JPS63257251A - Semiconductor device - Google Patents
Semiconductor deviceInfo
- Publication number
- JPS63257251A JPS63257251A JP9079787A JP9079787A JPS63257251A JP S63257251 A JPS63257251 A JP S63257251A JP 9079787 A JP9079787 A JP 9079787A JP 9079787 A JP9079787 A JP 9079787A JP S63257251 A JPS63257251 A JP S63257251A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- package
- semiconductor device
- cap
- semiconductor
- eprom
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 46
- 239000008188 pellet Substances 0.000 claims abstract description 20
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 claims abstract description 10
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 claims abstract description 10
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 9
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 9
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 7
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 5
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 5
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 4
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000009499 grossing Methods 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 239000005022 packaging material Substances 0.000 description 1
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 1
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Non-Volatile Memory (AREA)
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、EPROMなど、電気的に情報の書き込みが
可能で、かつ紫外線の照射゛によって情報の消去が可能
なメモリを有する半導体装置のパッケージ構造に適用し
て有効な技術に関するものである。Detailed Description of the Invention [Field of Industrial Application] The present invention relates to a package of a semiconductor device, such as an EPROM, having a memory in which information can be written electrically and information can be erased by irradiation with ultraviolet light. It relates to techniques that are effective when applied to structures.
プラスチックEPROMのパッケージ構造については、
特願昭59−67702号明細書に記載されている。Regarding the package structure of plastic EPROM,
It is described in Japanese Patent Application No. 59-67702.
EPROMなど、電気的に情報の書き込みが可能で、か
つ紫外線の照射によって情報の消去が可能なメモリを有
する半導体装置のパッケージ構造は、従来よりガラス封
止型のものが一般的であった。2. Description of the Related Art Conventionally, the package structure of a semiconductor device such as an EPROM having a memory in which information can be written electrically and information can be erased by irradiation with ultraviolet light has generally been of a glass-sealed type.
このガラス封止型のパッケージ構造は、セラミックから
なるパッケージ基′板あベレット取付部に半導体ペレッ
トを取付けた後、同基板の周囲にリードフレームを低融
点ガラスで溶着固定し、次いで上記半導体ペレットのボ
ンデングバッドとリードフレームの端部とをワイヤボン
ディングして電気的な接続を行い、さらに上記パッケー
ジ基板の周囲にセラミックからなるキャップを低融点ガ
ラスで溶着して半導体ペレットを密封する構造になって
いる。In this glass-sealed package structure, after a semiconductor pellet is attached to the aperture attachment part of a package substrate made of ceramic, a lead frame is welded and fixed around the substrate using low-melting glass. An electrical connection is made by wire bonding the bonding pad and the end of the lead frame, and a cap made of ceramic is welded with low-melting glass around the package substrate to seal the semiconductor pellet. There is.
そして、EPROMの場合には、上記キャップの一部に
石英ガラスのような紫外線透過ガラスからなる窓が形成
され、このガラス窓を通してメモリに紫外線を照射する
ことにより、情報の消去が行えるようになっている。In the case of EPROM, a window made of ultraviolet-transparent glass such as quartz glass is formed in a part of the cap, and information can be erased by irradiating the memory with ultraviolet rays through this glass window. ing.
ところが、上記ガラス封止型パッケージ構造の半導体装
置は、セラミックや石英ガラスを多用していることから
材料コストが高価になり、かつ組立て工程も複雑になる
という欠点が指摘されている。そこで、製造コストの低
減を目的として無機ガラスと透明樹脂とを組み合わせた
パッケージ構造を有するEPROM、いわゆるガラス窓
付プラスチックE P ROMが提案されている。However, it has been pointed out that the semiconductor device having the glass-sealed package structure has drawbacks such as high material cost and complicated assembly process due to extensive use of ceramics and quartz glass. Therefore, for the purpose of reducing manufacturing costs, an EPROM having a package structure combining inorganic glass and transparent resin, a so-called plastic EPROM with a glass window, has been proposed.
上記EPROMの特徴は、半導体ペレットのボンデング
パッドとリードフレームの端部とをワイヤボンディング
して電気的に接続した後、半導体ペレットをシリコーン
樹脂などの透明樹脂で被覆し、さらにその周囲、とりわ
け半導体ペレットの上面側に硼珪酸ガラスのキャップを
被せた後、キャップの上面を除く全体をモールドして樹
脂封止型パッケージ構造とする点にある。このパッケー
ジの上面は、上記硼珪酸ガラスのキャップが露出してい
るため、パッケージの外部から照射された紫外線は、こ
のキャップおよび前記透明樹脂を透過して半導体ペレッ
トに到達するようになっている。The characteristics of the above EPROM are that after the bonding pad of the semiconductor pellet and the end of the lead frame are electrically connected by wire bonding, the semiconductor pellet is coated with a transparent resin such as silicone resin, and the surrounding area, especially the semiconductor After the upper surface of the pellet is covered with a borosilicate glass cap, the entire cap except the upper surface is molded to form a resin-sealed package structure. Since the borosilicate glass cap is exposed on the top surface of this package, ultraviolet rays irradiated from outside the package pass through this cap and the transparent resin to reach the semiconductor pellet.
上記ガラス窓付プラスチックEPROMは、従来のガラ
ス封止型パッケージ構造のものに比較すると、セラミッ
クなどの高価な材料を使用していない分、材料コストが
低減されている。The plastic EPROM with a glass window has a lower material cost than a conventional glass-sealed package structure because it does not use expensive materials such as ceramics.
しかし、本発明者は、このガラス窓付プラスチックEP
ROMがいまだ高価な石英ガラスを使用しており、しか
も組立て工程も複雑であることから、製造コストを低減
するという目的が十分達成されていないという問題のあ
ることを見出した。However, the present inventor has discovered that this plastic EP with glass window
It has been found that there is a problem in that the objective of reducing manufacturing costs has not been sufficiently achieved because ROMs still use expensive quartz glass and the assembly process is complicated.
本発明の目的は、安価な材料でパッケージを構成するこ
とにより、製造コストのより低減された半導体装置を提
供することにある。An object of the present invention is to provide a semiconductor device whose manufacturing cost is further reduced by constructing a package using inexpensive materials.
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本
明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう
。The above and other objects and novel features of the present invention will become apparent from the description of this specification and the accompanying drawings.
本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば、次の通りである。A brief overview of typical inventions disclosed in this application is as follows.
すなわち、パッケージ内に封止された半導体ペレットに
光を照射して情報の消去を行う半導体装置のパッケージ
を透明な合成樹脂で構成し、かつ、その表面に、その一
部を除いて着色被膜を被着形成した半導体装置とするも
のである。In other words, the package of a semiconductor device that erases information by irradiating light onto a semiconductor pellet sealed inside the package is made of transparent synthetic resin, and the surface of the package is coated with a colored coating except for a part of it. This is a semiconductor device formed by deposition.
上記した手段によれば、パッケージ材料を安価な合成樹
脂で構成することができるため、半導体装置の製造コス
トが低減される。According to the above-mentioned means, the package material can be made of inexpensive synthetic resin, so that the manufacturing cost of the semiconductor device is reduced.
第1図は本発明の一実施例である半導体装置を示す断面
図、第2図はこの半導体装置の分解断面図である。FIG. 1 is a sectional view showing a semiconductor device according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is an exploded sectional view of this semiconductor device.
EPROMに具体化された本実施例の半導体装置は、樹
脂封止型パッケージ構造を有するものであって、合成樹
脂からなるパッケージ1と、その内部に封止された半導
体ペレット2と、この半導体ペレット2を支持するタブ
3と、外部リード4により構成されている。また、パッ
ケージ1の上面には、このパッケージ1と同じ合成樹脂
からなるキャップ7が着脱自在に埋設され、パッケージ
1の一部を構成するようになっている。The semiconductor device of this embodiment, which is embodied as an EPROM, has a resin-sealed package structure, and includes a package 1 made of synthetic resin, a semiconductor pellet 2 sealed inside the package, and this semiconductor pellet. 2 and an external lead 4. Further, a cap 7 made of the same synthetic resin as the package 1 is removably embedded in the upper surface of the package 1, and forms a part of the package 1.
上記タブ3および外部リード4は、42アロイなど周知
の金属材料からなり、シリコン単結晶などからなる半導
体ペレット2の表面にはEPROMを構成する多数のメ
モリセル(図示しない)が形成されている。また、この
半導体ペレット2と外部リード4の端部とはワイヤ5を
介して電気的に接続されており、外部リード4は所定個
所でパッケージ1の下方に折り曲げ形成されている。The tab 3 and the external lead 4 are made of a well-known metal material such as 42 alloy, and a large number of memory cells (not shown) constituting an EPROM are formed on the surface of the semiconductor pellet 2 made of silicon single crystal or the like. The semiconductor pellet 2 and the ends of the external leads 4 are electrically connected via wires 5, and the external leads 4 are bent below the package 1 at predetermined locations.
上記パッケージ1はポリメチルメタクリレート(、P
M M A )などからなる透明樹脂を所定の形状にモ
ールドしたものであり、その表面全体には、黒色塗料な
どからなる着色被膜6が被着形成され、パッケージ1の
内部に光、特に紫外線などの短波長の光が透過しないよ
うになっている。Package 1 above is polymethyl methacrylate (, P
The package 1 is made by molding a transparent resin such as MMA) into a predetermined shape, and a colored coating 6 made of black paint is formed on the entire surface of the package 1 to prevent light, especially ultraviolet rays, from entering the inside of the package 1. This prevents light with short wavelengths from passing through.
このパッケージ1の上面に埋設されたキャップ7の頂部
は、通常の状態では第1図に示すように、パッケージ1
の上部と面一となるように構成されている。また、キャ
ップ7の下端部と半導体ベレット2との間には、パッケ
ージ1の一部をなす僅かな肉厚の透明樹脂が介在し、キ
ャップ7の下端部が半導体ベレット2に接触しないよう
になっている。さらに、キャップ7の側面には雄ネジが
形成される一方、これに対応する透明樹脂製の雌ネジ部
材8がパッケージ1の上面の凹溝に埋設され、接着剤な
どを介してパッケージ1に固定されているため、キャッ
プ7を回転すれば、これをパッケージ1から取り外すこ
とができる構造になっている。従って、このEPROM
のメモリに書き込まれた情報を消去するときは、キャッ
プ7を取り外せばよい。In a normal state, the top of the cap 7 buried in the top surface of the package 1 is as shown in FIG.
It is configured so that it is flush with the top of the. Furthermore, a slightly thick transparent resin that forms part of the package 1 is interposed between the lower end of the cap 7 and the semiconductor pellet 2, so that the lower end of the cap 7 does not come into contact with the semiconductor pellet 2. ing. Further, a male screw is formed on the side surface of the cap 7, and a corresponding female screw member 8 made of transparent resin is embedded in a groove on the top surface of the package 1 and fixed to the package 1 via adhesive or the like. Therefore, the structure is such that it can be removed from the package 1 by rotating the cap 7. Therefore, this EPROM
When erasing the information written in the memory, the cap 7 can be removed.
第2図に示すように、キャップ7を取り外した状態では
、半導体ベレット2の上方には、パフケージ1の一部を
なす僅かな肉厚の透明樹脂が介在するだけなので、パッ
ケージ1の上方から照射された紫外線は有効に半導体ベ
レット2の表面に到達する。As shown in FIG. 2, when the cap 7 is removed, there is only a slightly thick transparent resin that forms part of the puff cage 1 above the semiconductor pellet 2, so the package 1 is irradiated from above. The emitted ultraviolet rays effectively reach the surface of the semiconductor pellet 2.
このように、本実施例1によれば、以下の効果を得るこ
とができる。As described above, according to the first embodiment, the following effects can be obtained.
(1)、透明な合成樹脂からなるパッケージ1の表面に
着色被膜6を被着形成するとともに、同パッケージ1の
一部に、キャップ7を着脱自在に埋設し、このキャップ
7を取り外せばメモリの消去を行うことのできるEPR
OMとすることにより、パッケージ材料が安価になり、
従って、EPROMの製造コストを低減することができ
る。(1) A colored coating 6 is formed on the surface of a package 1 made of transparent synthetic resin, and a cap 7 is removably embedded in a part of the package 1, and when the cap 7 is removed, the memory can be opened. EPR that can be erased
By using OM, the packaging material becomes cheaper,
Therefore, the manufacturing cost of EPROM can be reduced.
(2)、セラミックや無機ガラスに比べて成形が容易な
合成樹脂でパッケージ1を構成したことにより、EPR
OMの大量生産が容易になる。(2) By constructing the package 1 from synthetic resin, which is easier to mold than ceramic or inorganic glass, the EPR
Mass production of OM becomes easier.
以上、本発明者によってなされた発明を実施例に、基づ
き具体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定され
るものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更
可能であることはいうまでもない。Above, the invention made by the present inventor has been specifically explained based on Examples, but the present invention is not limited to the Examples, and it is understood that various changes can be made without departing from the gist of the invention. Needless to say.
例えば、キャップの側面を平滑にして単にパッケージに
嵌め込む手段を採用してもよい。For example, the cap may be simply fitted into the package by smoothing the sides of the cap.
また、キャップを設ける手段に代えて、第3図に示すよ
うに、パッケージ1の上面の一部に着色被膜6の無い個
所を設け、そこから直接半導体ベレ7)に紫外線を照射
してもよい。この場合には、バクケージ1の材料として
、紫外線透過率の良好な透明樹脂を選択することが望ま
しい。Furthermore, instead of providing a cap, as shown in FIG. 3, a part of the upper surface of the package 1 may be provided with no colored coating 6, and the semiconductor bezel 7) may be directly irradiated with ultraviolet rays from there. . In this case, it is desirable to select a transparent resin with good ultraviolet transmittance as the material for the back cage 1.
また、第3図に示すように、パッケージ1の上面の一部
に凹部を設けるなどの手段によって、耐湿性が損なわれ
ない範囲で肉厚を薄くして、透明樹脂による紫外線の吸
収、散乱を最小限に止めることが望ましい。In addition, as shown in Figure 3, the thickness of the package 1 can be reduced to the extent that moisture resistance is not impaired by means such as providing a recess in a part of the top surface of the package 1, thereby reducing the absorption and scattering of ultraviolet rays by the transparent resin. It is desirable to keep it to a minimum.
以上の説明では主として本発明者によってなされた発明
をその背景となった利用分野である、EPROMに適用
した場合について説明したが、本発明はそれに限定され
るものではなく、例えば、EEROMやイメージセンサ
など、他の半導体装置のパッケージ構造に具体化するこ
ともできる。In the above explanation, the invention made by the present inventor was mainly applied to EPROM, which is the background field of application, but the present invention is not limited thereto. It is also possible to embody the package structure of other semiconductor devices.
本願において開示される発明のうち代表的なものによっ
て得られる効果を簡単に説明すれば、下記の通りである
。A brief explanation of the effects obtained by typical inventions disclosed in this application is as follows.
すなわち、パッケージ内に封止された半導体ベレットに
光を照射して情報の消去を行う半導体装置のパッケージ
を透明な合成樹脂で構成し、かつ、その表面に、その一
部を除いて着色被膜を被着形成した半導体装置とすれば
、パッケージの材料コストが低減され、ひいては、半導
体装置の製造コストを低減することができる。In other words, the package of a semiconductor device that erases information by irradiating light onto a semiconductor pellet sealed inside the package is made of transparent synthetic resin, and the surface of the package is coated with a colored coating except for a part of it. If the semiconductor device is formed by adhesion, the material cost of the package can be reduced, and in turn, the manufacturing cost of the semiconductor device can be reduced.
第1図は本発明の一実施例である半導体装置を示す断面
図、
第2図はこの半導体装置の分解断面図、第3図は本発明
の半導体装置の他の実施例を示す断面図である。
、1・・・パッケージ、2・・・半導体ベレット、3・
・・タブ、4・・・外部リード、5・・・ワイヤ、6・
・・着色被膜、7・・・キャップ、8・・・雌ネジ部材
。
第 1 図
7−穴で・・/フ゛FIG. 1 is a sectional view showing a semiconductor device as an embodiment of the present invention, FIG. 2 is an exploded sectional view of this semiconductor device, and FIG. 3 is a sectional view showing another embodiment of the semiconductor device of the invention. be. , 1... Package, 2... Semiconductor pellet, 3.
...Tab, 4...External lead, 5...Wire, 6...
... Colored film, 7 ... Cap, 8 ... Female screw member. 1st Figure 7 - In the hole.../F
Claims (1)
射して情報の消去を行う半導体装置であって、前記パッ
ケージを透明な合成樹脂で構成し、かつ、その表面に、
その一部を除いて着色被膜を被着形成したことを特徴と
する半導体装置。 2、前記パッケージの一部に、キャップを着脱自在に埋
設したことを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の半
導体装置。 3、前記半導体装置がEPROMであることを特徴とす
る特許請求の範囲第1項記載の半導体装置。[Scope of Claims] 1. A semiconductor device that erases information by irradiating a semiconductor pellet sealed in a package with light, the package being made of a transparent synthetic resin, and the surface of the semiconductor pellet being ,
1. A semiconductor device characterized in that a colored film is formed over a portion of the semiconductor device. 2. The semiconductor device according to claim 1, wherein a cap is removably embedded in a part of the package. 3. The semiconductor device according to claim 1, wherein the semiconductor device is an EPROM.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9079787A JPS63257251A (en) | 1987-04-15 | 1987-04-15 | Semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9079787A JPS63257251A (en) | 1987-04-15 | 1987-04-15 | Semiconductor device |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63257251A true JPS63257251A (en) | 1988-10-25 |
Family
ID=14008576
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP9079787A Pending JPS63257251A (en) | 1987-04-15 | 1987-04-15 | Semiconductor device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63257251A (en) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05259320A (en) * | 1992-02-25 | 1993-10-08 | Nec Corp | Ultraviolet erasable prom device |
JPH0613148U (en) * | 1991-07-10 | 1994-02-18 | 修 小川 | Plastic package IC that can erase data by ultraviolet rays |
-
1987
- 1987-04-15 JP JP9079787A patent/JPS63257251A/en active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0613148U (en) * | 1991-07-10 | 1994-02-18 | 修 小川 | Plastic package IC that can erase data by ultraviolet rays |
JPH05259320A (en) * | 1992-02-25 | 1993-10-08 | Nec Corp | Ultraviolet erasable prom device |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR970005706B1 (en) | Ccd and the manufacturing method | |
JPH07120732B2 (en) | EPROM type semiconductor device erasable by ultraviolet rays and manufacturing method thereof | |
JPS63257251A (en) | Semiconductor device | |
US4460915A (en) | Plastic package for radiation sensitive semiconductor devices | |
JP3054929B2 (en) | Method for manufacturing semiconductor device | |
JPS60193345A (en) | Manufacture of semiconductor device | |
JPS62136053A (en) | Semiconductor device | |
JPS62205649A (en) | Semiconductor device | |
JPH049381B2 (en) | ||
JPS60136341A (en) | Semiconductor device | |
JPS6062279A (en) | Solid-state image pickup device | |
JPS6144456Y2 (en) | ||
JPS6221250A (en) | Resin-sealed semiconductor device and manufacture thereof | |
JPS61189656A (en) | Resin-sealed semiconductor device | |
JPS60211962A (en) | Semiconductor device | |
JPS5742152A (en) | Resin sealed type semiconductor and manufacture thereof | |
JPH01269598A (en) | Ic card | |
JPH01215068A (en) | Photosensor built-in semiconductor device | |
JPS6266648A (en) | Erasable programmable read-only memory | |
JPS62136051A (en) | Semiconductor device | |
JPH05109914A (en) | Ultraviolet light erasing semiconductor device | |
JPH0349403Y2 (en) | ||
JPH04146653A (en) | Semiconductor device package and bonding member | |
JPH0864726A (en) | Resin-sealed semiconductor device | |
JPH0429359A (en) | Semiconductor device |