JPS63255382A - エツチング装置におけるエツチング終点検出レシピの作成方法 - Google Patents
エツチング装置におけるエツチング終点検出レシピの作成方法Info
- Publication number
- JPS63255382A JPS63255382A JP8972887A JP8972887A JPS63255382A JP S63255382 A JPS63255382 A JP S63255382A JP 8972887 A JP8972887 A JP 8972887A JP 8972887 A JP8972887 A JP 8972887A JP S63255382 A JPS63255382 A JP S63255382A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- etching
- recipe
- end point
- physical quantity
- simulation
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000005530 etching Methods 0.000 title claims abstract description 52
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims abstract description 15
- 238000004088 simulation Methods 0.000 claims abstract description 12
- 230000004048 modification Effects 0.000 claims abstract description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 claims abstract description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 15
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 9
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 6
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 abstract description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 abstract description 2
- 230000005611 electricity Effects 0.000 abstract 1
- 230000000977 initiatory effect Effects 0.000 abstract 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000004993 emission spectroscopy Methods 0.000 description 2
- 238000004556 laser interferometry Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 206010041662 Splinter Diseases 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
Landscapes
- ing And Chemical Polishing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明はドライエツチング装置におけるエツチング終点
検出に際して、エツチングの進行とともに変化する物理
量を電気信号に変換した後のデータの処理に関する。
検出に際して、エツチングの進行とともに変化する物理
量を電気信号に変換した後のデータの処理に関する。
(従来技術)
半導体集積回路素子製造工程の1つであるドライエツチ
ング(プラズマエツチング)において、エツチング終点
を検出する方法として従来から発光分光法やレーザ干渉
法が用いられている。
ング(プラズマエツチング)において、エツチング終点
を検出する方法として従来から発光分光法やレーザ干渉
法が用いられている。
第2図は発光分光法を説明する図で、エツチングチャン
バ1内に配置した半導体ウェハ2の表面上の各種膜は、
プラズマ3の作用によってエツチングされるが、このと
き、エツチングの進行とともに変化する特定波長の光4
の強度を光学フィルタ5を介して光電子増倍管6で受け
、この光電子増倍管6で電流に変換する。そしてこの電
流(電圧)をマイクロプロセッサ7で処理して、その出
力データを記録針またはCRT8に表示してエツチング
の終点を検出するものである。
バ1内に配置した半導体ウェハ2の表面上の各種膜は、
プラズマ3の作用によってエツチングされるが、このと
き、エツチングの進行とともに変化する特定波長の光4
の強度を光学フィルタ5を介して光電子増倍管6で受け
、この光電子増倍管6で電流に変換する。そしてこの電
流(電圧)をマイクロプロセッサ7で処理して、その出
力データを記録針またはCRT8に表示してエツチング
の終点を検出するものである。
第3図はレーザ干渉法を示す説明図で、エツチングの行
なわれている間、チャンバ1内の半導体ウェハ2の表面
にレーザ光源9からのレーザ光10を照射し、ウェハ2
の表面からの反射光をビームスプリンタ11を経由して
光電変換器12に入射させて電圧に変換する。この電圧
の変化をマイクロプロセッサ7で処理し、その出力デー
タを記録計またはCRT8に表示してエツチングの終点
を尋負出するものである。
なわれている間、チャンバ1内の半導体ウェハ2の表面
にレーザ光源9からのレーザ光10を照射し、ウェハ2
の表面からの反射光をビームスプリンタ11を経由して
光電変換器12に入射させて電圧に変換する。この電圧
の変化をマイクロプロセッサ7で処理し、その出力デー
タを記録計またはCRT8に表示してエツチングの終点
を尋負出するものである。
エツチングの終点検出方法は、上記以外にも何種類かあ
るが、何れの場合も、最終的に電気信号をマイクロプロ
セッサ等で処理することにより行なうのが一般的である
。このマイクロプロセッサで電気信号の変化を処理する
場合、その時間的な変化の態様は、検出方法、エツチン
グされる膜の構造および特性、あるいはエツチング条件
等により、まったく異なるものであるが、それらがすべ
て同じ条件であるならば、エツチングを反復してもほぼ
同じパターンとなる。このため、このパターンに合せて
、マイクロプロセッサによる処理方法を設定しておけば
、すなわち終点検出レシピを作成しておけば、自動的に
エツチングの終点を検出することができる。その−例を
第4図を参照して説明する。
るが、何れの場合も、最終的に電気信号をマイクロプロ
セッサ等で処理することにより行なうのが一般的である
。このマイクロプロセッサで電気信号の変化を処理する
場合、その時間的な変化の態様は、検出方法、エツチン
グされる膜の構造および特性、あるいはエツチング条件
等により、まったく異なるものであるが、それらがすべ
て同じ条件であるならば、エツチングを反復してもほぼ
同じパターンとなる。このため、このパターンに合せて
、マイクロプロセッサによる処理方法を設定しておけば
、すなわち終点検出レシピを作成しておけば、自動的に
エツチングの終点を検出することができる。その−例を
第4図を参照して説明する。
第4図は縦軸に物理量(電圧)を、横軸に時間をとって
、エツチングの進行とともに変化する物理量の1つのパ
ターンを示したものである。このパターンからエツチン
グの終点を検出するためのレシピについて以下に述べる
。T1はエツチングが開始された時点を示し、T2は物
理量が増加して最大値が検出された時点である。最大値
が検出されたならば、レベルが最大値から所定1ii1
下がる時点T3まで待ち、その時点T3以降は物理量の
変化の傾きを観察し、この傾きが所定値dlになった時
点T4で、これから所定量12下がる時点T5まで待つ
0時点T5以降は、前述と同様に物理量の変化の傾きを
観察し、この傾きが所定値d2になった時点T6をエツ
チングの終点と判断する。
、エツチングの進行とともに変化する物理量の1つのパ
ターンを示したものである。このパターンからエツチン
グの終点を検出するためのレシピについて以下に述べる
。T1はエツチングが開始された時点を示し、T2は物
理量が増加して最大値が検出された時点である。最大値
が検出されたならば、レベルが最大値から所定1ii1
下がる時点T3まで待ち、その時点T3以降は物理量の
変化の傾きを観察し、この傾きが所定値dlになった時
点T4で、これから所定量12下がる時点T5まで待つ
0時点T5以降は、前述と同様に物理量の変化の傾きを
観察し、この傾きが所定値d2になった時点T6をエツ
チングの終点と判断する。
ところで、従来はエツチング終点レシピを作成する場合
、実際にエツチングを行ない、物理量の変化に合せてレ
シピを作成した後、そのレシピが最適なものとなるまで
、実際のエツチングとレシピの修正を何度も繰返してい
た。このため、レシピ作成のため多量のウェハと、エツ
チング装置稼動の手間とを要していた。したがって、半
導体ウェハの直径が6インチから8インチへと大型化す
るとともに、LSIの高集積化が進んでウェハ1枚当り
の製造原価が相当な額になっている現在、より効率的な
レシピを作成する方法が望まれていた。
、実際にエツチングを行ない、物理量の変化に合せてレ
シピを作成した後、そのレシピが最適なものとなるまで
、実際のエツチングとレシピの修正を何度も繰返してい
た。このため、レシピ作成のため多量のウェハと、エツ
チング装置稼動の手間とを要していた。したがって、半
導体ウェハの直径が6インチから8インチへと大型化す
るとともに、LSIの高集積化が進んでウェハ1枚当り
の製造原価が相当な額になっている現在、より効率的な
レシピを作成する方法が望まれていた。
(発明の目的)
そこで本発明の目的は、第1にエツチングの終点検出の
ためのレシピを効率良く作成する方法の徒供であり、第
2にエツチング終点検出システムを初めて使用するユー
ザに、その使用方法を短時間で理解してもらうようにす
ることである。
ためのレシピを効率良く作成する方法の徒供であり、第
2にエツチング終点検出システムを初めて使用するユー
ザに、その使用方法を短時間で理解してもらうようにす
ることである。
(発明の構成)
本発明によるエツチング終点検出レシピの作成方法は、
まずエツチングの進行とともに変化する物理量を電気信
号に変換し、この電気信号の変化の過程を記憶装置にデ
ータとして蓄積するとともに、前記物理量の変化にもと
づいてエツチング終点検出レシピを作成し、前記記憶装
置からこれに蓄積されたデータを逐次取出してシミュレ
ーションを行ない、シミュレーションとこのシミュレー
ションの結果にもとづいて前記レシピを修正することを
繰返して最適なレシピを作成することを特徴とする。
まずエツチングの進行とともに変化する物理量を電気信
号に変換し、この電気信号の変化の過程を記憶装置にデ
ータとして蓄積するとともに、前記物理量の変化にもと
づいてエツチング終点検出レシピを作成し、前記記憶装
置からこれに蓄積されたデータを逐次取出してシミュレ
ーションを行ない、シミュレーションとこのシミュレー
ションの結果にもとづいて前記レシピを修正することを
繰返して最適なレシピを作成することを特徴とする。
(発明の効果)
本発明によれば、従来のように多くのウェハを使用する
ことなく、エツチング終点検出レシピを作成することが
できる。
ことなく、エツチング終点検出レシピを作成することが
できる。
また本発明によれば、レシピを作成するために、実際の
エツチングを何度も行なう必要がないため、レシピ作成
の時間が大幅に短縮できる。
エツチングを何度も行なう必要がないため、レシピ作成
の時間が大幅に短縮できる。
さらに、本発明によれば、エツチング終点検出システム
を初めて使用するユーザに、あらかじめ準備したエツチ
ングデータとレシピをICカードによって提供すること
ができるため、ユーザはきわめて短時間でそのエツチン
グ終点検出システムの使用方法、性能等を理解すること
ができる。
を初めて使用するユーザに、あらかじめ準備したエツチ
ングデータとレシピをICカードによって提供すること
ができるため、ユーザはきわめて短時間でそのエツチン
グ終点検出システムの使用方法、性能等を理解すること
ができる。
(実 施 例)
以下本発明の一実施例について第1図を参照して詳細に
説明する。
説明する。
(1)エツチング装置のチャンバに半導体ウェハをセン
トし、実際にエツチングを開始する。
トし、実際にエツチングを開始する。
(2)エツチングの開始と同時に、エツチングの進行と
ともに変化する物理量を変換袋!21に入力し、電気信
号に変換する。
ともに変化する物理量を変換袋!21に入力し、電気信
号に変換する。
(3)変換装置F21から出力された電気信号をマイク
ロプロセッサ22で処理し、その出力データを記憶装置
23に蓄積する。同時にこの出力データを記録計または
CRT24に表示する。
ロプロセッサ22で処理し、その出力データを記憶装置
23に蓄積する。同時にこの出力データを記録計または
CRT24に表示する。
(4)エツチングが終了したら、物理量の電気信号への
変換を終了する。
変換を終了する。
(5)記録計またはCRT24に表示された物理量の変
化のパターンにもとづいて、適切と思われるレシピを作
成する。
化のパターンにもとづいて、適切と思われるレシピを作
成する。
(6)記憶装置23から、これに蓄積されたデータを逐
次取り出し、上記(5)で作成したレシピにより、エツ
チング終点検出のシミュレーションを行なう。
次取り出し、上記(5)で作成したレシピにより、エツ
チング終点検出のシミュレーションを行なう。
(7)このシミュレーションにより、上記(5)で作成
したレシピが不適切と判断された場合は、これを修正し
、再度シミュレーションを行なう。
したレシピが不適切と判断された場合は、これを修正し
、再度シミュレーションを行なう。
(8)最適のレシピが作成できるまで、シミュレーショ
ンとレシピの修正とを繰り返す。
ンとレシピの修正とを繰り返す。
(9)最適のレシピが完成したら、この最終的レシピに
より、実際のエツチングの終点検出を行なう。
より、実際のエツチングの終点検出を行なう。
以上の説明で明らかなように、本発明によれば、最適の
エツチング終点検出レシピをきわめて効率良く作成でき
る利点がある。
エツチング終点検出レシピをきわめて効率良く作成でき
る利点がある。
第1図は本発明の説明に供する図、第2図および第3図
は従来のエツチング終点検出方法を示す説明図、第4図
はエツチング終点検出レシピの一例の説明図である。
は従来のエツチング終点検出方法を示す説明図、第4図
はエツチング終点検出レシピの一例の説明図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 エッチングの進行とともに変化する物理量を電気信号に
変換し、 この電気信号の変化の過程を記憶装置にデータとして蓄
積するとともに、前記物理量の変化にもとづいてエッチ
ング終点検出レシピを作成し、前記記憶装置からこれに
蓄積されたデータを逐次取出してシミュレーションを行
ない、シミュレーションとこのシミュレーションの結果
にもとづいて前記レシピを修正することを繰返して最適
なレシピを作成することを特徴とするエッチング装置に
おけるエッチング終点検出レシピの作成方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8972887A JPS63255382A (ja) | 1987-04-14 | 1987-04-14 | エツチング装置におけるエツチング終点検出レシピの作成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8972887A JPS63255382A (ja) | 1987-04-14 | 1987-04-14 | エツチング装置におけるエツチング終点検出レシピの作成方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63255382A true JPS63255382A (ja) | 1988-10-21 |
Family
ID=13978817
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP8972887A Pending JPS63255382A (ja) | 1987-04-14 | 1987-04-14 | エツチング装置におけるエツチング終点検出レシピの作成方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63255382A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5916952A (en) * | 1991-11-18 | 1999-06-29 | Dow Corning Corporation | Poly(phenylene ether) resin modified with silicone rubber powder |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59121501A (ja) * | 1982-12-28 | 1984-07-13 | Toshiba Corp | プロセス・シミユレ−シヨン装置 |
JPS61269316A (ja) * | 1985-05-24 | 1986-11-28 | Hitachi Ltd | 終点検出装置 |
-
1987
- 1987-04-14 JP JP8972887A patent/JPS63255382A/ja active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59121501A (ja) * | 1982-12-28 | 1984-07-13 | Toshiba Corp | プロセス・シミユレ−シヨン装置 |
JPS61269316A (ja) * | 1985-05-24 | 1986-11-28 | Hitachi Ltd | 終点検出装置 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5916952A (en) * | 1991-11-18 | 1999-06-29 | Dow Corning Corporation | Poly(phenylene ether) resin modified with silicone rubber powder |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US5332464A (en) | Semiconductor device manfuacturing apparatus | |
US4263088A (en) | Method for process control of a plasma reaction | |
KR100304288B1 (ko) | 플라즈마처리의종점검출방법및그장치 | |
JPH10154693A (ja) | トレンチ形成プロセスのリアルタイム現場監視のための方法 | |
DE10230729B4 (de) | Verfahren zum Erfassen des Endpunktes eines Ätzverfahrens in einem Halbleiterherstellungsgerät und Detektor dafür | |
US4357195A (en) | Apparatus for controlling a plasma reaction | |
JPH04196529A (ja) | プラズマ処理装置 | |
ATE127582T1 (de) | Rechnerische methoden und elektronische kameravorrichtung zur bestimmung der entfernung von objekten, zum schnellen autofokussieren und um eine verbesserte bildschärfe zu erreichen. | |
JPS63255382A (ja) | エツチング装置におけるエツチング終点検出レシピの作成方法 | |
US4263089A (en) | Plasma development process controller | |
US4246060A (en) | Plasma development process controller | |
TWI584376B (zh) | Plasma processing device | |
JPS54114173A (en) | Electronic probe device | |
JPH03125425A (ja) | エッチング終点判定方法 | |
JP3375338B2 (ja) | 信号の傾斜決定を用いたエンドポイント検出技術 | |
JPH0455329B2 (ja) | ||
JP2978998B2 (ja) | プラズマの測定装置 | |
JPH02285633A (ja) | エッチング処理方法 | |
JPS61269316A (ja) | 終点検出装置 | |
JPS63178527A (ja) | チタンを含む膜のエツチングモニタ−方法 | |
JPS61207583A (ja) | エツチングの終点検出方法 | |
JPS62282435A (ja) | エツチングの終点検出方法 | |
JPS59169136A (ja) | レジスト膜のエツチング終点検出方法 | |
JPS6393115A (ja) | 終点判定方法 | |
JPH01235336A (ja) | エッチング終点判定装置 |