JPS6324537A - 電子増倍管 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野〕 本発明は電子増倍管に関し、さらに詳しくは光電子増倍
管に関する。

［従来技術１ 従来の電子増倍管は、真空の管球中に、電子供給源およ
び方向性カソードを形成する１個又は数個の電極と、二
次電子を放出する一連の電極としてのダイノードと、電
子受容体を形成づるアノードとを有している。これらの
電極は管球の主軸に沿って配設されていて、動作時には
、主軸に沿って電子を加速する電界を発生さけるに遺し
た電圧が印加される。光電子増倍管では、感光材料でつ
くった電子源は゛″光電カソード″と呼ばれている。

ダイノードの構造としてはいくつかのものが知られてい
る。“ボックス型゛電子増倍管では各ダイノードは１個
のエレメントで構成され、全ダイノードが一体となって
電子をチャネル化する一種のボックスを規定し、各ダイ
ノードは部分的に前段のダイノードに対向し、かつ、部
分的に後段のダイノードに対向する。

他の電子増倍管では各ダイノードは管球の主軸を横切る
ようにして延在する数個のく二次電子放出を行う）アク
ティヴ素子による分散構造を有している。例えば、各ダ
イノードは長辺が管球の主軸に直角であり短辺が主軸に
対して傾いている矩形板を互いに平行に配設して構成さ
れている。この種のダイノードはその形状から゛ベネシ
ャン“あるいは゛′シャッタ″型といわれている。２個
のダイノードの傾きは主軸に対して交互に変わり、かつ
、主軸に対して対称であることが多い。

マルチチャネル電子増倍管と呼ばれるものも公知であり
、アノードに到達する電子はカソードでの発生点に従っ
て識別される。従って、このマルチチャネル構造では電
気的接続の行なわれる独立した数個のアノードを有する
こととなる。それらのダイノードの構造はさまざまであ
る。

マルチチャネル電子増倍管は許容できる濾能を有してい
るとはいえ、一般的に、空間的分解能が劣っている。カ
ソードの位置ではっきり限定されているような電子衝突
領域のみしか識別できない。

事実、カソードの電子衝突とダイノードで増倍されたア
ノードの電子衝突との間に一般的な実際上の対応関係を
得ることができない。

［発明の目的］ 昭和５４年特許願第１６６７６５号の原出願は主軸に沿
った磁界と組合わせることにより電子の局所化を可能と
する新機構の電子増倍管に関するものであった。原出願
では、同じ電極構造で、時間的分解能、外部磁場下にお
ける利得及び利得の比例性においても優れた性能をもっ
ていることを示している。

これに対し、本願発明は、この新しい電残構造自体に関
するものである。

そこで記述された構造は、ダイノードと呼ばれる複数の
格子状中間電極を基本とし、各格子は加速電界の主軸に
直交する平面上に平行、かつ規則的に配置された一連の
棒から構成されている。

各棒状電極は、入［子、あるいは入射荷電粒子に対して
、二次電子放出可能な受容面を備えている。

［発明の効果］ 本発明によれば、 ・前記棒断面の最大寸法は１１ｎＩｎ以下であり、・同
一格子（レベル）の隣接する棒の間隔が、前記断面の最
大寸法にＩＪぼ等しいか、あるいはぞの数倍であり、 ・前記捧によって構成される格子の隣接間隔も、前記最
大寸法にほぼ等しいか、あるいはその数倍である。

要するに、上記の構造は、各棒状格子から放出された二
次電子が、同じ格子によって再捕獲される確率を最小と
覆る特徴を有する。

前記加速電界の平均強度は、通常少なくとも２００　Ｖ
　／　ｃｍであり、好ましくは、前記格子棒の断面寸法
に反比例した関係により規定される。

本発明の一つの特徴は、に子棒の断面が、近似的に、頂
点を入）１電子の上流に対向させた二等辺三角形を形成
する場合に顕著である。

好ましい実施例の一つとして、同一格子の隣接した棒の
間隔をその断面の最大寸法にほぼ等しく規定し、かつ隣
接した二つの格子を電界の主軸に直交した平面内で前記
の間隔だけずらすことにより、前記主軸にほぼ平行に直
進する入射電子に対して、殆んど不透過な壁を形成する
ことが出来る。

前記格子棒の断面最大寸法は、通常的０．５＋ｓ＋、あ
るいはそれ以下である。

本発明の他のＶＩｍは、各ダイノードを少なくとも二つ
の格子にＪ、り形成し、その隣近格子間隔を１、Ｆ流格
子から放出された二次電子の大部分が、下流格子に妨げ
られることなく、次段のダイオードに到達する様規定出
来ることである。

実際に格子棒の断面は斜辺が電子進路の下流に向けられ
た直角二等辺三角形の型、円形の型または主軸に対して
予め定められた傾斜の平たい矩形の型であり、優者の場
合格子棒は薄板である。しかし他の型の新面す考えられ
る。

研究した主要用途は光電子僧侶管のものであるが、本発
明は一般にダイノードが分散構造で反）ｌ二次電子放出
可能であるあらゆる型の電子増倍管に適用される。これ
らのダイノードを囲む電子放出面および受容面はさまざ
まな形状とすることができる。

電子放出面は電子放出電極、カソードまたは光電カソー
ド、または外部起源の電子に対して透過性の面とするこ
とができる。使方、後述するように電子受容面は、多接
続用として区分されたアノード、電気発光表面または電
子ビームにより分析可能なモザイク面とすることができ
る。

本発明のその他の特徴および利点は以下の添附図面を参
照した詳細な記述から明かになる。

以下に記述する実験装置は光電子増倍管に関するもので
あるがその諸特性は電子の起源がどのようであれそれら
の動作がほぼ同じであるすべての型の電子増信管に適用
可能である。

［実　施　例］ 第１図にベネシアンダイノードを備えた従来の光電増倍
管の断面の図解であ４゜′Ｒ空ガラス管球１内に光ビー
ムＬを受けるために光力ソード２が配設されている。光
電性物質で作られたこのカソードは各々の光子と反応し
て電極３を通って一次電子を放出する。−次電子は後方
にアノード１４を備えた一連のダイノード１０個、参照
番号４〜１３、の方へ向けられる。これらダイノードは
電子をカソードからアノードへ、すなわち管球の主軸に
沿って加速する電界を生じさせる適当な電圧がかけられ
る。

分散構造の各ダイノードは第１図の平面に直角に延びて
おり第１図の平面内で垂直に間隔をおいて設けられた平
行かつ傾斜した複数の薄板より成る。たとえば、一つの
実施例によれば、薄板は良さ３０ｍ幅３ｍの矩形である
。その短辺は管球の主軸に対して４５°傾斜しており、
傾斜の方向はダイノードごとに変えられている。

ダイノードの表面は二次電子放出可能な物質で作られ、
電子があたると各ダイノードは一次電子があたった側か
ら複数の二次電子を放出づる。二次電子はさらに電界に
よって加速され次段のダイノードの方へ導かれる。

第２図はこの過程を極めて図式的に表わし、光電カソー
ド上の△にＹｌｌ　７した光子がどのようにして、十分
に大きな表面を有したアノードに受【ノ入れられるかを
示している。

今日まで磁Ｗは光電増倍管の本質的な性能、ザなわら、
利得（電子増（ｇ＋）、直線性Ｊ３よび均等性、ならび
に汗、１間的分解能、ずなゎち、アノードが時間的に識
別された信号を発するために必要な二つの一次電子間の
最少時間Ｉ２！ｌ隔に、とって極めて不都合と考えられ
ていた。とくに管球は極めてしばしばミューメタルのケ
ースによって磁界から慎重に守られている。

それにも拘わらず本発明者らは第３図の実験装置により
磁界の効果をより精密に研究しようと考えた。暗箱３０
には収束レンズ３２を備えた内部隔壁３１がある。その
両側には箱の内部にフォトダイオード３５（０，５ｍの
点光源）と光電子増倍管３６とがある。フオトダイオー
ドは、管球３６の光電カソード３７の平面とレンズ共役
関係にある平面内で移動可能である。従ってフォトダイ
オードの点像が光電カソードの全面を走査できる。管球
は複数のダイノード３４および１個のアノード３３を有
している。

管球３６はたとえば１５００Ｖの高圧をかけた従来の光
電子増倍管［８１６２６２である。最後にコイル３５が
管の主軸に沿って配向されたたとえば下向きの磁界を生
じさせる（磁界の向きはあまり重要ではないことが従来
より確かめられている）。

第４図は縦軸に対数目盛で管球の出力信号をとり、横軸
に直線目盛でかけた磁界をとって、両者の関係を示す。

磁界の各々の値についてフォトダイオードはダイノード
を構成している薄板のうちの一枚の両縁に対応する二つ
の位置にお′ｈＸれた。

Ｉｔ　＋　ＴＩおよび１１０　ＩＩの印を施こした点は
それぞれ薄板の下および上の縁に相当する。

磁界Ｏでは二つの点は一致し利得はＧ。である。

磁界が強（なるに従って利得は減じ両点ＩＩ　十ＩＩお
よび“０″は段々に離れて行く。Ｂ　＝　３０ガウスを
超えると利得の速かな低下が、またこの値より下では利
得がほぼ一定であることが確かめられる。

本発明者らは３０ガウスの磁場において電子進路の曲率
半径が薄板の幅（３ｔｒｍｒ　）に相当すると推定した
。磁界Ｂが３０ガウスを超えるとダイノードから放出さ
れる二次電子の進路曲率半径は小さく電子が薄板に捕え
られる確率が大きくなり、このことから磁界に応じて利
得が速かに低下する。逆に磁界Ｂが３０ガウスより小さ
いときは電子が次段のダイノードに達する確率が大であ
り、このことがら利１ｑはほぼ一定である。

第５図は１２０ガウスの…揚に対して縦軸に対数目盛で
管球の出力信号を、横軸に直線目盛でカソード上の発光
点位置をとり両者の関係を示している。第５図は利得が
光源の位置に応じて変動することおよび利１ｑの変動が
ダイノードの格子１ｆＩｌ、６を反映することを示して
いる。

このことは薄板の上縁近くから発せられる二次電子には
下縁近くからのものより薄板によって再捕捉される確率
が大きくなるという電子進路曲率半径の役割を示してい
る。

本発明者らはまた電子進路が磁界Ｂの軸のまわりに抑え
られることも観察した。第３図に戻るに、領１ｉｆｔＤ
は磁界Ｂが強くなればなるほど小さくなる。

これもまた磁界によって電子進路に加えられる曲率半径
の効果である。従って、たとえば区分アノードであるマ
ルチプルアノードを用いれば、−次電子源△の位置をア
ノ−ドの位置において局所化させることができる。

磁界による局所化効果は第３図によって構成された電子
増倍管によっても得られるが、ぞの利得は磁界Ｏの利Ｉ
Ｇｏよりもかなり小さい。

第４図および第５図に示された実験結果は磁界によって
電子進路に課せられる曲率半径に従って薄板の幅を小さ
くして利得が改善できることを示す。

この可能性を立証するために、たとえば第１図のような
ベネシアンダイノードを裔えた光電子増倍管中で起きる
現象のシミュレーションにＪ：って深い研究を行った。

このシミュレーションは管球の形状、電極間の電圧値、
ダイノード二次電子放出の実験データならびに端縁損失
および空間電荷などを考虞に入れてモンテ・カル口・プ
ログラムによりコンビコータで実施した。

こうして電界および二次電子放出がはっきり規定された
上で電子進路に及ぼす磁界の影響を研究した。

実験的に立証されたシミュレーションにより良好な局所
化および改良された利得をもたらすいくつかのダイノー
ドの特殊構造が得られた。

第６図はこれらのうち現時点で好ましいと考えられる構
造のうちひとつを示す。各ダイノードは二つのレベル（
格子）より成る。例えば、ダイノードＤ。−１はレベル
６１および６２より成る。レベル６１は一連の薄板むし
ろ長形の格子棒より成り、その断面は底辺０．５Ｍの直
角二等辺三角形である。

その底辺は管球の主軸に対して直角であり、次段のダイ
ノードに向りられている。隣接する２本の格子棒の底辺
に対する頂点間の間隔も同じり０．５Ｍである。第１の
ものから２．５Ｍに位置している第２のレベル６２も同
様に構成しであるが、その格子棒は前段のものの間隙に
重ねられ上から児でダイノード全体として間隙のない構
造を構成するようにしている。第２のダイノードＤ。は
第１のものと同様でその第１のレベル６３はレベル６１
に対して１０ｍずれている。最後に、二次電子放出面上
のアクティヴ表面は各レベルにおいて４５°傾斜した二
つの表面であり、直角二等辺三角形の直角をなす両辺に
よって規定されている。１５０　Ｖ電圧をレベル６１と
６２との間に、また、６００■の電圧をレベルＧ１と６
３との間に、さらに、１５０Ｖの電圧をレベル６３と６
４との間にかけ、このようにしてダイノード全体に対し
て周期的電圧配分を行う。１４個のダイノード（各々二
つのレベル）　、６００／　ｃｔｎの電界おにび４００
ガウスの磁界を用いて、この種の電子増倍間は１０７程
度の利得で主１゜５ｍの空間的分解能（半値巾）が達成
できる。次に構造がより複雑なため重要度は劣るが、別
な構造を第７図に示す。一つのダイノードがここでは参
照符号７１〜７６に示されるような多数の等間隔のレベ
ルから成るので、分離独立したダイノードの概念は薄め
られている。各レベルは第６図と同様に、ただし、２．
０ｇ＋の間隔で隔てられている格子棒より成る。

あるレベルの格子棒は先行のレベルのものに対して０５
蔵だけたとえば左にずれている。したがって、例えばレ
ベル７６の左から２番目の格子棒はレベル７１０１番目
の格子棒の垂直線上にある。レベル７１〜７５は、全体
として、Ｚ軸に平行な電子ビームに対して不透過性のシ
ステムを形成づる。この構造は０２軸に沿って規則的で
あるが、ある段のダイノードが７１〜７５のような５個
のレベルより構成されるものと考えられる。膜相互間の
間隔は１２．５ｍＩＲである。１４段、４１０ガウスの
磁界および段当たり４００Ｖの電圧（又（ま約４００Ｖ
／ｃｍの電界）を用いると、この種の電子増倍器は１０
７程度の利得で１１Ｍの空間的分解能（アノード」二で
の電子衝突の分布の半（＋ｉ　＋Ｉ］　）が達成できる
。

一般に本発明者らはＺ軸について対称な断面を有する格
子棒のダイノードの構造は、電界の均等性を良くし、ま
た、これによって空間的分解能をよくするなどイ１刊で
あることを観察した。これに関してはもちろ／υ直角二
等辺三角形の断面の格子棒を同等の格子棒、たとえば、
円形断面で直径が二等辺三角形の底辺あるいは斜辺の長
さに近く、少なくともそれらの上部で二次電子放出可能
とした格子棒で代替できる。

別の構造のダイノードを第８図に示す。第７図のものと
同じく０２軸に沿ってアクテイヴ素子のレベル８１〜８
６が規則正しく配分され、これらのアクティヴ素子のＸ
軸上に投影した幅は０５ＩｎＪＲであり、各レベルはこ
の幅に等しい間隔ｔごけ順次ずれている。ここでもまた
二つのアクティヴ素子の間の間隔は２＃ｌＩＲであり、
レベル８６のアクティヴ素子がレベル８１のものの垂線
上にくるように配列されている。しかしこの場合、三角
形断面の格子棒の代りにアクティヴ素子は１ぺて同じ側
に４５°傾いたベネシアン型の薄板であり、それらの上
面のみが二次電子放出可能である。ここでもまたダイノ
ードの一つ段が隣接する薄板の五つのレベルからなり、
膜相互間の間隔は５１Ｍである。１４段、段間の電圧３
００　Ｖ　（又は０００／　ｃｍの電界）および２３０
ガウスの磁界を用いると、空間的分解能の半値幅は±２
馴であり利得は１０８程度である。

空間的分解能が第６図および第７図の場合より劣るのは
、アクティヴ素子の７帖についての対称性の役割につい
てなされた前述の指摘からｔ）説明できる。その代わり
利得はよくなっている。

別の重要かつ意外な観察がなされた。提案した構造は全
てＸ帖に沿って分散しているがＹ軸に沿っでは連続であ
る。従ってＹ軸の方向には何ら電子の局所化がないと予
想できるが、実際にはＹ方向においてもＸ方向のものと
実質上回等の空間的分解能が得られる。従って光電カソ
ード上のあらゆる方向において同様であることが推論で
きる。

この注目すべき特性はかけられた磁界の作用による電子
進路の弯曲によると推定される。

以下の説明は第６図から第８図の構造の橢能について述
べている 第６図 一次電子が格子（グリッド）６１にあたって生じる二次
電子が格子６２の格子棒間を通過して格子６３．６４の
何かに達するよう格子の形状、大きさを考慮に入れて電
界および磁界の条件が決められる。したがって、格子６
１から介せられる電子の進路は、格子６２の格子棒間で
節（ノード）をつくるといえる。

第７図 格子７１から発せられる二次電子の進路は格子７２（ｚ
＝２．５ｍ＋）の格子棒間で第１の面をつくる。

また第２の節をＺ＝１０．５ｍ、すなわち格子７５の僅
か下方につくる。二つの節は放出点と７方向に対してほ
ぼ一直線上にあるので、電子が格子７２から７５を避け
て格子７６または後段の格子に接触するＷ率が最大とな
る。

第８図 進路は、Ｚ軸についての薄板の非対称性により電界の均
等性が劣るので、より複雑である。

それにも拘らず進路中の節の条件は第７図に示した構造
のものと同等と考えられる。

いずれの場合においても、これら進路中の節の条件の具
体化、ここでは゛螺旋状収束パと称する、はダイノード
の形状と寸法とを考慮した電界と磁界との適切な関係か
ら生じる。電子進路の局所化特性、すなわち、ＸＹ平面
の良好な空間的分解能を決定するのはこの螺旋状収束で
ある。電界おＪ：び磁界をともにに倍し、構造の寸法お
よび時間を同じＫで割ると、電子運動の等式は不変のま
までいるという事実が考慮された。

もちろｌν、空間的分解能は格子のアクテイヴ素子が細
かくなればなるほど改良されるが、その場合それにとも
なって電界および磁界を強くしなければならない。

また本発明の電子増倍管は時間的分解能がシャッタ型光
電子増倍管のものより良く、従来の殆んどの充電増倍管
が約１０ナノセカンドであるのに対して２ナノセカンド
（電流最大値の１０から９０％）未満に低下できること
も観察された。

また本発明の電子増倍管は従来技術のものより最終段の
空間電荷の問題に煩わされることが少ないことも観察さ
れた。実際に電流の関数としての利得の直線性が、いわ
ゆるボックス型でなくベネシャンダイノードを備えた光
電子増倍管については良くなっている。

上記の構造のこれらの影響も本発明の重要な利点を構成
し局所化とは無関係に利用できる。

本発明は木質的には局所化可能の電子増倍管、すなわち
、管球の入力面上の電子放出点と出力面上の電子到達点
との間に精度の高い対応が得られるものをもたらす。こ
の対１芯の精度（よ空間的分解能によって規定される。

現時点での望ましい用途は充電増倍管であり、その場合
入力面は光電カソードである。しかし本発明は表面上で
電子を選択的に放出するあらゆる種類のカソード（たと
えば分割カソード）に適用できる。また他の源（たとえ
ば電子加速器）から発せられた電子を管球の入力面を通
して入射することもできる。ここで′″電子放出面″の
用語はこれら態様のすべてを２含する。

管球の出力面すなわち゛電子受容面″もちろん電子１−
１達点に応じて電子選択検出を可能にすべぎである。そ
の最も簡単な具体化は個々の電気接続を備えた素子から
なる分割アノードである。この場合の゛粗″空間的分解
能（たとえば△Ｘ＝±２＃ｌ）は当然アノードの分割素
子の寸法によって限定される。この粗空間的分解能はア
ノードのさまざまな素子からくる信号を処理することに
よって著しく改善できる。この処理はアノードの複数の
隣接する素子から発せられる信号の娠幅の処理を含む。

粗分解能を八８−±２ｒｍどし、この粗分解能と同程度
の寸法のアノード素子を用いたとさ、処し！ｌ！後には
±０．１＃の分解能が得られる。

そのうえ、また提案の装置の極めて重要な特性であるが
分解能は光電子源がアノードの隣接素子すべてにとって
共通であるので、光電カソードのＴ内助率による統計的
変動には無関係である。従って分解能は分析される源の
光度に無関係である。

分割アノードの代りに使用できる別の型の受容面は、目
視および／または写真観察ができる、陰極線管のスクリ
ーンと同様の電気発光板である。

さらに電子受容面は、テレビジョン蹟像管と同様にもつ
くれ、この場合入射電子により荷電する細かい素子のモ
ザイクがあり、分析用電子ビームがモザイクの各素子の
電荷を読みとるようこの表面を走査すようになっている
。走査して読みとることによって、受けた電子の空間的
配分を宇める連続信号が得られる。しかし連続走査であ
るから、この秤の受容面は本発明の管球の時間的分解能
を十分に利することができない。

［発明の効果］ 本発明による電子増倍管はいくつもの利用が可能である
。たとえば、電子や光子の直接検出（多重電子増倍管）
、高利（Ｈの画像増幅冴である。利用分野は広汎にわた
り、とくに核物Ｌ！（！学おにび高エネルギ物理の粒子
検出、医学などがある。

例えば、直径１００Ｍの本発明による光電増倍管は、ベ
ネシアンダイノードを備えた従来の小型の光電子増倍管
５０〜１００個に代替でき、すぐれた空間的分解能（±
　１．Ｅ＋ｓ）のみならず、実質上置等に良好で、しか
もより均等かつより直線性のよい利得およびすぐれた時
間的分解能をもたらす。

もちろｌυ、本発明は上記実施例に限定されるものでは
なく、その精神にかなったあらゆる変形にわたる。たと
えば、第６図の配置に薄板をまたは第６図および第７図
の配置に丸棒を使用ザることも可能である。また直角二
等辺三角形の断面９単純な変形、たとえば斜辺をへこ／
ｖだ曲線にしたものも考えられる。

使方、各ダイノードの段を複数の相互にずらしたレベル
から構成し、これらが全体として入射電子にとって実買
上不透過性の構造となる配置とすることが重要と考えら
れる。

【図面の簡単な説明】

第１図はベネシアンダイノードを晶えた従来の光電子増
倍管の簡略図。 第２図は従来の光電子増倍管中の゛重子進路を示す極め
て図解的な断面図。 第３図は軸方向に磁界をかけた光電子増倍管を含む実験
装置の断面図。 第４図および第５図ｆ、を第３図の実験装置を用いて１
ｑられた実験結果を示す図、そして第６図から第８図は
本発明に使用可能なダイノードの種々の形状配置を示ず
等角ＤＩ　ｆ’Ａ　Ｊ：る図である。 １・・・真空ガラス管球　　２・・・光電カソード３・
・・−次電子電極　　　４〜１３・・・ダイノード１４
・・・アノード　　　　　３０・・・暗箱３１・・・内
部隔離３２・・・収束レンズ３３・・・アノード　　　
　　３６・・・光電子増倍管３７・・・光電カソード而
　　３８・・・管球の主軸３９・・・コイル ６１．６２，６３．Ｇ４・・・ダイノードのレベル（格
子）７１〜７Ｇ・・・ダイノードのレベル（格子）△・
・・−次電子源　　　　し・・・光ビームＤ・・・領域 Ｄ　　　、Ｄ　　・・・ダイノード ｎ−ｉ　　　ｎ ０．５ｍｍ　　　Ｏ，５ｍｍ ＦＩＧ−６ ＦＩＧ−７ 石　２８　品　′ｇ５　諺

Claims (9)

【特許請求の範囲】
1. （１）ダイノードと呼ばれる中間電極が複数本の平行棒
   によって規定される格子よりなり、複数個の格子の各々
   は電子加速電界の主軸に直交する面上に規則的に離間し
   て延在する複数本の平行棒によって構成され、そして前
   記棒は電子等の荷電粒子が衝突すると二次電子を放出で
   き、かつ、上流に対向する部分を有する、電子増倍装置
   であつて、前記棒の断面の最大寸法が約１ｍｍ以下であ
   り、同一格子の隣接する棒の間隔が前記断面の最大寸法
   にほぼ等しいか、あるいは、その数倍であり、 前記棒によつて規定される隣接する格子の間隔も前記断
   面の最大寸法にほぼ等しいか、あるいは、その数倍であ
   ることを特徴とする電子増倍装置。
2. （２）前記棒によつて規定される各格子での二次電子放
   出が同格子によつて再捕獲されるのを最小とする付加的
   構造を備えた特許請求の範囲第１項記載の電子増倍装置
   。
3. （３）平均電界強度が少なくとも２００Ｖ／ｃｍである
   特許請求の範囲第１項あるいは第２項記載の電子増倍装
   置。
4. （４）電界強度が前記棒の断面の寸法に逆比例する特許
   請求の範囲第１項から第３項のいずれかに記載の電子増
   倍装置。
5. （５）前記棒の断面が、頂点を上流に対向させた直角二
   等辺三角形にほぼ等しい特許請求の範囲第１項から第４
   項のいずれかに記載の電子増倍装置。
6. （６）同一格子の隣接する棒の間隔と、棒によって規定
   される隣接する格子の間隔とが、棒の断面の最大寸法に
   ほぼ等しい特許請求の範囲第１項から第５項のいずれか
   に記載の電子増倍装置。
7. （７）隣接する２個の格子を規定する棒を、電界の主軸
   に平行にほぼ直線運動する電子に対してほぼ不透明な壁
   を形成するようずらした特許請求の範囲第６項記載の電
   子増倍装置。
8. （８）棒の断面の最大寸法が約０．５ｍｍあるいはそれ
   以下である特許請求の範囲第１項から第７項のいずれか
   に記載の電子増倍装置。
9. （９）前記ダイノードの各々は棒によって規定される少
   なくとも２個の格子より成り、主軸方向の格子間の間隔
   は、あるダイノードの第１の格子から放出される二次電
   子のほぼすべてが同一ダイノードの他の格子と衝突せず
   、かつ、このダイノードのほぼすべての二次電子が次段
   のダイノードの格子と衝突するように設定されている特
   許請求の範囲第１項から第８項のいずれかに記載の電子
   増倍装置。