JPS63257282A - Electronic cooler - Google Patents

Electronic cooler

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JPS63257282A
JPS63257282A JP62091519A JP9151987A JPS63257282A JP S63257282 A JPS63257282 A JP S63257282A JP 62091519 A JP62091519 A JP 62091519A JP 9151987 A JP9151987 A JP 9151987A JP S63257282 A JPS63257282 A JP S63257282A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
heat sink
elements
etchingshausen
element part
ettingshausen
Prior art date
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Pending
Application number
JP62091519A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Takuji Okumura
卓司 奥村
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Komatsu Ltd
Original Assignee
Komatsu Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Komatsu Ltd filed Critical Komatsu Ltd
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  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

PURPOSE:To increase a temperature difference between a cooling face and a heat sink by a method wherein two or more Ettingshausen elements connected mutually in series are arranged on the identical heat sink and these elements are connected thermally so that these elements constitute a number of stages. CONSTITUTION:A first element part 2 which is composed of a first heat sink 1 made of Al2O3 and cascade-shaped Bi single.crystal Ettingshausen elements E1, E2, E3 arranged on this heat sink and a second element part 4 which is similarly composed of a second heat sink 3 made of Al2O3 and a cascade-shaped Bi single-crystal Ettingshausen element E4 arranged on the that sink are laminated in such a way that a cooling face of the second Ettingshausen elements E1, E2, E3 for the first element part 2 comes into contact with the second heat sink 3 for the second element part 4. Magnets 5 are arranged on both sides of this laminate. An electric current is made to flow through individual Ettingshausen elements from a power supply; a temperature on the cooling face of the Ettingshausen element 4 for the second element part is lowered.

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は電子クーラーに係り、特にエッチングスハウゼ
ン効果を利用した電子クーラーに関する。  〔従来技
術およびその問題点〕赤外線ディテクタやジョゼフソン
素子等、極低温下でのみ優れた特性を得ることのできる
素子の研究が広く進められてきており、極低温を得るた
めにいろいろな研究がなされている。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to an electronic cooler, and particularly to an electronic cooler that utilizes the Etchingshausen effect. [Prior art and its problems] Research on elements that can obtain excellent characteristics only at extremely low temperatures, such as infrared detectors and Josephson elements, has been widely conducted. being done.

その1つに、エッチングスハウゼン効果を利用したエッ
チングスハウゼンデバイスと呼ばれる素子がある。
One of them is an element called an etchingshausen device that utilizes the etchingshausen effect.

エッチングスハウゼン効果は、金属または半導体に電流
IxをX方向に流し、それと垂直なZ方向に磁場密度B
の磁場Bzをかけ、Y方向に熱流も電流も流れないよう
にするとその方向に温度勾配が生じる効果をいう。
The Etchingshausen effect is caused by passing a current Ix through a metal or semiconductor in the X direction, and increasing the magnetic field density B in the Z direction perpendicular to it.
This refers to the effect that when a magnetic field Bz is applied to prevent either heat flow or current from flowing in the Y direction, a temperature gradient occurs in that direction.

すなわち、第5図にその原理図を示す如く、電子と正孔
が共存する物質にX方向に電流Ixを流し、Z方向に磁
場Bzをかけると、ローレンツ力により、電子と正孔と
共にY方向に湾曲する。
In other words, as shown in the principle diagram in Figure 5, when a current Ix is passed in the X direction through a material in which electrons and holes coexist, and a magnetic field Bz is applied in the Z direction, the Lorentz force causes electrons and holes to flow together in the Y direction. curved to

電子と正孔は、対の生成および再結合を繰り返しなから
X方向を伝導し、対を生成する際の活性化エネルギーは
、再結合の際再び放出される。
Electrons and holes conduct in the X direction because pairs are repeatedly generated and recombined, and the activation energy when generating pairs is released again during recombination.

ところが、電子と正孔は、対生成、再結合を起こす間に
Y方向にも、ローレンツ力によって変位しているため、
活性化エネルギーをY方向に運んでいることとなり、Y
方向に温度差が生じる。
However, while electrons and holes are pairing and recombining, they are also displaced in the Y direction by the Lorentz force, so
This means that activation energy is carried in the Y direction, and Y
A temperature difference occurs in the direction.

そして、エッチングスハウゼン素子の性能係数Zは xy で表わされる。ここでα はY方向の温度差に対y するX方向の起電力、6 はX方向の電気伝導度、K 
はY方向の熱伝導度である。
The coefficient of performance Z of the etchingshausen element is expressed as xy. Here, α is the electromotive force in the X direction relative to the temperature difference in the Y direction, 6 is the electric conductivity in the X direction, and K
is the thermal conductivity in the Y direction.

また第5図に示した角形素子(lectangylar
)のヒートシンク側の温度をT 、冷却り 面側の温度をT としたとき、冷却温度ΔT−T h 
 T oは次式で決まることか知られている。
In addition, a rectangular element (lectangylar element) shown in FIG.
), where the temperature on the heat sink side is T and the temperature on the cooling surface side is T, the cooling temperature ΔT-Th h
It is known that T o is determined by the following equation.

(ΔT    )     −−Z   −T   2
 (2)max  feet   、)   xy  
 bすなわち、材料によって決まる性能係数とヒートシ
ンク側の温度とによって決まる。
(ΔT) −−Z −T 2
(2) max feet, ) xy
b That is, it is determined by the coefficient of performance determined by the material and the temperature on the heat sink side.

更に、これに形状因子が加わる。Furthermore, a form factor is added to this.

ところで、第6図(a)に示す如く冷却面側の幅を狭く
し、側面を曲面としたカスケード形と指称される断面富
士形の半金属又は半導体からなるエッチングスハウゼン
素子が高効率素子として知られている。
By the way, as shown in FIG. 6(a), an Etchingshausen element made of semimetal or semiconductor with a Fuji-shaped cross section, called a cascade type, with a narrow width on the cooling surface side and a curved side surface, has been used as a high-efficiency element. Are known.

この側面の外郭線lが次の(3)式で表わされるような
形状を有するものとすると、 γ (ここでbは高さすなわち、ヒートシンク側の面と冷却
面との距離、γは形状因子とする。)このカスケード形
のエッチングスハウゼン素子の冷却温度(ΔT  ) 
 は次式(4)に示すff1aX    eXp 如く表わされる。
Assuming that the outline l of this side surface has a shape expressed by the following equation (3), γ (where b is the height, that is, the distance between the heat sink side surface and the cooling surface, and γ is the shape factor ) The cooling temperature (ΔT ) of this cascade-type etchingshausen element is
is expressed as ff1aX eXp shown in the following equation (4).

従ってこの形状因子γと材料によって決まる性能係数Z
xyとを最適値となるように設定することにより、高能
率のエッチングスハウゼン素子が得られる。
Therefore, the performance coefficient Z determined by this shape factor γ and the material
By setting xy to optimal values, a highly efficient etching Shausen element can be obtained.

このようにして選択されるエッチングスハウゼン素子に
第6図(b)に示す如くマグネット5によって磁場をか
け、この長手方向に電極A1およびA2を介して電流l
xを流すことによって電子クーラーを形成するわけであ
るが、デバイスを作動せしめるのに最適電流密度となる
ように電流値を選択する必要がある。従って、大きな温
度差ΔTを得るためには、デバイスが大形化し、大電流
を流さねばならないため、動作電源が大がかりになると
いう問題があった。
A magnetic field is applied to the Etchingshausen element selected in this way by a magnet 5 as shown in FIG.
An electronic cooler is formed by flowing x, but the current value must be selected to provide the optimum current density for operating the device. Therefore, in order to obtain a large temperature difference ΔT, the device must be large in size and a large current must flow, resulting in a problem that the operating power supply becomes large-scale.

本発明は、前記実情に鑑みてなされたもので、大電流電
源を必要とすることなく、冷却能力の高い電子クーラー
を提供することを目的とする。
The present invention has been made in view of the above-mentioned circumstances, and an object of the present invention is to provide an electronic cooler with high cooling capacity without requiring a large current power source.

〔問題点を解決するための手段〕[Means for solving problems]

そこで本発明では、磁場形成手段とエッチングスハウゼ
ン素子とを含み、磁場および電流方向に垂直な方向の熱
の移動により冷却面を得るようにした電子クーラーにお
いて、電流の方向が同一となるように直列接続せしめら
れた複数個のエッチングスハウゼン素子を同一のヒート
シンク上に並設してなる素子部を複数段積層すると共に
前記第1の素子部の各冷却面に対して熱的に接触するよ
うに第2の素子部のヒートシンクを配設すると共に、第
2の素子部のエッチングスハウゼン素子の素子数は第1
の素子部の素子数よりも少なくなるようにしている。
Therefore, in the present invention, in an electronic cooler that includes a magnetic field forming means and an etchingshausen element and that obtains a cooling surface by the movement of heat in a direction perpendicular to the magnetic field and the current direction, the electronic cooler is configured such that the direction of the current is the same. A plurality of Etchingshausen elements connected in series are arranged in parallel on the same heat sink, and a plurality of element parts are stacked in multiple stages and are in thermal contact with each cooling surface of the first element part. The heat sink of the second element part is disposed in the second element part, and the number of elements of the etched Shausen element of the second element part is the same as that of the first element part.
The number of elements is made smaller than the number of elements in the element section.

〔作用〕[Effect]

すなわち、互いに直列接続せしめられた複数個のエッチ
ングスハウゼン素子を同一ヒートシンク上に並設すると
共に、これを多数段となるように熱接触せしめるように
しているため、電流を増大させることなく、冷却面とヒ
ートシンクとの温度差ΔTを大きくすることができる。
In other words, a plurality of Etchingshausen elements connected in series are arranged side by side on the same heat sink, and they are brought into thermal contact in multiple stages, so cooling can be achieved without increasing the current. The temperature difference ΔT between the surface and the heat sink can be increased.

〔実施例〕〔Example〕

以下、本発明の実施例について、図面を参照しつつ詳細
に説明する。
Embodiments of the present invention will be described in detail below with reference to the drawings.

第1図は、本発明実施例の電子クーラーを示す図である
FIG. 1 is a diagram showing an electronic cooler according to an embodiment of the present invention.

この電子クーラーは、第1図に全体概要図を第2図に断
面図を示す如く、アルミナセラミック(A12o、)製
の第1のヒートシンク1とこの上に配列せしめられたカ
スケード形のビスマス(Bi)単結晶からなるエッチン
グスハウゼン素子El、E2.E3とからなる第1の素
子部2と、同様にアルミナセラミック製の第2のヒート
シンク3とこの上に配設せしめられたカスケード形のビ
スマス(Bi)単結晶からなるエッチングスハウゼン素
子E4とからなる第2の素子部とが第1の素子部2のエ
ッチングスハウゼン素子El。
As shown in FIG. 1 and a cross-sectional view in FIG. 2, this electronic cooler consists of a first heat sink 1 made of alumina ceramic (A12O) and a cascade-shaped bismuth (Bi) heat sink arranged on top of the first heat sink 1. ) Etchingshausen elements El, E2.) made of single crystals. E3, a second heat sink 3 made of alumina ceramic, and an etchingshausen element E4 made of a cascade-shaped bismuth (Bi) single crystal disposed thereon. The second element portion is the etchingshausen element El of the first element portion 2.

E2.E3の冷却面に第2の素子部4の第20ヒートシ
ンク3が接触するように積層せしめられ、この積層体に
対して側方Sが、8キロガウスの磁場Bzを形成するよ
うにマグネット5を配設してなるもので、この磁場Bz
の中で、各エッチングスハウゼン素子El、E2.E3
.E4に電源(図示せず)から電流lxを流し、第2の
素子部のエッチングスハウゼン素子E4の冷却面の温度
を低下せしめ、第1のヒートシンク1に対して温度差Δ
Tの低温を得るようにし、物質の冷却に用いるようにし
たものである。
E2. The 20th heat sink 3 of the second element section 4 is laminated so as to be in contact with the cooling surface of E3, and the magnet 5 is arranged so that the side S of the laminated body forms a magnetic field Bz of 8 kilogauss. This magnetic field Bz
In each etchingshausen element El, E2. E3
.. A current lx is applied to E4 from a power source (not shown) to lower the temperature of the cooling surface of the etchingshausen element E4 in the second element part, thereby creating a temperature difference Δ with respect to the first heat sink 1.
It is designed to obtain a low temperature of T and is used for cooling substances.

ここで4つのエッチングスハウゼン素子E1〜E4はい
ずれも同一構造を有しており、第3図に示す如く、冷却
面側の幅C1−0.027印、加熱面側の幅C2=0.
18cm、高さb−0,26cm 、長さ3.00cm
のカスケード形のビスマス単結晶からなり、両端面に電
極AI、A2が形成されており、夫々、第1および第2
のヒートシンクに貼着せし砂られると共に、E1→E2
−E3−E4と電流が各素子内を順にかつ同一方向に流
れるように直列接続せしめられている。
Here, all four etchingshausen elements E1 to E4 have the same structure, and as shown in FIG. 3, the width on the cooling surface side is C1 - 0.027 mark, and the width on the heating surface side is C2 = 0.027.
18cm, height b-0,26cm, length 3.00cm
It is made of a cascade-shaped bismuth single crystal, and electrodes AI and A2 are formed on both end faces, and the first and second electrodes are formed on both end faces.
At the same time as it is pasted on the heat sink of
-E3 and E4 are connected in series so that current flows through each element in sequence and in the same direction.

105Torrの真空中でヒートシンク温度を156°
Kに保ちこの電子クーラーに電流を流した場合の電流(
横軸)と冷却温度すなわち第1のヒートシンクとエッチ
ングスハウゼン素子E4の冷却面との温度差ΔT(縦軸
)との関係を第4図(a)に示す。
The heat sink temperature is 156° in a vacuum of 105 Torr.
Current when flowing current through this electronic cooler while keeping it at K (
FIG. 4(a) shows the relationship between the cooling temperature (horizontal axis) and the temperature difference ΔT (vertical axis) between the first heat sink and the cooling surface of the etchingshausen element E4.

この図からも、例えば、ΔT−25°にの冷却温度を得
るのに電流は5Aと極めて小電流でよく、高い冷却能力
を持っていることがわかる。
From this figure, it can be seen that, for example, in order to obtain a cooling temperature of ΔT-25°, an extremely small current of 5 A is required, and the device has a high cooling capacity.

比較のために、第6図に示した従来の電子クーラーの電
流と冷却温度との関係を第4図(b)に示す。
For comparison, the relationship between the current and cooling temperature of the conventional electronic cooler shown in FIG. 6 is shown in FIG. 4(b).

ここでこのエッチングスハウゼン素子は冷却面側の幅C
l−0.054cm、加熱面側の幅C2−0,37cm
、高さb−0,522cm、長さ3.00 amとする
Here, this etchingshausen element has a width C on the cooling surface side.
l-0.054cm, width on heating surface side C2-0.37cm
, height b-0,522 cm, and length 3.00 am.

この第3図と第5図の比較からも明らかなように、従来
例のエッチングスハウゼン素子を4分割したものが本発
明実施例のエッチングスハウゼン素子01〜C4に相当
する。
As is clear from the comparison between FIG. 3 and FIG. 5, the etchingshausen elements 01 to C4 of the embodiment of the present invention correspond to the etchingshausen elements 01 to C4 of the embodiment of the present invention, which are obtained by dividing the conventional etchingshausen element into four parts.

第4図(a)と第4図(b)との比較から、本発明実施
例の電子クーラーによれば、同一の冷却温度を得るのに
約1/4〜115の電流でよいことがわかる。
From a comparison between FIG. 4(a) and FIG. 4(b), it can be seen that according to the electronic cooler according to the embodiment of the present invention, approximately 1/4 to 115 times the current is required to obtain the same cooling temperature. .

なお、実施例では、素子部を2段構成にしたが、2段に
限定されることなく、3段、4段等、適宜選択可能であ
る。
In the embodiment, the element section has a two-stage configuration, but it is not limited to two stages, and can be appropriately selected from three stages, four stages, etc.

また、実施例では、エッチングスハウゼン素子として、
ビスマス単結晶をカスケード形に成型したものを用いた
が、実施例に限定されることなく、材料としてはビスマ
ス−アンチモン(Bi−Sb)合金、テルル化水銀(H
gTe)、セレン化水銀(HgSe)、錫(S n )
 、マグネシウム鉛(Hg2Pb)、グラファイト、ヒ
化カドミニウム(Cd3As2)等、正孔および電子の
濃度が等しく、かつ共に移動度が大であって格子振動に
よる熱伝導の少ない真性半導体および半金属の中から適
宜選択可能である。
In addition, in the example, as an etchingshausen element,
Although a bismuth single crystal molded into a cascade shape was used, the material is not limited to this example, and materials include bismuth-antimony (Bi-Sb) alloy, mercury telluride (H
gTe), mercury selenide (HgSe), tin (S n )
, magnesium lead (Hg2Pb), graphite, cadmium arsenide (Cd3As2), etc., which have equal hole and electron concentrations, both have high mobility, and have low heat conduction due to lattice vibration.Intrinsic semiconductors and semimetals. It can be selected as appropriate.

更に、実施例では、磁場の形成を、素子の積層体の外側
に配置したマグネットブロックで行なったが、個々の素
子の間にマグネットを配設するようにしたり、電磁石を
用いる等、適宜変更可能である。
Furthermore, in the example, the magnetic field was formed using a magnet block placed outside the stack of elements, but this can be modified as appropriate, such as by arranging a magnet between each element or using an electromagnet. It is.

[発明の効果] 以上説明してきたように、本発明の電子クーラーによれ
ば、複数のエッチングスハウゼン素子を互いに直列接続
すると共に、冷却面側程素子数が減少するように熱伝導
性の良好な基板を介して多段に積層せしめるようにして
いるため、小Kh’Aで高い冷却能力を得ることができ
る。
[Effects of the Invention] As explained above, according to the electronic cooler of the present invention, a plurality of etchingshausen elements are connected in series, and the number of elements decreases toward the cooling surface, so that good thermal conductivity is achieved. Since they are stacked in multiple stages with different substrates interposed in between, a high cooling capacity can be obtained with a small Kh'A.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は、本発明実施例の電子クーラーの全体概要図、
第2図は、同電子クーラーの素子部の断面図、第3図は
、同電子クーラーで用いられているエッチングスハウゼ
ン素子を示す図、第4図(a)および(b)は夫々本発
明および従来例の電子クーラーの電流と冷却温度との関
係を示す図、第5図は、エッチングスハウゼン効果の説
明図、第6図(a)および(b)はカスケード形のエッ
チングスハウセン素子およびこれを用いた従来の電子ク
ーラーを示す図である。 1・・・第1のヒートシンク、2・・・第1の素子部、
3・・・第2のヒートシンク、4・・・′:B2の素子
部、5・・・マグネット、E1〜E4・・・エッチング
スハウゼン素子、AI、A2・・・電極。 □1.j′ 第2図 Δり 第3図 wl   駕 (AMP) 第4図(α) lt   児 (AMP) 第4図(b)
FIG. 1 is an overall schematic diagram of an electronic cooler according to an embodiment of the present invention;
FIG. 2 is a cross-sectional view of the element part of the electronic cooler, FIG. 3 is a diagram showing an etchingshausen element used in the electronic cooler, and FIGS. 4(a) and (b) are respectively FIG. 5 is an explanatory diagram of the Etchingshausen effect, and FIGS. 6(a) and (b) are cascade-type Etchingshausen elements and It is a figure which shows the conventional electronic cooler using this. 1... First heat sink, 2... First element section,
3... Second heat sink, 4...': B2 element section, 5... Magnet, E1 to E4... Etchingshausen element, AI, A2... Electrode. □1. j' Fig. 2 Δ R Fig. 3 wl (AMP) Fig. 4 (α) lt child (AMP) Fig. 4 (b)

Claims (1)

【特許請求の範囲】  電流の方向に対して垂直な磁場を印加することによっ
て生じる温度勾配を利用したエッチングスハウゼン素子
を用いてなる電子クーラーにおいてヒートシンクとして
の熱伝導性の良好な基板とこの上に並設せしめられた少
なくとも1個のエッチングスハウゼン素子とからなる複
数段の素子部と、 これらエッチングスハウゼン素子に対して磁場を形成す
る磁場形成手段とを具え、 各素子部の冷却面側に次の素子部のヒートシンク側が熱
的に接触すると共に、冷却面側に接触せしめられる素子
部の素子数が当該素子部の素子数よりも少なくなるよう
に複数段の前記素子部を積層せしめ、 更に各素子を直列接続したことを特徴とする電子クーラ
ー。
[Claims] A substrate with good thermal conductivity as a heat sink in an electronic cooler using an etchingshausen element that utilizes a temperature gradient generated by applying a magnetic field perpendicular to the direction of current; A cooling surface side of each element section, comprising a multi-stage element section including at least one etchingshausen element arranged in parallel, and a magnetic field forming means for forming a magnetic field for these etchingshausen elements, and a cooling surface side of each element section. stacking a plurality of stages of the element parts so that the heat sink side of the next element part is in thermal contact with the element part, and the number of elements in the element part brought into contact with the cooling surface side is smaller than the number of elements in the element part; Furthermore, this electronic cooler is characterized in that each element is connected in series.
JP62091519A 1987-04-14 1987-04-14 Electronic cooler Pending JPS63257282A (en)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2022045249A1 (en) * 2020-08-31 2022-03-03 国立大学法人東京大学 Thermoelectric element and thermoelectric device

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2022045249A1 (en) * 2020-08-31 2022-03-03 国立大学法人東京大学 Thermoelectric element and thermoelectric device

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