JPS63263916A - スイッチングトランジスタのスイッチ−オン電流ピークを制限する回路配置 - Google Patents

スイッチングトランジスタのスイッチ−オン電流ピークを制限する回路配置

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JPS63263916A
JPS63263916A JP63088335A JP8833588A JPS63263916A JP S63263916 A JPS63263916 A JP S63263916A JP 63088335 A JP63088335 A JP 63088335A JP 8833588 A JP8833588 A JP 8833588A JP S63263916 A JPS63263916 A JP S63263916A
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JP
Japan
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switching transistor
coil
current
circuit arrangement
switch
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JP63088335A
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English (en)
Inventor
ディーター・ヘルマン
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Koninklijke Philips NV
Original Assignee
Philips Gloeilampenfabrieken NV
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Publication date
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    • HELECTRICITY
    • H02GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02MAPPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
    • H02M1/00Details of apparatus for conversion
    • H02M1/32Means for protecting converters other than automatic disconnection
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/08Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage
    • H03K17/082Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage by feedback from the output to the control circuit
    • H03K17/0822Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage by feedback from the output to the control circuit in field-effect transistor switches

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Dc-Dc Converters (AREA)
  • Inverter Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は制御入力端子に同一高さの方形スイッチングパ
ルスを供給して、スイッチングトランジスタのスイッチ
−オン電流ピークを制限する回路配置に関するものであ
る。
この種回路配置は例えばドイツ国特許出願DE−351
8913号明細書から既知である。この既知の回路配置
のスイッチングトランジスタ、即ち、電界効果トランジ
スタをクロックパルス制御直流電圧変換器の1次回路に
設けている。この場合、パルス幅変調器によって電界効
果トランジスタの過渡時間を制御してこれをトランジス
タのゲート及びソース接続部間に長さが変化する矩形波
スイッチングパルスを供給するようにしている。これが
ため、スイッチングトランジスタの接点通路、即ち、ド
レイン供給導線に直列にスイッチ−オン電流ピークを制
限する可飽和チョークを配列する。
可飽和チョークを用いないでトランジスタをスインチー
オンして導通状態にすると、そのドレインーソース通路
の両端間の全入力電圧が降下するようになる。即ち、こ
のトランジスタの電流ピークが高くなり(8A以上)、
従って電力消費が大きくなり、その結果、トランジスタ
が破壊し得るようにもなる。これがため、チョークを用
いて電流ピークを制限して飽和状態とし、これによりス
イッチングパルス中変換器の他の特性に影響を与えない
ようにする。
しかし、トランジスタのスイッチ−オン瞬時にトランジ
スタの作動回路に上述したようなチョークを配置してい
るため、直流電圧変換器の入力電圧の大きさの電圧差が
このチョークで小さくなる。
これがため、かかるチョークの大きさを適宜定めて、何
らの損傷なく、上記大きさの故障による電圧差に耐え得
るようにする必要がある。直流電圧変換器の入力電圧は
用途に応じて数ボルト或いは数百ボルトにもなる。従っ
て、大きさを不必要に大きくする必要のない場合には各
用途毎に既知の保護回路を設計し直す必要がある。
本発明の目的はスイッチングトランジスタの作動回路の
電圧条件に従って設計する必要のない上述した種類のス
イッチングトランジスタのスイッチ−オン電流ピークを
制限する回路配置を提供せんとするにある。
本発明は制御入力端子に同一高さの方形スイッチングパ
ルスを供給して、スイッチングトランジスタのスイッチ
−オン電流ピークを制限する回路配置において、前記ス
イッチングトランジスタの接続リード線にはコイルを設
け、このコイルを経て前記スイッチングトランジスタの
動作電流を流し、前記コイルの自己誘導によって発生す
る電圧により前記スイッチングトランジスタの制御電圧
を打消し、前記コイルの自己インダクタンスを適宜定め
て、スイッチ−オン電流ピークの発生によってのみ前記
スイッチングトランジスタの制御電圧を有効に減少し得
るようにしたことを特徴とする。
上述したコイルを本発明に従って配列する場合には、磁
気的に飽和し得るコアを用いる必要はない。接続部間に
生じ得る最大電圧差はスイッチングトランジスタのスイ
ッチングパルスの振幅と同程度に大きい。即ち、コイル
の磁気断面及び巻回数はこの負荷に従って設計する必要
がある。この巻回数は総ての用途で小さく選定してコイ
ルの巻線の容量が実際上零となり得るようにする。
本発明の好適な例では、前記コイルに第1減磁ダイオー
ドを並列に接続するようにする。又前記コイルを電流変
換器の1次コイルとし、電流変換器の2次回路には整流
ダイオード及び負荷としての第1抵抗を設け、この第1
抵抗を直列接続の可飽和チョーク及び第2負荷抵抗に並
列に接続し、第1負荷抵抗の抵抗値を第2負荷抵抗の抵
抗値よりも充分大きくするようにする。更に、可飽和チ
ョークに第2減磁ダイオードを並列に接続するようにす
る。本発明の更に他の例ではクロックパルス制御直流電
圧変換器のスイッチングトランジスタを流れる動作電流
をモニタする回路配置を設ける。かように電力変換の大
きな直流電圧変換器では動作電流がオーム測定抵抗を流
れるモニタ回路の場合よりも電力損失が少なくなる利点
がある。
図面につき本発明を説明する。
入力端子E゛及びE−に入力電圧UBが供給される本発
明による直流電圧変換器の1次回路には、並列接続のコ
ンデンサCL及び変成器Uの1次コイルと、電界効果ト
ランジスタTの接点3Ii路とを設け、この電界効果ト
ランジスタのドレイン接続部りを上記並列接続回路に接
続し、ソース接続部Sを他のコイルPWを経て入力電圧
源の負端子E−に接続する。コイル四には減磁ダイオー
ドDEIを逆並列に接続する。電界効果トランジスタT
にはパルス幅変調器PWMから制御パルスUSTを供給
する。
この制御パルスll5Tの電圧はゲート接続部G及び入
力電圧源の負端子ε−間で降下する。電界効果トランジ
スタTが導通状態にある場合には上記制御電圧UTSは
15Vであるが、このトランジスタTが非導通状態にあ
る場合にはこの制御電圧UTSは零■となる。コンデン
サCLを1次側に伝達された変圧器Uの巻線容量とする
。直流電圧変換器の出力回路である変圧器Uの2次回路
には第1整流ダイオードGRI及び出力電圧が降下する
出力コンデンサCAを設ける。中心口出しタップをパル
ス幅変調器PWHの入力側に接続した分圧器R1,R2
をコンデンサCAに並列に接続する。
電界効果トランジスタTが遮断状態にある場合にはその
ドレイン及びソース接続部間の全入力電圧FIBが降下
する。電界効果トランジスタTが導通状態にある場合に
はコイルCLはスイッチ−オン瞬時に短絡回路として作
用し、制御電圧UBはドレイン接続部り及び入力電圧源
の負端子E−間に供給されて、電界効果トランジスタT
の低オームドレイン−ソース通路及びコイル四の直列接
続回路の両端間で降下する。
これがため、コイル四によって電流Iが急激に増大する
のを防止し、これにより可飽和コアを必要とせず、電界
効果トランジスタTのゲート−ソース電圧をほぼ零■に
減少する。これがため、電界効果トランジスタTを流れ
る電流を制御してコイルphの両端で、15V以上の電
圧差が生じ得ないようにする。従って、コイルのインダ
クタンスの値のみを適宜設定して電界効果トランジスタ
Tは電流■の動作範囲で導通状態に保持したままとする
。電流■のスイッチ−オン電流ピークに含まれるエネル
ギーはコイルPKに磁気エネルギーとして蓄えられ、電
流Iの減衰時に減磁ダイオードDELを経て熱に変換さ
れる。
上述した所ではコイルPWを電流変換器STHの1次コ
イルとすることについて何等考慮しなかった。
その理由は、後述するように電流変換器STWの2次コ
イルを高オーム抵抗値として電流変換器STHの1次回
路の2次回路に与える影響を実際上無視し得るようにす
るからである。
電流変換器STWの2次回路によって、はぼ一定の可変
速度で増大する電流iが臨界値以上となる場合に電界効
果トランジスタTのスイッチ−オン時間をパルス幅変調
器PEMを経て短縮する。即ち、パルス幅変調器はスイ
ッチ−オン瞬時に上述した処理によって何等影響を受け
ないようにする必要がある。
この理由で、電流変調器STHの2次コイルS−の両端
間に直列接続の第2整流ダイオードGR2及び第1負荷
抵抗RBI (負荷)を接続し、この第1負荷抵抗RB
Iに直列接続のチョークDR及び第2負荷抵抗12B2
を接続する。このチョークDI?を第2減磁ダイオード
D[!2によって分路する。上記2次回路の出力接続部
を第2負荷抵抗RB2の両端の接続部とする。これら接
続部間の電圧をパルス幅変調器PWMの電流モニタ接続
部(本例では集積素子UCl346)に供給する。チョ
ークDRは可飽和特性を有するものとし、即ち、そのコ
アを動作条件で磁気飽和し得る材料で造る。
電界効果トランジスタTを導通状態にすると、2次巻線
SHの両端の接続部間の電圧、又は第1負荷抵抗RBI
の両端間の電圧が降下し、この電圧はまず最初零から出
発するピークを有し、次いで制限値まで均等に増大する
ようになる。第1負荷抵抗12B1の抵抗値を適宜選定
して、直流電圧変換器の1次回路に流れる電流iの時間
変化に対する第1負荷抵抗の両端間の電圧降下の時間変
化の割合が著しく類イ以し得るようにする。この類似特
性を用いて、第1負荷抵抗RBIの両端間の電圧が前記
ピーク以外で臨界値以上になると直ちに電界効果トラン
ジスタTのスイッチ−オン時間を短縮し得るようにする
。この目的のため、可飽和チョークDRと抵抗値が第1
負荷抵抗RBIの抵抗値のほぼ1/100である第2負
荷抵抗RB2とを具える分圧器を用いる。この分圧器を
流れる電流は前記チョーク1)I?により抑圧された電
流ピークを除き第1負荷抵抗RBIの両端間の電圧と共
に増大する。これがため、チョークDRを流れる電流が
チョークDRO値に依存するスレシホルド値以上になる
と、チ剛−りが磁気飽和となるようにする。このプロセ
スによってチョークDI?を流れる電流の増加、従って
、第2負荷抵抗RB2の間の電圧増加が著しく迅速とな
る。これがため、チョークDRは電流−依存抵抗として
作用する。即ち、チョークDRが飽和しない場合には2
次コイルSWに接続された全負荷が小さくなると共にチ
ョークDRが飽和すると、この負荷が増大する。全負荷
が増大することによって電流変換器STHの1次側でそ
の寄生インダクタンスのみが有効となる。これは大きな
動作電流が流れ得る場合に1次コイルPSのインダクタ
ンスを決めるうえで特に有利である。電流Iが更に増大
すると、第2負荷抵抗RB2を流れる電流、従って、そ
の両端間の電圧に対しても上述した所と同様のことが適
用される。最終的に、この電圧がパルス幅変調器PWM
で調整し得るスレシホルドで印加される場合には電界効
果トランジスタTが直ちに遮断状態となり、この状態が
次のスイッチングパルスの発生時まで継続されるように
なる。
上述したように、第1及び第2負荷抵抗RBI及びRB
2の値を適宜選定することによって第1負荷抵抗RBI
の抵抗値を第2負荷抵抗RB2の抵抗値よりも著しく大
きく (約100倍)することができる。
更に、コイルPWの作動の上述した説明を良好に保持す
るために、第1負荷抵抗RBIの抵抗値を巻線(コイル
)PH及びSWのオーム抵抗値よりも大きくする必要が
ある。制御電圧UTSが15Vの場合には電流変換器S
TWを適宜構成して第1−負荷抵抗RBIの値が数百オ
ーム、第2負荷抵抗RB2の値が数オームとなるように
する。
=12−
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明スイッチングトランジスタのスイッチ−
オン電流ピークを制限する回路配置を用いるクロックパ
ルス制御直流電圧変換器の構成を示す回路図である。 T・・・電界効果トランジスタ D・・・ドレイン接続部  S・・・ソース接続部G・
・・ゲート接続部   CL、 CA・・・コンデンサ
U・・・変成器 R1,R2,RBI、 RB2・・・抵抗PHト・・パ
ルス幅変調器 STW・・・直流電圧変換器Pト・1次
コイル    S−・・・2次コイルDPI、 DE2
. Gi?2・・・ダイオードDR・・・チョーク(可
飽和コア) tlB・・・入力電圧     UA・・・出力電圧U
ST・・・制御パルス

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、制御入力端子に同一高さの方形スイッチングパルス
    を供給して、スイッチングトランジスタのスイッチ−オ
    ン電流ピークを制限する回路配置において、前記スイッ
    チングトランジスタ(T)の接続リード線にはコイルを
    設け、このコイルを経て前記スイッチングトランジスタ
    の動作電流を流し、前記コイルの自己誘導によって発生
    する電圧により前記スイッチングトランジスタ(T)の
    制御電圧を打消し、前記コイル(PW)の自己インダク
    タンスを適宜定めて、スイッチ−オン電流ピークの発生
    によってのみ前記スイッチングトランジスタの制御電圧
    を有効に減少し得るようにしたことを特徴とするスイッ
    チングトランジスタのスイッチ−オン電流ピークを制限
    する回路配置。 2、前記コイル(PW)に第1減磁ダイオード(DE1
    )を並列に接続するようにしたことを特徴とする請求項
    1に記載のスイッチングトランジスタのスイッチ−オン
    電流ピークを制限する回路配置。 3、前記コイル(PW)を電流変換器(STW)の1次
    コイルとし、電流変換器の2次回路には整流ダイオード
    (GR2)及び負荷としての第1抵抗(RB1)を設け
    、この第1抵抗を直列接続の可飽和チョーク(DR)及
    び第2負荷抵抗(RB2)に並列に接続し、第1負荷抵
    抗(RB1)の抵抗値を第2負荷抵抗(RB2)の抵抗
    値よりも充分大きくするようにしたことを特徴とする請
    求項1又は2に記載のスイッチングトランジスタのスイ
    ッチ−オン電流ピークを制限する回路配置。 4、可飽和チョーク(DR)に第2減磁ダイオード(D
    R2)を並列に接続するようにしたことを特徴とする請
    求項3に記載のスイッチングトランジスタのスイッチ−
    オン電流ピークを制限する回路配置。
JP63088335A 1987-04-15 1988-04-12 スイッチングトランジスタのスイッチ−オン電流ピークを制限する回路配置 Pending JPS63263916A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

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DE3712784.5 1987-04-15
DE19873712784 DE3712784A1 (de) 1987-04-15 1987-04-15 Schaltungsanordnung zur begrenzung der einschaltstromspitzen bei einem schalttransistor

Publications (1)

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JPS63263916A true JPS63263916A (ja) 1988-10-31

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EP (1) EP0287166B1 (ja)
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