JPS63250464A - 常圧cvd装置 - Google Patents

常圧cvd装置

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Publication number
JPS63250464A
JPS63250464A JP8546887A JP8546887A JPS63250464A JP S63250464 A JPS63250464 A JP S63250464A JP 8546887 A JP8546887 A JP 8546887A JP 8546887 A JP8546887 A JP 8546887A JP S63250464 A JPS63250464 A JP S63250464A
Authority
JP
Japan
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brush
exhaust port
gas supply
discharge head
wall surface
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Pending
Application number
JP8546887A
Other languages
English (en)
Inventor
Hiroaki Abe
浩明 阿部
Kyuzo Iino
飯野 久蔵
Nobuhisa Omura
大村 信久
Shingo Hayashi
信吾 林
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shibaura Machine Co Ltd
Original Assignee
Toshiba Machine Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Machine Co Ltd filed Critical Toshiba Machine Co Ltd
Priority to JP8546887A priority Critical patent/JPS63250464A/ja
Publication of JPS63250464A publication Critical patent/JPS63250464A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/453Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating passing the reaction gases through burners or torches, e.g. atmospheric pressure CVD

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  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、半導体装置等を製造するための常圧(、’V
D装置に係り、特にガス噴出口の周囲に巡らされている
排気口の内壁面および先端面に生ずる付着堆積物を自動
的にりIJ−ニングして高品位のUVD薄膜を能率的に
得られるようにした常圧CVD装置に関するものである
〔従来の技術〕
常圧eVD装置は、基板を支持して加熱する基板支持部
上に基板全配列し、基板の表面に=で反応ガスを噴出す
ると共にその周囲から排気するガス給排ヘッドを基板支
持部に対して相対的に移動させることにより、基板の表
面にS i 02などの薄膜全形成するものである。ガ
ス給排ヘッドは、ガス噴出口とその周囲に巡らされた排
気口とからなり、ガス噴出口から噴出された反応ガスを
基板の表面に接触させて薄膜を形成すると共に、ガス噴
出口の周囲に巡らされている排気口から反応後のガスを
吸引して、反応ガスが外部に漏れないようにしている。
〔発明が解決しようとする問題点〕
常圧CVD装置は、一般的にはSiH4と02の反応を
利用して基板表面上にSiO□薄膜を形成するのに用い
られている。ところで、供給されたSiH4のうち実際
に薄膜形成に使われる量はわずかであり、大部分はS 
+ Oz粉末となって排気口から排出される。このとき
、SiO2粉末は排気口の内壁面や先端面に付着堆積し
、排気量の変化によるCVD条件の変化や、基板上に落
下してパーティクル全発生するなどの問題を生ずる。こ
のため、定期的にガス給排ヘッドの排気カバーを外して
、同排気カバーの内面や露出したガス噴出口の外面すな
わち排気口の内壁面およびそれらの先端面を掃除器やブ
ラシで清掃していた。この清掃頻度はバッチ型CVD装
置では3〜5μの膜厚形成毎に1回の割合で行なわれる
か、またはダストチェックを行なって例えば基板1枚当
り0.5μ以上のゴミの数が許容値を越えた時点で行な
うというような作業標準となっている。このように常圧
CVD装置における排気口のクリーニングは(、’VD
VD薄膜位を向上させる上で重要であると同時に作業者
にとっては大変な作業であり、スループブトにも大きく
影響するなどの問題があった。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明は、前述したような常圧CVD装置において、排
気口の内壁面および先端面に接触可能なブラシを有する
クリーニングユニットを基板支持部に隣接して設けると
共に、ガス給排ヘッドとブラシとの相対移動によってブ
ラシを排気口の内壁面および先端面に対して接離可能に
構成したものである。
〔作 用〕
CVDf行なりでいる状態ではクリーニングユニットは
待機位置にあり、クリーニング指令が出されると、クリ
ーニングユニブトのブラシとガス給排ヘッドは両者間の
相対移動によって互いに対向し、ブラシによって排気口
の内壁面および先端面を自動的にクリーニングする。こ
のクリーニングはCVDの運転プログラムに関連させて
自動的に行なうことが好ましく、バッチ型CVD装置で
は基板の搬出入動作と並行して1バツチ毎に行なうこと
も可能である。そこで、作業者の負担を軽減し、スルー
プブトの低下をより少なく押えるかスループブトヲ従来
より向上させつつ高品位の(、”VD薄膜が得られる。
〔実施例〕
以下本発明の一実施例を示す第1図ないし第5図につい
て説明する。第1図において、+OFi基板支持部で、
その上面はヒータを内蔵するサセプタ11である。この
基板支持部10は第1図において左右方向に伸び、サセ
プタ11上に1ないし数列(第2図参照)に多数の基板
12を配列するようになっている。
13はガス給排ヘッドで、図示しない移動手段により基
板支持部10の長手方向(第1図において左右方向)へ
移動するように設けられている。
このガス給排ヘッド13は、内部にガス噴出口14を有
し、その外側を囲んで設けた排気カバー15と前記ガス
噴出口14の外壁+48 とによって形成された排気口
16を有している。ガス噴出口j4はサセプタ11の上
面に向けて反応ガスを噴出するようになっており、排気
口 16はガス噴出口14から噴出された反応ガスを大
気中へ漏らすことなく吸引して排気するため、その幅は
第2図に示すように、サセプタ11の幅(第2図におい
て左右方向長さ)内に設定され、基板12はガス噴出口
14の幅より若干内側の範囲に配列される。
基板支持部10の第1図において右端側にはクリーニン
グユニット20が設けられている。このクリーニング指
令ブ)20のベース21には枠22が固定され、この枠
22に上下方向に向けられたボールガイド23.23が
取付けられている。
ボールガイド°23.23にはガイド軸24,24が」
二下動自在に係合され、これらの上端に昇降枠25が固
定されている。昇降枠25には前記ガイド軸24.24
と平行に被駆動軸26が固定され、枠22に取付けられ
た駆動装置27によって上下に移動されるようになって
いる。
昇降枠25には、基板支持部10の上面と平行でかつ該
基板支持部100長手方向に対して直角にはガイドバー
28.28と平行に送りねじ29が回転自在に取付けら
れ、送り駆動モータ30によりプーリ31.ベルト32
およびグーIJ33(第4および5図参照)全弁して正
逆転されるようになっている。
ガイドバー2F3.28には、第4図に示すボールガイ
ド34.34’e介してクリーニングヘプト35が移動
自在に支持されている。クリーニングヘッド35には前
記送りねじ29に係合するめねじ36が固定され、送9
ねじ29の正・逆転によりクリーニングヘッド35を第
2および)(3図にお1いて左右へ移動させるようにな
っている。
クリーニングヘッド35は、第4図に示すように、ガイ
ドバー28.28、送りねじ29および昇降枠25の水
平に伸びる部分25aの上方を横切る水平部分35a 
と、この水平部分35aの第4図において左右それぞれ
の端部がら上下に伸びる垂直部分35b、35Cとを有
する略H形をしている。
クリーニングヘッド35の水平部分35aには、ブラケ
ブ)36,36e介して2つの内壁用ブラシホルダ37
.37が回転自在に取付けられている。
なお、38.3’?はベアリング、40はシールである
。内壁用ブラシホルダ37.37の下端寄りにはそれぞ
れプーリ41.4+が固定され、これらにベルト42が
掛け・渡されている。第4図において右方の内壁用ブラ
シホルダ37には前記プーリ41に隣接して別のプーリ
43が固定されている。このプーリ43に掛は渡された
ベルト44は方向変換用に2つ並列に設けられた中間プ
ーリ45 、45(第4図には1つのみ示されている)
を介してブラシ、駆動モータ46の出力軸に固定された
プーリ47に掛は渡されている。なお、ブラシ駆動モー
タ46は、ブラシヘヲド35の第4図において右方の垂
直部分35Cの下端寄りに取付けられているO 内壁用ブラシホルダ37.37の下端にはバキューム用
のロータリージヨイント48.iが取付けられ、図示し
ないホースを介して真空ポンプに接続されている。これ
らの内壁用ブラシホルダ37゜37は、内壁用ブラシ4
9.49の6管50を着脱自在に嵌入し、止めねじ51
.51で該内壁用ブラシ49.49に固定するようにな
っている。前記6管50の有毛部分には図示省略した多
数のバキューム用小孔が設けられている。
これらの内壁用ブラシ49.49は、排気口16のうち
ガス給排ヘッド13の移動方向(第4図において左右方
向)に対し2てガス噴出口14の前後に位置し第4図に
おいて紙面と垂直な方向に伸びる部分に同時に挿入0T
能な位置関係に配置されている。
クリーニングヘッド35の第4図において右方の垂直部
分35Cの上部寄りには、ベアリング52.52を介し
て端面用ブラシ第1ホルダ53が回転自在に取付けられ
ている。この端面用ブラシ第1ホルダ53は、ブラシ駆
動モータ46の出力軸にプーリ47と一体的に取けけら
れたプーリ54からベルト55.プーリ56を介して回
転全与えられるようになっている。なお、端面用ブラシ
第1ホルダ53は、第2および5図に示すように、端面
用ブラシ57を内壁用ブラシ49.4’?の両側に位置
させるように2つ平行に設けられている。
これらの2つの端面用ブラシ第1ホルダ53.53は、
第4図に一方を示すようにこれらにそれぞれ丘 取付けられた歯車5gとその間に介された図示しへ ない2つの中間歯車を介して接続され、第5図に示すよ
うに、端面用ブラシ57.57にそれぞれそれらの上部
が内壁用ブラシ4’?、49が位置するクリーニングヘ
プト35の中央側へ向って回転するように、前記ブラシ
駆動モータ46から回転全与えられるようになっている
りIJ、ニングヘッド35の第4図において左方の垂直
部分35bの上部には、端面用ブラシ57の左端を支持
する端面用ブラシ第2ホルダ59が取付けられている。
この端面用ブラシ第2ボルダ59はベアリング60.6
0によりスリーブ61に回転自在に取付けられている。
端面用ブラシ第2ホルダ59は、端面用ブラシ第1ホル
ダ53.53にそれぞれ対向して2つ設けられ、第5図
に示すように、押え金62によりクリーニングヘプト3
5に対してスリーブ61と共に着脱可能に取付けられ、
端面用ブラシ57.57に交換可能にしている。
クリーニングヘプト35には、第2,3および5図に示
すように、側板63,63が取付けられ、クリーニング
ヘプト35の水平部分35aの上方に垂直部分35b、
35Cと前記側板63.63によって上方を開放した箱
状の区画空間全形成している。
クリーニングヘプト35の水平部分35aには、第3お
よび4図に示すように複数のバキューム用貫通穴64.
・・・が明けられ、水平部分35aの下面にはガスケッ
ト65を介して前記貫通穴64・・・に通ずるダクト6
6が取付けられている。このダクト66は第5図および
第1ないし3図に示すバイブ状のダクト67を介してバ
キュームホース68に接続されている。
次いで本装置の動作について説明する。基板支持部10
のサセプタ11上に基板12全配列して(、’VDに必
要な温度に加熱し、ガス給排ヘッド13をサセプタ11
の上面に対向させ、ガス噴出口14から反応ガスを噴出
させると共に排気口16をバキュームして排気させつつ
、ガス給排ヘッド13を基板支持部10の長手方向へ移
動させ、基板120表面に8i02などの薄膜全形成す
る。
ガス給排ヘプト13が基板支持部10の一端から他端ま
で移動して1バブチ分の処理が終了したならば、ガス給
排へヴド13を第1図に示すように、クリーニングユニ
ット20上に位置させる。
次に、第2図に示す駆動装置27を作動させ、ボールガ
イド23.23とガイド軸24.24により案内して昇
降枠25を上昇させる。この昇降枠25の上昇によりク
リーニングヘプト35も上昇し、内壁用ブラシ49が排
気口16のうちガス給排ヘッド13の移動方向に対して
前後に位置する部分の端部(第2図において左端]に入
る。昇降枠25は端面用ブラシ57,57がガス給排ヘ
ッド13の先端面138に接して若干た2み、側賢63
の上端と前記先端面138 との間がわずかなすき間に
なるところまで上昇して停止する。これによりクリーニ
ングヘッド35の水平部分35a。
垂直部分35b 、35Cおよび側板63,63によっ
て形成されている区画空間はガス給排ヘプト13によっ
て略被われた状態となる。
次いで、バキュームホース68およびロータリージヨイ
ント4g 、iに接続されている図示しない真空ポンプ
を作動させ、ダク)67.66’e介してクリーニング
ヘプト35の水平部分35aの貫通穴64から排気する
と共に内壁用ブラシ49゜49の6管50からも排気す
る。これと同時にブラシ駆動モータ46を作動させ、プ
ーリ47、ベルト44、プーリ43、プーリ41,4+
ならびにベルト42により内壁用ブラシ49.49’!
に回転させると共にプーリ54、ベルト55、プーリ5
6、歯車58等により端面用ブラシ57.57を第5図
に矢印で示す方向へ回転させる。さらにこれらと同時に
、送り駆動モータ30t−作動させ、第4図に示すプー
リ31、ベルト32、プーリ33を介して送りねじ29
を回転させ、めねじ36によってクリーニングヘプト3
5をガイドバー28.28に沿って移動させる。
これにより内壁用ブラシ49.49は排気口16の第2
図において左右方向に伸びる部分すなわちを eVD時に基板支持部IOM横切って基板I2上全移動
する排気口部分内を第2図において左端から右端まで移
動すると共に、端面用ブラシ57゜57はガス給排ヘッ
ド13の先端面13a’i同じく第2図において左端か
ら右端へ移動し、排気口16の内壁面と先端面13aに
付着堆積したS i02粉末などの付着堆積物を除去す
る。前記ブラシ4’?、49,57.57によって除去
された粉末などの異物は、6管50、ロータリージヨイ
ント48や貫通穴64、ダク1−66.67、バキュー
ムホース68によって排出される。このとき、ブラシ4
9゜49.57.57の周囲はガス給排ヘプト13およ
び側板63.63に含むクリーニングヘット35によっ
てほとんど被われ、かつ前記のようにバキュームしてい
るため、ブラシ49.4’?、57.57によって除去
された異物は周囲に飛散することなく、前記のロータリ
ージヨイント48やダクト66.67などからなるバキ
ューム手段によって排出される。
こうして排気口16および先端面13a全第2図におい
て右端までクリーニングしたならば、ブラシ駆動モータ
46および真空ポンプを停止させると共に、駆動装置2
7全逆方向へ作動させて昇降枠25を元位置まで下降さ
せ、さらに送り駆動モータ30e逆転させてクリーニン
グユニット35を第2および3図に示す左端位置に戻し
てクリーニングを終了する。
なお、前記のクリーニング中にCV D薄膜全形次のC
VDが可能になる。
前述した実施例は、排気口16のうち第2図において左
右方向に伸びる部分すなわちガス給排ヘッド13の移動
方向に対して前後に位置し基板12上を横切る部分のみ
を内壁用ブラシ49.49によってクリーニングし、第
2図において両端の紙面と垂直に伸びる端部部分は内壁
用ブラシ49゜49によってクリーニングしない例を示
した。
これは、前記端部部分は付着物の堆積が少ないことと、
基板12から外れているために付着物の落下があっても
影響がないことによるものであり、必要があれば、クリ
ーニングヘプト35とガス給排ヘッド13とを、第2図
において紙面と垂直方向へ相対的に移動させたときに干
渉しないように形成すると共に1、例えばガス給排ヘッ
ド13の移動によるかまたは枠22をベース21に対し
て前記垂直方向へ移動可能とし、クリーニングヘッド3
5を第1および4図において右または左へずらし内壁用
ブラシ4’?、49t−1本ずつ排気口I6の前記端部
部分に挿入して左右半分ずつり17  ++ングするよ
うに構成してもよい。また、本発明は、本発明の要旨を
変えない範囲で種々変形実施可能なことはもちろんであ
る。
〔発明の効果〕
以上述べたように本発明によれば、常圧CvD装置にお
いて問題となる排気口の内壁面および先端面へ付着堆積
した異物の除去を容易かつ確実に行なうことができ、作
業者の負担を軽減できると共に、スループットの低下を
押えるかまたはスループブト全向上させつつ、均一な膜
厚でパーティクルの付着がない高品位のCVD薄膜金得
ることができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例を示す要部正面図、第2図は
第1図の右側面図、第3図は第2図に示すクリーニング
ユニットの平面図、第4図は第2図の[V−IV線によ
る部分拡大断面図、第5図は第4図の要部左側面図であ
る。 10・・・基板支持部、  12・・・基板、13・・
・ガス給排ヘッド、  13a・・・先端面、14・・
・ガス噴出口、  16・・・排気口、20・・・クリ
ーニングユニット、 25・・・昇降枠、28・・・ガ
イドバー、  29・・・送りねじ、35・・・クリー
ニングヘット、 48・・・ロータリージヨイント、 49・・・内壁用ブラシ、 57・・・端面用ブラシ、
64・・・貫通穴、  66.67・・・ダクト。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、反応ガス噴出口の周囲に排気口を巡らせたガス給排
    ヘッドと基板支持部とを基板と平行に相対移動させてC
    VDを行なう常圧CVD装置において、前記排気口の内
    壁面および先端面に接触可能なブラシを有するクリーニ
    ングユニットを前記基板支持部に隣接して設けると共に
    、前記ガス給排ヘッドとブラシとの相対移動によって前
    記ブラシを排気口の内壁面および先端面に対して接離可
    能に構成したことを特徴とする常圧CVD装置。 2、クリーニングユニットは、ブラシ内もしくはブラシ
    の近傍にバキューム手段を備えていることを特徴とする
    特許請求の範囲第1項記載の常圧CVD装置。 3、ブラシは排気口の内壁面用と先端面用の2種のブラ
    シで構成され、内壁面用のブラシは基板支持体に対する
    ガス給排ヘッドの相対移動方向に対してガス噴出口の前
    後に位置する排気口部分にそれぞれ挿入可能に2本設け
    られ、先端面用のブラシは前記内壁面用ブラシの両側に
    設けられていることを特徴とする特許請求の範囲第1ま
    たは2項記載の常圧CVD装置。
JP8546887A 1987-04-07 1987-04-07 常圧cvd装置 Pending JPS63250464A (ja)

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JP8546887A JPS63250464A (ja) 1987-04-07 1987-04-07 常圧cvd装置

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JP8546887A JPS63250464A (ja) 1987-04-07 1987-04-07 常圧cvd装置

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JPS63250464A true JPS63250464A (ja) 1988-10-18

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ID=13859723

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JP8546887A Pending JPS63250464A (ja) 1987-04-07 1987-04-07 常圧cvd装置

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JP (1) JPS63250464A (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0418628U (ja) * 1990-06-05 1992-02-17
US5113789A (en) * 1990-04-24 1992-05-19 Watkins Johnson Company Self cleaning flow control orifice
JP2013539209A (ja) * 2010-08-02 2013-10-17 ビーコ・インストゥルメンツ・インコーポレイテッド Cvd反応器用の排気システム

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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US5113789A (en) * 1990-04-24 1992-05-19 Watkins Johnson Company Self cleaning flow control orifice
JPH0418628U (ja) * 1990-06-05 1992-02-17
JP2013539209A (ja) * 2010-08-02 2013-10-17 ビーコ・インストゥルメンツ・インコーポレイテッド Cvd反応器用の排気システム

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