60°mlを40時間
還流下に加熱した。反応後混合物を300m1の水へ注
ぎクロロホルム1111出した。クロロホルム層を3回
水洗した後、クロロホルムを留去した。残渣をアセトン
とクロロホルムの混合溶媒を用いて再結晶を行ない4−
(5−オクチルピリジン−2−イル)−4′−ヒドロキ
シビフェニル2.2g(8mmoles)を得た。
撹拌を行った。エーテル層を分離し、3回水洗した後エ
ーテルを留去した。残留物をクロロホルムを用いてシリ
カゲルカラム上で処理し、分離物をアセトンを用いて再
結晶を行い4−(5−オクチルピリジン−2−イル)−
4′−メトキシビフェニル3.2g (9mmlo f
es)く工程4〉 4−(5−オクチルピリジン−2−イル)−4′−メト
キシビフェニル3.2g (Ommo 1es)、48
%臭化水素酸13m1および酢酸60°mlを40時間
還流下に加熱した。反応後混合物を300m1の水へ注
ぎクロロホルム1111出した。クロロホルム層を3回
水洗した後、クロロホルムを留去した。残渣をアセトン
とクロロホルムの混合溶媒を用いて再結晶を行ない4−
(5−オクチルピリジン−2−イル)−4′−ヒドロキ
シビフェニル2.2g(8mmoles)を得た。
く工程5〉
4−(5−オクチルピリジン−2−イル)−4′−ヒド
ロキシビフェニル1 g (2,7mm。
ロキシビフェニル1 g (2,7mm。
1es)、P−トルエンスルホン酸5−4−メチルノニ
ル1.25g(4mmo 1eS)s水酸化カリウム0
.4gおよび水10m1を4時間還流下に加熱した。反
応後クロロホルム抽出し、3回水洗した後クロロホルム
を留去した。残渣をクロロ;1−ルムを用いてシリカゲ
ルカラム上で処理し、分離物をクロロホルムとアセトン
の混合溶媒から再結晶を行ない4−(5−オクチルピリ
ジン−2−イル)−4’ −(S−メチルノニルオキシ
)ビフェニル0.8g (1,7mmo 1cs)を得
た。
ル1.25g(4mmo 1eS)s水酸化カリウム0
.4gおよび水10m1を4時間還流下に加熱した。反
応後クロロホルム抽出し、3回水洗した後クロロホルム
を留去した。残渣をクロロ;1−ルムを用いてシリカゲ
ルカラム上で処理し、分離物をクロロホルムとアセトン
の混合溶媒から再結晶を行ない4−(5−オクチルピリ
ジン−2−イル)−4’ −(S−メチルノニルオキシ
)ビフェニル0.8g (1,7mmo 1cs)を得
た。
K 工Smと」LIso (”C)実施例1におけ
る1−ブロモアルカンおよび光学活性アルキルエーテル
化剤を適切選択し、実施例1と同様に処理すれば以下の
化合物が裂取できる。
る1−ブロモアルカンおよび光学活性アルキルエーテル
化剤を適切選択し、実施例1と同様に処理すれば以下の
化合物が裂取できる。
以上に述べた如く、本発明の化合物は極めて高い湯度領
域に於てSmC”を呈するという特徴を存する。従って
これらは既存の強誘電性液晶組成物への適切な配合、及
び今後の実用液晶組成物のlI′&成において、実用液
晶温度範囲の確保、液晶温度特性の改良を果すことは従
来よりの液晶調合技術からも支持さ゛れる。
域に於てSmC”を呈するという特徴を存する。従って
これらは既存の強誘電性液晶組成物への適切な配合、及
び今後の実用液晶組成物のlI′&成において、実用液
晶温度範囲の確保、液晶温度特性の改良を果すことは従
来よりの液晶調合技術からも支持さ゛れる。
また、その骨格中に介在する複素環は、B。
S、5cbeuble等による“複素環の分子間相互作
用” (Japan Display ’ 83、
SID r’224)と基本的には同様な効果を誘起
し電気光学的スイッチング特性の向」二に期待できる。
用” (Japan Display ’ 83、
SID r’224)と基本的には同様な効果を誘起
し電気光学的スイッチング特性の向」二に期待できる。
しH3
しh3
しh3
しに1s
しHs
UH3
H3
H3
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 下記一般式〔 I 〕で表わされるビフェニルピリジン誘
導体 ▲数式、化学式、表等があります▼〔 I 〕 (但し、式中R^1は炭素数1〜14個の、R^2は炭
素数2〜10個の夫々アルキル基を示し、nは1〜7の
整数を示し、*は不斉炭素を示す)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10046487A JPS63267759A (ja) | 1987-04-23 | 1987-04-23 | ビフエニルピリジン誘導体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10046487A JPS63267759A (ja) | 1987-04-23 | 1987-04-23 | ビフエニルピリジン誘導体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63267759A true JPS63267759A (ja) | 1988-11-04 |
Family
ID=14274630
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP10046487A Pending JPS63267759A (ja) | 1987-04-23 | 1987-04-23 | ビフエニルピリジン誘導体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63267759A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01106864A (ja) * | 1987-10-21 | 1989-04-24 | Chisso Corp | 光学活性−2−ビフェニリルピリジン類 |
-
1987
- 1987-04-23 JP JP10046487A patent/JPS63267759A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01106864A (ja) * | 1987-10-21 | 1989-04-24 | Chisso Corp | 光学活性−2−ビフェニリルピリジン類 |
JP2580205B2 (ja) * | 1987-10-21 | 1997-02-12 | チッソ株式会社 | 光学活性−2−ビフェニリルピリジン類 |
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