JPS63260043A - 処理装置 - Google Patents
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- JPS63260043A JPS63260043A JP9303887A JP9303887A JPS63260043A JP S63260043 A JPS63260043 A JP S63260043A JP 9303887 A JP9303887 A JP 9303887A JP 9303887 A JP9303887 A JP 9303887A JP S63260043 A JPS63260043 A JP S63260043A
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Landscapes
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
- Tests Of Electronic Circuits (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、テープキャリア方式で提供される半導体装置
におけるエージング等の検査工程に適用して特に有効な
技術に関するものである。
におけるエージング等の検査工程に適用して特に有効な
技術に関するものである。
テープキャリア型の半導体装置については、たとえば株
式会社工業調査会、昭和55年1月10日発行、rlc
化実装技術(日本マイクロエレクトロニクス協会1)J
P143〜144に記載されている。ここには、テープ
キャリア型の半導体装置に関して、その構造および実装
方法等が図示により説明されている。
式会社工業調査会、昭和55年1月10日発行、rlc
化実装技術(日本マイクロエレクトロニクス協会1)J
P143〜144に記載されている。ここには、テープ
キャリア型の半導体装置に関して、その構造および実装
方法等が図示により説明されている。
本発明者は、前記テープキャリア型半導体装置の″製造
における検査技術について検討した。以下は、公知とさ
れた技術ではないが、本発明者によって検討された技術
であり、その概要は次の通りである。
における検査技術について検討した。以下は、公知とさ
れた技術ではないが、本発明者によって検討された技術
であり、その概要は次の通りである。
半導体装置のテープキャリア方式による提供は、自動実
装が容易であり、パッケージ形状を小形化できる点等か
ら、現在注目されている。
装が容易であり、パッケージ形状を小形化できる点等か
ら、現在注目されている。
この方式での半導体装置の製造は、リールより供給され
る長尺状のフィルムテープ上に半導体素子を取付け、こ
のテープ状態のまま製造工程を完了するものが一般的で
ある。
る長尺状のフィルムテープ上に半導体素子を取付け、こ
のテープ状態のまま製造工程を完了するものが一般的で
ある。
ところで、半導体装置の製造工程においては、半導体装
置の初期不良の発生を防止するため、エージング(枯化
)と呼ばれる処理が打ゎれることがある。
置の初期不良の発生を防止するため、エージング(枯化
)と呼ばれる処理が打ゎれることがある。
このエージングは、半導体装置の最終製造工程に近い段
階で、はぼ完成された半導体装置を所定の高温、高湿状
態に曝して環境的な経時的加速を与え、半導体装置の初
期不良をその製造段階で発生させて不良製品を排除する
ことにより、出荷後におけるトラブルの発生を抑制する
ものである。
階で、はぼ完成された半導体装置を所定の高温、高湿状
態に曝して環境的な経時的加速を与え、半導体装置の初
期不良をその製造段階で発生させて不良製品を排除する
ことにより、出荷後におけるトラブルの発生を抑制する
ものである。
ところが、前記のテープキャリア型の半導体装置におい
ては、長いもので十数メートルにもおよぶ長尺状のテー
プ状態で一連に製造されているため、前記エージング処
理を行うとなると、処理が可能な長さ、たとえば数加〜
数十mm程度の短冊状にテープベースを分断しなければ
ならないと考えられる。
ては、長いもので十数メートルにもおよぶ長尺状のテー
プ状態で一連に製造されているため、前記エージング処
理を行うとなると、処理が可能な長さ、たとえば数加〜
数十mm程度の短冊状にテープベースを分断しなければ
ならないと考えられる。
しかし、このように短冊状に分断されたテープキャリア
の状態でエージング処理を施したのち、このままの状態
で出荷されると、実装基板等に対して自動実装が困難と
なり、テープキャリア方式で提供される半導体装置の利
点が十分に活かしきれないおそれがある。そのために、
テープキャリア方式の半導体装置では、その製造段階で
エージング処理等の検査を施すことが困難となり、出荷
後の製品信頼性を確保できないことにもなりかねないこ
とが本発明者によって見出された。
の状態でエージング処理を施したのち、このままの状態
で出荷されると、実装基板等に対して自動実装が困難と
なり、テープキャリア方式で提供される半導体装置の利
点が十分に活かしきれないおそれがある。そのために、
テープキャリア方式の半導体装置では、その製造段階で
エージング処理等の検査を施すことが困難となり、出荷
後の製品信頼性を確保できないことにもなりかねないこ
とが本発明者によって見出された。
本発明は、上記問題点に着目してなされたものであり、
その目的はテープキャリア方式で提供される半導体装置
等の製品の信頼性を向上させることのできる技術を提供
することにある。
その目的はテープキャリア方式で提供される半導体装置
等の製品の信頼性を向上させることのできる技術を提供
することにある。
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本
明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう
。
明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう
。
本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば、次の通りである。
を簡単に説明すれば、次の通りである。
すなわち、複数の素子を一定間隔で装着したテープベー
ス状で供給される被処理物に対して、このテープベース
の切断機構と、該切断機構で短冊状に分断された被処理
物の処理を行う処理機構と、処理後の被処理物を再びテ
ープ状に結合する結合機構とを備えた処理装置構造とす
るものである。
ス状で供給される被処理物に対して、このテープベース
の切断機構と、該切断機構で短冊状に分断された被処理
物の処理を行う処理機構と、処理後の被処理物を再びテ
ープ状に結合する結合機構とを備えた処理装置構造とす
るものである。
上記した手段によれば、被処理物が短冊状に分断される
ため、製造工程中における処理が容易になるとともに、
処理後においては再度テープ状に結合されるため、テー
プ状での製品供給の利点である自動実装を実現でき、テ
ープキャリア方式による製品の信頼性向上を図ることが
できる。
ため、製造工程中における処理が容易になるとともに、
処理後においては再度テープ状に結合されるため、テー
プ状での製品供給の利点である自動実装を実現でき、テ
ープキャリア方式による製品の信頼性向上を図ることが
できる。
第1図は本発明の一実施例であるエージング装置の全体
の構成を概略的に示す説明図、第2図はこのエージング
装置のテープ切断機構を示す説明図、第3図はテープ結
合機構を示す説明図、第4図は被処理物であるテープキ
ャリア型半導体装管を示す部分拡大図である。
の構成を概略的に示す説明図、第2図はこのエージング
装置のテープ切断機構を示す説明図、第3図はテープ結
合機構を示す説明図、第4図は被処理物であるテープキ
ャリア型半導体装管を示す部分拡大図である。
本実施例のエージング装置1は、第1図に示すように、
テープ切断機構2、エージング機構3およびテープ結合
機構4とからなり、被処理物である半導体装置5のエー
ジング処理を行うためのものである。
テープ切断機構2、エージング機構3およびテープ結合
機構4とからなり、被処理物である半導体装置5のエー
ジング処理を行うためのものである。
ここで、被処理物である半導体装置5について説明する
と、第4図に示されるように、たとえば幅16mm、3
5mm、あるいは70mm程度のポリミド樹脂からなる
フィルム状のテープベース6を有しており、このテープ
ベース上の両側端近傍には一定のピッチ、例えば4.7
5 mm程度の間隔で四角形状の送り孔7がテープベー
ス6の長さ方向に沿って連設されている。このテープベ
ース6の幅方向の中央には、所定の回路がその表面に形
成されたシリコン(Si)等からなるペレット8が長さ
方向に一定の間隔を置いて装着されてふり、該ペレット
8は前記テープベース6上に設けられたテストパッド1
0と、リード配線層11を通じて電気的に導通されてい
る。
と、第4図に示されるように、たとえば幅16mm、3
5mm、あるいは70mm程度のポリミド樹脂からなる
フィルム状のテープベース6を有しており、このテープ
ベース上の両側端近傍には一定のピッチ、例えば4.7
5 mm程度の間隔で四角形状の送り孔7がテープベー
ス6の長さ方向に沿って連設されている。このテープベ
ース6の幅方向の中央には、所定の回路がその表面に形
成されたシリコン(Si)等からなるペレット8が長さ
方向に一定の間隔を置いて装着されてふり、該ペレット
8は前記テープベース6上に設けられたテストパッド1
0と、リード配線層11を通じて電気的に導通されてい
る。
次に、テープ切断機構2について、第2図によって、処
理順にしたがって説明すると以下の通りである。
理順にしたがって説明すると以下の通りである。
テープ切断機構2は、第2図に示されるように、製品リ
ール12とスペーサテープ巻き取りリール13とが回転
可能に取付けられており、該製品リール12に巻回され
た製品としてのテープキャリア型の半導体装置5は、第
2図中の製品リール12における矢印の方向に順次回転
されながら送り出されていく。また、半導体装置5の保
護のために、巻回状態のテープベース6同士の間に挿入
されて巻き込まれているスペーサテープ14は、半導体
装置5の送り出しとともに、スペーサテープ巻き取りリ
ール13によって順次巻き取られていく 。
ール12とスペーサテープ巻き取りリール13とが回転
可能に取付けられており、該製品リール12に巻回され
た製品としてのテープキャリア型の半導体装置5は、第
2図中の製品リール12における矢印の方向に順次回転
されながら送り出されていく。また、半導体装置5の保
護のために、巻回状態のテープベース6同士の間に挿入
されて巻き込まれているスペーサテープ14は、半導体
装置5の送り出しとともに、スペーサテープ巻き取りリ
ール13によって順次巻き取られていく 。
前記製品リール12から送り出されたテープ状態の半導
体装置5は、ガイドリール15.16および17を経て
切断へラド18に送られる。この切断へラド18は、前
記半導体装置5のテープベース6を長さ方向に一定長ず
つ切断するカッター20を有しており、このカッター2
0によってテープベース6は一定長さの短冊状に分断さ
れる。
体装置5は、ガイドリール15.16および17を経て
切断へラド18に送られる。この切断へラド18は、前
記半導体装置5のテープベース6を長さ方向に一定長ず
つ切断するカッター20を有しており、このカッター2
0によってテープベース6は一定長さの短冊状に分断さ
れる。
この分断後のテープベース6は、たとえばペレット8が
数個ずつ一連に連設された単位となっている。
数個ずつ一連に連設された単位となっている。
このように、切断ヘッド18によって短冊状に分断され
た半導体装置5は、半導体装置5の進行方向の前方に位
置される吸着ステージ21に送られる。該吸着ステージ
21の上方には、吸着へラド22が備えられており、こ
の吸着ヘッド22は、図示されない制御モータ等の駆動
源により上下動および水平移動の可能な構造を有してい
る。該吸着へラド22の真空吸引作用により半導体装置
5が保持された状態となると、該吸着へラド22は上昇
移動および水平移動等の所定の動作を行い、保持した半
導体装置5をアンローダ23側に移送する。
た半導体装置5は、半導体装置5の進行方向の前方に位
置される吸着ステージ21に送られる。該吸着ステージ
21の上方には、吸着へラド22が備えられており、こ
の吸着ヘッド22は、図示されない制御モータ等の駆動
源により上下動および水平移動の可能な構造を有してい
る。該吸着へラド22の真空吸引作用により半導体装置
5が保持された状態となると、該吸着へラド22は上昇
移動および水平移動等の所定の動作を行い、保持した半
導体装置5をアンローダ23側に移送する。
前記のようにしてアンローダ23側に移された半導体装
置は、トレイ等の治具に収容されてエージング機構3に
移送される。
置は、トレイ等の治具に収容されてエージング機構3に
移送される。
次に、このエージング機構3においては、半導体装置5
に対して所定時間のエージング処理が行われる。このエ
ージング機構3は、図示されないエージング炉を有して
おり、たとえば125℃程度の高温状態において前記ト
レイに収容された半導体装置5を1時間程度放置するこ
とにより処理を行った後、このエージング炉中から取り
出すものである。本実施例では、該半導体装置5をこの
エージング機構3から取り出した後に該半導体装置5に
対して電気的特性等の試験を行うものであるが、前記エ
ージング機構3内において、ソケット等の接続手段を設
けて炉内の半導体装置5に直接電源電圧、信号等を印加
しながら加速試験を行うようにしてもよい。
に対して所定時間のエージング処理が行われる。このエ
ージング機構3は、図示されないエージング炉を有して
おり、たとえば125℃程度の高温状態において前記ト
レイに収容された半導体装置5を1時間程度放置するこ
とにより処理を行った後、このエージング炉中から取り
出すものである。本実施例では、該半導体装置5をこの
エージング機構3から取り出した後に該半導体装置5に
対して電気的特性等の試験を行うものであるが、前記エ
ージング機構3内において、ソケット等の接続手段を設
けて炉内の半導体装置5に直接電源電圧、信号等を印加
しながら加速試験を行うようにしてもよい。
前記のようにエージング処理の完了した半導体装置5は
、第3図に示すテープ結合機構3に移される。
、第3図に示すテープ結合機構3に移される。
次に、テープ結合機構3における処理を、第3図に基づ
いて説明する。
いて説明する。
エージング機構3より移送された半導体装置5は、トレ
イに収容された状態でローダ部25に位置される。この
ローダ部25において半導体装置5は一連ずつエアシリ
ンダ等の駆動源を有するブツシャ26によりシュート2
7上から押し出され該シュート27の前方に位置される
テープ貼付部28に送られる。テープ貼付部28は、裏
面貼付部29と表面貼付部30とからなり、それぞれの
貼付部29および30はプレス型31および32を有し
ており、粘着テープリール33から供給されるポリイミ
ド樹脂からなる粘着テープ34によって第4図に示され
るように、テープベース6の端部同士が結合される構造
となっている。このとき、本実施例では、テープ貼付部
28の裏面貼付部29と表面貼付部30とにより、テー
プベース6の端部同士が表裏面から結合されるようにな
っているが、表面側あるいは裏面側のいずれか一面のみ
が粘着テープ34によって貼付されてテープベース6同
士が結合されるようにしてもよい。前記プレス型31.
32に加熱手段を備え、加熱によって粘着テープ34の
粘着効率を高めるものであってもよい。
イに収容された状態でローダ部25に位置される。この
ローダ部25において半導体装置5は一連ずつエアシリ
ンダ等の駆動源を有するブツシャ26によりシュート2
7上から押し出され該シュート27の前方に位置される
テープ貼付部28に送られる。テープ貼付部28は、裏
面貼付部29と表面貼付部30とからなり、それぞれの
貼付部29および30はプレス型31および32を有し
ており、粘着テープリール33から供給されるポリイミ
ド樹脂からなる粘着テープ34によって第4図に示され
るように、テープベース6の端部同士が結合される構造
となっている。このとき、本実施例では、テープ貼付部
28の裏面貼付部29と表面貼付部30とにより、テー
プベース6の端部同士が表裏面から結合されるようにな
っているが、表面側あるいは裏面側のいずれか一面のみ
が粘着テープ34によって貼付されてテープベース6同
士が結合されるようにしてもよい。前記プレス型31.
32に加熱手段を備え、加熱によって粘着テープ34の
粘着効率を高めるものであってもよい。
このようにしてテープベース6同士が結合されて再度テ
ープ状態となった半導体装置5は、進行前方に位置され
るスプロケットパンチテーブル31に送られる。このス
プロケットパンチテーブル31の上方には、送り孔の大
きさに対応したパンチ32が設けられてあり、前記粘着
テープ34の貼付によって閉塞されたテープベース6の
送り孔7を整合ピッチにて再開孔する構造となっている
。
ープ状態となった半導体装置5は、進行前方に位置され
るスプロケットパンチテーブル31に送られる。このス
プロケットパンチテーブル31の上方には、送り孔の大
きさに対応したパンチ32が設けられてあり、前記粘着
テープ34の貼付によって閉塞されたテープベース6の
送り孔7を整合ピッチにて再開孔する構造となっている
。
前記スプロケットパンチテーブル31の進行方向前方の
上方には、モニタカメラ35が設けられており、このモ
ニタカメラ35によって撮影された撮影情報をモニタテ
レビ36に映し出すことによって、製品としての半導体
装置5の外観検査が行われる。すなわち、バンチ32に
より形成されたテープベース6上の送り孔7の位置およ
びペレット8の装着状態等の半導体装置5の外観から製
品検査が行われるようになっている。
上方には、モニタカメラ35が設けられており、このモ
ニタカメラ35によって撮影された撮影情報をモニタテ
レビ36に映し出すことによって、製品としての半導体
装置5の外観検査が行われる。すなわち、バンチ32に
より形成されたテープベース6上の送り孔7の位置およ
びペレット8の装着状態等の半導体装置5の外観から製
品検査が行われるようになっている。
このようにして、テープ状態に再度加工された半導体装
置5は、ガイドリール36および37等を経てスペーサ
テープ供給リール38から供給されるスペーサテープ1
4とともに再度製品リール12に巻回されて本実施例の
エージング処理を完了する。
置5は、ガイドリール36および37等を経てスペーサ
テープ供給リール38から供給されるスペーサテープ1
4とともに再度製品リール12に巻回されて本実施例の
エージング処理を完了する。
このように、本実施例によれば以下の効果を得ることが
できる。
できる。
(1)、テープキャリア型の半導体装置5をテープベー
ス6の一定長で短冊状に分断することにより、エージン
グ処理が可能になるとともに、前記エージング処理後に
再度結合させてテープ状態とすることにより、自動実装
が容易となる。
ス6の一定長で短冊状に分断することにより、エージン
グ処理が可能になるとともに、前記エージング処理後に
再度結合させてテープ状態とすることにより、自動実装
が容易となる。
(2)、前記(1)により、テープキャリア型半導体装
置においてもエージング処理が可能となるため、半導体
装置の製品信頼性を高めることができる。
置においてもエージング処理が可能となるため、半導体
装置の製品信頼性を高めることができる。
(3)、エージング後においてテープベース6が粘着テ
ープ34によって再度結合されるため、自動実装が容易
となり、実装効率を高めることができる。
ープ34によって再度結合されるため、自動実装が容易
となり、実装効率を高めることができる。
以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具
体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない。たとえば、テープベース
6の結合手段とじては粘着テープ34を用いた場合につ
いて説明したが、これに限らず、他の手段による結合、
たとえば熱圧着によるテープベース同士の結合等であっ
てもよい。
体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない。たとえば、テープベース
6の結合手段とじては粘着テープ34を用いた場合につ
いて説明したが、これに限らず、他の手段による結合、
たとえば熱圧着によるテープベース同士の結合等であっ
てもよい。
以上の説明では主として本発明者によってなされた発明
をその利用分野である、いわゆるテープキャリア型の半
導体装置に適用した場合について説明したが、これに限
定されるものではなく、テープキャリア状態で提供され
る他の電子部品および電子装置等に適用してもよい。
をその利用分野である、いわゆるテープキャリア型の半
導体装置に適用した場合について説明したが、これに限
定されるものではなく、テープキャリア状態で提供され
る他の電子部品および電子装置等に適用してもよい。
本願において開示される発明のうち代表的なものによっ
て得られる効果を簡単に説明すれば、下記の通りである
。
て得られる効果を簡単に説明すれば、下記の通りである
。
すなわち、複数の素子が一定間隔で装着された一連のテ
ープベース状で供給される被処理物に対して、該被処理
物のテープベースを所定の長さ毎に短冊状に分断する切
断機構と、該切断機構により切断された短冊状の状態で
被処理物の処理を行う処理機構と、該処理機構を経た短
冊状の被処理物を再度一連のテープ状に結合する結合機
構とを備えた処理袋間構造とすることにより、製造工程
中に被処理物が分断状態となるため、その処理が容易に
なるという利点が得られる一方、処理後には被処理物が
再度テープ状に結合されるので、自動供給右よび自動実
装が容易になるという利点が得られ、全体として製品の
処理効率の向上および製品の信頼性の向上を図ることが
できる。
ープベース状で供給される被処理物に対して、該被処理
物のテープベースを所定の長さ毎に短冊状に分断する切
断機構と、該切断機構により切断された短冊状の状態で
被処理物の処理を行う処理機構と、該処理機構を経た短
冊状の被処理物を再度一連のテープ状に結合する結合機
構とを備えた処理袋間構造とすることにより、製造工程
中に被処理物が分断状態となるため、その処理が容易に
なるという利点が得られる一方、処理後には被処理物が
再度テープ状に結合されるので、自動供給右よび自動実
装が容易になるという利点が得られ、全体として製品の
処理効率の向上および製品の信頼性の向上を図ることが
できる。
第1図は本発明の一実施例であるエージング装置の構成
機構の概略を示す説明図、第2図は実施例のテープ切断
機構を示す説明図、第3図は同じ〈実施例のテープ結合
機構を示す説明図、第4図は実施例のテープキャリア型
半導体装置を示す部分拡大図である。 1・・・エージング装置(処理装置)、2・・・テープ
切断機構、3・・・エージング機構、4・・・テープ結
合機構、5・・・半導体装置(被処理物)、6・・・テ
ープベース、7・・・送り孔、8・・・ペレット、10
・・・テストパッド、11・・・リード配線層、12・
・・製品リール、13・・・スペーサテープ巻き取りリ
ール、14・・・スペーサテープ、15,16.17・
・・ガイドリール、18・・・切断ヘッド、20・・・
カッター、21・・・吸着ステージ、22・・・吸着ヘ
ッド、23・・・アンローダ、25・・・ローダ部、2
6・・・ブツシャ、27・・・シュート、28・・・テ
ープ貼付部、29・・・裏面貼付部、30・・・表面貼
付部、31.32・・・プレス型、33・・・粘着テー
プリール、34・・・粘着テープ、35・・・モニタカ
メラ、36.37・・・ガイドリール、38・・・スペ
ーサテープ供給リール。 第3図 第4図
機構の概略を示す説明図、第2図は実施例のテープ切断
機構を示す説明図、第3図は同じ〈実施例のテープ結合
機構を示す説明図、第4図は実施例のテープキャリア型
半導体装置を示す部分拡大図である。 1・・・エージング装置(処理装置)、2・・・テープ
切断機構、3・・・エージング機構、4・・・テープ結
合機構、5・・・半導体装置(被処理物)、6・・・テ
ープベース、7・・・送り孔、8・・・ペレット、10
・・・テストパッド、11・・・リード配線層、12・
・・製品リール、13・・・スペーサテープ巻き取りリ
ール、14・・・スペーサテープ、15,16.17・
・・ガイドリール、18・・・切断ヘッド、20・・・
カッター、21・・・吸着ステージ、22・・・吸着ヘ
ッド、23・・・アンローダ、25・・・ローダ部、2
6・・・ブツシャ、27・・・シュート、28・・・テ
ープ貼付部、29・・・裏面貼付部、30・・・表面貼
付部、31.32・・・プレス型、33・・・粘着テー
プリール、34・・・粘着テープ、35・・・モニタカ
メラ、36.37・・・ガイドリール、38・・・スペ
ーサテープ供給リール。 第3図 第4図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、複数の素子が一定間隔で装着された一連のテープベ
ース状で供給される被処理物に対して、該被処理物のテ
ープベースを所定の長さ毎に短冊状に分断する切断機構
と、該切断機構により切断された短冊状の状態で被処理
物の処理を行う処理機構と、該処理機構を経た短冊状の
被処理物を再度一連のテープ状に結合する結合機構とを
備えた処理装置。 2、前記素子が半導体素子であり、前記処理機構によっ
て該半導体素子のエージング処理が行われることを特徴
とする特許請求の範囲第1項記載の処理装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9303887A JPS63260043A (ja) | 1987-04-17 | 1987-04-17 | 処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9303887A JPS63260043A (ja) | 1987-04-17 | 1987-04-17 | 処理装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63260043A true JPS63260043A (ja) | 1988-10-27 |
Family
ID=14071327
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP9303887A Pending JPS63260043A (ja) | 1987-04-17 | 1987-04-17 | 処理装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63260043A (ja) |
-
1987
- 1987-04-17 JP JP9303887A patent/JPS63260043A/ja active Pending
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