JPS63260059A - Module structure of contact type image sensor - Google Patents
Module structure of contact type image sensorInfo
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は、密着型イメージセンサのモジュール構成に関
する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a module configuration of a contact type image sensor.
[従来の技術]
従来、リニアイメージセンサ、ラインセンサと言われる
イメージセンサ素子の構成は、ガラス(例えば、石英ガ
ラス、ホウケイ酸ガラス)のベース基板に、それも片面
のみに受光素子等が形成されている。[Prior Art] Conventionally, an image sensor element called a linear image sensor or line sensor has a structure in which a light receiving element, etc. is formed on only one side of a base substrate of glass (for example, quartz glass or borosilicate glass). ing.
この受光素子に光が入り、イメージセンサとして作動す
るのであるが、光の入り方としては、ひとつに、ガラス
を通して入る方法と、もうひとつには、ガラスを通さな
い方法が考えられ、実施されている。Light enters this light-receiving element and it operates as an image sensor.There are two methods of entering the light: one is through the glass, and the other is not through the glass. There is.
ガラスを通さないで、受光素子に光が入る方法はトップ
方式と呼ばれ、その断面構造を第2図に示す、又、ガラ
スを通して、受光素子に光が入る方法はボトム方式と呼
ばれ、その断面構造を7753図に示す。The method in which light enters the light-receiving element without passing through glass is called the top method, and its cross-sectional structure is shown in Figure 2.The method in which light enters the light-receiving element through glass is called the bottom method, and its cross-sectional structure is shown in Figure 2. The cross-sectional structure is shown in Figure 7753.
これらの従来技術について、さらに詳細に述べる。トッ
プ方式(第2図)の方法では、先ずプリント配線板lに
、電子部品2をハンダ3にて接合して、センサチップ4
を駆動、信号処理を行う回路ブロックAを形成する。こ
の回路ブロックAの上に、センサチップ4をダイアタッ
チ剤5にて、正確にプリント配線板1の所望の位置に接
着する。These conventional techniques will be described in more detail. In the top method (FIG. 2), first the electronic component 2 is bonded to the printed wiring board l with solder 3, and then the sensor chip 4 is attached to the printed wiring board l.
A circuit block A is formed to drive the circuit and perform signal processing. On top of this circuit block A, a sensor chip 4 is adhered to a desired position on the printed wiring board 1 using a die attach agent 5.
このセンサチップのボンディングエリア6と、プリント
配線板1のボンディングエリア7をボンディングワイヤ
8にて、周知のボンダー等で、結線し、電気的接続を行
う。The bonding area 6 of this sensor chip and the bonding area 7 of the printed wiring board 1 are connected with a bonding wire 8 using a well-known bonder or the like to establish an electrical connection.
接続を終ったあと、センサチップ4の表面の受光素子等
の素子9と、ボンディングワイヤ8を外部環境から守る
ためにモールド剤10で被う、モールド剤lOは当初液
状であるので、充てんするとき流れ出さない様モールド
枠11を接着剤12でプリント配線板1に貼っておく、
モールド剤lOは、充てん後加熱、UV等の方法にて、
液状から固状へと変えていく、ただし、モールド剤lO
は、透明であることが必要である。After the connection is completed, the elements 9 such as the light receiving element on the surface of the sensor chip 4 and the bonding wires 8 are covered with a molding agent 10 to protect them from the external environment.Since the molding agent 10 is initially in a liquid state, when filling Paste the mold frame 11 on the printed wiring board 1 with adhesive 12 to prevent it from flowing out.
The molding agent IO is heated after filling, UV irradiation, etc.
Change from liquid to solid, however, molding agent lO
must be transparent.
ボトム方式(第3図)の方法では、先ず、ガラス基板2
1、(これは、ガラス板の表面に電気配線がほどこされ
ている基板である。)にセンサチップ4を光学的ダイア
タッチ剤22で接合する。In the bottom method (Fig. 3), first, the glass substrate 2 is
1. The sensor chip 4 is bonded to a glass plate (this is a substrate with electrical wiring on the surface) using an optical die attach agent 22.
その後ボンディングワイヤ8にてガラス基板21とボン
ダーで接合する。そしてモールド枠及びコネクタ枠を兼
ねる、ゴム材枠23を接着剤12で接合する。Thereafter, the bonding wire 8 is bonded to the glass substrate 21 using a bonder. Then, a rubber frame 23, which serves both as a mold frame and a connector frame, is bonded with adhesive 12.
モールド枠であるゴム材枠23のモールド充てん溝にモ
ールド剤10を充てんして硬化させ、コネクタ24でセ
ンサチップ4を駆動、信号処理を行う回路ブロックAを
、電気的に接合して、センサモジュールとして構成して
いる。The mold filling groove of the rubber frame 23, which is a mold frame, is filled with molding agent 10 and cured, and the circuit block A that drives the sensor chip 4 and performs signal processing is electrically connected with the connector 24 to form a sensor module. It is configured as
[発明が解決しようとする問題点〕
しかし、従来構造のセンサモジュール構成では、いくつ
かの問題点がある。[Problems to be Solved by the Invention] However, the conventional sensor module configuration has several problems.
トップ方式でいうと、ひとつには、光(hu)が第2図
に示す方向から入ってくるので、特にモールド剤10の
表面形状、(センサチップの上面)がオプティカル的に
フラットでないと、受光素子9の表面にきれいな像を結
像しない、又、モールド剤lOの光透過圧が低いため、
センサ9の感度が落ちる。又、表面、界面反射をも含め
ると、直接入る光量に比べると約80%に落ちてしまう
。In terms of the top method, one reason is that the light (hu) enters from the direction shown in Figure 2, so if the surface shape of the molding agent 10 (the top surface of the sensor chip) is not optically flat, the light reception will be difficult. A clear image is not formed on the surface of the element 9, and the light transmission pressure of the molding agent IO is low.
The sensitivity of sensor 9 decreases. Furthermore, if surface and interface reflections are included, the amount of light will drop to about 80% of the amount of light that enters directly.
又、実装スペースにおいても、モールド枠等貼り合せる
必要から大きなスペースを取ってしまう。Furthermore, in terms of mounting space, a large amount of space is taken up as it is necessary to attach mold frames and the like.
ボトム方式においては、ひとつには、コネクタの、問題
があり常にコネクタを圧接しておかなければ回路ブロッ
クAとガラス基板21との電気的接続がとれないため、
センサーユニットとして組みあげる場合、常に圧接構造
に配慮する必要がある。In the bottom method, there is a problem with the connector, and the electrical connection between the circuit block A and the glass substrate 21 cannot be established unless the connector is always pressed into contact.
When assembling a sensor unit, it is necessary to always consider the pressure welding structure.
又、光の入射においても、ガラス基板21側から入るの
で、ガラス基板21の表面、ガラス基板21とダイアタ
ッチ剤22の界面、センサチップ4とダイアタッチ剤の
界面の各々における界面。Also, since light enters from the glass substrate 21 side, the light enters the surface of the glass substrate 21, the interface between the glass substrate 21 and the die attach agent 22, and the interface between the sensor chip 4 and the die attach agent.
表面反射による光の減衰、及び、センサチップ4、ダイ
アタッチ22及びガラス基板の各々の光透過率による光
の減衰1等により、センサ9の光量不足による感度低下
がある。Due to light attenuation due to surface reflection and light attenuation 1 due to the light transmittance of each of the sensor chip 4, die attach 22, and glass substrate, the sensitivity of the sensor 9 decreases due to an insufficient amount of light.
これらの光量減衰があるため、センサーのスピードを落
してユーザーニーズに対応しなければならなかった。Because of these light attenuations, the speed of the sensor had to be slowed down to accommodate user needs.
さらに、実装スペースにおいても、ガラス基板モールド
枠1回路ブロックと王者を一体にしなければならないた
め、多くのスペースをとるほか。Furthermore, in terms of mounting space, it takes up a lot of space as the glass substrate mold frame and the circuit block must be integrated into one.
センサ素子9の直上に回路基板が来るので、回路からの
ノイズ対策を充分とらなければならず多くの問題を残し
ている。Since the circuit board is located directly above the sensor element 9, sufficient measures must be taken to prevent noise from the circuit, leaving many problems unsolved.
[問題点を解決するための手段]
したがって従来の問題点を解決するために、密着型イメ
ージセンナのモジュール構造において、センサチップを
駆動及びセンサチップからの信号の処理を行う回路基板
の側面に、センサチップを接合して、センサチップを回
路基板に実装したことを特徴とする密着型イメージセン
サのモジュール構造。[Means for Solving the Problems] Therefore, in order to solve the conventional problems, in the module structure of the contact type image sensor, on the side of the circuit board that drives the sensor chip and processes signals from the sensor chip, A module structure of a contact image sensor characterized by bonding a sensor chip and mounting the sensor chip on a circuit board.
[実箆例]
第1図に本発明の密着波イメージセンサのモジュールの
構造の断面図を示す。[Actual Example] FIG. 1 shows a cross-sectional view of the structure of a module of a coherent wave image sensor according to the present invention.
先ず、プリント配線板l(本発明においては、FR−4
のガラエボ基板を使用)にセンサを駆動する又、センサ
からの信号を処理するための回路を形成する電子部品群
2をハンダ3等フ接合するこの回路ブロックAのプリン
ト基板lの側面に。First, printed wiring board l (in the present invention, FR-4
A group of electronic components 2 forming a circuit for driving the sensor and processing signals from the sensor are bonded with solder 3 to the side surface of the printed circuit board 1 of this circuit block A.
センサチップ4を、接着剤31で接合する、接合が終了
したら、周知のワイヤポレダとボンディングワイヤ8に
より、センサチップのボンディングパット6と、プリン
ト配線板1の配線のポンディングパット7とを、[熱的
に接合する。その後モールド剤10を施して、センサモ
ジュールを構成する。The sensor chip 4 is bonded with an adhesive 31. After the bonding is completed, the bonding pad 6 of the sensor chip and the bonding pad 7 of the wiring of the printed wiring board 1 are bonded using a well-known wire poredder and bonding wire 8. to join. Thereafter, a molding agent 10 is applied to form a sensor module.
さらに詳細に図を用いて説明する。$4図から第9図に
至るまでは、本発明(第1図)を完成させるまでの工程
である。This will be explained in more detail using figures. The steps from Figure 4 to Figure 9 are the steps required to complete the present invention (Figure 1).
まず、第4図に示すごとく、ガラス繊維等を含んで剛性
をもたせ、及び、熱膨張率をできるだけ小さくした基材
に電気配線を施こして、プリント配線板1を形成する6
本発明においては、一般に言われているガラエボを用い
、FR−4及びG −10を使用した。しかし、このプ
リント配線板に使用するものは、ほかにも、形成する方
法は問わず、目的に合うものを得ることができる0例え
ばインジェクション基板、メタル基板、セラミック基板
等である0本発明においては、入手の手軽さや加工、コ
ストの面から、ガラエボを選んだ。First, as shown in FIG. 4, a printed wiring board 1 is formed by applying electrical wiring to a base material containing glass fiber or the like to provide rigidity and having a coefficient of thermal expansion as small as possible.
In the present invention, FR-4 and G-10 were used, which is commonly called Gala Evo. However, there are other materials that can be used for this printed wiring board, such as injection substrates, metal substrates, ceramic substrates, etc., regardless of the method of formation. , Gara Evo was chosen because of its ease of acquisition, processing, and cost.
次に、j!85図に示すごとく、センサを駆動する及び
、センサを入れる信号、センサからの信号を処理する回
路を形成するための、能動部品、受動部品2を、ハンダ
3で接合する0本発明においてはハンダを用いたが、電
気的な接合ができれば、導電性の接着剤を用いる方法や
、導電性に方向性のある異方導電膜を用いる方法等もあ
る。Next, j! As shown in Fig. 85, active components and passive components 2 are bonded with solder 3 to form a circuit that drives the sensor, inputs signals to the sensor, and processes signals from the sensor. However, if electrical bonding is possible, there are other methods such as using a conductive adhesive or using an anisotropic conductive film with directional conductivity.
その後、第6図に示すごとく、粘着剤42が塗布しであ
るフィルム41を貼り合わせる。貼り合せる場合は、ゴ
ムローラを用いると、プリント基板lとの界面に気泡が
入らず、都合の良い貼り合せができる0本発明において
は、粘着剤42に便利な、紫外線を照射すると、粘着力
が極端に低下するものを用い、センサモジュール形成後
、剥しやすくした。又、フィルム41には、比較的耐熱
性の良い、ポリエステルフィルムを用いた。このフィル
ムは、ポリエステルフィルムに限定させることなく、加
工プロセスにおいて、耐熱性させ満足できるものであれ
ば、粘着剤42との兼ね合いで何でも良く、PETの他
にも、po、pvcでも確認をして良好な結果を得てい
る。Thereafter, as shown in FIG. 6, a film 41 coated with an adhesive 42 is attached. When bonding, a rubber roller can be used to prevent air bubbles from entering the interface with the printed circuit board l, allowing for convenient bonding.In the present invention, irradiating the adhesive 42 with ultraviolet light, which is convenient, increases the adhesive strength. We used a material that exhibits extreme deterioration, making it easy to peel off after forming the sensor module. Further, as the film 41, a polyester film having relatively good heat resistance was used. This film is not limited to polyester film, but any film can be used as long as it has satisfactory heat resistance during the processing process, in balance with the adhesive 42, and in addition to PET, PO and PVC may also be used. We are getting good results.
次に第7図に示すごとく、センサチップ4を粘着剤41
の上へ、プリント基板1の一辺を基準にして、貼る合せ
る、センサチップ4と、プリント基板1との間に、接着
剤31を入れて固定する。Next, as shown in FIG. 7, the sensor chip 4 is attached to the adhesive 41.
An adhesive 31 is put between the sensor chip 4 and the printed circuit board 1, which are pasted together with one side of the printed circuit board 1 as a reference, and fixed.
この接着剤には、弾性体がよく、ゴム状のものが良い、
又、センサチップ4とプリント基板lの熱膨張率が大き
く異なるので、熱ストレスを充分緩和できる様に、接着
剤31の弾性率と伸び強さ及び接着厚みの関係を考慮す
る必要がある0例えば、弾性率が大きいと、プリント基
板1側の歪がセンサチップに大きく影響するので、接着
厚みを比較的大きくとる0本発明においては、低温でも
弾性を失なわない、シリコン系の樹脂を用いた。加熱付
加反応型のシリコン樹脂を本発明では用いストレスの緩
和、特に、低温−60°C位までの熱反応緩和において
、大きな効果をあげた。This adhesive should be elastic or rubber-like.
In addition, since the thermal expansion coefficients of the sensor chip 4 and the printed circuit board l are significantly different, it is necessary to consider the relationship between the elastic modulus, elongation strength, and adhesive thickness of the adhesive 31 in order to sufficiently alleviate thermal stress. If the elastic modulus is large, the strain on the printed circuit board 1 side will greatly affect the sensor chip, so the adhesive thickness should be relatively large. In the present invention, a silicon-based resin that does not lose its elasticity even at low temperatures is used. . In the present invention, a heat-addition reaction type silicone resin is used and has a great effect in alleviating stress, particularly in alleviating thermal reactions at low temperatures of about -60°C.
その後、周知のボレダーで、センサチップ41のボンデ
ィングパット6とプリント配線板1側のボンディングパ
ット7と9とを、ワイヤ8で電気的接続を行なう0本発
明では、ポンディング条件及びセンサチップ実装に用い
ている材料(例えば。Thereafter, using a well-known bolter, the bonding pads 6 of the sensor chip 41 and the bonding pads 7 and 9 on the printed wiring board 1 side are electrically connected with wires 8. Materials used (e.g.
粘着剤42付のフィルム41等)の耐熱性等の制約から
、アルミ線によるポンディングを行った。Due to constraints such as heat resistance of the film 41 with adhesive 42, etc., bonding with aluminum wire was performed.
アルミ線は、Al−3i(1%)のφ35を用いた。The aluminum wire used was Al-3i (1%) φ35.
次に第9図に示すごとく、モールド10を施すこのモー
ルドには、第9図に示す、断面形状からも判る様に、チ
クソトロピック性の高い液状のモールド剤を使用する必
要がある、しかも応力緩和作用のあるものが必要で、低
温領域においても充分応力緩和するものでなければなら
ない0本発明においては、Sl系、エポキシ系、ウレタ
ン系等。Next, as shown in FIG. 9, it is necessary to use a liquid molding agent with high thixotropic properties in this mold to which the mold 10 is applied, as can be seen from the cross-sectional shape shown in FIG. In the present invention, a material having a relaxing effect and sufficient stress relaxation even in a low temperature range is required. In the present invention, a material having a relaxation effect is required.
種々検討した結果、接着力は、比較的弱いが、特に温度
における広範囲に応力緩和できるSt系モールド剤が良
いことが判った。この結果をもとに本発明におけるサン
プルには、信越化学(株)製のKJR−9050を使用
し、非常に良好な結果を得た。ただし、この9050は
、チクソトロピック性が高いのでモールド時に気泡を巻
き込んでもその気泡が外に出て来ないで、そのまま固化
してしまう、この状態では、長期の信頼性に大きな問題
点を残してしまう、特に湯中(60°C−90%R)1
85℃−85%RH等)における動作試験では、致命的
である。センサチップ4の能動面上に気泡が存在する場
合は、まさに致命的である。この問題を解決するため、
加熱等種々の実験の結果、真空下において、2〜3分説
泡することにより、良好な結果を得ることができた。As a result of various studies, it was found that an St-based molding agent, which has relatively weak adhesive strength but can relax stress over a wide range of temperatures, is preferable. Based on this result, KJR-9050 manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. was used as the sample in the present invention, and very good results were obtained. However, this 9050 has a high thixotropic property, so even if air bubbles are trapped during molding, the air bubbles will not come out and will solidify. In this state, there will be a major problem with long-term reliability. Put away, especially in hot water (60°C-90%R)1
Operation tests at temperatures such as 85° C. and 85% RH are fatal. The presence of air bubbles on the active surface of the sensor chip 4 is indeed fatal. To solve this problem,
As a result of various experiments such as heating, good results could be obtained by foaming for 2 to 3 minutes under vacuum.
最後に、粘着剤42の付いたフィルム41を。Finally, the film 41 with the adhesive 42 attached.
粘着剤42とともに剥がすことにより、ff11図に示
す本発明のものが完成する。By peeling it off together with the adhesive 42, the product of the present invention shown in Figure ff11 is completed.
本発明においては、この粘着剤42に紫外線を照射する
ことにより、粘着力を下げて、剥すしやすい様にできる
ものを適用した。具体的には、日東電工製のニレツブホ
ルダー(商品名)を用いた、中でもUE−8が良く、良
好な結果を得た。その後ニレツブホルダーの改良タイプ
も検討し、さらに良好な結果を得た。このときの最適な
紫外線照射条件は約300mJ/cniである。しかし
、200 m J / Cn1以上あれば、良好な結果
が得られることが本発明における実験で判った。In the present invention, the adhesive 42 is irradiated with ultraviolet rays to lower its adhesive strength and to make it easier to peel off. Specifically, Niretsubu Holder (trade name) manufactured by Nitto Denko was used, and among them, UE-8 was used, and good results were obtained. Afterwards, we investigated an improved type of Niretsubu holder and obtained even better results. The optimal ultraviolet irradiation condition at this time is about 300 mJ/cni. However, it has been found through experiments in the present invention that good results can be obtained if it is 200 mJ/Cn1 or more.
[yA明の効果]
本発明においては、トップ方式と比較すると、トップ方
式では、光(hu)が、t52図に示す方向から入って
来るので、特にモールド剤10の表面形状(センサチッ
プの上面)がオプティルフラットでないと、受光素子9
の表面にきれいな像を結像しない、モールド剤10の光
透過率が低いため、又モールド作業中に気泡、異物の混
入のため。[Effect of yA light] In the present invention, compared to the top method, in the top method, light (hu) enters from the direction shown in the t52 diagram. ) is not optically flat, the light receiving element 9
A clear image is not formed on the surface of the molding agent 10 due to the low light transmittance of the molding agent 10, and also due to the inclusion of air bubbles and foreign matter during the molding process.
センサ9の感度が落ちてしまう、さらにモールド剤の表
面、界面反射等を含めると、直接入る光量に比べ約80
%に落る。第10図に、トップタイプに用いたモールド
剤の透過率示す、第10図より、耐光性試験を行うと、
透過率が下ることが判る。又、センサの分光感度特性(
第11図)より600nmの波長でのモールド剤の透過
率は約87%(0,1mm厚)であり、厚さ等も考える
と。The sensitivity of the sensor 9 will decrease, and if we include the surface of the molding agent, interface reflection, etc., the amount of light that enters directly will be approximately 80
%. Figure 10 shows the transmittance of the molding agent used for the top type. From Figure 10, when a light resistance test was conducted,
It can be seen that the transmittance decreases. In addition, the spectral sensitivity characteristics of the sensor (
From FIG. 11), the transmittance of the molding agent at a wavelength of 600 nm is about 87% (0.1 mm thickness), considering the thickness, etc.
入光量は、センサに到達する頃は、80%程度に落ちて
しまうことが予想される。さらに、光がモールド剤に入
るとき、その空気層との界面にて、界面反射が105前
後(これは、モールド剤の屈折率に関係する数値である
。)あり、有効光量は、0.9XO,8=0.72
となり7割程度に落ちてしまうことになる。It is expected that the amount of incident light will drop to about 80% by the time it reaches the sensor. Furthermore, when light enters the molding agent, the interface reflection at the interface with the air layer is around 105 (this is a value related to the refractive index of the molding agent), and the effective light amount is 0.9XO ,8=0.72
This results in a drop to around 70%.
これに比べ、本発明の方式においては、モールド剤等の
障害がなく、直接センサチップのガラス4を通しての入
光となるので、チップガラス4の透過率と、チップガラ
ス4と空気層の界面反射だけの関係で決まる。チップガ
ラス4の透過率は300nm以上の波長領域では、その
透過率は98%以上であり、チップがラス4の屈折率は
約1゜47であるので界面反射は、約lO%である。従
って有効光量は、0.98xO,9=0.9 で9割
弱ですむことになり光量的にトップ方式と比べ0.97
0.72=1.25倍、となり25%も有利となる。In contrast, in the method of the present invention, there is no obstacle such as a molding agent and the light enters directly through the glass 4 of the sensor chip, so the transmittance of the chip glass 4 and the interface reflection between the chip glass 4 and the air layer are It is decided by the relationship only. The transmittance of the chip glass 4 is 98% or more in a wavelength range of 300 nm or more, and since the refractive index of the chip lath 4 is about 1°47, the interface reflection is about 10%. Therefore, the effective light amount is 0.98xO, 9 = 0.9, which is just under 90%, which means that the amount of light is 0.97 compared to the top method.
0.72=1.25 times, which is a 25% advantage.
その他にもトップ方式は、モールド剤の表面がオプティ
カルフラットにしないといけない等の不利な点があり1
本発明の効果は、はかりしれないものがある。Other disadvantages of the top method include the fact that the surface of the molding agent must be optically flat1.
The effects of the present invention are immeasurable.
ボトム方式と比較すると、ボトム方式においてはコネク
タの問題があり、常にコネクタ24を圧接しておかなけ
れば回路ブロックAと、ガラス基板21との電気的接続
がとれないため、センサユニットとして組み上げる場合
、常に圧接構造に配慮する必要があった。Compared to the bottom method, there is a problem with the connector in the bottom method, and the circuit block A cannot be electrically connected to the glass substrate 21 unless the connector 24 is always pressed into contact with the glass substrate 21. Therefore, when assembled as a sensor unit, It was necessary to always consider the pressure welding structure.
これに対して、本発明においては、センサチップ4と、
回路基板1を直接周知のワイヤボンドで結線しているの
で、圧接構造を常に配慮してユニット設計を行なう必要
もなく、設計メリットが大きい、又、ボンディング点と
コネクタ部の接点2ケ所を持っているボトム方式に比べ
、ボンディング点のみの本発明は信頼性もはるかに優れ
ている。On the other hand, in the present invention, the sensor chip 4 and
Since the circuit board 1 is directly connected with the well-known wire bond, there is no need to always consider the pressure welding structure when designing the unit, which has great design merits. Compared to the bottom method, which uses only bonding points, the present invention has far superior reliability.
光の入射においては、ボトム方式では、ガラス基板21
側から入るのでガラス基板の表面、ガラス基板21の透
過率、ガラス基板21とダイアタッチ22との界面、ダ
イアタッチ22の透過率、ダイアタッチ22とセンサチ
ップガラス4の界面、センサチップガラス4の透過率に
より光の減衰がある。この減衰量は、0.9(ガラス基
板21の界面反射)xo、99 (ガラス基板21の透
過率)xo、9B (ガラス基板21とダイアタッチ2
2の界面反射)Xo、85 (ダイアタッチ22の透過
率(耐光後の値))xo、98 (ダイアタッチ22と
センサチップガラスとの界面反射)xo。In the case of light incidence, in the bottom method, the glass substrate 21
Since it enters from the side, the surface of the glass substrate, the transmittance of the glass substrate 21, the interface between the glass substrate 21 and the die attach 22, the transmittance of the die attach 22, the interface between the die attach 22 and the sensor chip glass 4, and the sensor chip glass 4 There is attenuation of light depending on the transmittance. This attenuation amount is 0.9 (interface reflection of glass substrate 21) xo, 99 (transmittance of glass substrate 21) xo, 9B (glass substrate 21 and die attach 2
2 interface reflection) Xo, 85 (Transmittance of die attach 22 (value after light resistance)) xo, 98 (interface reflection between die attach 22 and sensor chip glass) xo.
99(センサチップガラスの透過率)=0.72であり
、本発明の構造の0.9(センサチップガラスの界面反
射と透過率の0.9XO,99=0゜89である。)と
比べると大きな差がある。ボトム方式に比べると1本発
明は、0.970.72=1.25となり25%も光量
で有利となる。99 (transmittance of sensor chip glass) = 0.72, compared with 0.9 (interface reflection and transmittance of sensor chip glass, 0.9XO, 99 = 0°89) of the structure of the present invention. There is a big difference. Compared to the bottom method, the present invention has a light amount advantage of 0.970.72=1.25, which is 25%.
さらに入射光路において、本発明は有機材を通していな
いので、透過率の経時変化がきわめて少ないので、安定
したセンサ特性を維持することがでさる。p!S10図
に、謝光試験を行ったものの試験前後の0.1mm厚の
有機材の透過率の特性を示しである。この樹脂を本発明
のモールド剤、ダイアタッチ剤として適用した。Furthermore, since the present invention does not pass any organic material in the incident optical path, there is very little change in transmittance over time, making it possible to maintain stable sensor characteristics. p! Figure S10 shows the transmittance characteristics of a 0.1 mm thick organic material before and after the optical test. This resin was applied as a molding agent and a die attach agent in the present invention.
そのほかにも、ガラス基板を使用していないため、軽量
化、省スペース等、その効果ははかりしれないものがあ
る。In addition, since no glass substrate is used, there are immeasurable benefits such as weight reduction and space saving.
第1図は、本発明における密着型イメージセンサモジュ
ールの断面の概略を示す図。
第2図は、トップ方式における密着型イメージセンサモ
ジュールの断面の概略を示す図。
第3図は、ボトム方式における密着をイメージセンサモ
ジュールの断面の概略を示す図。
第4〜9図は1本発明における密着型イメージセンサモ
ジュール作製する手順を示す図。
第1O図は、本発明に使用したモールド剤10及びダイ
アタッチ22の代表的光透過率の波長特性を示す図。
第11図は1本発明に使用したセンサの相対分光感度特
性を示す図。
l・・プリント基板
2・・・電子部品
3・・・ハンダ
4・・・センサチップ(センサチップガラス)5・ダイ
アタッチ剤
6・・・ボンディングエリア(チップ側)(バット)
7・9.ボンディングエリア(プリント基板側)(バッ
ト)
811.ボンディングワイヤ
9・・、受光素子等の素子
10 、モールド剤
11・・・モールド枠
12、、、接着剤
21、、、ガラス基板
22・・・光学的ダイアタッチ剤
23、、、ゴム材枠
24・1.コネクタ
A ・・・回路ブロック
31、・、接着材
41、、、フィルム
42、、、粘着剤
以 上
v
第1図
第Z図
第≠図
第ξ図
41第2図
第1θ図
戚 −& (nm)
分り爲A碕・IL
第1/図FIG. 1 is a diagram schematically showing a cross section of a contact type image sensor module according to the present invention. FIG. 2 is a diagram schematically showing a cross section of a top type contact type image sensor module. FIG. 3 is a diagram schematically showing a cross section of an image sensor module with close contact in the bottom method. 4 to 9 are diagrams showing the procedure for producing a contact type image sensor module according to the present invention. FIG. 1O is a diagram showing typical wavelength characteristics of light transmittance of the molding agent 10 and die attach 22 used in the present invention. FIG. 11 is a diagram showing the relative spectral sensitivity characteristics of the sensor used in the present invention. l... Printed circuit board 2... Electronic component 3... Solder 4... Sensor chip (sensor chip glass) 5. Die attach agent 6... Bonding area (chip side) (bat) 7.9. Bonding area (printed circuit board side) (butt) 811. Bonding wire 9... Elements 10 such as light receiving elements, Molding agent 11... Mold frame 12, Adhesive 21, Glass substrate 22... Optical die attach agent 23,... Rubber frame 24・1. Connector A...Circuit block 31... Adhesive material 41... Film 42... Adhesive or more v Figure 1 Figure Z ≠ Figure ξ Figure 41 Figure 2 Figure 1 θ Figure Relative -& nm) Divided A/IL 1st/Fig.
Claims (1)
ンサチップを駆動及び、センサチップからの信号の処理
を行う回路基板の側面に、センサチップを接合して、セ
ンサチップを回路基板に実装したことを特徴とする密着
型イメージセンサのモジュール構造。In the module structure of the contact image sensor, the sensor chip is mounted on the circuit board by bonding the sensor chip to the side surface of the circuit board that drives the sensor chip and processes signals from the sensor chip. Modular structure of contact type image sensor.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62093774A JPS63260059A (en) | 1987-04-16 | 1987-04-16 | Module structure of contact type image sensor |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62093774A JPS63260059A (en) | 1987-04-16 | 1987-04-16 | Module structure of contact type image sensor |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63260059A true JPS63260059A (en) | 1988-10-27 |
Family
ID=14091768
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62093774A Pending JPS63260059A (en) | 1987-04-16 | 1987-04-16 | Module structure of contact type image sensor |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63260059A (en) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5701033A (en) * | 1995-03-20 | 1997-12-23 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor device |
CN105355621A (en) * | 2015-11-26 | 2016-02-24 | 上海集成电路研发中心有限公司 | Stack type image sensor |
-
1987
- 1987-04-16 JP JP62093774A patent/JPS63260059A/en active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5701033A (en) * | 1995-03-20 | 1997-12-23 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor device |
CN105355621A (en) * | 2015-11-26 | 2016-02-24 | 上海集成电路研发中心有限公司 | Stack type image sensor |
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