JPH04206884A - Thermoelectric device and manufacture thereof - Google Patents
Thermoelectric device and manufacture thereofInfo
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明（よ 薄膜状の熱電素子と薄膜状の磁石を使用し
エツチングハウゼン素子を利用することにより、電気
的に冷房もしくは暖房を行なう空調装置 冷蔵庫等に用
いる熱電装置に関する。[Detailed Description of the Invention] Industrial Fields of Application The present invention (i.e.) Air conditioners that electrically perform cooling or heating by using thin-film thermoelectric elements and thin-film magnets and using Etchinghausen elements, refrigerators, etc. The present invention relates to a thermoelectric device used for.
従来の技術
磁場をかけて電気を熱に変換し もしくはその逆の変換
を行うエツチングハウゼン素子ζよ 従来は例えば特開
昭６３−２５７２８２号公報に示されている。Conventional technology An etchinghausen element ζ which converts electricity into heat or vice versa by applying a magnetic field is disclosed in, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 63-257282.
第６図は エツチングハウゼン素子１がＮ極とＳ極を向
かい合って設置した磁石２に挟まれており、これが絶縁
台３上に設置されたものである。In FIG. 6, an Etchinghausen element 1 is sandwiched between magnets 2 with N and S poles facing each other, and these are placed on an insulating stand 3.
エッチングスハウゼン効果とは エッチングスハウゼン
素子１に電流ＩｘをＸ方向に流し その方向と垂直なＹ
方向に磁束密度ＢＹの磁場がかかっている場合、Ｘ方向
に温度勾配が生じるものである。What is the Etchingshausen effect? A current Ix is passed through the Etchingshausen element 1 in the X direction and Y is perpendicular to that direction.
When a magnetic field with a magnetic flux density BY is applied in the direction, a temperature gradient occurs in the X direction.
また このようなエッチングスハウゼン素子の製造方法
は以下のように行われている。Further, the manufacturing method of such an etchingshausen element is carried out as follows.
ま咀 エッチングスハウゼン素子材料としてＢｉ元素や
Ｂ１−８ｂ合金等を用いて、溶融 焼成等の手段を用い
て所定の形状に成形する。Etching Using Bi element, B1-8b alloy, etc. as the material for the Etching Shausen element, it is formed into a predetermined shape by means such as melting and firing.
こうして得られたエッチングスハウゼン素子１と磁石２
を絶縁台３上に設置する。Etchingshausen element 1 and magnet 2 thus obtained
is installed on the insulating stand 3.
このようにして製造したエッチングスハウゼン素子に電
流を流すことによりＺ軸方向の上下面で冷却および発熱
を行うことができる。By passing a current through the Etchingshausen element manufactured in this manner, cooling and heat generation can be performed on the upper and lower surfaces in the Z-axis direction.
そして冷却能力の拡大（よ 素子数を増加させることに
より行われ 冷却部と発熱部の温度差の拡大（よ それ
らを多段に積層することによって行われる。The cooling capacity is increased (by increasing the number of elements), and the temperature difference between the cooling section and the heat generating section is increased (by stacking them in multiple stages).
発明が解決しようとする課題
しかしながら、このような従来構成の場へ 下記の様な
課題を有している。Problems to be Solved by the Invention However, the conventional configuration has the following problems.
（ａ）Ｊｚ記従来例に示ずバルク物質の形状をしたエッ
チングスハウゼン素子では 平面状に冷却することが難
しい。(a) Jz Note: It is difficult to cool an etched Shausen element in a planar shape, which is not shown in the conventional example and has the shape of a bulk material.
また、素子の並列接続や積層を行う場合番へ（ｂ）電流
値に対して電圧値を大きくとるために（よ 素子を直列
に電気的に接続することが必要である方丈 それぞれの
素子の電流方向を磁場に対して一定にしながら直列に電
気的連結を行うことが困難である。In addition, when connecting elements in parallel or stacking them, (b) In order to obtain a large voltage value with respect to the current value, it is necessary to electrically connect the elements in series. It is difficult to make electrical connections in series while keeping the direction constant with respect to the magnetic field.
（ｃ）デバイスが大型化してしまう。(c) The device becomes larger.
（ｄ）熱的に良好な接触が得られにくく効率が悪くなる
。(d) It is difficult to obtain good thermal contact, resulting in poor efficiency.
また、従来の製造方法においては
（ｅ）製造工程が連続的ではなく、素子や個々の部品を
それぞれ作製して絹み立てるので、大量に製造する場合
、時間と手間がかかり、製造コストを下げることができ
ない。In addition, in conventional manufacturing methods, (e) the manufacturing process is not continuous, and each element or individual part is manufactured and made into silk, which takes time and effort when manufacturing in large quantities, which reduces manufacturing costs. I can't.
（ｆ）半導体材料にとって性能を高くするために磁場方
向に対する半導体結晶の結晶軸方向をそろえる場合は
簡便で時間のかからない製造方法をとることが困難であ
る。(f) When aligning the crystal axis direction of the semiconductor crystal with respect to the direction of the magnetic field in order to improve the performance of the semiconductor material,
It is difficult to use a simple and time-saving manufacturing method.
本発明は上記の課題を解決するもので、小へ高効率で、
平面を通じて冷却を行うことができる新規な熱電装置及
びその製造方法を提供することを目的としている。The present invention solves the above-mentioned problems, and is small and highly efficient.
It is an object of the present invention to provide a novel thermoelectric device capable of cooling through a plane and a method for manufacturing the same.
課題を解決するための手段
本発明の熱電装置（友 上記課題を解決するために 電
気絶縁性基板表面に交互に帯状に形成されたエッチング
スハウゼン素子薄膜および磁化された磁性薄膜と、前記
エッチングスハウゼン素子薄膜中を前記磁性薄膜により
発生した磁場方向に垂直な方向でそれぞれ同じ向きに電
流が流れるように薄膜電極を配してなるものである。Means for Solving the Problems In order to solve the above problems, an etchingshausen element thin film and a magnetized magnetic thin film alternately formed in strips on the surface of an electrically insulating substrate, and Thin film electrodes are arranged so that current flows through the Hausen thin film in the same direction perpendicular to the direction of the magnetic field generated by the magnetic thin film.
また本発明の熱電装置の製造方法（よ 電気絶縁性基板
に磁性薄膜を所定間隔で絶縁して縞状に形成する工程と
、磁場中で前記磁性薄膜を磁化させる工程と、エッチン
グスハウゼン薄膜を前記磁性薄膜の間に所定間隔で絶縁
して縞状に形成する工程と、薄膜電極を前記エッヂング
スハウゼン薄膜を電気的に直列となるようにマスク蒸着
する電極形成工程よりなるものである。The method for manufacturing a thermoelectric device of the present invention also includes a step of forming a striped magnetic thin film on an electrically insulating substrate by insulating it at predetermined intervals, a step of magnetizing the magnetic thin film in a magnetic field, and a step of forming an etchingshausen thin film on an electrically insulating substrate. The method consists of a step of forming stripes with insulation at predetermined intervals between the magnetic thin films, and an electrode forming step of depositing thin film electrodes with a mask so that the Edgingshausen thin films are electrically connected in series.
作用 上記手段における作用は次の通りである。action The operation of the above means is as follows.
すなわち、上記構成の熱電装置では 電気絶縁性基板上
に設けられたエッチングスハウゼン素子薄膜と薄膜磁石
を用いた構成であるた数 デバイスを小型にすることが
出来る。That is, in the thermoelectric device having the above-mentioned structure, the device can be miniaturized by using a thin film magnet and an etched Shausen element thin film provided on an electrically insulating substrate.
また エッチングスハウゼン素子薄膜を直列に接続する
ことにより電流値に対して電圧値を大きく取ることがで
きる。Furthermore, by connecting the Etchingshausen element thin films in series, the voltage value can be increased relative to the current value.
更に磁場の向きに対してどのエッヂングスハウゼン素子
薄膜も、電流を同じ向きに流すことかできるので、それ
ぞれの表裏には同じ様に高温部と低温部ができる。この
温度差を用いて平面状に冷却を行なうことができる。Furthermore, since current can flow in the same direction in any Edgingshausen element thin film relative to the direction of the magnetic field, a high temperature region and a low temperature region are formed on the front and back sides of each thin film. Cooling can be performed in a plane using this temperature difference.
まり」二記の熱電装置の製造方法によれよ 真空製膜プ
ロセスを用いて連続的で大量に製造を行うことができる
。According to the manufacturing method of the thermoelectric device described in "Mari" 2, it is possible to manufacture continuously and in large quantities using a vacuum film forming process.
実施例
以下に本発明の一実施例について第１図〜第５図を参照
しながら説明する。EXAMPLE An example of the present invention will be described below with reference to FIGS. 1 to 5.
（実施例１） 第１図は本発明の熱電装置の実施例の斜視図である。(Example 1) FIG. 1 is a perspective view of an embodiment of the thermoelectric device of the present invention.
電気絶縁性基板４の表面に（よ 帯状の磁化されたＦｅ
薄膜５と帯状のＢｊ−ｅａｓｔ）＋２薄膜６が交互に縞
状に付着されている。On the surface of the electrically insulating substrate 4, a band-shaped magnetized Fe
The thin film 5 and the strip-shaped Bj-east)+2 thin film 6 are alternately deposited in a striped manner.
さらに Ａｌ薄膜７、８、９カ＜、 Ｆｅ薄膜５と接
触ぜ咀 Ｂｉ８＊Ｓｂ＋ ２薄膜６を電気的に直列接続
するようＩＱ Ｂ１８ｅＳｂ＋＋２薄膜６の端部にそ
れぞれ付着されている。Further, Al thin films 7, 8, and 9 are respectively attached to the ends of the IQ B18eSb++2 thin film 6 so as to electrically connect the Fe thin film 5 and the Bi8*Sb+2 thin film 6 in series.
このような構成において、それぞれ端子位置にあるＡｌ
薄膜８とＡ１薄膜９の間に直流電流を流すことにより、
Ｂ１８ｅｓｂ＋ ２薄膜６のそれぞれの表裏に温度差を
つけることができる。In such a configuration, each Al
By passing a direct current between the thin film 8 and the A1 thin film 9,
A temperature difference can be created between the front and back sides of the B18esb+2 thin film 6.
この場合、Ｆｅ薄膜５による磁場の向きに刻してどのＢ
ｉｅｅＳｂ＋２薄膜６も、電流が同じ向きに流れている
ので、それぞれの表裏には同じ様に高温部と低温部がで
きる。この温度差を用いて電気的に冷却を行なうことが
可能となる。In this case, which B is carved in the direction of the magnetic field by the Fe thin film 5
Since current flows in the same direction in the ieeSb+2 thin film 6, a high temperature region and a low temperature region are similarly formed on the front and back sides of each film. Using this temperature difference, electrical cooling can be performed.
本実施例では 絶縁性基板に半導体薄膜を直接的に付着
させているので、良好な熱的接触が得られる。In this example, since the semiconductor thin film is directly attached to the insulating substrate, good thermal contact can be obtained.
また 本実施例の熱電装置（よ 後述する真空製膜プロ
セスを用いて連続的で大量に製造を行うことができる。Furthermore, the thermoelectric device of this embodiment can be manufactured continuously and in large quantities using a vacuum film forming process to be described later.
この場合、製膜条件を制御ＬＡＢｉｓｅＳｂ＋２におけ
る菱面体型結晶格子のバイセクトリクス（ｂｉｓｅｃｔ
ｒｉｘ）軸を磁場の向きと平行になるように結晶成長面
を優先的に配向さぜることて 磁気ゼーベック係数を高
くし 高効率の出力が得られる。In this case, the film forming conditions are controlled to control the bisectors of the rhombohedral crystal lattice in LABiseSb+2.
By preferentially orienting the crystal growth plane so that the rix) axis is parallel to the direction of the magnetic field, the magnetic Seebeck coefficient can be increased and highly efficient output can be obtained.
これは結晶軸の方向の揃った結晶製の基板状に真空蒸着
により薄膜を形成さぜることによって達成でき、その際
基板温度を高めると一層効果的である。This can be achieved by forming a thin film by vacuum deposition on a crystal substrate with crystal axes aligned in the same direction, and it is even more effective to increase the temperature of the substrate.
また、構造上 簡便に平面形状物質を冷却することが可
能となる。Furthermore, it is possible to cool a planar material with a simple structure.
更に薄膜を直列に接続することにより電流値に対して電
圧値を大きく取ネことができる。Furthermore, by connecting thin films in series, the voltage value can be increased relative to the current value.
（実施例２）
第２図（友 本発明による熱電装置の他の実施例の斜視
図である。(Embodiment 2) FIG. 2 is a perspective view of another embodiment of the thermoelectric device according to the present invention.
第２図で（よ 第１図で示したＢｉｅｓＳｔ）＋２薄膜
６とＡ１薄膜７．８、９をイ」着した電気絶縁性基板４
が一枚の熱電素子部１０を構成して、その熱電素子部ｌ
Ｏが熱的接触を確保しながら複数枚積層されており、保
持板１１により挟まれて固定されている。In Fig. 2, an electrically insulating substrate 4 on which a +2 thin film 6 and A1 thin films 7, 8 and 9 (BiesSt shown in Fig. 1) are deposited.
constitutes one thermoelectric element section 10, and the thermoelectric element section l
A plurality of O sheets are stacked while ensuring thermal contact, and are sandwiched and fixed between holding plates 11.
本実施例では 積層されたそれぞれの熱電素子部１０に
電流を流ずことにより熱電装置１２の表裏に生じる温度
差（よ それぞれの層の熱電素子部１０の表裏に生じる
温度差の総和となる。In this embodiment, the temperature difference generated between the front and back of the thermoelectric device 12 by passing a current through each stacked thermoelectric element 10 is the sum of the temperature differences generated between the front and back of the thermoelectric element 10 of each layer.
従って、本実施例でζよ 上記の実施例１の場合に加え
て、 熱電素子部１０を積層することによりそれぞれの
温度差の効果が増幅されて、熱電装置１２全体として表
面と裏面の間に大きな温度差を０一
つけることができる。Therefore, in this embodiment, in addition to the case of Embodiment 1 described above, by stacking the thermoelectric element parts 10, the effect of each temperature difference is amplified, and the temperature difference between the front and back surfaces of the thermoelectric device 12 as a whole is increased. It is possible to create large temperature differences.
更に 本実施例（よ 電気絶縁性基板」二に何着された
Ｂ１５ｓＳｂ＋２薄膜（エッチングスハウゼン素子薄膜
）６とＦｅ薄膜５を用いた構成であるため、積層した場
合でもデバイスを小型にすることができ、また温度勾配
と対応させながらそれぞれの層に流す電流値を変えてよ
り温度差を大きくとることもできる。Furthermore, since this embodiment uses the B15sSb+2 thin film (etchingshausen element thin film) 6 and the Fe thin film 5 deposited on the electrically insulating substrate 2, the device can be made smaller even when stacked. It is also possible to increase the temperature difference by changing the current value passed through each layer in accordance with the temperature gradient.
また 本実施例装置は 真空製膜プロセスを用いて連続
的で大量に製造を行うことができる。Furthermore, the apparatus of this embodiment can perform continuous mass production using a vacuum film forming process.
な扛 エッチングスハウゼン効果は使用した材料の作動
温度にもよるから温度の勾配に沿って使用する半導体の
種類をその温度に適するように変えて積層することによ
り、より温度差の効果を大きくとるこ七ができる。The Etchingshausen effect depends on the operating temperature of the materials used, so by changing the type of semiconductor used along the temperature gradient and stacking them to suit that temperature, the effect of the temperature difference can be maximized. I can do seven things.
例えば高温で作動させるのに適した材料としてはＢ１２
（Ｓｅ、 Ｔｅ）３、低温には前述のＢｉｅａＳｂ＋２
が好ましい。For example, B12 is a material suitable for operating at high temperatures.
(Se, Te)3, the above-mentioned BieaSb+2 for low temperature
is preferred.
（実施例３）
第３図は本発明による冷却器用熱電装置の他の実施例の
斜視図である。(Embodiment 3) FIG. 3 is a perspective view of another embodiment of the thermoelectric device for a cooler according to the present invention.
本実施例（よ 第２図で示した熱電装置１２の下部に放
熱手段としての放熱フィン１３を設置したものである。In this embodiment, a heat radiation fin 13 as a heat radiation means is installed at the bottom of the thermoelectric device 12 shown in FIG.
（実施例４）
第４図は 本発明の熱電装置の更に他の実施例の斜視図
であり、水冷もしくは空冷の冷却路１４を設けた放熱器
１５を設置している。(Embodiment 4) FIG. 4 is a perspective view of still another embodiment of the thermoelectric device of the present invention, in which a radiator 15 provided with a water-cooled or air-cooled cooling path 14 is installed.
このように第３図および第４図に示す実施例の構成とす
ることにより、発熱部における放熱をより効率よく行う
ことが可能となり、冷却効果をより高めることが可能と
なる。By adopting the configuration of the embodiment shown in FIGS. 3 and 4 in this way, it becomes possible to more efficiently dissipate heat in the heat generating portion, and it becomes possible to further enhance the cooling effect.
（実施例５）
第５図（ａ）、 （ｂ）、 （ｃ）、 （ｄ）（よ 本
発明の熱電装置の製造方法の一実施例を示す工程図であ
る。(Example 5) Figures 5 (a), (b), (c), (d) are process diagrams showing an example of the method for manufacturing a thermoelectric device of the present invention.
まず第５図（ａ）に示すように 電気絶縁性基板４の表
面にマスク蒸着もしくはエツチング等によりＦｅ薄膜５
を帯状に所定の間隔を確保しながら形成する。First, as shown in FIG. 5(a), an Fe thin film 5 is formed on the surface of the electrically insulating substrate 4 by mask vapor deposition or etching.
is formed into a band shape while ensuring a predetermined interval.
続いて第５図（ｂ）に示すようム 磁石１６による強磁
場中でＦｅ薄膜５を電気絶縁性基板４の表面と平行に磁
化する。Subsequently, as shown in FIG. 5(b), the Fe thin film 5 is magnetized in a strong magnetic field by a magnet 16 in parallel to the surface of the electrically insulating substrate 4.
次に第５図（Ｃ）に示すよう番へ 電気絶縁性基板４の
表面にマスク蒸着もしくはエツチング等によりＢ１５ｅ
Ｓｂ−＋２薄膜６を、磁化されたＦｅ薄膜５の間に絶縁
して帯状に所定の間隔を確保しながら形成する。Next, as shown in FIG. 5(C), B15e is etched onto the surface of the electrically insulating substrate 4 by mask vapor deposition or etching.
The Sb-+2 thin film 6 is insulated between the magnetized Fe thin films 5 and formed in a band shape while ensuring a predetermined interval.
この場合、Ｆｅ薄膜５とＢｉａａＳｂ＋２薄膜６の膜厚
はほぼ同程度にする。In this case, the thicknesses of the Fe thin film 5 and the BiaaSb+2 thin film 6 are approximately the same.
最後に第５図（ｄ）に示ずように Ａ１薄膜７．８、９
を、Ｆｅ薄膜５と接触ぜ哄ＢｉａａＳｂ＋２薄膜６を電
気的に直列接続するようＥ、 マスク蒸着もしくはエ
ツチング等により形成する。Finally, as shown in Figure 5(d), A1 thin film 7.8, 9
are formed by mask evaporation or etching so as to electrically connect the Fe thin film 5 and the contact film BiaaSb+2 thin film 6 in series.
このように本実施例の製造方法で（よ エッチングスハ
ウゼン素子薄膜を電気絶縁性基板の表面に直接的に形成
する製造方法としている。As described above, the manufacturing method of this embodiment is a manufacturing method in which an etching Shausen element thin film is directly formed on the surface of an electrically insulating substrate.
したがって従来の製造方法と比較して基板選択の自由度
が広く、 しかも準備が簡便でまた熱電装置完成までの
工程も少なく、使用する金属の量も非常にわずかで済ま
すことが可能となる。Therefore, compared to conventional manufacturing methods, there is a wider degree of freedom in selecting substrates, preparation is simple, there are fewer steps to complete the thermoelectric device, and the amount of metal used can be extremely small.
また 半導体薄膜の結晶成長面を制御することが出来る
。It is also possible to control the crystal growth plane of semiconductor thin films.
この結果 熱電装置の生産性が大きく向上しコストの低
減を図ることが可能となる。As a result, the productivity of the thermoelectric device is greatly improved and costs can be reduced.
な抵 エッチングスハウゼン素子薄膜として（より１ｓ
ａＳｂ＋２やＢ１２（Ｓｅ、 Ｔｅ）３に限定されるこ
とはなく、他の金属または半導に、 例えばＨｇＴξ
ＨｇＳ、 ヒ化カドミウム轍 エッチングスハウゼ
ン効果を示す材料が使用可能であることは言うまでもな
い。As an etchingshausen element thin film (more than 1s
It is not limited to aSb+2 or B12(Se, Te)3, but can be applied to other metals or semiconductors, such as HgTξ
HgS, cadmium arsenide ruts It goes without saying that materials exhibiting the etchingshausen effect can be used.
また磁性薄膜としてはＦｅに限定されることな（Ｃｒ、
Ｍｎ、 Ｃｏ、 Ｎｉ等の３ｄ遷移金属やＮｊ、−Ｆ
ｅ、 Ｃｕ−Ｎｊ、 Ｐｄ−Ｎｉ等の合金等の磁化され
て磁石となり得る材料が使用可能であることも言うまで
もない。Furthermore, the magnetic thin film is not limited to Fe (Cr,
3d transition metals such as Mn, Co, Ni, Nj, -F
It goes without saying that materials that can be magnetized and become magnets, such as alloys such as E, Cu-Nj, and Pd-Ni, can also be used.
発明の効果
以上のように本発明の熱電装置によれば 平面状に冷却
を行うことができる。そして、電気絶縁性基板にエッチ
ングスハウゼン素子薄膜を直接的に付着させるので、熱
的な接触が良好であり、更に真空製膜プロセスを用いて
結晶成長方向を制御することにより、簡便に磁場に対し
て最も熱電効果が高くなる結晶面を優先的に配向させる
ことが出来る事などから、小型で高効率の熱電装置が実
現できる。Effects of the Invention As described above, according to the thermoelectric device of the present invention, cooling can be performed in a plane. Since the etched Shausen element thin film is directly attached to the electrically insulating substrate, thermal contact is good, and by controlling the crystal growth direction using a vacuum film forming process, it can be easily applied to magnetic fields. On the other hand, since it is possible to preferentially orient the crystal plane that has the highest thermoelectric effect, a small and highly efficient thermoelectric device can be realized.
また 本発明の熱電装置の製造方法で（友 真空製膜プ
ロセスを用いた製造方法を用いているので、生産性が高
くなり、用いる材料も非常に少なくて済むものである。Furthermore, since the method for manufacturing a thermoelectric device of the present invention uses a manufacturing method using a vacuum film forming process, productivity is high and the amount of materials used is very small.
第１図〜第４図（友 それぞれ本発明の熱電装置の実施
例を示す斜視図 第５図は本発明の熱電装置の製造方法
の実施例における工程１乳 第６図は従来のエッチング
スハウゼン素子の斜視図である。
４・・・電気絶縁性基板、 ５・・・Ｆｅ薄嵐 ６・・
・Ｂｉ８８Ｓｂ１２薄膜（エッヂングスハウゼン素子薄
膜）、 ７．８、９・・・ＡＩ薄膜（薄膜電極）、 １
０・・・熱電素子能 １２・・・熱電装置 １３・・・
放熱フィン、 １５・・・放熱２票Figures 1 to 4 are perspective views showing embodiments of the thermoelectric device of the present invention. Figure 5 is a step 1 in an embodiment of the thermoelectric device manufacturing method of the present invention. Figure 6 is a conventional etchingshausen method. It is a perspective view of an element. 4... Electric insulating substrate, 5... Fe thin storm 6...
・Bi88Sb12 thin film (Edgingshausen element thin film), 7.8, 9...AI thin film (thin film electrode), 1
0... Thermoelectric element performance 12... Thermoelectric device 13...
Heat dissipation fin, 15...2 votes for heat dissipation
Claims (1)
ッチングスハウゼン素子薄膜および磁化された磁性薄膜
と、前記エッチングスハウゼン素子薄膜中を前記磁性薄
膜により発生した磁場方向に垂直な方向でそれぞれ同じ
向きに電流が流れるように配置接続した薄膜電極とから
なる熱電装置。（２）エッチングスハウゼン素子薄膜の
製膜条件を制御して、基板面に対してある特定の結晶面
を優先的に配向させた請求項１記載の熱電装置。（３）
請求項１記載の熱電装置を、熱的接触を確保して複数個
積層した熱電装置。 （４）請求項１記載の熱電装置を熱的接触を確保しかつ
エッチングスハウゼン素子薄膜の材料を変えながら積層
した熱電装置。 （５）電気絶縁性基板のエッチングスハウゼン素子薄膜
が付着していない面に放熱手段を設置した請求項３記載
の熱電装置。 （６）電気絶縁性基板に磁性薄膜を所定間隔で絶縁して
縞状に形成する工程と、磁場中で前記磁性薄膜を磁化さ
せる工程と、エッチングスハウゼン薄膜を前記磁性薄膜
の間に所定間隔で絶縁して縞状に形成する工程と、薄膜
電極を前記エッチングスハウゼン薄膜が電気的に直列と
なるように形成する工程とからなる熱電装置の製造方法
。[Scope of Claims] (1) An etchingshausen element thin film and a magnetized magnetic thin film alternately formed in strips on the surface of an electrically insulating substrate, and a magnetic field generated by the magnetic thin film in the etchingshausen element thin film. A thermoelectric device consisting of thin film electrodes arranged and connected so that current flows in the same direction perpendicular to the direction. (2) The thermoelectric device according to claim 1, wherein the film forming conditions of the etchingshausen element thin film are controlled to preferentially orient a certain crystal plane with respect to the substrate surface. (3)
A thermoelectric device comprising a plurality of thermoelectric devices according to claim 1 stacked together while ensuring thermal contact. (4) A thermoelectric device in which the thermoelectric device according to claim 1 is laminated while ensuring thermal contact and changing the material of the etchingshausen element thin film. (5) The thermoelectric device according to claim 3, wherein a heat dissipation means is installed on the surface of the electrically insulating substrate to which the etched Shausen element thin film is not attached. (6) forming a striped magnetic thin film on an electrically insulating substrate at predetermined intervals; magnetizing the magnetic thin film in a magnetic field; and etching a Shausen thin film at predetermined intervals between the magnetic thin films. A method for manufacturing a thermoelectric device, comprising the steps of: forming a striped film insulating the Etchingshausen thin film; and forming a thin film electrode such that the Etchingshausen thin film is electrically connected in series.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2337984A JPH04206884A (en) | 1990-11-30 | 1990-11-30 | Thermoelectric device and manufacture thereof |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2337984A JPH04206884A (en) | 1990-11-30 | 1990-11-30 | Thermoelectric device and manufacture thereof |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04206884A true JPH04206884A (en) | 1992-07-28 |
Family
ID=18313852
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2337984A Pending JPH04206884A (en) | 1990-11-30 | 1990-11-30 | Thermoelectric device and manufacture thereof |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04206884A (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06265166A (en) * | 1993-03-10 | 1994-09-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Dehumidifier system |
| EP1899659A1 (en) * | 2005-06-24 | 2008-03-19 | Carrier Corporation | A combination thermo-electric and magnetic refrigeration system |
| JP2016103535A (en) * | 2014-11-27 | 2016-06-02 | トヨタ自動車株式会社 | Thermoelectric body |
-
1990
- 1990-11-30 JP JP2337984A patent/JPH04206884A/en active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06265166A (en) * | 1993-03-10 | 1994-09-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Dehumidifier system |
| EP1899659A1 (en) * | 2005-06-24 | 2008-03-19 | Carrier Corporation | A combination thermo-electric and magnetic refrigeration system |
| EP1899659A4 (en) * | 2005-06-24 | 2009-03-04 | Carrier Corp | A combination thermo-electric and magnetic refrigeration system |
| JP2016103535A (en) * | 2014-11-27 | 2016-06-02 | トヨタ自動車株式会社 | Thermoelectric body |
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